电子技术基础模拟部分总复习(第六版) 共39页PPT资料

反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。
输入电压信号， R i 越大， v i 越大。
输入电流信号， R i 越小， i i 越大。
iT
外加测试信号v T
RvT i i
T
+ vT
+ vT
–
–
放 大 Ri 电 路
2. 输出电阻 R o 决定放大电路带负载能力。
放
Ro
大
+
电
AVOVi
路–
+ Vo RL –
R2
Rf
vS2
iI
R
vS1 R1
– N
vO1
–
vO
+ P
R
+
思考：多个输入的求和
运算电路运算关系的求解方法
• 在运算电路中都引入了深度负反馈，可 认为运放的净输入电压为0（即虚短）， 净输入电流也为0（虚断）。以“虚短” 和“虚断”为基础，利用节点电流法和 叠加原理（适于多个输入信号的情况） 即可求得输出与输入的运算关系。
正偏导通，反偏工作在截止状态
半导体二极管的伏安特性曲线
第一象限的是正 向伏安特性曲线， 第三象限的是反向
伏安特性曲线。
VD
I IS(e VT 1)
式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的 电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻 耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。 对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。
比例运算电路 （1）反相比例运算电路
例1：试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍 解： 根据虚断 I-= I+ 数0 的表达式。
根据虚短 V+ V- 0
Ii = (Vi－ V-)/R1 Vi/R1
If = (V-－ Vo )/Rf -Vo/Rf
II+
∵Ii ∴If Vi/R1=-Vo/Rf
耗尽型MOS管
N型 VP＜0 VDS＞0 P型 VP＞0 VDS＜0
VGS可正、可负、可0 p151 作业4.1.1/4.1.2
vS2
根据 虚短、虚断 和N点 vS1
的KCL得：
R1
iI
– N
vO
+
vNvP 0
P
v S1 - v N v S2 - v N v N - v O
R1
R2
Rf
-vO

Rf R1
vS1
Rf R2
vS2
输出再接一级反相电路
若 R1R2Rf 则有 -vOvS1vS2
（加法运算）
可得 vOvS1vS2
电压增益 Avf= Vo /Vi =－Rf /R1
反相比例运算电路 电压并联负反馈
（2）同相比例运算电路
例2：试求理想运算放大器的输出电压和电压放大倍数的表达 式。
解：根据虚断 I-= I+ 0
根据虚短 V+ V- Vi
V
V
Vi

R1
R1 Rf
V0
电压增益
AVf
V0 Vi
图示
(a)
(b) (c)
(a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路
图 稳压二极管的伏安特性
例1. 二极管构成的电路如图所示，如果二极管是理
想的，分析D1 和D2的导通情况，求电路电压V ab
解：断开D1得
D1
V ４D 10(8)8V
断开D２得
a
D2
V D 2 1 5 ( 8 ) 7 V 1２V
集成运放
引入负反馈 运算电路
反相 比例运算
同相 加减运算
积分运算
在求解运算放大电路中经常用到叠加原理
1.理想运算放大器： 开环电压放大倍数 Aod=∞
差摸输入电阻 Rid=∞
输出电阻
Ro=0
2. 线性区 为了扩大运放的线性区，给运放电路引入负反馈
运放工作在线性区的分析方法：
虚短（v+=v-） 虚断（ii+=ii-=0）
第一章 绪论
重点： 放大电路的模型及主要性能指标
1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力 根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的
要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍 数的定义。重点是电压放大电路模型。
1. 输入电阻
Ri
vi ii
+ vs
–
Rs + vi
–
Ro
+
Ri
AVOvi
–
+ vo RL –
输出电压信号时，R o 越小（相对 R L），R L对 VO 影响越小， 输出电流信号时，R o 越大（相对 R L），R L对 IO影响越小。
输出电阻的计算：
Ro

Vo Vo
RL

RL
Ro

VT IT
Vs 0
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Ro
第二章 运算放大器
重点：集成运放及线性应用电路的分析，能够熟练运用虚断虚短 的概念分析，反相、同相、比例运算电路、加法运算电路，减法 运算电路及积分，微分电路。
８V
以上分析得D1导通、D2截止，
b
ห้องสมุดไป่ตู้
V ab =0V
又如书上p70 例3.4.6 图3.4.12
第四章 场效应管放大电路
场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电 的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半 导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作 为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
R1 Rf R1
1 Rf R1
同相比例运算电路 电压串联负反馈
vO

(1
Rf R1
)vI
输出与输入同相
• 运算放大器输入端共模信号较大 • 运算电路输入电阻很大
Rf
R1
vN
-
vP
A +
vO
vI
电压串联负反馈
vN -
vI
vP
A +
vO
vO vI
电压跟随器
加法电路-反相加法求和
R2
Rf
习题2.3.2；2.4.8
第三章 二极管及其基本电路
重点：二极管的单向导电性及应用电路的分析
PN结具有单向导电性：若外加电压使电流从P区流 到N区， PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高 阻性，电流小。
如果外加电压使PN结中：
P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压 ，简称正偏；
P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压， 简称反偏。
模拟电子电路总复习
机电工程学院 肖林荣
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为 主线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电 压放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性 应用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、 外部特性及应用、工作电源产生、信号源产生 等展开。
场效应管的分类：
FET 场效应管
MOSFET 绝缘栅型
JFET 结型
增强型
N沟道 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
N沟道 （耗尽型）
P沟道
能够根据转移特性判别场效应管的类型（P145表4.10.1） ①电流判断 ② 电压判断
增强型MOS管
N型：VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＞0 P型： VGS＜0 VGS＜0开启电压VT＜0