微波第三章 微波谐振腔

1
于是有：
§3.2 微波谐振器的主要参数
v H dv r W Q0 r r 2 1 1 2 P Rs H t ds 2 s
2 f r

2
H H
v s
2
dv ds
2
t
H H
v s
2
dv
2
t
ds

2
H H
v s
2
dv ds
所以当谐振腔的形状、几何尺寸和填充介质给定后，可以 有许多（无穷多个）模可以使之谐振。 多谐性。 对应着许多不同的谐振频率
§3.2 微波谐振器的主要参数
二. 品质因数
（一）固有品质因数 谐振器不与任何外电路相连接（空载）时的品质因数。 固有品质因数的定义为谐振时：
Q0 2 WT 腔体在一个周期中的损耗能量 W 腔体的总储能
0
根据边界条件①： z 0处， z z 0 0 H 0 H 0 0 H 0 H 0 H
H z H J m Kc r
0
cos m
e sin m
j z
e
j z
j 2H
m
0
J m Kcr
cos m sin m
H t 2 为一常数，用2A表示。
当工作模式一定的时候 H
§3.2 微波谐振器的主要参数
则
V V Q0 A Q0 S S
可见: ① Q0 ∝ V/S， 应选择谐振器形状使其V/S大;
V r3 S r2 , ② 因谐振器尺寸与工作波长成正比即 ,
故有 Q0 r


§3.2 微波谐振器的主要参数
谐振器的平均损耗主要由导体损耗引起, 设导体表面电阻 为RS, 则有
2 1 1 2 P S J S RS ds Rs H t ds s 2 2
式中, Ht为导体内壁切向磁场，而JS=n×Ht, n为法向矢量。
f 1 Rs 而 趋肤深度 f
TEmn TM mn TEmnp TM mnp
P：沿腔体纵向（z轴ห้องสมุดไป่ตู้场量变化的半周期的个数
§3.3 圆柱谐振腔
一. 场分量表达式
（一）TEmnp振荡模式
Ez 0 H z 0
将腔内的场视为两个方向相反的行波的叠加：
cos m j z cos m j z H z H J m Kc r e H 0 J m Kcr e sin m sin m
WT PT P 一周期内谐振器中的平均损耗功率 Q0 2 W W r PT P
Q0：表征谐振器的损耗的大小、频率选择性的强弱、工作 稳定度的三个重要参数。
§3.2 微波谐振器的主要参数
微波谐振腔的Q0:几千～几万之间，比集总LC回路高很多 谐振腔的总储能为：
W We Wm 腔内为纯驻波场 电场与磁场随时间在相位上相差 2 当We max ,Wm 0 同理当Wm max ,We 0 H dv H 2 dv E 2 dv W We max Wm max H 2 v 2 v 2 v H 为磁场强度的复振幅矢量， H 为H的共轭复矢量
§3.2 微波谐振器的主要参数
微波谐振器的主要参数有：谐振频率fr（或谐振波长λr）， 品质因数，谐振电导。
一. 谐振频率
谐振波长λr是谐振频率fr时的工作波长，也就是fr时的 TEM波在腔体中填充为均匀介质中的波长。 （一）场解法 对已知形状、尺寸与填充介质的腔体，根据边界条件对波 动方程求解，得到一系列本征值K fr。（简谐场） 假设： ①金属空腔谐振器内表面为理想导体 ②介质为均匀无耗简单介质
p l
§3.3 圆柱谐振腔
得到圆柱谐振腔中的电磁场的四个横向场分量的表达式：
sin m m K p Er j K 2 r H m J m K c r cos m sin l z c cos m p K H m J m Kc r sin z E j sin m Kc l H H m p J K r cos m cos p z r K c l m c sin m l sin m H m mp p H 2 J m Kcr cos z cos m Kc r l l
§3.1 概述
低 频 LC 回 路 如 何 演 变 成 微 波 谐 振 腔 ？
低频LC回路
增大平板电容 的距离,减小C
减少电感线圈 匝数,减小L
用多个单匝线 圈并联,进一 步减小L
并联线圈增 加到无限多 便得到圆柱 形空腔谐振 器
?
磁场
电场
§3.1 概述

微波谐振腔的优点
1. 因为是封闭的, 所以损耗小,没有辐射损耗。 2. 空腔无需填介质,没有介质损耗。 3. 金属表面增大，集肤效应减小，Q值高，谐振阻抗大 理论上可以证明，当谐振器无损耗，无能量泄漏时，在谐 振频率上腔内的电储能或磁储能也达到最大，且等于总储 能，而谐振腔内的电磁场成为驻波场。
§3.2 微波谐振器的主要参数
金属腔内E和H是在满足边界条件
的情况下，波动方程：
2
an E 0 0 an H
K 2E 0 E 2 2 H K H 0
的解。 K 2 2 可以证明：同时满足两组方程的K只能是一系列离散的值。 记为 Ki i 1, 2,3
sin z
H m J m Kc r
cos m sin m
sin z
H
j 2 H 0
§3.3 圆柱谐振腔
再根据边界条件②：
z l处， z H
z 0
0 sin l 0 l p 或
cos m p H z H m J m Kc r sin z sin m l
放大器中用作调谐回路
滤波电路
§3.1 概述
一. 为什么在微波波段不能使用集总参数LC谐振回 路？
1. 1 0
LC 在微波波段，0很高 L和C很小 L和C元件制造困难，机械强度太低 体积太小，耐压低，储能太小。
2. 当电路尺寸与微波波长可以相比拟时，就会产生能量的辐射， 波长越短辐射越严重，故辐射损耗大。另外，由于此时趋肤 效应严重，故欧姆损耗大，而且介质损耗大。因此，在频率 较高的微波波段，集总LC谐振回路储能小，损耗大，导致Q 值小到不能用。
§3.1 概述
二. 微波谐振器的分类
1. 传输线型谐振器：由一段两端开路或短路的传输线构成， 如矩形波导谐振器、圆波导谐振器、同轴线谐振器。它们 也称为谐振腔。 微带线型（半开放）
传输线型 波导型 同轴线型
介质型
2. 非传输线型谐振腔：特殊形状的空腔谐振器。主要用于各 种各样的微波电子管中，如速调管，磁控管等，作为这些 微波电子管的腔体。
§3.1 概述
微波谐振器的分析方法：
1. 场解法：在一定的初始条件和边界条件下解波动方程。 （几何形状简单） 2. 场的叠加法：将谐振腔看作两端短路的传输线。 将谐振腔中的场在满足边界条件的情况下， 由入射波和反射波的叠加来求得。 所以可以直接利用前几章得出的相应波导 和传输线的有关公式。 （传输线型谐振腔）
2

a
一般通过实验方法确定G0
§3.3 圆柱谐振腔
圆柱谐振腔具有较高的品质因数，调谐方便 结构坚固、易于加工，制作。 属于传输线型谐振腔 可以看作两端 短路的一段圆波导。 要了解圆柱谐振腔的工作特性，就需要知道 圆柱腔内各种谐振模式的场结构： ①给定边界条件下求波动方程的解； ②叠加法 把腔内的场看作是电磁波在腔的两个端面之 间来回的反射相叠加，利用圆波导场结构表达式。

, 由于δ仅为几微米, 对厘米波段的
谐振器,其Q0值将在104~105量级。 （二）有载品质因数 谐振器带上负载时腔体的品质因数。有载品质因数的定义
式为：
§3.2 微波谐振器的主要参数
谐振腔内总的储能 QL 2 一周期内总的耗能
W 总储能；Pi 腔本身的损耗功率；Pc 外 界负载上损耗的功率；PL 一周期内总的损耗功率 W W QL r r PL Pi Pc
1 2 2 P G0U m G0 2 P U m 2
§3.2 微波谐振器的主要参数
其中P根据前面等式得
2 1 P Rs H t ds s 2
Um为等效电压幅值，由于在腔体中电压无意义，故可人为 规定在腔体中a、b两点，定义
Um

b
a
E dl
2 P Rs s H t ds G0 2 b Um E dl
f r Ki 2
r 2 Ki 微波谐振腔具有多谐性
§3.2 微波谐振器的主要参数
（二）相位法 根据电磁波在谐振腔内来回反射，入射波与反射波相叠加 时的相位关系，求谐振频率（传输线类型谐振器） 将谐振器视为一段两端接有纯电抗性负载（包括开路与短 路）Z1和Z2的传输线，即线两端全反射 腔体内为纯驻波场＝行波场来回反射相叠加形成 谐振条件：谐振腔内任一点，行波场同相叠加，相位差为 2π的整数倍，即谐振。 因为谐振器内某点经反射后的相位变化为：
可见：1. 谐振腔的Hz在(r,φ,z)方向均呈驻波状态 2. 相位常数β 必须满足pπ/l. 再根据 1 H t K 2 z t H z c 行波－驻波 j z E 1 j z H t z t Kc 2
2 l 1 2 2 l 1 2