电子封装材料典型应用
4J52精密合金典型的应用
4J52铁镍定膨胀玻封合金概述4J52合金是一种由铁、镍为主要成分的合金材料，主要用于需要与玻璃或陶瓷材料进行良好封接的应用。
它的最大特点是具有接近玻璃或陶瓷的热膨胀系数，这使得它在各种电子、光学和精密仪器的制造过程中，尤其是需要高温稳定性的领域中，表现出优异的性能。
4J52合金的典型应用包括封装材料、气体放电管、电子器件封装、光学元件及其他高科技产品的制造。
由于其热膨胀系数的稳定性，4J52合金能够有效防止因热胀冷缩导致的界面裂纹或结构失效，确保长期的使用稳定性和可靠性。
一、4J52铁镍定膨胀玻封合金的化学成分4J52合金主要由铁（Fe）、镍（Ni）以及少量其他元素组成。
其典型的化学成分如下：•镍（Ni）：45–52%•铁（Fe）：余量•铬（Cr）：0.4%以下•硅（Si）：0.4%以下•碳（C）：0.1%以下•锰（Mn）：0.5%以下•其他元素：如磷（P）、硫（S）等微量元素镍是此合金的主要成分，决定了合金的热膨胀特性。
铬和硅的添加则有助于提高合金的耐蚀性和强度。
合金的整体设计使其在热膨胀系数上与常见的玻璃材料（例如铅玻璃或硅酸盐玻璃）非常接近，从而确保与这些材料的封接性能。
二、4J52铁镍定膨胀合金的物理性能2.1 热膨胀系数4J52合金最显著的特点就是其热膨胀系数与玻璃或陶瓷材料的匹配性。
合金的线膨胀系数（CTE）通常为：•线膨胀系数（CTE）：约为10.4 × 10⁻⁻/K（温度范围：20⁻至300⁻）这一热膨胀系数使得4J52合金在与玻璃进行封接时，能够有效减少因温度变化而导致的应力和裂纹问题，尤其在高温环境下的稳定性表现良好。
2.2 密度•密度：约为8.1–8.3 g/cm³由于4J52合金含有较高比例的镍，它的密度适中，既保证了材料的强度，又保持了良好的加工性。
2.3 电导率与热导率4J52合金的电导率和热导率通常与其高镍含量相关。
具体数据如下：•电导率：约为10%–20% IACS（国际铜标准电导率）•热导率：约为10 W/m·K这种热导率和电导率使得4J52合金适用于要求电气隔离且需要热稳定的应用。
电子标签工作原理
电子标签工作原理一、引言电子标签是一种用于无线识别和存储信息的技术，它已经广泛应用于物流、零售、医疗等领域。
本文将详细介绍电子标签的工作原理，包括标签的组成、工作流程以及与读写器的通信过程。
二、电子标签的组成电子标签通常由芯片、天线和封装材料组成。
1. 芯片：芯片是电子标签的核心部件，它集成了存储器、处理器和通信接口等功能。
芯片的存储器可以存储标签的唯一识别码（UID）以及其他用户自定义的数据。
处理器用于执行标签的逻辑操作，如数据读写、加密解密等。
通信接口用于与读写器进行无线通信。
2. 天线：天线用于接收和发送无线信号。
它可以是线圈状的，也可以是片状的。
天线的设计和尺寸会影响标签的读写距离和性能。
3. 封装材料：封装材料用于保护芯片和天线，防止其受到物理损坏和环境影响。
常见的封装材料有塑料、纸张和陶瓷等。
三、电子标签的工作流程电子标签的工作流程主要包括激活、识别和通信三个步骤。
1. 激活：当电子标签处于读写器的工作范围内时，读写器会向标签发送激活信号。
标签接收到激活信号后，会从低功耗模式切换到工作模式。
2. 识别：在激活后，标签会向读写器发送其唯一识别码（UID）。
读写器接收到标签的UID后，可以通过与数据库进行比对来确认标签的身份。
3. 通信：一旦标签被读写器识别出来，它们之间可以开始进行双向的数据通信。
读写器可以向标签发送指令，标签则可以回复数据或执行相应的操作。
四、电子标签与读写器的通信过程电子标签与读写器之间的通信主要通过无线电波进行。
1. 调制解调：读写器会向标签发送一段特定频率的无线电波信号。
标签会接收到这段信号，并将其解调为数字信号，以便进行后续的处理。
2. 数据传输：标签接收到读写器发送的数字信号后，可以进行数据的读取或写入操作。
读写器可以向标签发送指令，标签则可以回复数据或执行相应的操作。
3. 反射信号：标签在接收到读写器的信号后，会将一部分信号反射回读写器。
读写器通过接收到的反射信号来判断标签的存在和状态。
硅树脂用途
硅树脂用途
硅树脂，也叫硅橡胶，是一种合成高分子材料，属于有机硅聚合物，树脂的主体是由由硅-氧键(Si-O)链接而成的长链聚合体。
根据合成方式和使用分支,含有聚硅烷、聚(KDMS)、聚乙烯基硅氧烷及聚硅酰氨酯等，这些都被统称为硅树脂。
硅树脂拥有很好的性能，使得它被广泛应用于各种领域，特别是电子电器、汽车、医药、建筑、服装、工业制造等领域，以下是硅树脂的典型应用：
1. 电子电器领域：硅树脂的耐热性和电气性能较好，因此被广泛应用于电子电器领域中，如集成电路的密封、IC封装、电子元件的封装、高压子母线套管、绕组保护、LED 封装、电子开关、高压电缆保护、高压电器绝缘件等。
2. 汽车工业：硅树脂是一种良好的有机硅密封材料，它具有优异的耐高温性、耐化学腐蚀、耐酸碱、防水、防腐能力，因此被广泛应用于汽车工业中，如火花塞绝缘体、电子点火器绝缘材料、氧气传感器防水密封材料、天线接头密封材料等。
3. 医药行业：硅树脂具有优异的生物相容性、耐腐蚀性和生物稳定性，被广泛用于医疗器械的制造，如人工心脏瓣膜、医用硅胶橡胶套管、人工肝脏、人工肺氧合器、人工眼、人工乳房等。
4. 建筑建材：硅树脂是一种优良的建筑密封材料，可用于各种建筑材料的粘接和密封，如钢化玻璃、玻璃幕墙、建筑幕墙、屋顶保护、浴室防水、地板密封、
石材修补、封缝等。
5. 服装工业：硅树脂在服装工业中具有良好的柔软度、耐热性、耐洗涤性、耐腐蚀性等特点，可以用于各种纤维材料的涂层和防水处，如防水衣、滑雪服、雨衣、泳装、手套等。
总之，硅树脂是一种具有广泛应用前景和发展潜力的优良材料，在现代工业中起着越来越重要的作用。
IC封装的材料和方法
IC封装的材料和方法——封装设计回顾路（IC）在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。
说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。
从电子元器件（如晶体管）的密度说，IC代表了电子学的尖端。
但是IC又是一个起始点，是一种基本结构单元，是组成我们生活中大多数电子系统的基础。
同样，IC不仅仅是单块芯片或构，IC的种类千差万别（模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等），因而对于封装的需求和要求也各不相同。
本文对IC封装技术做了全面的回顾，以式介绍了制造这些不可缺少的封装结构时用到的各种材料和工艺。
的物理结构、应用领域、I/O数量差异很大，但是IC封装的作用和功能却差别不大，封装的目的也相当的一致。
作为“芯片的保护者”，封装起到了好几个来主要有两个根本的功能：1)保护芯片，使其免受物理损伤；2)重新分布I/O，获得更易于在装配中处理的引脚节距。
封装还有其他一些次要的作用，比如于标准化的结构，为芯片提供散热通路，使芯片避免产生α粒子造成的软错误，以及提供一种更方便于测试和老化试验的结构。
封装还能用于多个IC的互用引线键合技术等标准的互连技术来直接进行互连。
或者也可用封装提供的互连通路，如混合封装技术、多芯片组件（MCM）、系统级封装（SiP）以及体积小型化和互连(VSMI)概念所包含的其他方法中使用的互连通路，来间接地进行互连。
电子机械系统(MEMS)器件和片上实验室（lab-on-chip）器件的不断发展，封装起到了更多的作用：如限制芯片与外界的接触、满足压差的要求以及满足化境的要求。
人们还日益关注并积极投身于光电子封装的研究，以满足这一重要领域不断发展的要求。
最近几年人们对IC封装的重要性和不断增加的功能的大的转变，IC封装已经成为了和IC本身一样重要的一个领域。
这是因为在很多情况下，IC的性能受到IC封装的制约，因此，人们越来越注重发展IC封新的挑战。
家族很多方法对IC封装进行分类，但是IC封装主要可以通过其基本结构的不同进行分类和定义。
塑料制品的电子封装和散热技术
塑料制品的电子封装和散热技术电子封装是电子制造领域中至关重要的一环，其基本功能包括保护电子元件、固定和连接电子元件、提供电磁屏蔽以及散热。
随着电子产品向着小型化、轻量化、高性能化方向发展，塑料制品由于其良好的绝缘性、成型性、轻量化和成本效益等优点，在电子封装领域的应用越来越广泛。
本文将重点讨论塑料制品在电子封装和散热技术中的应用和挑战。
1. 塑料封装材料的选择塑料封装材料的选择直接影响电子封装的性能和可靠性。
常用的塑料封装材料包括聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、聚苯乙烯（PS）和环氧树脂等。
这些材料具有不同的热稳定性、电绝缘性、机械强度和加工性能，因此在实际应用中需要根据具体的应用需求来选择合适的塑料封装材料。
2. 塑料制品的电子封装技术塑料制品的电子封装技术主要包括注塑成型、压制成型和吹塑成型等。
其中，注塑成型因其高效、精确的成型性能，在电子封装领域得到了广泛应用。
注塑成型可以实现复杂的模具设计，满足高性能电子元件的封装需求。
同时，注塑成型还可以实现自动化生产，提高生产效率和产品质量。
3. 塑料制品的散热技术随着电子产品性能的不断提高，其发热量也不断增加，因此散热技术在电子封装领域变得越来越重要。
塑料制品的散热技术主要包括增强散热性能的微结构设计、材料选择以及热传导涂层等。
3.1 微结构设计微结构设计可以有效地提高塑料制品的散热性能。
通过在塑料制品中引入微通道、微孔等微结构，可以显著提高热传导效率，实现高效散热。
此外，微结构设计还可以减小塑料制品的厚度，实现轻量化。
3.2 材料选择选择具有高热导率的塑料材料可以提高电子封装的散热性能。
例如，聚酰亚胺（PI）具有较高的热导率和热稳定性，可以应用于高性能电子封装领域。
此外，还可以通过添加导热填料（如石墨、碳纳米管等）来提高塑料制品的热导率。
3.3 热传导涂层在塑料制品表面涂覆热传导涂层可以提高其散热性能。
热传导涂层可以有效地降低塑料制品与散热器件之间的热阻，实现高效热传导。
电子封装材料的技术现状与发展趋势
MCM-D 多层基板的层间介电层膜；TFT-LCD 的平坦化（Planarization）和 分割（Isolation）；芯片表面的凸点、信号分配等。 由于low k 材料的需求近 年来不断攀升，预计 BCB 树脂的市场需求将增长很快。 Dow Chemical 是目 前 BCB 树脂的主要供应商，产品牌号包括 CycloteneTM3000 系列、4000 系 列。 环氧光敏树脂具有高纵横比和优良的光敏性；典型代表为化学增幅型环氧酚 醛树脂类光刻胶，采用特殊的环氧酚醛树脂作为成膜树脂、溶剂显影和化学 增幅。由于采用环氧酚醛树脂作成膜材料，故具有优良的粘附性能，对电子 束、近紫外线及 350-400nm 紫外线敏感。环氧光敏树脂对紫外线具有低光光 学吸收的特性，即使膜厚高达 1000um，所得图形边缘仍近乎垂直，纵横比可 高达 20：1。 经热固化后，固化膜具有良好的抗蚀性，热稳定性大于 200oC, 可在高温、腐蚀性工艺中使用。 为了适应微电子封装技术第三次革命性变革的快速发展，需要系统研究其代 表性封装形式，球型阵列封装（Ball Gray Array, BGA）和芯片尺寸级封装（ Chip Scale Packaging, CSP）, 所需的关键性封装材料-聚合物光敏树脂，包 括聚酰亚胺光敏树脂、BCB 光敏树脂和环氧光敏树脂等。
我国 EMC 的研究始于20世纪 70 年代末，生产始于 80 年代初。从 90 年代初
到现在进入了快速发展阶段, 高性能EMC质量水平有了较大进步。但是，国产 EMC 产品在质量稳定性、粘附性、吸潮性、杂质含量、放射粒子量、以及电 性能、力学性能、耐热性能等方面还需要进一步改善，
环氧塑封料的技术发展呈现下述趋势：
3）为适应无铅焊料、绿色环保的要求，向着高耐热、无溴阻燃化方向快速发 展。
硫醇固化环氧树脂-概述说明以及解释
硫醇固化环氧树脂-概述说明以及解释1.引言1.1 概述硫醇固化环氧树脂是一种重要的高性能材料，具有广泛的应用前景和研究价值。
硫醇固化环氧树脂以其优异的物理性能和化学性能，成为了许多领域的研究热点。
在本文中，我们将对硫醇固化环氧树脂进行深入剖析，探究其定义、特点以及广泛的应用领域。
硫醇固化环氧树脂通过添加一定比例的硫醇固化剂，可在常温或低温下，通过硫醇与环氧树脂的反应，形成网状结构，从而具备了出色的耐热、耐化学腐蚀和机械性能。
硫醇固化环氧树脂具有许多独特的特点，如可调控固化速度、高强度、优良的粘接性能以及优异的耐候性等。
这些特点赋予了硫醇固化环氧树脂在多个领域的广泛应用。
例如，硫醇固化环氧树脂可用于粘接、封装、涂覆等工艺中，承担着重要的角色。
此外，硫醇固化环氧树脂还可以应用于电子、航空航天、汽车、建筑等领域，满足不同领域对材料性能的要求。
尽管硫醇固化环氧树脂在许多方面表现出色，但也存在一些局限性。
例如，硫醇固化环氧树脂在处理过程中可能产生硫醇气味，对人体健康有一定的影响；此外，其固化速度相对较慢，可能增加生产周期和成本。
然而，随着科技的不断进步和研究的深入，这些局限性正在逐步得到克服和改进。
综上所述，本文将全面介绍硫醇固化环氧树脂的定义、特点、应用领域以及其优势与局限性。
通过对硫醇固化环氧树脂的深入研究，我们有望进一步拓展其应用领域和改进其性能，从而为各个领域提供更好的材料选择。
1.2文章结构文章结构文章将按照以下结构进行展开：1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 硫醇固化环氧树脂的定义和特点2.2 硫醇固化环氧树脂的应用领域3. 结论3.1 硫醇固化环氧树脂的优点和局限性3.2 硫醇固化环氧树脂的发展前景在正文部分，我们将详细介绍硫醇固化环氧树脂，包括其定义和特点。
我们将讨论硫醇固化环氧树脂在各个领域的应用，例如在航空航天、汽车制造、电子电器和建筑材料等方面的应用案例和效果。
cog封装工艺
cog封装工艺COG封装工艺是一种常用于集成电路封装的先进封装工艺。
COG 是Chip-On-Glass的缩写，意为芯片贴装在玻璃基板上。
本文将介绍COG封装工艺的基本原理、工艺流程以及应用领域。
一、COG封装工艺的基本原理COG封装工艺主要通过将芯片直接贴装在玻璃基板上，实现芯片和显示器的直接连接。
这种封装方式具有尺寸小、重量轻、功耗低等优点，适用于要求高分辨率、高亮度的显示设备，如手机、平板电脑等。
COG封装工艺的基本原理是将芯片的引脚通过微细线路连接到玻璃基板上的驱动芯片。
这些微细线路通常采用微电子制程技术制备，具有较高的精度和可靠性。
通过COG封装工艺，可以实现芯片和显示器之间的高速信号传输和稳定可靠的电气连接。
二、COG封装工艺的流程COG封装工艺的流程通常包括以下几个步骤：1. 玻璃基板准备：选择适合的玻璃基板，并进行清洗和去除杂质等预处理工作。
2. 芯片准备：将芯片进行切割和打磨，使其尺寸和形状符合要求。
同时，对芯片进行测试和筛选，确保其质量和性能符合要求。
3. 粘接：将芯片粘接在玻璃基板上。
这一步通常使用特殊的粘合剂，通过热压或紫外光固化等方式实现芯片和基板的粘接。
4. 电气连接：将芯片的引脚通过微细线路连接到玻璃基板上的驱动芯片。
这一步通常使用微焊或电镀等工艺实现。
5. 封装：将芯片和连接线路进行封装，以保护芯片免受外界环境的影响。
这一步通常使用环氧树脂或高分子材料进行封装。
6. 测试和包装：对封装好的芯片进行功能测试和可靠性测试，确保其质量和性能符合要求。
然后，将芯片进行包装，以便在后续的生产和使用中方便携带和安装。
三、COG封装工艺的应用领域COG封装工艺广泛应用于各种显示设备和电子产品中。
其中，最典型的应用是在手机和平板电脑的显示屏上。
COG封装工艺可以实现显示设备的高分辨率、高亮度和高对比度，提供更好的视觉效果和用户体验。
COG封装工艺还广泛应用于汽车电子、医疗器械、工业控制等领域。
电子功能材料知识点总结
电子功能材料知识点总结一、电子功能材料的分类1. 金属材料：金属材料具有良好的导电性和导热性，通常用于制造电子器件的导线、电极、散热器等部件。
典型的金属材料包括铜、铝、铁、钴、镍等。
2. 半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导性能，广泛应用于电子器件中。
常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓、碳化硅等。
3. 绝缘体材料：绝缘体材料具有很高的电阻和介电常数，通常用于电子器件的绝缘层和封装材料。
常见的绝缘体材料包括玻璃、陶瓷、塑料等。
4. 导电聚合物材料：导电聚合物材料具有良好的导电性能和可塑性，可用于制造柔性电子器件和导电涂料。
典型的导电聚合物材料包括聚苯胺、聚噻吩、聚对苯二酮等。
5. 光电功能材料：光电功能材料能够将光能转换为电能或者将电能转换为光能，常用于光电器件和太阳能电池。
典型的光电功能材料包括硅、铟镓砷化物、有机光电材料等。
6. 磁电功能材料：磁电功能材料可以实现磁场与电场的相互转换，常用于传感器和电子存储器件。
典型的磁电功能材料包括铁电材料、铁磁材料、多铁材料等。
7. 储能功能材料：储能功能材料能够存储电能并具有可持续释放的特性，常用于储能器件和超级电容器。
典型的储能功能材料包括电解质、导电聚合物、石墨烯等。
二、电子功能材料的功能1. 电导率：电子功能材料具有不同的电导率，可用于制造导线、电极、晶体管等电子器件。
2. 磁性：电子功能材料具有不同的磁性，可用于制造磁记录器、传感器、电磁铁等磁性器件。
3. 光学：电子功能材料具有不同的光学性能，可用于制造光电器件、激光器件、光纤通信器件等。
4. 导热：电子功能材料具有不同的导热性能，可用于制造散热器、导热材料、热敏器件等导热器件。
5. 储能：电子功能材料具有不同的储能性能，可用于制造超级电容器、锂电池、太阳能电池等储能器件。
6. 传感：电子功能材料具有不同的传感性能，可用于制造温度传感器、压力传感器、湿度传感器等传感器。
三、电子功能材料的应用1. 电子器件：电子功能材料可用于制造电阻器、电容器、电感器、晶体管、集成电路等电子器件。
晶片级封装(WLP)及其应用
晶片级封装(WLP)及其应用Oct 08, 2003摘要：本文详细讨论了Maxim的晶片级封装(WLP)，其中包括：晶圆架构、卷带包装、PCB布局、安装、回流焊、热特性以及可靠性等问题。
注：最终用户及安装人员有负责遵循符合其行业标准的设计和装配文件，行业标准文件包括(但不限于)以下内容：•电子工业联接协会(IPC)•半导体标准行业协会(JEDEC)•电子工业协会(EIA)点击这里，了解典型射频收发器设计的无线器件•国际电子制造联合会(iNEMI)•国际电工委员会(IEC)•美国国家标准学会(ANSI)•Jisso国际理事会(JIC)•日本印刷电路工业会(JPCA)•线束及组件制造商协会(WHMA)概述晶片级封装(WLP)是芯片封装(CSP)的一种，可以使IC面向下贴装到印刷电路板(PCB)上，采用传统的SMT安装工艺。
芯片焊盘通过独立的焊球直接焊接到PCB焊盘(图1)。
WLP技术与球栅阵列、引线型和基于层压成型的CSP封装技术不同，它没有绑定线或引出线。
WLP通常无需填充材料，但是在一些特定应用中，比如移动设备中，填充材料能够增大WLP的机械强度。
WLP的主要优势在于其封装尺寸小、IC到PCB之间的电感很小、并且缩短了生产周期。
图1. 10 x 10 WLP侧视图照片WLP结构Maxim的WLP芯片是在硅晶片衬底上直接建立封装内部互连结构。
在晶片表面附上一层电介质重复钝化的聚合物薄膜。
这层薄膜减轻了焊球连接处的机械压力并在管芯表面提供电气隔离。
在聚合物薄膜内采用成相技术制作过孔，通过它实现与IC绑定盘的电气连接。
WLP焊球阵列是基于具有均匀栅距的矩形栅格排列。
焊球材料由顶标中A1位置的标示符表示(见图2中的顶标A1)。
A1为光刻的双同心圆时，表示焊膏采用的是低熔点的SnPb；对于无铅焊膏，A1处采用加号表示。
所有无铅WLP产品的底部均采用晶片迭层(聚合物薄膜保护层)，该聚合物材料为硅片底部提供机械接触和UV光照保护。
晶圆电阻封装与功率
晶圆电阻封装与功率引言晶圆电阻封装与功率是现代电子技术领域中的一个重要研究方向。
随着集成电路的不断发展和应用范围的扩大，晶圆电阻封装与功率的研究对于提高集成电路性能、降低功耗、增强可靠性等方面具有重要意义。
本文将从晶圆电阻的基本概念入手，介绍晶圆电阻封装与功率相关的理论和实践，并探讨其在现代电子技术中的应用。
晶圆电阻的基本概念晶圆电阻是指将金属薄膜或多晶硅等材料制成片状并在半导体晶圆上进行封装的一种器件。
它具有小体积、高精度、低温系数等优点，在集成电路中起到了非常重要的作用。
晶圆电阻可以分为固定型和可变型两种类型，其中固定型主要用于稳定性较高的场合，而可变型则适用于需要调整参数或变化范围较大的场合。
晶圆电阻封装技术晶圆电阻的封装技术是晶圆电阻研究中的一个重要方向。
封装技术旨在将晶圆电阻与其他器件或系统进行连接，以实现其功能。
常见的晶圆电阻封装技术包括焊接、印刷、薄膜沉积等方法。
其中，焊接是最常用的一种方法，通过焊接将晶圆电阻与其他元器件直接连接起来，以实现信号传输和功率传递。
晶圆电阻功率的计算与优化晶圆电阻功率是指晶圆电阻所能承受的最大功率。
在设计和应用中，准确计算和优化晶圆电阻功率是非常重要的。
一般来说，晶圆电阻功率与其材料特性、几何结构以及工作环境等因素有关。
为了提高晶圆电阻的功率承受能力，可以采取以下措施：1.优化材料选择：选择具有较高导热性和耐高温性能的材料制作晶圆电阻，以提高其散热能力和耐受高功率的能力。
2.优化几何结构：通过优化晶圆电阻的几何结构，例如增加散热片、增大接触面积等方式，来提高其散热效果和功率承受能力。
3.控制工作环境：在晶圆电阻的设计和应用中，合理控制工作环境的温度、湿度等因素，以降低其受到外界环境影响的程度。
晶圆电阻封装与应用案例晶圆电阻封装与功率在现代电子技术中有着广泛的应用。
以下是几个典型的应用案例：1.集成电路中的晶圆电阻：在集成电路设计中，晶圆电阻被广泛应用于模拟信号处理、数字信号处理等领域。
集成电路封装材料-热界面材料
5.2.2 导热垫片
导热垫片需具备如下性能： （1）良好的弹性，能适应压力变化，不因压力或紧固力造成损伤。 （2）柔韧性好，与两个接触面均能很好地贴合。 （3）不污染工艺介质。 （4）在低温时不硬化，收缩量小。 （5）加工性能好，安装、压紧方便。 （6）不黏接密封面，拆卸容易。 （7）价格便宜，使用寿命长。
5.2 TIM类别和材料特性
图5-3 热界面材料分类
5.2 TIM类别和材料特性
分类
导热膏 导热垫片 相变材料 导热凝胶 导热胶带
表5-1 典型热界面材料及其特性
热导率/［W/ （m·K）］
界面热阻 键合厚度/μm （10－2 K·cm2/W） 可重复性 可替代性
0.4～4
20～150
10～200
5.1 TIM在先进封装中的应用
TIM2，常用材料包括石墨片、金刚石等碳基高导热性材料，石墨片、 金刚石热导率达1000~2000 W/(m·K) 。
有报道称单层石墨烯横向热导率可达5000 W/(m·K) ，当其附着于基板 时，会降低到600 W/(m·K)，大大限制散热效果。要研究碳基材与基板 间的传热机理，提高横向TIM的整体热导率。
5.1 TIM在先进封装中的应用
TIM1，主流产品一般是高导热性能粉体填充于含硅或非硅聚合物液体 或相变聚合物，形成浆状、泥状、膏状或薄膜状复合材料，如导热膏、 导热胶、相变材料。
报道材料，低于10 W/(m·K)，界面热阻大于0.05 K·cm2/W，商业化一 般低于6W/(m·K)，热阻大于0.1 K·cm2/W，不能满足高功率密度电子元 器件散热需求。
5.2.1 导热膏
图5-4 辅助中央处理器散热的导热膏 除导热外，还起到防潮、防尘、减震等作用。
高硅铝电子封装介绍--铸鼎工大-2018
张春伟 铸鼎工大副总 15045069318
邢大伟 铸鼎工大总经理 哈工大材料学院研究员 13804603138
典型构件加工尺寸：100´100´10mm，最小壁厚0.5mm
热 膨 胀 系 数：7~11´ 10-6/K（可调）
导 热 率： ≥ 120W/m.K
密
度：2.4~2.6g/cm3
气密性满足国军标GJB548B-1014要求（<1.0 ´ 10-9Pa.m3/s）
镀层质量，满足国标GB/T 5270-2005
11
(W·m -1·K-1)
密度/ 2.3 5.3 3.9 2.9 3.2 2.7 8.9 10.2 19.3 8.3
8.1
(g·cm -3)
半导体基体材料 （芯片级）陶瓷封装材料
纯金属
材料种类
热膨胀系数
CTE /(10-6 K-1)
热导率/ (W·m -1·K-1)
W/Cu
Mo/Cu
7.6—9.1 7.2—8.0
三、应用领域
用于雷达、微波组件管壳，大量代替可伐合金、钨铜、钼铜等。
用于微电子电路盒
微波接收器、 转换器、功率 放大器
高硅铝晶圆用于聚焦太阳能电池组
用于 射频基板
用于军用飞机的槽电阻
用于光学透镜筒体
四、铸鼎工大提供材料产品与解决方案
铸鼎工大通过独有的技术生产，提供前述的高硅铝及梯度高硅铝系列 材料。 并可配合用户进行针对具体型号件壳体的机加以及电镀、焊接的试验 与工艺摸索和定型。 亦可配合用户针对具体零件需求，设计特殊的梯度结构材料。
9
CE7 Al-Si70
7
热导率 (25℃) (W·m-1·K-1)
我国信息产业中关键电子封装材料的技术问题与对策
我国信息产业中关键电子封装材料的技术问题与对策信息技术是当今世界经济社会发展的重要驱动力，电子信息产业是国民经济的战略性、基础性和先导性支柱产业，对于促进社会就业、拉动经济增长、调整产业结构、转变发展方式和维护国家安全具有十分重要的作用。
近年来，我国电子信息产业持续快速发展。
2001-2007年，我国电子信息产业销售收入年均增长28%；2008年实现了销售收入约6.3万亿元，工业增加值约为1.5万亿元，占G D P比例约5%，出口额达了5218亿美元，占全国外贸出口总额的36.5%。
我国已成为全球最大的电子信息产品制造基地，从业人员数量达到755万人，占我国全部工业从业人员数量的9%左右。
此外，我国在通信、高性能计算机、数字电视等领域也取得了一系列重大技术突破。
由于金融危机，2009年电子信■ 文/黄文迎北京图滨新硅科技有限公司息产业收入下滑，但在全国工业中的比例依然可达10%左右。
电子信息产品出口量在全国外贸出口量中已超过1/3，且其全年出口量下降幅度低于全国出口量下降幅度两个百分点，它为减缓全国出口量整体下滑发挥了积极作用。
我国“十二五”规划将对前沿技术、战略性新兴产业、重点产业中的新材料予以支持，其中，信息产业所涉及的微电子材料、光电子材料、半导体照明材料、新型显示材料等高端材料都被涵盖在其中。
面对当前的产业结构，国内还不能生产在信息产业中起到关键作用的部分电子封装材料品种，只能生产大部分电子封装材料品种的中低端产品，而且，在材料性能提升的过程中，关键技术存在国内配套原料不足及外企在国内垄断知识产权的局面。
下面就几种关键的电子封装材料进行阐述，主要包括环氧塑封料和液体封装材料。
一、环氧塑封料1．概况环氧塑封料作为信息产业中多种电子元器件和集成电路后道生产过程中最主要、用量最大的封装材料，是由环氧树脂为基体树脂、以高性能酚醛树脂为固化剂、硅微粉等导热材料为填料并添加多种助剂混配而成的粉状复合材料。
1210封装功率
1210封装功率1210封装功率是一个在电子和半导体领域经常提到的概念。
它指的是使用1210封装的功率半导体器件的功率处理能力。
这种封装形式通常用于高功率应用，如电力电子转换器、电机驱动器、电源、光伏逆变器等。
本文将详细介绍1210封装功率及其相关概念，包括封装形式、功率处理能力、热设计、可靠性等方面的内容。
一、1210封装形式1210封装是一种常见的半导体封装形式，其尺寸为12mm x 10mm。
这种封装形式具有体积小、重量轻、热性能优良等优点，因此在高功率应用中得到广泛应用。
在1210封装中，半导体芯片被放置在封装基板的上表面，并通过金属引脚与外部电路连接。
这些引脚通常采用针脚式或球脚式设计，以实现更好的电接触和热传导。
二、功率处理能力1210封装功率是指使用1210封装的功率半导体器件的功率处理能力。
功率处理能力通常由器件的额定电流和电压决定。
例如，一个1210封装的功率半导体器件可能具有50A的额定电流和600V的额定电压。
这意味着该器件可以处理最大300W的功率。
然而，实际应用中的功率处理能力通常受到其他因素的影响，如环境温度、散热条件、热阻等。
为了提高1210封装的功率处理能力，可以采取以下措施：1. 增加芯片面积：通过增加芯片面积可以提高电流处理能力。
但是，这也会增加芯片的热阻，因此需要采取有效的散热措施。
2. 优化芯片与基板的连接：通过优化芯片与基板的连接可以降低热阻，提高散热能力。
常用的方法包括使用导热胶将芯片粘接到基板上，或者采用铜基板等导热性能好的材料。
3. 增加散热器：在某些情况下，需要使用外部散热器来帮助散发热量。
散热器的设计应该根据实际情况进行优化，以实现最佳的散热效果。
三、热设计在1210封装功率的应用中，热设计是至关重要的。
由于封装体积小，散热能力有限，因此必须采取有效的措施来降低芯片和整个系统的温度。
热设计的目标是将芯片的温度控制在安全范围内，同时确保系统能够长时间稳定运行。
面向晶圆级封装的光敏聚酰亚胺材料关键技术研发及应用_范文模板及概述
面向晶圆级封装的光敏聚酰亚胺材料关键技术研发及应用范文模板及概述1. 引言1.1 概述在半导体领域，晶圆级封装是一项重要的技术，它将芯片与封装材料结合起来，以保护芯片免受环境的损害。
而光敏聚酰亚胺材料是一种在晶圆级封装中具有广泛应用的材料。
本文主要关注于光敏聚酰亚胺材料在晶圆级封装中的关键技术研发及应用。
1.2 文章结构本文分为四个主要部分。
第一部分是引言部分，介绍了文章的概述、结构和目的。
第二部分将重点讨论光敏聚酰亚胺材料关键技术研发，在这一部分中将包括材料基础性能研究、成型工艺优化以及光敏特性评估与优化。
第三部分将探讨面向晶圆级封装的光敏聚酰亚胺材料的应用，包括需求分析、应用案例以及技术挑战与解决方案。
最后，第四部分总结主要研究成果并展望技术应用前景。
1.3 目的本文的目的是系统地研究光敏聚酰亚胺材料在晶圆级封装中的关键技术，并探索其在该领域中的应用。
通过对材料基础性能、成型工艺和光敏特性等方面进行深入研究，旨在提高晶圆级封装工艺的可靠性和稳定性。
通过分析晶圆级封装的需求以及已有的光敏聚酰亚胺材料应用案例，将提出解决技术挑战的解决方案，并对未来的发展进行展望。
这一部分主要介绍了文章引言部分的概述、结构和目的。
2. 光敏聚酰亚胺材料关键技术研发2.1 材料基础性能研究光敏聚酰亚胺材料是一种具有优异光学和机械性能的高分子材料，其基础性能的研究对于进一步优化材料性能以满足晶圆级封装的要求至关重要。
在材料基础性能研究方面，首先需要对光敏聚酰亚胺的化学结构和组成进行详细分析，以了解其原始特性。
随后，可以通过测量其物理参数（如折射率、吸收系数等）来确定材料的光学性能。
此外，还可进行力学性能测试，例如弯曲强度、拉伸强度和断裂韧度等。
2.2 成型工艺优化在实际应用中，光敏聚酰亚胺材料需要经过成型工艺才能形成具备所需形状和尺寸的器件。
因此，在光敏聚酰亚胺材料关键技术研发中，成型工艺的优化也是一个重要方面。
这涉及到合适的成型方法选择、工艺参数的优化以及成型温度和压力对于材料性能和结构的影响等问题。
常用电子元件封装大全和封装常识
电子元件封装大全及封装常识一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ （J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP （薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA－>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、DIP封装DIP是英文Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。
表面工程技术在电子封装材料中的应用案例分析
表面工程技术在电子封装材料中的应用案例分析表面工程技术在电子封装材料中的应用案例分析电子封装材料是电子产品中十分重要的一环，它主要用于保护电子元件，提高产品的可靠性和性能。
随着科技的发展，电子产品的功能越来越强大，也对封装材料的性能提出了更高的要求。
表面工程技术是一种通过对材料表面进行处理，改变其物理、化学性质的方法。
在电子封装材料中的应用，不仅可以提高材料的耐热性、耐化学腐蚀性和机械强度，还可以改善材料的导电性、尺寸稳定性和耐湿性等。
本文将通过几个典型案例，详细分析表面工程技术在电子封装材料中的应用。
1. 表面金属化处理提升导电性电子产品中常常需要使用导电材料来连接电子元件，提供电流传输路径。
然而，某些封装材料如塑料有着较差的导电性能，不利于电流的传导。
为了解决这一问题，表面工程技术中的金属化处理可以被应用。
金属化处理是指在材料表面涂覆一层金属，形成导电层。
例如，在智能手机的电子封装材料中，通过将塑料表面喷涂一层铜薄膜，可以提升材料的导电性，使其能够传导电流，同时保持塑料材料的便利性。
2. 表面覆盖保护提高耐化学腐蚀性电子封装材料常常需要在严重的化学腐蚀条件下工作，例如在酸性或碱性环境中。
这时，材料的化学稳定性和耐腐蚀性就尤为重要。
表面工程技术可以通过覆盖保护来提高材料的耐化学腐蚀性。
例如，在电子封装材料中应用陶瓷覆盖层，可以提高材料的耐化学腐蚀性和稳定性，延长电子产品的使用寿命。
3. 表面改性增强机械强度电子产品在使用中经常需要承受外部冲击和振动等力。
因此，电子封装材料需要具备较高的机械强度和韧性。
表面工程技术可以通过表面改性来增强材料的机械强度。
例如，通过碳纤维增强材料的表面处理，可以大大提高材料的强度和刚度，同时降低材料的重量，提高电子产品的可靠性和性能。
4. 表面涂层提升耐热性和耐湿性电子封装材料经常需要在高温和潮湿环境下工作，因此需要具备较高的耐热性和耐湿性。
表面工程技术可以通过在材料表面涂层来改善其性能。
cu clip 键合强度计算
cu clip 键合强度计算Cu clip键合强度计算引言：在材料科学领域中，键合强度是衡量材料性能的重要指标之一。
本文将重点讨论Cu clip键合强度的计算方法及其应用。
Cu clip，即铜夹片，是一种常用的电子封装材料，广泛应用于电子器件的制造中。
了解Cu clip的键合强度可以帮助我们更好地了解其性能和应用范围。
一、Cu clip键合强度的定义键合强度是指材料中原子之间相互连接的强度。
对于Cu clip而言，其键合强度可以理解为夹持器材的强度，即夹持材料的能力。
键合强度的高低直接影响着Cu clip的性能和可靠性。
二、Cu clip键合强度的计算方法Cu clip键合强度的计算主要基于分子动力学模拟和密度泛函理论等方法。
以下将分别介绍这两种方法。
1. 分子动力学模拟分子动力学模拟是一种通过模拟原子之间的相互作用来研究材料性质的方法。
在Cu clip键合强度的计算中，可以通过构建模型、设定初始条件和应用力场等步骤，利用分子动力学模拟软件进行计算。
通过模拟计算，可以得到Cu clip键合强度的数值。
2. 密度泛函理论密度泛函理论是一种基于量子力学原理的计算方法，可以用于研究材料的性质和结构。
在Cu clip键合强度的计算中，可以通过密度泛函理论计算材料的能带结构、电子密度分布等信息，进而得到Cu clip键合强度的数值。
三、Cu clip键合强度的影响因素Cu clip键合强度受多种因素的影响，下面将介绍其中几个重要的因素。
1. 温度温度是影响Cu clip键合强度的重要因素之一。
随着温度的升高，原子的热运动加剧，键合强度会减弱。
因此，在实际应用中，需要考虑到温度对Cu clip键合强度的影响。
2. 结构缺陷Cu clip的结构缺陷也会对键合强度产生影响。
例如，晶体缺陷、晶界、位错等都可能导致键合强度的减弱。
因此，在制备Cu clip材料时，需要注意减少结构缺陷的产生，提高键合强度。
3. 外界载荷外界载荷是指施加在Cu clip上的力或应力。
sot23 封装 功率
sot23 封装功率摘要：1.SOT23 封装的含义与特点2.SOT23 封装与功率的关系3.SOT23 封装的应用领域正文：1.SOT23 封装的含义与特点SOT23 封装是一种常见的表面贴装器件封装形式，主要用于集成电路、二极管、三极管等半导体元器件的封装。
SOT23 的全称是“Small Outline Transistor”，意为小型外形晶体管。
顾名思义，SOT23 封装具有体积小、外形紧凑的特点，这使得它在电子设备中具有较高的集成度和较小的占用空间。
此外，SOT23 封装具有良好的散热性能和较高的可靠性，广泛应用于各种电子产品和工业控制领域。
2.SOT23 封装与功率的关系SOT23 封装与功率的关系主要体现在其对元器件的功率承受能力上。
SOT23 封装可以根据不同的半导体材料、制造工艺和设计要求，实现不同级别的功率承受能力。
一般来说，SOT23 封装的功率范围在几瓦到几十瓦之间，可以满足大部分常见电子设备的功率需求。
然而，对于高功率应用场景，如电动汽车、太阳能发电等，SOT23 封装可能无法满足其要求，需要采用更高功率等级的封装形式。
3.SOT23 封装的应用领域由于SOT23 封装具有体积小、散热性能好、可靠性高等优点，使其在众多应用领域都有广泛的应用。
以下是一些典型的应用领域：（1）消费类电子产品：如手机、电脑、电视、音响等，这些设备中的电源管理、信号处理、显示控制等功能模块，都可能采用SOT23 封装的半导体元器件。
（2）工业控制设备：如变频器、传感器、工控机等，这些设备对于元器件的可靠性和稳定性要求较高，SOT23 封装可以满足这些要求。
（3）通信设备：如基站、光纤通信等，这些设备中涉及的高频信号处理、信号放大等功能，需要采用具有高性能、低噪声的SOT23 封装元器件。
（4）汽车电子：如车载音响、发动机控制、安全气囊等，这些应用场景对元器件的抗干扰性能、抗冲击性能等要求较高，SOT23 封装可以满足这些要求。
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电子封装材料典型应用
电子封装材料是用于承载电子元器件及其互连线，并具有良好电绝缘性能的基本材料，主要起机械支持、密封保护、信号传递、散失电子元件所产生的热量等作用，是高功率集成电路的重要组成部分。
因此对于封装材料的性能要求有以下几点：具有良好的化学稳定性，导热性能好，热膨胀系数小，有较好的机械强度，便于加工，价格低廉，便于自动化生产等。
然而，由于封装场合的多样化以及其所使用场合的差异性，原始的单一封装材料已经不能满足日益发展的集成电路的需要，进而出现了许多新型的封装材料，其中一些典型材料的种类及应用场合列举如下。
1、金属
金属材料早已开发成功并用于电子封装中，因其热导率和机械强度高、加工性能好，因此在封装行业得到了广泛的应用。
表1为几种传统封装金属材料的一些基本特性。
其中铝的热导率高、质量轻、价格低、易加工，是最常用的封装材料。
但由于铝的线膨胀系数α
与Si的线膨胀系数(α1为4．1×10−6/K)和GaAs
1
的线膨胀系数(α1为5．8×10−6/K)相差较大，所以，器件工作时热循环所产生的较大热应力经常导致器件失效，铜材也存在类似的问题。
Invar(镍铁合金)和Kovar(铁镍钴合金)系列合金具有非常低的线膨胀系数和良好的焊接性，但电阻很大，导热能力较差，只能作为小功率整流器的散热和连接材料。
W和Mo具有与Si相近的线膨胀系数，且其导热性比Kovar合金好，故常用于半导体Si片的支撑材料。
但由于W、Mo与Si的浸润性不好、可焊性差，常需要在表面镀上或涂覆特殊的Ag基合金或Ni，从而增加了工序，使材料可靠性变差，提高了成本，增加了污染。
此外，W，Mo，Cu的密度较大，不宜作航空、航天材料；而且w，Mo价格昂贵，生产成本高，不适合大量使用。
钨铜、钼铜合金电子封装中经常使用的材料，也称为热沉材料，钨铜合金既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变，因而给钨铜提供了更广的应用范围。
由于钨铜材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性，同时又与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数，故在半导体材料中得到广泛的应用。
用于封装热沉的钨铜材料的主要性能
材料热导率热膨胀系数密度
W/(mk) ppm/°C g/cm3
W90Cu10 180~190 6.5 17.0
W85Cu15 190~200 7.0 16.3
W80Cu20 200~210 8.3 15.6
W75Cu25 220~230 9.0 14.9
钼铜材料的主要性能
W/(mk) ppm/°C g/cm3
Mo50Cu50 230-270 11.5 9.54
Mo60Cu 210-250 10.3 9.66
Mo70Cu 170-200 9.1 9.80
CuMoCu 1:1:1 250 8.8 9.32
CuMoCu 1:2:1 210 7.8 9.54
CuMoCu 1:3:1 190 6.8 9.66
CuMoCu 1:4:1 180 6.0 9.75
CuMoCu 13:74:13 170 5.6 9.88
金属材料由于密度较大，但是却有很高的导热系数。
因此适用于大功率器件的封装材料、热沉材料、散热元件、陶瓷以及砷化镓基座等。
2、陶瓷
SMD(表面贴装器件)陶瓷封装基座，广泛用于石英晶体振荡器和石英晶体谐振器的陶瓷封装基座。
半导体陶瓷封装形式是一种比较特殊的封装形式，可以直接应用于大功率工作环境中。
这种形式的封装优点是：
1)、耐湿性好，不易产生微裂现象；
2)、热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高；
3)、热膨胀系数小，热导率高；
4)、绝缘性和气密性好，芯片和电路不受周围环境影响，更重要的是其气密性能满足高密封的高要求；
5)、避光性好，能有效的遮蔽可见光及极好的反射红外线，还能满足光学相关产品的低反射要求。
Al2O3陶瓷是电子封装中常用的一种基片材料，具有较高的绝缘性能和优异的高频特性，线膨胀系数与电子元器件非常相近，化学性能非常稳定且热导率高。
同时Al2O3陶瓷是目前应用最成熟的陶瓷基片材料，以其价格低廉、耐热冲击性和电绝缘性较好、制作和加工技术成熟而被广泛应用，占整个陶瓷基片使用行业的90%。
但是由于Al2O3陶瓷热导率相对较低，因而不能在大功率集成电路中大量使用。
下面是Al2O3陶瓷的部分性能指标。
不同纯度下Al2O3陶瓷的部分性能指标
AlN陶瓷基片是一种新型的基片材料，具有优异的电性能和热性能，被认为是最具发展前途的高导热陶瓷基片AlN陶瓷基片具有比Al2O3更高的热导率和与Si材料更匹配的线膨胀系数，且介电常数低，适用于高功率、多引线和大尺寸芯片；由于AlN材质坚硬，在严酷环境下仍能照常工作，因此，用AlN可以制成很薄的衬底，以满足不同封装基片应用需要。
但是，AlN陶瓷的制备工艺复杂、成本高，故至今未能进行大规模的生产和应用。
目前已开发出FPl6和LCC64的多层陶瓷封装产品，高温共烧多层陶瓷基片的性能指标为：热导率150~200 w／(m·K)；抗弯强度>300 MPa；层数7～10；方阻<50 mΩ／口；翘曲度<40μm／50 mm．
3、塑料材料
塑料基封装材料成本低、工艺简单，在电子封装材料中用量最大、发展最快。
它是实现电子产品小型化、轻量化和低成本的一类重要封装材料。
塑料基封装材料曾经存在致密性不够、离子含量高、耐温性不够等可靠性问题，随原料性能的提高和配方的完善，这些问题被逐渐解决。
理想的塑料基封装材料应具有以下性能：
1)材料纯度高，离子型杂质极少；
2)与器件及引线框架的粘附性好；
3)吸水性、透湿率低；
4)内部应力和成形收缩率小；
5)热膨胀系数小，热导率高；
6)成形、硬化快，脱模性好；
7)流动性、充填性好，飞边少；
8)阻燃性好。
塑料基封装材料多为热固性塑料，主要包括环氧类、酚醛类、聚酯类和有机硅类(硅酮塑料)。
常见的有环氧模塑料、硅橡胶和聚酰亚胺等．
环氧模塑料(EMC)是由酚醛环氧树脂、苯酚树脂和填料(Si O2)、脱模剂、固化剂、染料等组成，具有优良的粘结性、优异的电绝缘性、强度高、耐热性和耐化
学腐蚀性好、吸水率低、成型工艺性好等特点，以EMC为主的塑料封装占到封装行业的90％以上，经常被用作各种芯片的封装材料。
据报道，将负热膨胀材料Zr W2O8粉体按一定比例与E一5l环氧树脂混合，通过超声波处理，可以使
Zr W2O8粉体均匀分散在环氧树脂基体中。
随着Zr W2O8质量分数增加，封装材料的热膨胀系数降低，玻璃化温度升高，拉伸、弯曲强度提高。
Rim-dusit等研发了三元氧氮杂萘、环氧树脂、酚醛树脂低黏度聚合物封装材料，具有较好的可靠性和加工性，玻璃化转变温度为170℃，350℃时热质量损失5％，氧氮杂萘提高了三元系统的热稳定性和力学性能。
硅橡胶具有较好的耐热老化、耐紫外线老化、绝缘性能，主要应用在半导体芯片涂层和LED封装胶上。
据报道，将复合硅树脂和有机硅油混合，在催化剂条件下发生加成反应，得到无色透明的有机硅封装材料，可用于大功率白光LED上，透光率达到98％，白光LED的光通量可达42.65 lm，取得了较好的应用效果。
环氧树脂作为透镜材料时，耐老化性能明显不足，与内封装材料界面不相容，使LED的寿命急剧降低。
硅橡胶则表现出与内封装材料良好的界面相容性和耐老化性能。
目前，高折光指数的硅橡胶材料已成为国外生产有机硅产品的大公司的研发和销售热点。
聚酰亚胺可耐350~450℃的高温、绝缘性好、介电性能优良、抗有机溶剂和潮气的浸湿等优点，在半导体及微电子工业上得到了广泛的应用．聚酰亚胺主要用于芯片的钝化层、应力缓冲和保护涂层、层间介电材料、液晶取向膜等，特别用于柔性线路板的基材。
通过分子设计可以进行材料改性，如提高粘附性，可以引入羟基或环氧基团提高柔韧性、降低固化应力，可以引入硅氧键等。
4、复合材料
作为导热性电子材料，金属材料能满足导热性要求，但它的导电性限制了它的使用范围；无机非金属晶体同时具有优良的导热性和绝缘性，是理想的导热性电子材料，但制备困难，成本高；聚合物成型方便，易于生产，介电性好，但导热差。
复合材料是由两种或两种以上的物理或者化学性质不同的物质组合而得到的一种热固性材料。
因为复合效应，复合材料的性能会比它的组成物质更好，或者具有原来组成物所没有的性能。
复合材料固化组合后不仅封装材料的导热系数提高了，热膨胀系数也显著降低，抗弯曲、抗脱层性能也提高了。
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