三极管与可控硅
双向可控硅导通条件
双向可控硅导通条件双向可控硅导通条件是一种特殊的导通条件，它是导通技术应用中最重要的硅元件。
作为一种复合结构，它在双向控制方面具有特殊的性能和特点。
双向可控硅导通条件多用于应用有源功率放大器，如无线电、汽车电子等行业，它可以有效提高放大电路实用性。
它也常用于输出控制电路，可大大降低温度对电路稳定性的影响。
什么是双向可控硅导通条件？它是一种典型的可控硅（SCR）结构，其由一系列由硅晶体、基板和双向控制装置组成的硅元件。
可控硅是一种静态三极管，由 negatively-biased control electrodes 与被称为 anode 和 cathode 之间构成 PN 结，当给控制electrodes 加上一个负偏压，硅晶体就可以将 anode 与 cathode 相连从而导通介绍。
由于它具有可控的特性，所以它可以被电脑控制，用于放大电路的输出控制，因此它最常见的应用就是用做有源功率放大器中的功率栅极电路。
双向可控硅导通条件在应用和使用中具有一定的优势，首先它的影响小，其噪声水平在业界最小，其密度也高，抗电磁干扰能力强，它的温度基本不受环境温度影响，耗能小，功耗降低，相对于其它形式的功能元件，它的耗能节约，更为明显，此外，它还具有一定的保护性能，在输出短路、超流等情况下，可以保护设备，重要的是，它可以有效地降低整个系统的体积，提高了系统的整体性能。
双向可控硅导通条件的结构非常之简单，但是却具有相当的实用性。
它的非切断电流、转换电容因子和电抗等性能均非常优良，除此之外，它还有着可靠的空间散热能力，可提供更好的导通效果，良好的可靠性和耐用性，延长了其可靠寿命。
这已经得到了广泛的应用，所以可以在实际生产过程中受到应用和改进。
双向可控硅的原理,二三极管原理
尽管从形式上可将双向可控硅瞧成两只普通可控硅的组合,但实际上它就是由7只晶体管与多只电阻构成的功率集成器件。
小功率双向可控硅一般采用塑料封装,有的还带散热板,外形如图l所示。
典型产品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V),MAC218-10(8A／800V)等。
大功率双向可控硅大多采用RD91型封装。
双向可控硅的主要参数见附表。
双向可控硅的结构与符号见图2。
它属于NPNPN五层器件,三个电极分别就是T1、T2、G。
因该器件可以双向导通,故除门极G以外的两个电极统称为主端子,用T1、T2。
表示,不再划分成阳极或阴极。
其特点就是,当G极与T2极相对于T1,的电压均为正时,T2就是阳极,T1就是阴极。
反之,当G极与T2 极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。
双向可控硅的伏安特性见图3,由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。
检测方法下面介绍利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法,同时还检查触发能力。
1、判定T2极由图2可见,G极与T1极靠近,距T2极较远。
因此,G—T1之间的正、反向电阻都很小。
在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时,只有在G-T1之间呈现低阻,正、反向电阻仅几十欧,而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。
这表明,如果测出某脚与其她两脚都不通,就肯定就是T2极。
,另外,采用TO—220封装的双向可控硅,T2极通常与小散热板连通,据此亦可确定T2极。
2.区分G极与T1极(1)找出T2极之后,首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极,另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极,红表笔接T2极,电阻为无穷大。
接着用红表笔尖把T2与G 短路,给G极加上负触发信号,电阻值应为十欧左右(参见图4 (a)),证明管子已经导通,导通方向为T1一T2。
再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2),若电阻值保持不变,证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。
可控硅工作原理及参数详解
上面我们只是把 R2（与 R1）作为象征性的限流电阻，其实 R2 完全可以是负载，如电 灯泡，如下图所示：
所谓人多好办事，这个更大的基极电流 IB2 第二次被三极管 Q2 放大，此时的 IC2 就是（IB2 ×β2×β1×β2），然后又重复被两个三极管交互进行正反馈放大，周而复始。
在这个过程中，三极管 Q2 的集电极‐发射极压降越来越小，阳极电流 IAA 的电流也越来越 大，最终 Q2 饱和了（Q1 也不甘示弱，节奏妥妥地跟上），最后就成为下图所示的：
可控硅完全导通后，流过 A、K 两极的电流即为通态电流 IT（On‐State Current），实际应 用时，VAK 通常是交流电压（如 220VAC），因此常将此参数标记为通态平均电流 IT（RMS），指 可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，而此时流过 G、 K 两极的电流即为门极电流 IG（Gate Current），这个门极控制电流不应超过门极最大峰值电 流 IGM（Forward Peak Gate Voltage）
当 Q1 与 Q2 充分导通后（可控硅导通），A、K 两极之间的压降很小，其实就是 Q1 发射
结电压 + VBE2 Q2 集电极‐发射极饱和电压 VCE1，这个电压称为正向通态电压 VTM（Forward
On‐State Voltage）
可以看到，VAK 的电压值最终全部加到电阻 R2 上面，整个过程就是由电压 VGK 引发的“血 案”，原来 R2 电阻上没有任何压降，VGK 电压触发可控硅后，VAK 电压就全部加在电阻 R2 上 面了。
可控硅的使用方法大全
可控硅的使用方法大全一、概述在日常的控制应用中我们都通常会遇到需要开关交流电的应用，一般控制交流电的时候，我们会使用很多种方法，如：1、使用继电器来控制，如电饭煲，洗衣机的水阀：2、使用大功率的三极管或IGBT来控制：3、使用整流桥加三极管：4、使用两个SCR来控制：5、使用一个Triac来控制：晶闸管(Thyristor)又叫可控硅，按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。
其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。
同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。
单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器)双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-direct ional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。
请注意上述两图中的红紫箭头方向！可控硅的结构原理我就不提了。
二、可控硅的控制模式现在我们来看一看通常的可控硅控制模式1、On/Off 控制：对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。
2、相角控制：也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，从而实现控制电流的大小三、我们知道，可控硅的一个导通周期可以有四步：。
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
场效应管,三极管,可控硅-
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
可控硅工作原理及参数详解
当 Q1 与 Q2 充分导通后（可控硅导通），A、K 两极之间的压降很小，其实就是 Q1 发射
结电压 + VBE2 Q2 集电极‐发射极饱和电压 VCE1，这个电压称为正向通态电压 VTM（Forward
On‐State Voltage）
可以看到，VAK 的电压值最终全部加到电阻 R2 上面，整个过程就是由电压 VGK 引发的“血 案”，原来 R2 电阻上没有任何压降，VGK 电压触发可控硅后，VAK 电压就全部加在电阻 R2 上 面了。
当 G、K 两极没有加正向电压时，A、K 之间相当于是断开的，灯泡不亮
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Author: Jackie Long
当 G、K 加上正向电压后，A、K 之间相当于短路，所以 VAK 电压全部加在电灯泡上使其 发光。
此时 VAK 电压全部施加到 A、K 两极之间，这个允许施加的最大电压 VAK 即断态重复峰值 电压 VDRM（Peak Repetitive Off‐State Voltage），相应的有断态重复峰值电流 IDRM（Peak Repetitive Off‐State Current）
如下图所示，电压 VGK 施加到 G、K 两极后，Q2 的发射结因正向偏置而使其导通，从而 产生了基极电流 IB2，此时 Q2 尚处于截止状态，可控硅阳极电流 IA 为 0，Q1 的基极电流 IB1 也为 0，电阻 R2 上也没有压降，因此 Q2 的集电极‐发射电压 VCE2 为 VAK，这个电压值通常远 大于 VBE2，即使是在测试数据手册中的参数时，VAK 也至少有 6V，实际应用时 VAK 会有几百 伏，因此，三极管 Q2 的发射结正偏、集电结反偏，开始处于放大状态。
常用三极管资料
= 4 V , g m ≥ 2 , 300 MHz
< 1.2 mA, 100mW, U p = 4 V , g m ≥ 3 , 90 MHz
< 0.35 ~ 1.2 mA, 100mW, U p = 4 V , g m ≥ 2 , 1000 MHz
4．常用模拟集成运放和电压比较器表
名称 型号 主要 参数 名称 型号 主要 参数 名称 型号 主要 参数 名称 型号 主要 参数 名称 型号 开环电压放大倍数：（在 Vo＝±10V，RL≥2K 条件下）2×10 倍 电源电流：CF747M：3.4mA，CF747C：3.9mA 可单可双电源供电通用型四运放 CF124 系列 CF124MD,CF224LD,CF324CD,CF124MJ,CF224LJ,CF324CJ,CF324CP/LM124,LM324 电源电压极限：32V 或±16V 差模输入电压：±32V 共模输入电压：-0.3V～+32V 开环电压放大倍数：1×105 倍 电源电流：3mA 可单可双电源供电高输入阻抗单运放 CF3140 CF3140MT,CF3140AMT,CF3140BMT,CF3140MD,CF3140AMD,CF3140BMD,CF3140MJ,CF3140AMJ,CF3140BMJ /CA3140,DG3140 电源电压极限：CF3140/CF3140A:36V,CF3140B:44V 差模输入电压极限：±8V 共模输入电压极限：-0.5V～+8V 主要 参数 名称 型号 主要 参数 名称 型号 主要 共模抑制比：（Iset＝50A 时）80dB 输入偏置电流：（V+＝10V 时）1nA 参数 电源电流：（在 V+＝5V，Rset＝1M 条件下）每对 50A 名称 型号 主要 分别供电双电源具有高阻抗输入的宽带双运放 F354 F354A,F354B,F354D 电源电压极限：±18V 电源电流：3.6mA 差模输入电压范围：±30V 共模输入电压范围：±15V 开环电压放大倍数：（在 Vo＝6V，RL≥2K 条件下）1×105 倍 输入电阻：1.5TM 增益带宽积：4.5MHz 电源电流：4mA 输入失调电流：CF3140:5mA,CF3140A:22mA,CF3140B:0.8mA 功耗：120mW 双电源供电高输入阻抗双运放 CF353 CF353CT,CF353CD,CF353CJ,CF353CP 电源电压极限:±18V 差模输入电压极限：±30V 共模输入电压极限：±15V 开环电压放大倍数：（在 Vo＝±10V，RL≥2K 条件下）1×105 倍 电源电流：3.6mA 输入电阻：1012 单位增益带宽积：4MHz 输入电阻：2.0M
详解三极管的工作原理
一、什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。
通常指本征半导体三极管，即BJT管。
典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。
施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。
三极管实物图三极管有哪三极？▪基极：用于激活晶体管。
（名字的来源，最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，而这种基材形成了底座连接。
）▪集电极：三极管的正极。
（因为收集电荷载体）▪发射极：三极管的负极。
（因为发射电荷载流子）1、三极管的分类三极管的应用十分广泛，种类繁多，分类方式也多种多样。
2、根据结构▪NPN型三极管▪PNP型三极管3、根据功率▪小功率三极管▪中功率三极管▪大功率三极管4、根据工作频率▪低频三极管▪高频三极管5、根据封装形式▪金属封装型▪塑料封装型6、根据PN结材料▪锗三极管▪硅三极管▪除此之外，还有一些专用或特殊三极管二、三极管的工作原理这里主要讲一下PNP和NPN。
1、PNPPNP是一种BJT，其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。
在这样的配置中，设备将控制电流的流动。
PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。
二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。
2、NPNNPN中有一种p 型材料存在于两种n 型材料之间。
NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。
在NPN 晶体管中，电子从发射极区移动到集电极区，从而在晶体管中形成电流。
这种晶体管在电路中被广泛使用。
PNP和NPN 符号图三、三极管的 3 种工作状态分别是截止状态、放大状态、饱和状态。
接下来分享在其他公众号看到的一种通俗易懂的讲法：1、截止状态三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。
这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。
三极管工作原理-截止状态截止状态下，三极管各电极的电流几乎为0，集电极和发射极互不相通。
可控硅的工作原理(带图)
可控硅的工作原理（带图）可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看岀PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（U BO）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线H为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线山为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
可控硅
1.2.4 可控硅1. 可控硅的结构与工作原理可控硅是在硅二极管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。
它又称“晶体闸流管”简称“晶闸管”。
它具有三个PN结四层结构。
可控硅有三个电极，分别为阳极（A）、阴极（K）、控制极（G）。
其外形及电路符号如图1-20所示。
可控硅主要有螺栓型、平板型、塑封型和三极管型。
通过的电流可能从几安培到千安培以上。
图1-20 可控硅及电路符号图1-21 可控硅工作原理可控硅的工作原理可以通过下面的实验电路加以说明。
如图1-21（a）所示，接好电源，阴极与阳极间加正向电压，即阳极接电源E1的正极，阴极接电源E1的负极，控制极接E2的正极，这时S为断开状态，灯泡不亮，说明可控硅不导通。
如将S闭合，即给控制极加上正电压，这时灯泡亮了，说明可控硅处于导通状态。
可控硅导通后，将S断开，去掉控制极上的电压，灯泡仍然亮了，说明可控硅一旦导通后，控制极就失去了控制作用。
如果给阴极与阳极间加反向电压，如图1-21（b）即阳极接E负极，阴极接E的正极。
这时给控制极加电压，灯泡不亮，说明可控硅不导通。
如将E极性对调，即控制极加反向电压如图1-21（c）所示，阳极与阴极间无论加正、反向电压，可控硅都不导通。
通过以上说明，可控硅导通必须具备两个条件：一是可控硅阴极与阳极间必须加正向电压，二是控制极电路也要接正向电压。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
如图1-21（d），当改变RP的触点位置时可使灯泡的亮度逐渐减少，并完全熄灭。
当灯泡熄灭后，不论如何改变RP触点的位置，灯都不会再亮，这说明了可控硅已不再导通。
此试验进一步表明，当可控硅导通后控制极就起动了控制作用，此时要使可控硅再度处于关断状态，就要降低可控硅阳极电压或通态的电流。
可控硅的控制极电压、电流，一般是比较低的，电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的器件中可以通过很大的电压和电流，电压可达几千伏、电流可达到千安以上。
三极管的简单检测方法(经验判断)
一、三极管的简单检测方法〔经历判断〕1.冒状的三极管：对于这种冒状三极管，一般都有个凸出的部分，那么突出部分对应为E极，然后B极应该为中间的引脚，另外一脚那么为C极；2.普通的三极管：对于这种三极管，首先用数字万用表检测出B极〔万用表打到导通挡，假设测得某一引脚与其他两引脚的压降为无穷大，调换表笔，测得此引脚与其他两引脚都存在一定的压降，那么可断定此引脚为B极〕，检测出B极后，将万用表打到导通挡〔即二极管挡〕，分别测量另外两支引脚对B极的正向偏压，其中偏压较大的为E极，偏压较小的为C极；〔注：一般三极管假设检测出B极在一端，那么另一端为E极，中间为C极〕二、电容的串、并联：1.电容串联电路的根本特征：a):电容串联后总电容的倒数等于各电容容量的倒数之和，即1/C=1/C1+1/C2+…,这一点与电阻并联电路一样。
〔记住一个特例：当两个容量相等电容串联后，其总的电容容量为原来单个电容容量的一半。
〕b):在电容串联电路中，容量大的电容两端电压小，容量小的电容两端电压大〔由Q=C*U，存储在串联电路中各个电容的电荷量Q相等，所以容量越大，电容两端电压越小。
〕，当某个电容的容量远大于其他电容时，该电容相当于通路，此时电路中起决定性作用的是容量小的电容。
c):两只有极性电解电容顺串联的结果仍然为一只有极性的电容，总电容的容量减小，总电容的耐压进步；逆串联后电容没有极性，两根引脚可以任意接入电路中。
2.电容并联电路的根本特征：a):电容并联电路中的总电容等于各电容的容量之和，即总容量C= C1+C2+…，这一点与电阻串联特性相似。
b)：电容并联电路中各电容上电压相等，各电容支路中，大容量电容支路中的电流大，小容量电容支路中的电流小。
〔因为并联电路两端电压相等，容量大容抗小，电流大〕说明：〔平板电容公式为c=εs/4πkd.平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比，跟正对面积成s正比,跟极板间的间隔d成反比，其中式中的k是静电力常量。
电子元器件识别功能大全(含图片)
电子元器件技术培训电子元器件电子电路中常用的器件包括：电阻、电容、二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤波器、接插件、电机、天线等。
本课件只针最常用的各种元件进行讲解，抛砖引玉，各位学员在日常中应注意积累相关知识。
电阻一、电阻作为电路中最常用的器件，电阻器，通常简称为电阻（以下简称为电阻）。
电阻几乎是任何一个电子线路中不可缺少的一种器件，顾名思义，电阻的作用是阻碍电子的作用。
在电路中主要的作用是：缓冲、负载、分压分流、保护等作用。
碳电阻器碳膜电器碳膜电阻器是目前电子、电器、资讯产品中使用量最大，价格最便宜，品质稳定性、信赖度最高的碳膜固定电阻器。
气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。
改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度，可以得到不同的阻值。
优点:制作简单，成本低；缺点:稳定性差，噪音大、误差大。
金属氧化皮膜电阻器金属氧化皮膜电阻器随着电子设备的发展其构成的零件亦趋向小型化、轻型化及耐用化等趋势。
在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。
刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。
优点:体积小、精度高、稳定性好、噪音小、电感量小；缺点:成本高。
绕线电阻器、无感性绕线电阻器绕线电阻器、无感性绕线电阻器把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经过热处理制成。
在电阻上用色环表示它的阻值。
这种电阻成本低，阻值范围宽，但性能差，很小采用。
优点:功率大；缺点:有电感，体积大，不宜作阻值较大的电阻。
水泥型绕线电阻器水泥型绕线电阻器将电阻线绕於无咸性耐热瓷件上或用氧化膜电阻等固定电阻器，外面加上耐热，耐湿及耐腐蚀的材料保护固定而成。
水泥型电阻是把电阻体放入方形瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。
具有耐高功率、散热容易、稳定性高等特点,额定功率一般在1瓦以上。
优点:功率大；缺点:有电感，体积大，不宜作阻值较大的电阻。
三级管知识_secret
三级管知识半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。
其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。
三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。
它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下：第一部分的3表示为三极管。
第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B：NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料第三部分表竟δ埽琔：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。
另外，3DJ 型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。
当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。
可控硅,场效应管,三极管的区别
2008-08-07 19:40linzy58 | 十二级
这可都是基础啊！一口吃不成胖子，慢慢学吧！
最简单的区别就是:
三级管是电流控制型.
场效应管是电压控制型.
可控硅也称作晶闸管,有单向和双向之分.
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向
可控硅，场效应管，三极管的区别？
2008-08-07 10:37改变司令 | 分类：工程技术科学 | 浏览8652次 | 该问题已经合并到>>
可控硅，场效应管，三极管的区别？
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2008-08-07 12:34提问者采纳
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。
可控硅及其应用
可控硅与二极管的比较
+ — A G K
二极管
可控硅
二者均有单向导电性，不同处在于 二者均有单向导电性，不同处在于 二极管只能正向导通，反向截止， 二极管只能正向导通，反向截止， 而可控硅正反向均可截止， 而可控硅正反向均可截止，即正向 导通有可控特性。 导通有可控特性。
可控硅与三极管的比较
ic
IHale Waihona Puke 指示灯亮。 指示灯亮。 说明在可控 硅上加正向 电压， 电压，并在 控制极与阴 极之间加以 适当大小的 正向触发电 压时， 压时，可控 硅由关断变 为导通。 为导通。
指示灯不亮。 指示灯不亮。说 明在可控硅上加 正向电压， 正向电压，控制 极断开时， 极断开时，可控 硅处于正向阻断 状态。 状态。 指示灯 仍亮。 仍亮。 说明可 控硅一 旦导通 控制极 就失去 作用。 作用。
二、单向可控硅 1、结构与符号 、 A、外形结构 、 K G
KG A KAG A
B、内部结构和等效电路 、
C、图形符号 、
A（阳极） （阳极）
+
正 向
G
A（阳极） （阳极）
A（阳极） （阳极）
P J N J P G N J G（控 （ 控制极） （控制极） 制极 ） K（阴极） （阴极）
K（阴极） （阴极）
可控硅及其应用
一、概述： 概述： 可控硅也称晶体闸流管。 可控硅也称晶体闸流管。 也称晶体闸流管 它是一种大功率半导体器件。 它是一种大功率半导体器件。它的主要特点是功 率放大倍数很高，控制作用很强，能用小电流、低电 率放大倍数很高，控制作用很强，能用小电流、 压控制大电流、高电压电路的阻断或导通。 压控制大电流、高电压电路的阻断或导通。由于它体 积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便， 积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便，所以它 在许多方面都得到了广泛的应用。例如， 在许多方面都得到了广泛的应用。例如，无触点开关 电路及可控整流器中。 电路及可控整流器中。 单向可控硅和 两大类。 常用的有单向可控硅 双向可控硅两大类 常用的有单向可控硅和双向可控硅两大类。
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三极管的工作原理
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。
IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。
），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。
仅供参考，请参考有关书籍。
可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G 。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不像继电器那样控制时有火花产生。
可控硅动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336.
答案补充
你讲的所谓单极管就是二极管。
作用：二极管的主要特性是《单向导电性》，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。