陶瓷强化与韧化资料
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第四章
高温结构陶瓷的强化与韧化 第一节 概述
γth E σ=
a
γσc E =
2c
1、无缺陷陶瓷(微晶、高密度、高纯度)
γ
γ≈1C c 2
c
c c
K 2E 2E σ=
=π(1-ν)a πa πa
A.A.Griffith
-1/2
f 01σ=σ+K d
,
Al 2O 3: 46J/m 2, 18J/m 2
f 0σ=σexp(-np), n=(4~7)
p=10%, n=(4~7), 67~50%
2、提高抗裂能力和预加应力(表面压应力)
K
c
C
c a K σπσ+=
1
(1)淬火
96%Al 2O 3:388MPa →1500℃, ↓5%硅油+95%水→649MPa SiC Si 3N 4 99.85% Al 2O 3+0.15%MgO (2)热处理
SiC 1315℃ 50h ↑50~60% Si 3N 4 1350℃ 766MPa →922MPa (3)调整工艺 原位生长
Si-Al-O-N, β- Si 3N 4 , β’-Sialon , AlN α-Si 3N 4→β- Si 3N 4
Al 2O 3-TiB 2-TiC 0.5N 0.5 ,TiO 2, BN, B 4C, Al M(Ti 、Zr)-Al-Si-C (TiB 2 + TiC)/Ti 3SiC 2
(4)化学强化
A 涂层
a.上釉
96% Al2O3α=6.5×10-6/℃,
1500℃,1h,330MPa→470MPa
b. CVD
ZrB2+SiC (SiC) Si3N4(SiC)
B离子交换
EΔV
σ=×
2(1-2μ)V
2%, E=70GPa, μ=0.25 →σ= 930MPa
96% Al 2O 3 上釉 Na,(Li),B,Al,Si, →NaNO 3,KNO 3 or K 2SO 4熔盐, 300-500℃,15-60min, →300MPa ↑500-580MPa C 低膨胀固溶体表面层
avg surf E ΔT σ=(α-α)
1-ν
Al 2O 3-Cr 2O 3 1650℃,1h 193MPa ↗ 250MPa TiO 2-SnO 2(SnCl 4)
1400℃,1h 129MPa ↗163MPa MgAl 2O 4-MgCr 2O 4
MgO-NiO, MgO-Fe 2O 3+NiO, MgO-MnO Si 3N 4-Al 2O 3,
D 化学反应在形成低膨胀系数的表面层 Al 2O 3(CaCO 3), 1250-1450℃, 3h σ↑40% Al 2O 3(SiC), 1300-1500℃, σ↑40%
3、纤维与晶须补强增韧
临界应力强度因子
化学相容性、弹性模量匹配E w>E m、
热膨胀系数匹配αw>αm
负荷传递、基质预应力化、裂纹弯曲偏转、
晶须拔出、裂纹桥架
纤维补强陶瓷复合材料
C fiber/SiO2, C fiber/Si3N4, SiC fiber/LAS, C fiber/LAS, 晶须补强陶瓷复合材料
SiC w/ Si3N4, SiC w/ Al2O3, SiC w/ 莫来石,
SiC w/ Y-TZP
4、相变增韧
o
1170C
ZrO ZrO
2(m)2(t)
应力诱导相变增韧微裂纹增韧裂纹分枝增韧
裂纹偏转和弯曲增韧表面增韧
5、弥散强化
SiC p/Y-TZP, SiC p/莫来石,SiC p/ Si3N4,
TiB2 p/ SiC, BN p/ Sialon
6、纳米陶瓷
第二节
马氏体相变原理
o o o
1170C2370C2680C 2(m)2(t)2(c)
ZrO ZrO ZrO液相一、马氏体相变的特征
1、无扩散型相变
2、相变不是在固定温度下完成,
而是在一个温度范围内进行
3、新旧相之间保持一定的位相关系
(110)m‖(100)t,[100]m‖[001]t,
(100)m‖(100)t,[001]m‖[001]t
4、马氏体内往往存在有亚结构
孪晶位错层错微裂纹
5、相变涉及剪切应变和体积变化
8% 3-5%
6、相变的可逆性
7、习惯面
二、马氏体相变的起始与终止温度M s、M f
T0ΔG t→m<0
影响M s的因素:
(1)母相的化学组成(2)晶粒尺寸(3)应力状态三、无扩散相变和扩散相变
1、立方母相中t-ZrO2的析出
Mg-PSZ、
Ca-PSZ
0.04um, 0.1um
2、有序化合物的析出
Φ1 CaZr4O9
Φ2 Ca6Zr19O44
Zr3Y4O12
Mg2Zr5O12
3、 低共熔分解
t-ZrO2 + MgO m-ZrO2 + MgO
4、 c →t ’ 位移相变
t ’→ c + t 为扩散相变
第三节 ZrO 2马氏体相变热力学
1、无应力状态下
s
se c t s m s t
se m se c t c m m t U U G U U U U G G G ∆+∆+∆=-+-+-=∆→0≤∆→m t G ,s m se c U U G ∆+≥∆-
t ij I ij m
se
U εσ2
1=,V V t ij ∆=
31ε,
V
V K
I ij
∆=σ
2
6⎪⎭
⎫ ⎝⎛∆=V V K U m
se
,
1
2212
1)21(2)1(2E E E E K νν-++=
2、残余应力的影响