微波第三章 微波谐振腔

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

2
t
因此只要求得谐振器内场分布, 以及知道工作频率范围、 腔体形状、尺寸和材料即可求得品质因数Q0。
§3.2 微波谐振器的主要参数
为粗略估计谐振器内的Q0值,大致看出Q0与V、S之间的 关系,可以令:
H
2

v
H dv V
2 t s
2
容积能量密度
面积能量密度
Ht
2
H
ds
S
这样就得到:
2 H V Q0 Ht 2 S
§3.2 微波谐振器的主要参数
金属腔内E和H是在满足边界条件
的情况下,波动方程:
2
an E 0 0 an H
K 2E 0 E 2 2 H K H 0
的解。 K 2 2 可以证明:同时满足两组方程的K只能是一系列离散的值。 记为 Ki i 1, 2,3
0
根据边界条件①: z 0处, z z 0 0 H 0 H 0 0 H 0 H 0 H
H z H J m Kc r
0
cos m
e sin m
j z
e
j z
j 2H
m
0
J m Kcr
cos m sin m
可见:1. 谐振腔的Hz在(r,φ,z)方向均呈驻波状态 2. 相位常数β 必须满足pπ/l. 再根据 1 H t K 2 z t H z c 行波-驻波 j z E 1 j z H t z t Kc 2
放大器中用作调谐回路
滤波电路
§3.1 概述
一. 为什么在微波波段不能使用集总参数LC谐振回 路?
1. 1 0
LC 在微波波段,0很高 L和C很小 L和C元件制造困难,机械强度太低 体积太小,耐压低,储能太小。
2. 当电路尺寸与微波波长可以相比拟时,就会产生能量的辐射, 波长越短辐射越严重,故辐射损耗大。另外,由于此时趋肤 效应严重,故欧姆损耗大,而且介质损耗大。因此,在频率 较高的微波波段,集总LC谐振回路储能小,损耗大,导致Q 值小到不能用。
2

a
一般通过实验方法确定G0
§3.3 圆柱谐振腔
圆柱谐振腔具有较高的品质因数,调谐方便 结构坚固、易于加工,制作。 属于传输线型谐振腔 可以看作两端 短路的一段圆波导。 要了解圆柱谐振腔的工作特性,就需要知道 圆柱腔内各种谐振模式的场结构: ①给定边界条件下求波动方程的解; ②叠加法 把腔内的场看作是电磁波在腔的两个端面之 间来回的反射相叠加,利用圆波导场结构表达式。
f r Ki 2
r 2 Ki 微波谐振腔具有多谐性
§3.2 微波谐振器的主要参数
(二)相位法 根据电磁波在谐振腔内来回反射,入射波与反射波相叠加 时的相位关系,求谐振频率(传输线类型谐振器) 将谐振器视为一段两端接有纯电抗性负载(包括开路与短 路)Z1和Z2的传输线,即线两端全反射 腔体内为纯驻波场=行波场来回反射相叠加形成 谐振条件:谐振腔内任一点,行波场同相叠加,相位差为 2π的整数倍,即谐振。 因为谐振器内某点经反射后的相位变化为:
TEmn TM mn TEmnp TM mnp
P:沿腔体纵向(z轴)场量变化的半周期的个数
§3.3 圆柱谐振腔
一. 场分量表达式
(一)TEmnp振荡模式
Ez 0 H z 0
将腔内的场视为两个方向相反的行波的叠加:
cos m j z cos m j z H z H J m Kc r e H 0 J m Kcr e sin m sin m
§3.1 概述
三. 微波谐振器与LC谐振回路的相同和相异点
在f0(谐振频率)Wemax=Wmmax 且当We=0时,Wm=Wmmax ; 当Wm=0时,We=Wemax 微波谐振器与LC谐振器回路的物理实质上相同,但是他 们主要有3点不同: 1. LC回路为集总参数电路,微波谐振器时属于分布参数电 路。所以LC回路能量只分布在L、C上,而微波谐振器的 能量分布在整个腔体中。 2. LC回路在L及C一定时,只有一个谐振频率,而微波谐 振器有无限多个谐振频率,这称为微波谐振器的多谐性。 3. 微波谐振腔储能多,损耗小。故微波谐振器品质因数很 高,比LC回路的Q值高很多。
§3.1 概述
二. 微波谐振器的分类
1. 传输线型谐振器:由一段两端开路或短路的传输线构成, 如矩形波导谐振器、圆波导谐振器、同轴线谐振器。它们 也称为谐振腔。 微带线型(半开放)
传输线型 波导型 同轴线型
介质型
2. 非传输线型谐振腔:特殊形状的空腔谐振器。主要用于各 种各样的微波电子管中,如速调管,磁控管等,作为这些 微波电子管的腔体。
所以当谐振腔的形状、几何尺寸和填充介质给定后,可以 有许多(无穷多个)模可以使之谐振。 多谐性。 对应着许多不同的谐振频率
§3.2 微波谐振器的主要参数
二. 品质因数
(一)固有品质因数 谐振器不与任何外电路相连接(空载)时的品质因数。 固有品质因数的定义为谐振时:
Q0 2 WT 腔体在一个周期中的损耗能量 W 腔体的总储能
H t 2 为一常数,用2A表示。
当工作模式一定的时候 H
§3.2 微波谐振器的主要参数

V V Q0 A Q0 S S
可见: ① Q0 ∝ V/S, 应选择谐振器形状使其V/S大;
V r3 S r2 , ② 因谐振器尺寸与工作波长成正比即 ,
故有 Q0 r
p l
§3.3 圆柱谐振腔
得到圆柱谐振腔中的电磁场的四个横向场分量的表达式:
sin m m K p Er j K 2 r H m J m K c r cos m sin l z c cos m p K H m J m Kc r sin z E j sin m Kc l H H m p J K r cos m cos p z r K c l m c sin m l sin m H m mp p H 2 J m Kcr cos z cos m Kc r l l
§3.1 概述
低 频 LC 回 路 如 何 演 变 成 微 波 谐 振 腔 ?
低频LC回路
增大平板电容 的距离,减小C
减少电感线圈 匝数,减小L
用多个单匝线 圈并联,进一 步减小L
并联线圈增 加到无限多 便得到圆柱 形空腔谐振 器
?
磁场
电场
§3.1 概述

微波谐振腔的优点
1. 因为是封闭的, 所以损耗小,没有辐射损耗。 2. 空腔无需填介质,没有介质损耗。 3. 金属表面增大,集肤效应减小,Q值高,谐振阻抗大 理论上可以证明,当谐振器无损耗,无能量泄漏时,在谐 振频率上腔内的电储能或磁储能也达到最大,且等于总储 能,而谐振腔内的电磁场成为驻波场。
1 2 2 P G0U m G0 2 P U m 2
§3.2 微波谐振器的主要参数
其中P根据前面等式得
2 1 P Rs H t ds s 2
Um为等效电压幅值,由于在腔体中电压无意义,故可人为 规定在腔体中a、b两点,定义
Um

b
a
E dl
2 P Rs s H t ds G0 2 b Um E dl
§3.1 概述
微波谐振器的分析方法:
1. 场解法:在一定的初始条件和边界条件下解波动方程。 (几何形状简单) 2. 场的叠加法:将谐振腔看作两端短路的传输线。 将谐振腔中的场在满足边界条件的情况下, 由入射波和反射波的叠加来求得。 所以可以直接利用前几章得出的相应波导 和传输线的有关公式。 (传输线型谐振腔)
§3.2 微波谐振器的主要参数
微波谐振器的主要参数有:谐振频率fr(或谐振波长λr), 品质因数,谐振电导。
一. 谐振频率
谐振波长λr是谐振频率fr时的工作波长,也就是fr时的 TEM波在腔体中填充为均匀介质中的波长。 (一)场解法 对已知形状、尺寸与填充介质的腔体,根据边界条件对波 动方程求解,得到一系列本征值K fr。(简谐场) 假设: ①金属空腔谐振器内表面为理想导体 ②介质为均匀无耗简单介质
Pi Pc Pi Pc 1 1 1 或 QL rW rW rW Q0 Qc
Qc:耦合品质因数 耦合系数k:腔体与外界负载之间的耦合程度。
Q0 Q0 k QL Qc 1 k
§3.2 微波谐振器的主要参数
三. 等效电导
等效电导G0是表征谐振器功率损耗特性的参量。 为了方便,实际谐振腔在某单一谐振模式的某谐振频率附 近,常等效为LC回路。 注意:图中L、C和G0并非真实电容、电 感和电导,只是抽象的等效参数。因为 谐振腔是一个分布参数系统,集总电容、 电感没有确切的物理意义。 对于图示的并联回路,损耗功率P为
第三章 微波谐振腔
§3.1 概述 §3.2 微波谐振器的主要参数 §3.3 圆柱谐振腔 §3.4 矩形谐振腔 §3.5 同轴线空腔谐振器 §3.6 谐振腔的等效电路及激励与耦合
§3.1 概述
低频电路中常用集总元件的LC振 荡回路作为谐振电路 L LC串联
LC并联
C
L
C
LC正弦波振荡器
谐振回路的作用


§3.2 微波谐振器的主要参数
谐振器的平均损耗主要由导体损耗引起, 设导体表面电阻 为RS, 则有
2 1 1 2 P S J S RS ds Rs H t ds s 2 2
式中, Ht为导体内壁切向磁场,而JS=n×Ht, n为法向矢量。
f 1 Rs 而 趋肤深度 f
WT PT P 一周期内谐振器中的平均损耗功率 Q0 2 W W r PT P
Q0:表征谐振器的损耗的大小、频率选择性的强弱、工作 稳定度的三个重要参数。
§3.2 微波谐振器的主要参数
微波谐振腔的Q0:几千~几万之间,比集总LC回路高很多 谐振腔的总储能为:
W We Wm 腔内为纯驻波场 电场与磁场随时间在相位上相差 2 当We max ,Wm 0 同理当Wm max ,We 0 H dv H 2 dv E 2 dv W We max Wm max H 2 v 2 v 2 v H 为磁场强度的复振幅矢量, H 为H的共轭复矢量
2 l 1 2 2 l 1 2
则谐振条件为:
2 l 1 2 2 p p 0,1, 2,3
§3.2 微波谐振器的主要参数
当l、1、2已知,即可求出,再由 f r、r 2 2 对于无色散波 f r v 对于色散波 2 2 fr 2 fc 2 g v
sin z
H m J m Kc r
cos m sin m
sin z
H
j 2 H 0
§3.3 圆柱谐振腔
再根据边界条件②:
z l处, z H
z 0
0 sin l 0 Baidu Nhomakorabeal p 或
cos m p H z H m J m Kc r sin z sin m l

, 由于δ仅为几微米, 对厘米波段的
谐振器,其Q0值将在104~105量级。 (二)有载品质因数 谐振器带上负载时腔体的品质因数。有载品质因数的定义
式为:
§3.2 微波谐振器的主要参数
谐振腔内总的储能 QL 2 一周期内总的耗能
W 总储能;Pi 腔本身的损耗功率;Pc 外 界负载上损耗的功率;PL 一周期内总的损耗功率 W W QL r r PL Pi Pc
1
于是有:
§3.2 微波谐振器的主要参数
v H dv r W Q0 r r 2 1 1 2 P Rs H t ds 2 s
2 f r

2
H H
v s
2
dv ds
2
t
H H
v s
2
dv
2
t
ds

2
H H
v s
2
dv ds
相关文档
最新文档