第二章 实际晶体中的位错行为
晶体缺陷7实际晶体中的位错汇总.
A
△ C △
A
A
C B A
△ C
A △ B
△
B △ A
B △ A
△
A
抽出型层错
插入型层错
△
B
△ A
Frank分位错
在fcc晶体中插入或抽走一层(111)面,就
会形成堆垛层错。若插入或抽走的只是一部
分,层错与完整晶体边界即所谓“Frank位错
”。其柏氏矢量为b=1/3<111>
该矢量小于FCC晶体中〈110〉方向上的原子
a 例:f.c.c中,柏氏矢量为 121 的位错能否分解成单位位错? 2
结构条件:
能量条件:
a a a [121] [110 ] [011] 2 2 2
满足
3a 2 2
a a 2 2
2
2
满足
a [121] 2 a [0 11] 2 a [110 ] 2
不全位错
柏氏矢量的长度不等于沿滑移方向原子间距的整数倍 。这种位 错扫过晶体,滑移面上下原子不再占有原先位置,产生层错。
3. 插入一层,或相间抽出两侧
层错能
形成层错几乎不产生点阵畸变,但破坏晶体对称性 和周期性,使电子发生反常衍射效应,使晶体能量 升高。由层错引起的能量增量叫层错能。层错能越 高,层错出现几率越低。
分位错
若堆垛层错发生在部分区域,则层错边缘将存 在位错(不全位错)
B
B △ A △ B △ A △ C △ B △ A A △ C
2 b ' b 符合能量条件: i j 1 2 j i 1 n m
所以此位错反应可以自发进行。
计算 1.分量和 2.分量平方和
请判定下列位错反应能否进行
实际晶体和面心立方晶体中的位错
a b1的位错线 2 1 10
面心立方晶体的滑移和扩展位错
26
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材料科学基础
扩展位错:
一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。 扩展位错的特点: 1)位于(111)面上,由两条平行的肖克莱不全位错中间夹着一片层错构成。 2)两个肖克莱不全位错相互平行。
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两个不全位错 位于同一滑移面上 ,彼此同号且柏氏 矢量的夹角为60。 ,小于90。,彼此 之间互相排斥并分 开,其间夹着一片 堆垛层错区。
I区:正常堆垛 未滑移区
a 121 6 b2的位错线
II区:层错区 b3的位错线 a 2 11 6 III区:正常堆垛 已滑移区
不全位错的柏氏矢量 a 112 。 3)A、B、C、D是四面体顶点到它所对的三角形中点的连线:8个弗兰克不全位 a 错的柏氏矢量 111 。 3 4)四个面的中心相连即、、、、、共12个晶向:柏氏矢量 a 110
6
a 110 :单位位错的柏氏矢量。 2
6
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5
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3. 位错的应变能 位错的能量包括两部分:位错中心畸变能 (常被忽略)和位错周围 的弹性应变能。 单位长度混合位错的应变能:
Gb2 R E ln 4K r0
m e
刃型位错,k=1-。螺形位错,K=1。混合位错, K 简化上述各式得:E=α Gb2,=0.5-1
号相吸。
f
Gb1b2 2r
两平行螺型位错的交互作用力
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第二章 缺陷与位错
螺型位错的形成及其几何特征 如图2-8 (螺位错形 .spl演示) 。 演示) 如图 螺位错形 演示
图2-8 螺位错形成示意图
EF就是线缺陷 螺型位错。割开面 就是线缺陷--螺型位错 割开面ABCD就是滑移面, 就是滑移面, 就是线缺陷 螺型位错。 就是滑移面 滑移矢量为d,其方向为-z轴 平行。 周围的原 滑移矢量为 ,其方向为 轴,与EF平行。EF周围的原 平行 子面形成以EF为轴线的螺卷面 为轴线的螺卷面。 子面形成以 为轴线的螺卷面。
图2-4 电子显微镜下观察到的位错线
二、位错的基本类型 从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型, 从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型, 即刃型位错和螺型位错。 即刃型位错和螺型位错。 从滑移角度看, 从滑移角度看,位错是滑移面上已滑移和未滑移部分 的交界。 的交界。
刃型位错的形成及其几何特征 示意了晶体中形成刃型位错的过程。 ) 图2-5示意了晶体中形成刃型位错的过程。 (a.spl) 示意了晶体中形成刃型位错的过程
图2-6 刃型位错包含半原子面
刃型位错的几何特征: 刃型位错的几何特征: (1) 有多余半原子面。 有多余半原子面。 习惯上, 习惯上,把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正 刃型位错,用符号“ 表示,反之为负刃型位错, 刃型位错,用符号“┻”表示,反之为负刃型位错,用 表示。 “┳”表示。 刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。 刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。
所谓局部滑移就是原子面间的滑移不是整体进行, 所谓局部滑移就是原子面间的滑移不是整体进行 , 而是发生在滑移面的局部区域, 而是发生在滑移面的局部区域, 其他区域的原子仍然保 持滑移面上下相对位置的不变。 持滑移面上下相对位置的不变。
第二章晶体结构缺陷(线缺陷课件-9)
(a)混合位错的形成 ) (b)混合位错分解为刃位错 ) 和螺位错示意图
螺位错形成示意图
晶体局部滑移造成的螺型位错
螺型位错具有以下特征:
♦ 1).螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。 ♦ 2).根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不
同,螺型位错可分为右旋和左旋螺型位错。 ♦ 3).螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线,而 且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。 ♦ 4).纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含螺型位 错线的平面都可以作为它的滑移面。但实际上,滑移 通常是在那些原子密排面上进行。 ♦ 5). 螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离的增加 而急剧减少,故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
1. 刃型位错
♦ (1)刃型位错(edge dislocation)的产生 刃型位错(
完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对 的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 应强度,从而促进了位错理论的产生和发展。 刃型位错: (2) 刃型位错: 作用下, ABCD面为滑移面发生 晶体在大于屈服值的切应力τ作用下,以ABCD面为滑移面发生 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线 是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线, 滑移。EF是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线,犹如砍入晶体 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 的一把刀的刀刃,即刃位错(或棱位错)。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 (3)几何特征 (3)几何特征 位错线与原子滑移方向相垂直; 位错线与原子滑移方向相垂直;滑移面上部位错线周围原子受 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距; 压应力作用,原子间距小于正常晶格间距;滑移面下部位错线周 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 围原子受张应力作用,原子间距大于正常晶格间距。 (4)分类 正刃位错, 分类: 负刃位错, (4)分类:正刃位错, “⊥” ;负刃位错, “┬ ” 。符号中 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。 水平线代表滑移面,垂直线代表半个原子面。
《实际晶体中的位错》课件
由简单立方,深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。
基本概念
1.位错的类型
简单立方:b≡点阵矢量—只有全位错
实际晶体:b > = <点阵矢量 ● b=点阵矢量整数倍— 全位错
其中b=点阵矢量——单位位错 ● b≠点阵矢量整数倍——不全位错
其中b <点阵矢量——部分位错
原子堆垛
最紧密堆积方式:1,3,5 或2,4,6 位
12
6
3
54
12
6
3
54
相对第一、二层而言,第三层有两种最紧密的堆积方式
,
AB
第一种:是将球对准第一层的球
12 63
54
12 63
54
12 63
54
六方紧密堆积前视图
A B A B A
每两层一个周期:ABAB… 密排六方结构
第三层对准第一层的 2、4、6 位,即 C 层
面心立方晶体的滑移
如:1 a110 1 a121 1 a211
2
6
6
1 a1 10
2
1 a1 2 1
6
1 a211
6
扩展位错的交滑移
位错的束集
● 当螺型位错分解为扩展位错后,其中的层错区只能在原 滑移面上随两个不全位错移动,不能转移到新的滑移面 上。
● 如果这样的扩展位错在滑动过程中受阻,只有重新合并 为螺型全位错才能进行交滑移。
12 63
54
12 63
54
12 63
54
12 63
54
立方堆积示意图
A C B A C B A
全位错和不全位错
以面心立方晶体为例: ABCABCABC堆垛
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
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位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的增殖
弗兰克-里德位错源增殖 双交滑移增殖 仅在螺型位错中,比以上增殖方式更有效 攀移增殖
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
实际晶体中的位错
基本特征
单位位错 柏氏天量等于单位点阵矢量的位错 全位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
柏氏矢量等于点阵矢量或者其整数倍的位错称为"全位错",全位错滑移后晶体原子排列不 变 不全位错 柏氏矢量不等于点阵矢量或者其整数倍的位错,不全位错滑移后晶体原子排列规则变化 部分位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
柏氏矢量小于点阵矢 量的位错
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
典型层错
本征层错(滑移型层错) 非本征层错(插入型层错)
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
扩展位错
概念 扩展位错通常指一个全位错分解为两个不全位错,中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态 ,就称为扩展位错 特征及形成过程
20XX
位错的生成与增殖和实 际晶体中的位错
演讲者:xxx
-
目录
CONTENTS
1 位错的生成与增殖 2 实际晶体中的位错
2
பைடு நூலகம்
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的生成与增殖
位错的密度
穿过单位面积的位错线的数目
位错的生成与增殖和实际晶体中的位错
位错的生成
晶体生产过程中产生位错 过饱和空位聚集产生位错 晶界、微裂纹附近应力集中产生滑移,出现位错
实际晶体中位错的行为
➢折线段O2O2’=|b1|, O2O2’与其柏氏矢量b2同向,是螺型位错,滑移面与CD相
同,所以O2O2’是扭折,可消失 ;
➢同理O1O1’也是扭折.
9 实际晶体中位错的行为
9.2 位错的弯折与割阶
(3)刃型位错与螺型位错的交截
FCC全位错原子排列示意图,图面为(111)面
柏氏矢量可用数字及符号表示
对fcc晶体,[110]是原子最密排的晶向,此晶向相邻两原子在三
坐标轴上的投影为a/2、a/2、0,故单位位错柏氏矢量:
bcc
b
a
[111]
| b |
3R
b
a [110],
| b |
2a
2
2
2
2
hcp
b
a
[1120]
3
3.位错反应与扩展位错
(1) 位错反应 位错除相互作用外,还可能发生分解或合成,即位错反应。b位
错反应有两个条件。
1)几何条件:反应前各位错柏氏矢量之和应等于反应后各 之和
即Σ
b前 =Σ
后b
2)能量条件:能量降低的过程
∵ E∝b2
∴ Σb2前≥Σb2后
1953年汤普森(N. Thompson)引入参考四面体和一套标记来 描述fcc金属中位错反应,如图6-62。将四面体以ΔABC为底 展开,各个线段的点阵矢量,即为汤普森记号,它把fcc金属 中重要滑移面、滑移方向、柏氏矢量简单而清晰地表示出来。
基本概念
(5)刃型位错与刃型林位错的交割
AB与CD交割后: OO ’=b1 ; bOO ’=b2 ;
小结
➢刃型位错:被交割后必产生扭折或可动割 阶。 ➢螺型位错:被交割后产生的割阶必为刃型 位错且为不动割阶。
第二章 金属晶体的缺陷
2.1 点缺陷 2.2 位错的基本概念 2.3 位错的运动 2.4 位错的弹性性质 2.5 实际晶体结构中的位错 2.6 位错源和位错增殖 2.7 位错的实际观测 2.8 金属界面
引言
实际晶体中,或多或少地存在偏离理想结构 的区域, 此即为:晶体缺陷。
1.点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子。 2.线缺陷:位错。 3.面缺陷:晶界、相界 、孪晶界、堆垛层错。
N N n
C
n
u S f
e kT k
u
Ae kT
N
Sf
式中 A e k 是由振动熵决定的系数,一般估计在1~10之间。
对于间隙原子也可用同样方法求得类似公式。
应用时需求出空位或间隙原子的形成能。
点缺陷的形成能包括电子能(缺陷对晶体中电 子状态的影响)和畸变能。
空位形成能中,电子能是主要的;间隙原子, 则畸变能使主要的。
用统计热力学方法计算平衡条件下的空位浓度。
由热力学知道自由能 F U TS
F nuv T (nS f Sc )
(2-1)
Sc k ln N(N 1)...(N n 2)(N n 1) N !
n!
(N n)!n!
SC
k
ln
(N
N! n)!n!
代入(2-1)得:
N! F nuv nTS f kT ln (N n)!n!
图2-8 图2-9
2)螺型位错:当螺型位错移过整个晶体后,在晶体表面 形成的滑移台阶宽度也等于柏氏矢量,其结果与刃型 位错是完全一样的。但它不像刃型位错那样有确定的 滑移面,而可以在通过位错线的任何原子平面上滑移。
图2-10
3)混合型位错
图2-11
图2-12
实际晶体中位错的行为
9.2 位错的弯折与割阶
PP’=|b1|,PP’与其柏氏矢量b2同向,是螺型位错,滑移面与AB相同,所以 PP’是扭折,可消失 ; QQ’=|b2|,与PP’相同,可消失.
模型。
S1
v
S1
基本概念 刃
9 实际晶体中位错的行为
几种典型的位错交割 (2)柏氏矢量平行的两刃型位错的交割(b1=b2) 折线段O2O2’=|b1|, O2O2’与其柏氏矢量b2同向,是螺型位错,滑移面与CD相
比尔弼法则
1.根据螺位错类型选择左右手;
2.手臂指向为刃位错线方向; 3.拇指指向柏氏矢量方向,则手掌所在面必为 刃位错滑移面; 4.手背朝向多余半原子面.
2. 带位错偶极的位错运动
割阶大小为几个到20个原子间距。 OO’和PP’符号相反的刃型位错称为 位错偶极。
3. 带大割阶的位错运动
割阶大小为20~30个原子间距,称为 大割阶。
左螺位错
1. 带小割阶的位错运动
小割阶大小为1~2个原子间距。 (a)位错变长,运动阻力增加; (b)小割阶不动,位错沿着滑移面 运动; (c)外力足够大,割阶攀移,后面 留下空位或间隙原子。 刃型位错正攀移留下间隙原子;负 攀移留下空位。
9 位错的交割与割阶
9.3 带割阶的位错运动
1. 带小割阶的位错运动
(3)由空位聚集形成 • 在高温时,晶体中的空位浓度很高,有聚 集成片以降低组台能的趋势,晶体中空位 片足够大时两边晶体塌陷下来,在周围形 成位错环。 • 面心立方晶体中,空位常在{111}晶面上聚 集成片。该位错环是刃型位错。
10 位错的增殖与萌生
10.2 位错的增殖
(1)弗兰克-瑞德增殖机理
同,所以O2O2’是扭折,可消失 ;
实际晶体中的位错
FCC中全位错滑移时原子的滑动路径 B层原子的滑动分两步:B→C→B
FCC晶体的全位错的柏氏矢量应为b=a/2<110>, 简写成b=1/2<110>。全位错的滑移面是{111},刃型位 错的攀移面(垂直于滑移面和滑移方向的平面)是 {110}。
如图中FCC晶体的滑 移面为(111)晶面,柏氏 矢量方向为[110]晶向, b=1/2[110];半原子面 (攀移面)为(110)晶面, 其堆垛次序为ababab…
3
6
6
3
1 [0 1 1] 1 CA
6
3
1 [101] 1 DA
6
3
希-希向量就是 FCC中压杆位错的 柏氏矢量。
1 [1 01] 1 CB
6
3
1 [011] 1 DB
6
3
FCC中的位错反应,即位 错的合成与分解也可以用 Thompson四面体中的向量
1 [110] 1 DC
皆为
在(111)面上:
a
a a
[101] [112] [211]
2
6
6
Shockley 不全位错。
在(111)面上:
a
[011]
a
[121]
a
[112]
2
6
6
当两个扩展位错
的领先不全位错C1D1 和C2D2 在外力作用下, 滑移至两滑移面的交
线上AD并相遇时, 可以合成一个新位错:
a 6
晶体中的层错区与正常堆垛区的交界即是不全位 错。在面心立方晶体中,存在两种不全位错,即是肖 克莱(Shockley)不全位错和弗兰克(Frank)不全位错。
Shockley分位错的定义: 在FCC晶体中位于{111}晶面上柏氏矢量为
2.4晶体的位错
螺位错的双交滑移增殖模型(链接)
(111) 滑移面
螺型位错 b
螺型位错在(111) 面上滑移。
C
D
B (111) 滑移面 (111) 交滑移面 C D B (111) b
A
因局部切应力变化 螺型位错改变了滑 移面。
b
刃型割阶
A
又因局部切应力的 减弱螺型位错发生 交滑移,又回到原 来的滑移面上。
有时在第二个 (111)面扩展出 来的位错圈又 可以通过交滑 移转移到第三 个(111)面上进 行增殖。从而 使位错迅速增 加,因此,它 是比上述的弗 兰克一瑞德更 有效的增殖机 制
晶体中的位错 (二)
主要研究内容
位错的应变能 位错的受力
位错与晶体缺陷的相互作用
位错的萌生与增值
五、位错的应变能
本节主要内容:
1.螺型位错的应变能
2.刃型位错的应变能
3.混合位错的应变能
位错的应变能:位错周围点阵畸变引起弹性应力场导致晶 体能量的增加。 位错的能量可分为位错中心畸变能和位错应力场引起的弹 性应变能。其中弹性应变能约占总能量的90%。
与位错滑移力推导过程一样,根据虚功原理,最终得出:
F b
七、位错与晶体缺陷的相互作用
本节主要内容: 1.位错之间的相互作用
2.位错的塞积
3.位错与点缺陷之间的相互作用
1、位错之间的相互作用
两个平行螺位错之间的相互作用
把坐标z轴放在第一个位错线上,坐标原 点为(0, 0),其柏氏向量为b。
弗兰克-瑞德(F-R)源 增殖过程(链接)
弯曲
卷曲
……
分裂增殖
变直
透射电镜下观察到的位错增殖过程(链接)(F-R机制)
2.5 实际晶体中的位错(白底)
单位位错的柏氏矢量一定平行于晶 体的最密排方向
柏氏矢量表示位错运动后晶体相对的滑 移量, 移量,因此它只能由原子的一个平衡位 置指向另一个平衡位置。 置指向另一个平衡位置。 从能量条件看,由于位错能量正比于 从能量条件看,由于位错能量正比于b2, 故柏氏矢量越小,位错能量越低。 故柏氏矢量越小,位错能量越低。
2011-10-12 16
(2)弗兰克不全位错 )
层错区与正常堆垛区交界就是弗兰克不全位错。其中 层错区与正常堆垛区交界就是弗兰克不全位错。 抽出部分{111}面形成的层错叫内禀层错, {111}面形成的层错叫内禀层错 抽出部分{111}面形成的层错叫内禀层错,内禀层错区 与正常堆垛区交界称为负弗兰克不全位错,如图a 与正常堆垛区交界称为负弗兰克不全位错,如图a, 插入部分{111}面形成的层错叫外禀层错, 插入部分{111}面形成的层错叫外禀层错,外禀层错区与 {111}面形成的层错叫外禀层错 正常堆垛区交界称为正弗兰克不全位错,如图b 正常堆垛区交界称为正弗兰克不全位错,如图b。
四、 扩展位错
2011-10-12
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1、 面心立方晶体的滑移 、
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1、 面心立方晶体的滑移 、
面心立方晶体按ABCABC…顺序堆垛而成 顺序堆垛而成 面心立方晶体按 第一层原子占A位置,此时有两种凹坑出现, 图a中,第一层原子占A位置,此时有两种凹坑出现,若将 凹坑看成B位置, 凹坑即为C位置。 △凹坑看成B位置,则▽凹坑即为C位置。 当发生滑移时,若从B位置滑移到相邻的B位置, 当发生滑移时,若从B位置滑移到相邻的B位置,即滑移矢 量为单位位错柏氏矢量时,此时要滑过A层原子的“ 量为单位位错柏氏矢量时,此时要滑过A层原子的“高 滑移所需能量较高。 峰”,滑移所需能量较高。 如果B层原子作“之”字运动,先由B滑移到C,再由C滑移 如果B层原子作“ 字运动,先由B滑移到C 再由C 就比较省力,即用两个部分位错的运动代替b 到B,就比较省力,即用两个部分位错的运动代替b1全位 错的运动,如图b 错的运动,如图b。 单位位错BC BC可分解为两个肖克莱不全位错 单位位错BC可分解为两个肖克莱不全位错
材料科学基础重点总结 2 空位与位错
第2章晶体缺陷晶体缺陷实际晶体中某些局部区域,原子排列是紊乱、不规则的,这些原子排列规则性受到严重破坏的区域统称为“晶体缺陷”。
晶体缺陷分类:1)点缺陷:如空位、间隙原子和置换原子等。
2)线缺陷:主要是位错。
3)面缺陷:如晶界、相界、层错和表面等。
2.1 点缺陷空位——晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。
点缺陷的形成:肖特基空位:脱位原子迁移到晶体表面或者内表面的正常结点位置,从而使晶体内部留下空位,这样的空位称为肖特基(Schottky)空位。
(内部原子迁移到表面)肖特基(Schottky)空位弗仑克耳(Frenkel)空位弗仑克耳空位:脱位原子挤入点阵空隙,从而在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子,称为弗仑克耳(Frenkel)空位。
(由正常位置迁移到间隙)外来原子:外来原子也可视为晶体的点缺陷,导致周围晶格的畸变。
外来原子挤入晶格间隙(间隙原子),或置换晶格中的某些结点(置换原子)。
空位的热力学分析:空位是由原子的热运动产生的,晶体中的原子以其平衡位置为中心不停地振动。
对于某单个原子而言,其振动能量也是瞬息万变的,在某瞬间原子的能量高到足以克服周围原子的束缚,离开其平衡位置从而形成空位。
空位是热力学稳定的缺陷点缺陷的平衡浓度系统自由能F=U- TS (U为内能,S为总熵值,T为绝对温度)平衡机理:实际上为两个矛盾因素的平衡a 点缺陷导致弹性畸变使晶体内能U增加,使自由能增加,降低热力学稳定性b 使晶体中原子排列混乱度增加,熵S增加,使自由能降低,增加降低热力学稳定性熵的变化包括两部分:①空位改变它周围原子的振动引起振动熵,Sf。
②空位在晶体点阵中的存在使体系的排列方式大大增加,出现许多不同的几何组态,使组态熵Sc增加。
空位浓度,是指晶体中空位总数和结点总数(原子总数)的比值。
随晶体中空位数目n的增多,自由能先逐渐降低,然后又逐渐增高,这样体系中在一定温度下存在一个平衡空位浓度,在平衡浓度下,体系的自由能最低。
材料科学基础-5
(3)位错线不可能中断于晶体内部,这种性质称为位 错的连续性。
• 利用柏氏矢量b与位错线t的关系,可判定 位错类型。 若 b∥t 则为螺型位错。 若 b⊥t 为刃型位错。 若既不垂直也不平行,为混合型位错
位错线
正刃型位错
负刃型位错
刃型位错的结构特点:
• 刃型位错有一个多余半原子面。一般把多余半原子面在滑 移面以上者,称为正刃型位错,以“”号标示;反之, 则为负刃型位错,以“”号标示。刃型位错的正、负之 分只具相对意义,而无本质区别。 • 刃型位错线与形成位错的晶体滑移矢量和滑移方向垂直。 • 刃型位错是以位错线为中心轴、半径为23个原子间距的
刃型 位错
螺型 位错 混合 位错
⊥位错线
∥位错线
⊥位错线本身 与b一致
⊥位错线本身 与b一致
与b一致 唯一 确定 与b一致 多个 与b一致
成角度
⊥位错线本身 与b一致
(1) 可以通过柏氏矢量和位错线的关系来判断位错 特征。b⊥t时为刃型位错,b∥t为螺型位错,对于混合 型位错,b和t的角度在0°和90°。
练习2 晶面上有一位错环,确定其柏氏矢量,该位错环在切应 力作用下将如何运动?
2.2.4 运动位错的交割
• 当位错在其滑移面上滑移时,会与穿过滑移面的 其他位错相遇。当外力足够大时,两个相遇的位 错便会交叉通过,继续向前滑移。位错间交叉通 过的行为即称为位错交割。
• 发生位错交割后,位错线常常变成折线,即形成 折线线段。此扭折线段在位错滑移过程中可以消 失,则为位错扭折,如果位错滑移过程中不能消 失,就称为位错割阶。
混合位错示意图
第二章晶体缺陷4
五、具体晶体结构与位错(一)、实际晶体结构中的位错以上所述的位错,只是考虑在连续介质或简单立方晶体中的情况。
而实际上大部分金属具有面心立方、体心立方或密集六方的晶体结构。
下面讨论具体晶体结构中有位错存在的情况,他们的性质和行为与简单立方晶体结构的情况是不相同的。
(1)完全位错和分位错完全位错---柏氏矢量为单位点阵矢量或其倍数的称为全位错。
其中,柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的称为单位位错。
不全位错---柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的称为不全位错;柏氏矢量小于点阵矢量的称为部分位错。
实际晶体结构中,位错的柏氏矢量不能是任意的,它要符合晶体的结构条件和能量条件。
结构条件---柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另一平衡位置。
在某一种晶体结构中,力学平衡位置很多,故柏氏矢量可取很多。
能量条件---由于位错能量正比于2b,柏氏矢量越小越好。
能量较高的位错是不稳定的,往往通过位错反应分解为能量较底的位错组态。
因而实际晶体中存在的位错的柏氏矢量限于少数最短的点阵矢量。
(2)与晶体结构有关的位错柏氏向量的表示与具体晶体结构有关的位错其柏氏向量可用以下方法表示,,,νμw 表示晶胞边的长度,如相应的取X 、Y 、Z 轴作此晶体的坐标,柏氏向量在X 、Y 、Z 轴上的分量假定为ωνμc c c ,,,则可以用[]μνωc 表示柏氏向量的方向和大小。
例如,面心立方晶体,其晶格常数为a ,而它的全位错的柏氏向量的大小是面对角线的1/2,即a 22。
沿[]110方向的柏氏向量在X ,Y ,Z 轴上的分量为2,0,.2a a -,因此柏氏向量可以表示为[]1102a ,如以晶格常数a 作单位,也可写为[]11021。
柏氏向量的大小可以表示为222ωνμ++c 。
面心立方点阵,最短的点阵矢量为原点到]0,21,21[,可用1102a表示,其长度为22a b =;次短的点阵矢量为100a ,长度为b=a 。
从能量角度来看,柏氏矢量为1102a的位错只有100a 的一半,所以在面心立方晶体中单位位错是1102a 。
位错反应
2. 不全位错 当柏氏矢量不等于最短平移矢量的整数倍的位错
叫不全位错,其中小于最短的平移矢量的位错称为
部分位错。
若柏氏矢量不是晶体的平移矢量,当这种位错 扫过后,位错扫过的面两侧必出现错误的堆垛,称 堆垛层错。层错区与正常堆垛区的交界便形成了不 全位错
面心立方金属存在两种不全位错: 肖克莱不全位错,弗兰克不全位错
当该两个位错相遇时, 有可能生成单位位错
17
4. 扩展位错 A B B
C
b1= a/2[110] B
B
C 面心立方金属的堆垛顺序 ABC 。 B 原子水平移动单 位位错的距离,需要克服 A 原子的“高峰”,选择 先滑移到C位置再到B位置,将更节省能量。因此B 原子的单位位错的柏氏矢量 BB 就可以分解为 BC 加 CB(两个肖克莱位错)
20
5. 位错增殖 实验表明退火后的金属位错密度ρ=106 cm-2 左右, 而经剧烈塑性变形过后,位错密度ρ=1011 ~ 1012cm-2 , 说明位错发生了增殖。
τ
位错线AB在 外力τ作用下受到 的力为τb
随外力的继续 增大,位错线发 生弯曲,并产生 线张力T=Gb/2r
当位错线弯成 半圆时,曲率半 径 r最小(LAB/2 ), 而T最大,为Gb/L。 此时的线张力为 位错增殖的临界 切应力
晶体中位错将发生运动,且位错移动的方向总是与 位错线方向垂直。设想位错线上作用了一个与其垂直 的力,使其发生移动,利用虚功原理来求该力的大小。
Fd 与外加切应力τ 和柏氏矢量的模|b|成正比, 方向处处垂直于位错线,并指向未滑移区
3
4. 位错线张力 由于位错线具有应变能,所以位错线有缩短的趋势
来减小应变能,这便产生了线张力T。线张力数值上等
第二章 实际晶体中的位错行为
Gb
yy
2 y 2x y 2 2 2 2 2 (1 ) x ( y ) x (y )
Gb
2
zz
(
xx
yy
) -
Gb
(1 )
x
y
2
(y )
螺 2 刃 2
ΔW
( r0 2 )
u
W 是位错心部的能量变化,常被称作错排能 W m 。 L c
W
Wm
可见,心部能量的随着位置的改变而发生周期性 变化,造成位错运动的阻力。 我们的任务就是要求得这个阻力。
We
需要建立模型。
第一节 P-N模型与P-N力
u
二、P-N模型(简单立方)
-
Gb 2 (1 )
x
x
2
2
xy
x 2 xy ( y ) 2 2 2 2 2 (1 ) x ( y ) x (y )
2
2
xx
2 3 y 2 2 y( y ) 2 2 2 2 2 (1 ) x ( y ) x (y )
2
注意:当 r x y
2
2
1 2
时,该位错的应力场与连续介质中应力场相同。
因此,P-N模型消除了连续介质模型在位错中心的奇异点。
第一节 P-N模型与P-N力
三、晶格阻力与P-N力
1、Peierls 位错的能量
一般认为: W W e W m
2 刃 Gb R W = ln e 4 (1 ) 2 2 R 螺 Gb W = ln e 4 2
位错基本理论
直到1950年后,电子显微镜实 验技术的发展,才证实了位错 的存在及其运动。
TEM下观察到不锈钢316L (00Cr17Ni14Mo2) 的位错线与位错缠结
26
位错类型: 位错:实质上是原子的一种特殊组态,熟悉其结构特点是掌
左螺型位错。
螺型位错特点
36
1)无额外半原子面,原子错排是呈轴对称的。
2)螺位错线与滑移矢量平行,故一定是直线,且位错线的 移动方向与晶体滑移方向互相垂直。
3)纯螺位错滑移面不唯一的。凡包含螺型位错线的平面都 可为其滑移面,故有无穷个,但滑移通常在原子密排面上, 故也有限。
晶体是不完整的,而有缺陷的。 滑移也不是刚性的,而是从晶体中局部薄弱地区(即缺陷处)
开始,而逐步进行的。
待变形晶体
弹性变形
出现位错
晶体的逐步滑移
位错迁移
晶体形状改变,但未断 裂并仍保留原始晶体结
构
25
1934年,泰勒(G.I.Taylor)、波朗依(M.Polanyi)和奥罗万 (E.Orowan)几乎同时从晶体学角度提出位错概念。
人们最早提出对位错的设想,是在对晶体强度作了一系列的 理论计算,发现在众多实验中,晶体的实际强度远低于其理 论强度,因而无法用理想晶体的模型来解释,在此基础上才 提出来的。
21
塑性变形:是提高金属强度和制造金属制品的重要手段。 早在位错被认识前,对晶体塑性变形的宏观规律已作了广泛
的研究。发现:塑性变形的主要方式是滑移,即在切应力作 用下,晶体相邻部分彼此产生相对滑动。
结等过程都与空位的存在和运动有着密切的联系。 (4)过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了金
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当 sin 4 时1,
( ) 2G exp 4 sin 4 1 b
F 达到极大值,称之为P-N力: L
F 2Gb exp 4
L max 1
b
相应的最大剪切应力阻力称之为P-N应力:
P
2G
1
exp
4
b
※当 0 时,W ( ) 达到最大值。 这是不对的,所以这个模型应当有缺陷。
一、弯折
1、概念:
位错线的拐折与位错线处于同一滑移面上。
A
2、形成机制(分类)
(1)几何性弯折
1
弯折的宽度一般表达为:m d
一般
WP
1 1000
W0;所以
m
W0 2WP
22d
2 。
A
弯折形成能可以表达为:WK
2d
1
(2WP W0 ) 2
d
A
问题:刃型位错与螺型位错那个更容易形成弯折?为什么?
dux dxxx dx (1 )b sin 4ux
x x
2d
b
b
x
ux 2 arctg
-位错的半宽度:刃=
2
d (1
)
;
螺
=
d 2
;
螺=(1 )刃
第一节 P-N模型与P-N力
4、应力场求解:
二、P-N模型(简单立方)
进一步可以求出:
(x,0)=
yx
- Gb x
2 (1 ) x 2 2
刃=
e
Gb2 4 (1
)
ln
R 2
W
螺=
e
Gb2 4
ln
R 2
( r0 2 )
We-晶体的弹性能;
Wm-错排能,即滑移面上下两层原子的相互作用能。
如不考虑位置,只考虑整个错排面的能量,则 Wm可以表达为:
W
刃=
e
Gb2
4 (1
)
W
螺=
e
Gb2
4
一般取
ln R
2
10 We
10Wm
但是,这样求出的 W总 值仍然是个常数,仍然无法求出晶格阻力。
二、割阶
b1
1
2
2
1
b2
b2
b1
b2
b1
刃型位错上形成割阶;
螺型位错上形成弯折;
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的螺性位错与螺型位错的交割
b1
1
2
2
b1
b2
b2
二、割阶
1 b2
b1
各自形成一个刃型割阶。
运动特性:只能沿着螺型位错滑移; 随着螺型位错运动时只能是攀移。
xy
-
2
Gb (1
)
x
2
x (y
)2
2xy( y ) x2 (y )2
2
x
x
2
Gb (1
)
x
2
3y (y
2
)
2
2y(y )2 x2 (y )2
2
yy
Gb 2 (1
)
x
2
y (y
)2
2x2 y x2 (y )2
2
zz
( xx
yy )
第二章 实际晶体中的位错行为
实际晶体与连续弹性介质的差别
晶体是周期排列的 晶格阻力(P-N力); 晶体的各向异性 实际晶体有固定的滑移面和滑移方向;
实际晶体的原子具有独特的堆垛方式 层错、部分位错和全位错。
目录
第一节 P-N模型与P-N力 第二节 弯折和割阶 第三节 扩散滑移与攀移机制 第四节 割阶位错的滑动 第五节 晶体中的全位错与滑移系统 第六节 面心立方晶体中的层错和部分位错 第七节 面心立方晶体中的几种重要位错反应 第八节 面心立方晶体中扩展位错的运动 第九节 面心立方中的层错四面体
二、P-N模型(简单立方)
(1)假设
y
x是相对位移
(
x)
的正弦函数(周期为b):
yx=C
sin
2 ( b
x)
当(x) 很小时,根据虎克定律:
=
yx
2
(x) b
C
பைடு நூலகம்
G (x)
d
C
Gb
2d
yx=-
Gb
2d
sin
4ux
b
(2)把上下两块晶体视作连续弹性介质,则可以把位错线视作连续分布的小位错。
在 x 处 dx范围内的柏氏矢量为: bdx 2 dux dx dx
小位错在x处产生的切应力为:
G b dx
2 (1 )
x
1
x
G
(1
)
dux
dx xx
x
1
x
dx
将其积分可以求出滑移面上的切应力:
yx
G
(1
)
dux
dx x x
x
1
x
dx
第一节 P-N模型与P-N力
3、u x 表达式的求解:
二、P-N模型(简单立方)
比较(1)和(2)两式可以得到积分方程:
5
6
7
8
Y
1
2
3
4
5
6
7
8
d
+ux -ux
X
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
1' 2' 3' 4' 5' 6' 7' 8'
第一节 P-N模型与P-N力
1、模型建立
二、P-N模型(简单立方)
第二步:假设每个原子移动 u x,
则相邻原子相对应动 2u x,
则同号原子之间相对位移:
Y
1
2
3
u
2
通过计算任意一对原子的错排能 m再通过求和得到整个滑移面的错排能;
然后再利用傅立叶求和公式,求出位错在任意位置的错排能(刃型位错):
Wm ( )
Gb 2 4 (1
)
WP 2
cos 4
其中,
WP
Gb 2
(1 )
exp
4
b
——P-N位垒,用以表示位错周期势能。
第一节 P-N模型与P-N力
刃 螺 WP刃 WP螺
Gb 2
4
WP (1 ) exp( b )
D
(a) D
(b) D
m (c)
第二节 弯折和割阶
2、形成机制(分类)
(2)热学性弯折
弯折的形成能: 2WK 2W f Winf 2W f ——弯折对的自能; Winf ——弯折对的交互作用能;
一、弯折
L
B
C
Ab
位错的运动有两种基本形式: (1)滑移:一般认为,滑移不涉及原子扩散,属于保守运动;
但有时热激活作用也会使位错线或其中的一部分产生漂移,从而引起滑 移称之为扩散滑移。 (2)攀移:必须有原子扩散。
一、弯折的扩散滑移
1、弯折扩散滑移的概念
弯折扩散滑移是指在外力和热激活作用下弯折的定向漂移。 这主要是指,应力较小时,位错线难于整体滑移;此时,却有可能在热激活作用 下使弯折发生定向漂移,进而引起位错线的滑移。
1 Gb2 exp 4 4 sin 4
2b (1 ) b
F L
2Gb
1
exp
4
b
sin 4
晶格阻力表达式的特点: 是作用在单位长度位错线上的晶格阻力; 是一种周期力。
第一节 P-N模型与P-N力
3、P-N力
三、晶格阻力与P-N力
晶格阻力用切应力来表达( F b):
可能形成割阶或弯折。
两个相互垂直的刃型位错的交割 条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
Y
b1 1 X
A
B
A
2 b2
P
P'2
b2
B
Y
b1
b1
1
X
PP 为非障碍性割阶。
第二节 弯折和割阶
2、形成机制
(1)位错交割
相互垂直的刃型位错与螺型位错的交割
条件:位错线相互垂直; 柏氏矢量也相互垂直;
第一节 P-N模型与P-N力
四、P-N力的应用
1、P-N力的物理意义是什么?
2、P-N力的重要性何在?
• (1)如何解释晶体实际切变强度与理论强度的差别?
• (2)晶体中那些面是易滑移面?为什么? 根据PN应力公式, 每个面 的阻力不一样,每个晶面间距也不一样,存在密排面,密排面晶面间距 越大,PN力越小,易滑移面。
• (3)什么是易滑移方向,为什么? 密排方向阻力小,易滑移方向。
• (4)FCC与BCC相比,哪个的P-N力更大?为什么? Fcc密排强度大, 易滑移。Bcc没有最密排的面,fcc有。
• (5)为什么刃型位错的可动性大,而螺型位错的可动性差呢? 刃型位
错的半宽度大,
第一节 P-N模型与P-N力
第二节 弯折和割阶
- Gb (1 )
x2
y (y )2
1
注意:当 r x2 y2 2 时,该位错的应力场与连续介质中应力场相同。
因此,P-N模型消除了连续介质模型在位错中心的奇异点。
第一节 P-N模型与P-N力
三、晶格阻力与P-N力
1、Peierls 位错的能量
一般认为: W We Wm
W
W刃
W
e刃+Wm
(
)=
Gb 2
4 (1
)
ln
R
2
Gb 2
4 (1 )
WP 2
cos 4
第一节 P-N模型与P-N力
2、晶格阻力