功率开关管功耗的计算

功率开关管功耗的计算
功率开关管功耗的计算

功率开关管功耗的计算

1) 开关管导通时的功耗测试

开通时间Ton(uS) 4.955 (时间测量以电压波形为基准)

开通时电流的最小值Ion-min(A) 0.222

开通时电流的最大值Ion-max(A) 0.644

规格书上的导通电阻Ron-resistance(homn) 3

2) 开关管由开通到关断的功耗测试

由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns)

由开通到关断电压的最大值V off-max(V) 288

由开通到关断电流的最大值Ioff-max(A) 0.637

3) 开关管由关断到导通时的功耗测试

由关断到导通的时间Ton-fall(nS) 47 (测量电压波形的下降时间,单位ns)

由关断到导通电压的最大值V on-max(V) 198

由关断到导通电流的最大值Ion-max(A) 0.491

4) 周期时间的测量

开关周期时间Tperiod(uS) 11.6762

开关管的开关损耗Pswitch(W) 0.327087666

开关管的导通损耗Pon-resistance(W) 0.477385448

开关管的总功耗Ploss(W) 0.804473114

5) 温度降额的计算

结点到表面的热阻Rjc(℃/W) 10

开关管的最高工作温度Tmax-spec(℃) 150

高温测得的开关管表面温度Tmax(℃) 81.8 89.8

开关管的实际温度降额(%) 59.9

计算公式:

Ploss=Pswitch+Pon-resistance

Pswitch=(1/6*V off-max*Ioff-max*Toff-rise+1/6*V on-max*Ion-max*Ton-fall)/Tperiod

Pon-resistance=(0.5*(Ion-min+Ion-max))^2*Ton/Tperiod

降额(%)=(Tmax+Rjc*Ploss)/Tmax-spec*100%

3842电路的保护---个人经验(原创)

3842电路的保护

用UC3842做的开关电源的典型电路见图1。过载和短路保护,一般是通过在开关管的源极串一个电阻(R4),把电流信号送到3842的第3脚来实现保护。当电源过载时,3842保护动作,使占空比减小,输出电压降低,3842的供电电压Vaux也跟着降低,当低到3842不能工作时,整个电路关闭,

然后靠R1、R2开始下一次启动过程。这被称为“打嗝”式(hiccup)保护。在这种保护状态下,电源只工作几个开关周期,然后进入很长时间(几百ms到几s)的启动过程,平均功率很低,即使长时间输出短路也不会导致电源的损坏。由于漏感等原因,有的开关电源在每个开关周期有很大的开关尖峰,即使在占空比很小时,辅助电压Vaux也不能降到足够低,所以一般在辅助电源的整流二极管上串一个电阻(R3),它和C1形成RC滤波,滤掉开通瞬间的尖峰。仔细调整这个电阻的数值,一般都可以达到满意的保护。使用这个电路,必须注意选取比较低的辅助电压Vaux,对3842一般为13~15V,使电路容易保护。

图1是使用最广泛的电路,然而它的保护电路仍有几个问题:1. 在批量生产时,由于元器件的差异,总会有一些电源不能很好保护,这时需要个别调整R3的数值,给生产造成麻烦;

2. 在输出电压较低时,如

3.3V、5V,由于输出电流大,过载时输出电压下降不大,也很难调整R3到一个理想的数值;

3. 在正激应用时,辅助电压Vaux虽然也跟随输出变化,但跟输入电压HV的关系更大,也很难调整R3到一个理想的数值。

这时如果采用辅助电路来实现保护关断,会达到更好的效果。辅助关断电路的实现原理:在过载或短路时,输出电压降低,电压反馈的光耦不再导通,辅助关断电路当检测到光耦不再导通时,延迟一段时间就动作,关闭电源。图2、3、4是常见的电路。图2采取拉低第1脚的方法关闭电源。图3采用断开振荡回路的方法。图4采取抬高第2脚,进而使第1脚降低的方法。在这3个电路里R3电阻即使不要,仍能很好保护。注意电路中C4的作用,电源正常启动,光耦是不通的,因此靠C4来使保护电路延迟一段时间动作。在过载或短路保护时,它也起延时保护的左右。在灯泡、马达等启动电流大的场合,C4的取值也要大一点。

DC/DC变换器的PWM控制技术

转载人:Power App发布时间:2003年10月20日

内容:DC/DC变换器广泛应用于便携装置(如笔记本计算机、蜂窝电话、寻呼机、PDA等)中。它有两种类型,即线性变换器和开关变换器。开关变换器因具有效率高、灵活的正负极性和升降压方式的特点,而备受人们的青睐。

开关稳压器利用无源磁性元件和电容电路元件的能量存储特性,从输入电压源获取分离的能量,暂时地把能量以磁场形式存储在电感器中,或以电场形式存储在电容器中,然后将能量转换到负载,实现DC/DC变换。

实现能量从源到负载的变换需要复杂的控制技术。现在,大多数采用PWM(脉冲宽度调制)技术。从输入电源提取的能量随脉宽变化,在一固定周期内保持平均能量转换。PWM的占空因数(δ)是“on”时间(ton,从电源提取能量的时间)与总开关周期(T)之比。对于开关稳压器,其稳定的输出电压正比于PWM占空因数,而且控制环路利用“大信号”占空因数做为对电源开关的控制信号。

开关频率和储能元件

DC/DC变换器中,功率开关和储能元件的物理尺寸直接受工作频率影响。磁性元件所耦合的功率是:P(L)=1/2(LI2f)。随着频率的提高,为保持恒定的功率所要求的电感相应地减小。由于电感与磁性材料的面积和线匝数有关,所以可以减小电感器的物理尺寸。

电容元件所耦合的功率是:P(c)=1/2(CV2f),所以储能电容器可实现类似的尺寸减小。元件尺寸的减小对于电源设计人员和系统设计人员来说都是非常重要的,可使得开关电源占用较小的体积和印刷电路板面积。

开关变换器拓扑结构

开关变换器的拓扑结构系指能用于转换、控制和调节输入电压的功率开关元件和储能元件的不同配置。很多不同的开关稳压器拓扑结构可分为两种基本类型:非隔离型(在工作期间输入源和输出负载共用一个共同的电流通路)和隔离型(能量转换是用一个相互耦合磁性元件(变压

器)来实现的,而且从源到负载的耦合是借助于磁通而不是共同的电器)。变换器拓扑结构是根据系统造价、性能指标和输入线/输出负载特性诸因素选定的。

非隔离开关变换器

有四种基本非隔离开关稳压器拓扑结构用于DC/DC变换器。

1. 降压变换器

降压变换器将一输入电压变换成一较低的稳定输出电压。输出电压(V out)和输入电压(Vin)的关系为:

V out/Vin=δ(占空因数)Vin>V out

2. 升压变换器

升压变换器将一输入电压变换成一较高的稳定输出电压。输出电压和输入电压的关系为:

V out/Vin=1/(1-δ)Vin

3. 逆向变换器

逆向变换器将一输入电压变换成一较低反相输出电压。输出电压与输入电压的关系为:

V out/Vin=-δ/(1-δ)Vin>|V out|

4.Cuk变换器

Cuk(“丘克”)变换器将一输入电压变换成一稳定反相较低值或较高值输出电压(电压值取决于占空因数)。输出电压输入电压的关系为:

V out/Vin=-δ/(1-δ)|Vin|>|V out|,δ<0.5|Vin|<|V out|,δ>0.5

隔离开关变换器

有很多隔离开关变换器拓扑结构,但其中三种比较通用,它们是:逆向变换器、正向变换器、推挽变换器。在这些电路中,从输入电源到负载的能量转换是通过一个变压器或其他磁通耦合磁性元件实现的。

1. 逆向隔离变换器

逆向隔离变换器将一输入电压变换成一稳定的取决于变压器匝数比的较低值或较高值输出电压。输出电压与输入电压的关系式为:

V out/Vin=(1/N)(δ/(1-δ))Vin>V out或Vin 式中N为变压器匝数比。

2. 正向隔离变换器

正向隔离变换器将一输入电压变换成一稳定的取决于变压器匝数比的较低值或较高值输出电压。输出电压和输入电压关系为:

V out/Vin=(1/N)δVin>V out或Vin

3. 推挽隔离变换器

推挽隔离变换器将一输入电压变换成一稳定较低值输出电压。它们的关系为:

V out/Vin=(2/N)δVin>V out

PWM控制技术

控制开关DC/DC变换器的反馈回路和稳压特性有两种方法:电压模式控制和电流模式控制。在电压模式控制中,变换器的占空因数正比于实

际输出电压与理想输出电压之间的误差差值;在电流模式控制中,占空因数正比于额定输出电压与变换器控制电流函数之间的误差差值。控制电流可以是非隔离拓扑结构中的开关电流或隔离拓扑结构中的变压器初级电流。

电压模式控制只响应(调节变换器的占空因数)输出(负载)电压的变化。这意味着变换器为了响应负载电流或输入线电压的变化,它必须“等待”负载电压(负载调整)的相应变化。这种等待/延迟会影响变换器的稳压特性,通常“等待”是一个或多个开关周期。负载或输入电压扰动会产生相应(尽管不一定成比例)的输出电压干扰。

在此电路中,A1是环路误差放大器,A2是PWM比较器,A3是输出驱动器(与功率开关的接口)。斜波振荡器提供输出电压VOSC,VOSC 在变换器开关周期ts期间从OV到某最大值(对应于最大占空因数)呈线性斜波。误差放大器对精密温度补偿基准(VREF)和变换器输出电压分量V out(R2/(R1+R2))之间的差值进行比较。A1的输出VE正比于基准电压和V out之间的差值。假若输出电压为零,则A1的输出为其最大值,此最大值与振荡器输出斜波最大值相同。当在PWM比较器A2的输入存在这种条件时,则A2的输出电压在变换器整个开关周期中保持在最大值。所以,当V out为最小值时,占空因数是在其最大值。

假若实际的输出电压超过V out的调整范围,则A1的输出将为(或接近)零。在这种条件下,A2的输出在整个开关周期期间将保持在其最小值。输出电压和变换器占空因数之间的反比关系(即输出电压太低会产生最大占空因数,输出电压太高会产生最小占空因数)为变换器的控制

环路提供稳定的反馈机构。

假若能有一种机械使PWM控制可以在单个变换周期内响应负载电流的变化,则“等待”问题和与电压模式控制有关的相应负载调整补偿可以消除。用电流模式控制做到这点是可能的。

电流模式控制把变换器分成两条控制环路——电流控制通过内部控制环路而电压控制通过外部控制环路。其结果在逐个开关脉冲上不仅仅可以响应负载电压的变化而且也可响应电流的变化。

上图示出一个典型的电流模式PWM控制电路。在此电路中,A1是电压环路误差放大器,A2是PWM比较器,A3是输出驱动器(与功率开关的接口)。振荡器以开关频率fs提供窄同步脉冲。它把PWM锁存(G1)的输出(Q)置于逻辑高态并表示另一变换周期的开始。

和电压模式控制的情况一样,误差放大器A1对精密温度补偿基准(VREF)和变换器输出电压分量V out(R2/(R1+R2))之间的差值进行比较。A1的输出正比于基准电压和V out之间的差值。

假若输出电压为零,则A1输出是它的最大值。假若输出电压超过V out 的调整范围,则A1输出将为(或接近)零。所以,当变换器输出正在调整时A1的输出处在最大和最小值之间的某一平均值(V A)。此值对PWM 比较器A2是反相输入,实质上它变成电流反馈信号的基准。

注意,假若在A2的-输入上电压大于其+输入上的电压,则A2的输出电压是在其最小值(逻辑低态)。假若电阻器Rs感测到开关或初级电流,则呈现在A2+输入端的电压Vs为IsRs,Vs电压正比于开关电流。当Vs

值达到V A值时,A2输出将转换到它的最大值(逻辑高态)并复位PWM 锁存G1,使G1的输出转换到逻辑低态。这种作用确定整个开关周期期间的时间,在此期间G1的输出是高态并确定变换器的占空因数。

电流模式控制和电压模式控制一样在输出电压与占空因数之间具有相同的反比关系。而且电流模式还具有如下的特点:外(电压)控制环路设置阈值,而在阈值内内(电流)环路调整开关或初级电路中的峰值电流。由于输出电流正比于开关或初级电流,所以在逐个脉冲上控制输出电流,从而电流模式控制具有比电压模式控制更优越的电源电压和负载调整特性

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号:大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在,大屏幕彩色电视大都是数字高清,原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点,所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度,即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行,这样就会使行扫描的频率提高一倍,自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加,普通的行输出管已经不能胜任,要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有:C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等,这些行输出管的耐压都在1500V以上,电流多大于20A,但是由于其功耗比较大,损坏率还是比较高。归纳起来,其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足,行管不能迅速截止与饱和,导致行管内阻变大,将造成行输出电路的功耗增加,引起行输出管发烫,一旦超过行管功耗的极限值,便会使行管烧坏。 在海信高清电视中,行振荡方波信号是由数字变频解码板输出,经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后,送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态,故障率相对较高,损坏后就会造成行激励不足,损坏行输出管,对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外,行管基极的限流电阻阻值一般为Ω,与行管的发射极串联,再与行激励变压器并联,若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障,且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间,偏转线圈会对逆程电容充电,逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小,充电时间越短,充电电压越高,因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以,当行一旦超过行管的耐压值,就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时,一般是测量电容的直流参数,而一些ESR等交流参数无法测量,所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降,产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善,则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善,所以这种情况不多见,表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的,电源设计比较合理,保护功能全,不像以前的老式电源电路,电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现,但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高,最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻,如果采用普通行管,发射结并联电阻的阻值比较小,会造成基极驱动电流小,激励不足,行电流过大(正常高清行电流在500mA~600mA)而再次损坏。更换行管后测量行电流,如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的,可将电阻阻值增大,甚至拿掉;如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的,可减小该电阻阻值,再次测量行电流,如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

开关管的选择

随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。场效应管是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的场效应管。 场效应管的选择 场效应管有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。 第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中,当一个场效应管接地,而负载连接到干线电压上时,该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道场效应管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道场效应管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使场效应管不会失效。就选择场效应管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道场效应管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 第二步:确定额定电流 第二步是选择场效应管的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的场效应管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,场效应管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

大功率三极管参数..

大功率三极管参数 MJ15024 | NPN | 250V | 16A | 250 W MJ15025 | PNP | 250V | 16A |250 W E13005-2是“高速/高压开关管” 参数:硅、NPN、700V/400V 、8A 、75W 、β≥10 三极管参数大全 BU2525AF NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NS BU2525AX NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NS BU2527AF NPN 30 开关功放1500V15A150W BU2532AW NPN 30 开关功放1500V15A150W(大屏) BUH515 NPN BCE 行管1500V10A80W BUH515D NPN BCE 行管1500V10A80W(带阻尼) BUS13A NPN 12 开关功放1000V15A175W BUS14A NPN 12 开关功放1000V30A250W BUT11A NPN 28 开关功放1000V5A100W BUT12A NPN 28 开关功放450V10A125W BUV26 NPN 28 音频功放开关90V14A65W /250ns BUV28A NPN 28 音频功放开关225V10A65W /250ns BUV48A NPN 30 音频功放开关450V15A150W BUW13A NPN 30 功放开关1000V15A150W BUX48 NPN 12 功放开关850V15A125W BUX84 NPN 30 功放开关800V2A40W BUX98A NPN 12 功放开关400V30A210W5MHZ DTA114 PNP 10K-10K 160V0.6A0.625W(带阻) DTC143 NPN 录像机用4.7K-4.7K HPA100 NPN BCE 大屏彩显行管21# HPA150 NPN BCE 大屏彩显行管21# HSE830 PNP BCE 音频功放80V115W1MHZ HSE838 NPN BCE 音频功放80V115W1MHZ COP/MJ4502 MN650 NPN BCE 行管1500V6A80W MJ802 NPN 12 音频功放开关90V30A200W MJ2955 PNP 12 音频功放开关60V15A115W MJ3055 NPN 12 音频功放开关60V15A115W MJ4502 PNP 12 音频功放开关90V30A200W COP/MJ802 MJ10012 NPN 12 达林顿400V10A175W MJ10015 NPN 12 电源开关400V50A200W

理解功率MOSFET的开关损耗

MOSEFT 分析:理解功率MOSFET 的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET 的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET 开关损耗 1 1 开通过程中开通过程中MOSFET 开关损耗 功率MOSFET 的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是:下面的开通过程对应着BUCK 变换器上管的开通状态,对于下管是0电压开通,因此开关损耗很小,可以忽略不计。 a 图1 MOSFET 开关过程中栅极电荷特性 开通过程中,从t0时刻起,栅源极间电容开始充电,栅电压开始上升,栅极电压为 其中: ,VGS 为PWM 栅极驱动器的输出电压,Ron 为PWM 栅极驱动器内部串联导通电阻,Ciss 为MOSFET 输入电容,Rg 为MOSFET 的栅极电阻。 VGS 电压从0增加到开启阈值电压VTH 前,漏极没有电流流过,时间t1为 VGS 电压从VTH 增加到米勒平台电压VGP 的时间t2为

VGS处于米勒平台的时间t3为 t3也可以用下面公式计算: 注意到了米勒平台后,漏极电流达到系统最大电流ID,就保持在电路决定的恒定最大值ID,漏极电压开始下降,MOSFET固有的转移特性使栅极电压和漏极电流保持比例的关系,漏极电流恒定,因此栅极电压也保持恒定,这样栅极电压不变,栅源极间的电容不再流过电流,驱动的电流全部流过米勒电容。过了米勒平台后,MOSFET完全导通,栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束,就继续地增大,直到等于驱动电路的电源的电压。 MOSFET开通损耗主要发生在t2和t3时间段。下面以一个具体的实例计算。输入电压12V,输出电压3.3V/6A,开关频率350kHz,PWM栅极驱动器电压为5V,导通电阻1.5Ω,关断的下拉电阻为0.5Ω,所用的MOSFET为AO4468,具体参数为Ciss=955pF,Coss=145pF,Crss=112pF,Rg=0.5Ω;当VGS=4.5V,Qg=9nC;当VGS=10V,Qg=17nC,Qgd=4.7nC,Qgs=3.4nC;当VGS=5V且ID=11.6A,跨导gFS=19S;当VDS=VGS且ID=250μA,VTH=2V;当VGS=4.5V且ID=10A, RDS(ON)=17.4mΩ。 开通时米勒平台电压V GP: 计算可以得到电感L=4.7μH.,满载时电感的峰峰电流为1.454A,电感的谷点电流为5.273A,峰值电流为6.727A,所以,开通时米勒平台电压 V GP=2+5.273/19=2.278V,可以计算得到:

电流计算公式 (3)

选取铜蕊大小需查表,设备本身的功率(KW)或者是电流量(A).现给你计算公式如下: 1:220V计算公式 I=P/V P=IV 例如:3000W电热水器220V A=3000W/220V =13A电流,就用15A电制. 2.380V计算公式(I=A=电流,P=功率=W,V=volt=电压,√3/cos?-1=功率因数=1.73;n=0.8-0.85 电机额定效率常数) I=P/V/(√3/cosq-1)/n 例如:一部110t啤机11000W,380V I=11000/380/1.73/085 =20A电流,就用30A电制. 例如:地下生产部整体用电量300KW,380V I=300000/380/1.73/0.85 =537A电流,就用600A总制. 变压器容量: 100KV A=152A =100000/380/1.73 =152A (380V,25KW) I=p/v/√3/cos¢-1/n =25000/1.73/0.8 =47.53A(铜蕊取6mm2) 用电费计算公式:工业用电(高峰:¥1.4元,平常:¥0.86元,低谷:¥0.444元) 以990W为例: W=PT =(990/1000)*1小时 =0.99*1 =0.99*¥0.86元 =0.85元/hr 计算所有关于电流,电压,电阻,功率的计算公式! 电流I 电压U 电阻R

! 还有个题型大概是说:以知导线截面积,导线长度,用电器功率大小,电压大小,求允许通过的最大电流是多少?该怎么算? 1、串联电路电流和电压有以下几个规律:(如:R1,R2串联) ①电流:I=I1=I2(串联电路中各处的电流相等) ②电压:U=U1+U2(总电压等于各处电压之和) ③电阻:R=R1+R2(总电阻等于各电阻之和)如果n个阻值相同的电阻串联,则有R总=nR 2、并联电路电流和电压有以下几个规律:(如:R1,R2并联) ①电流:I=I1+I2(干路电流等于各支路电流之和) ②电压:U=U1=U2(干路电压等于各支路电压) ③电阻:(总电阻的倒数等于各并联电阻的倒数和)或。 如果n个阻值相同的电阻并联,则有R总= R 注意:并联电路的总电阻比任何一个支路电阻都小。 电功计算公式:W=UIt(式中单位W→焦(J);U→伏(V);I→安(A);t→秒)。 5、利用W=UIt计算电功时注意:①式中的W、U、I和t是在同一段电路;②计算时单位要统一;③已知任意的三个量都可以求出第四个量。 6、计算电功还可用以下公式:W=I2Rt ;W=Pt;W=UQ(Q是电量); 【电学部分】 1电流强度:I=Q电量/t 2电阻:R=ρL/S 3欧姆定律:I=U/R 4焦耳定律: ⑴Q=I2Rt普适公式) ⑵Q=UIt=Pt=UQ电量=U2t/R (纯电阻公式) 5串联电路: ⑴I=I1=I2 ⑵U=U1+U2 ⑶R=R1+R2 ⑷U1/U2=R1/R2 (分压公式) ⑸P1/P2=R1/R2 6并联电路: ⑴I=I1+I2 ⑵U=U1=U2 ⑶1/R=1/R1+1/R2 [ R=R1R2/(R1+R2)] ⑷I1/I2=R2/R1(分流公式) ⑸P1/P2=R2/R1 7定值电阻: ⑴I1/I2=U1/U2 ⑵P1/P2=I12/I22 ⑶P1/P2=U12/U22

PMOS功率管开关电路设计

PMOS开关管电路设计指 南 2013/7/18 本文档的目的 1)能够根据本指南进行PMOS管开关电路设计

更新说明

目录 一、NMOS管等效电路 (4) 二、公司固定传感器控制盒PMOS开关电路分析 (4)

PMOS开关管电路设计指南 一、NMOS管等效电路 A) B) 图2 NMOS管等效模型 1、驱动G极时,因为输入电容Ciss(Cgd+Cgs)的存在,要求电压变化快,i=Cdu/dt, 当G极电流大时,du/dt也大,增大开关速度。 2、根据B图,功率MOS管内部存在等效三极管,当S接地,刚上电时,三极管 会导通,且电流有可能过大,所以,最好D极有缓启动电路保护。 3、根据A图,反向寄生二极管有可能被正向或反向击穿。反向击穿有可能因为 D极部分,当电源开启时会有冲击电流,因为线上电感原因,U = Ldi/dt,导致U过大。正向击穿,可能因为S极在关电时,因为线上电感原因,造成U过大;或者线上串入能量较大干扰电压,导致寄生二极管正向通道电流过大,烧毁寄生二极管,从而造成MOS管失效。 二、控制盒PMOS开关电路分析 1、小电流切换电路

A) B) 图3 5V激光器驱动电路和24V LED灯驱动电路 1、电路A: 1)三极管集电极电阻过大,导致开关速度不高;考虑是激光器驱动电路,正好使用这个缓启动功能。 2)MOS管损坏过,现象是能够正常开启MOS管,但不能完全关断MOS管,怀疑是MOS管寄生二极管损坏导致。 解决办法, a)更换Vds较大的MOS管(IRLML5203,Vds最大30V,而6401的Vds最大12V)b)电源处增加缓启动 c)D端增加5V TVS d)在输出端口增加电阻等措施 e)去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管,如有可能,在输出放置防反接二极管。 2、电路B 1)24V驱动电路,导通时Vgs过大,影响PMOS管寿命 解决办法:修改R13为10K,R11为20K,Vgs最大为-8V 2)电源上电有可能Vgs过大,在G、S极增加一个8V稳压二极管保护 3)IRF9393的最大Vds约55V,更改为IRF6217,最大Vds变为150V 4)在D极增加24V TVS 5)在输出端口增加电阻等措施 6)去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管,如有可能,在输出放置防反接二极管。

功率管

·开关功率管MOS扫盲篇[转] 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 2,MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 3,MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通

常用电计算公式

电功率的计算公式 电功率的计算公式,用电压乘以电流,这个公式是电功率的定义式,永远正确,适用于任何情况。 对于纯电阻电路,如电阻丝、灯炮等,可以用“电流的平方乘以电阻”“电压的平方除以电阻”的公式计算,这是由欧姆定律推导出来的。 但对于非纯电阻电路,如电动机等,只能用“电压乘以电流”这一公式,因为对于电动机等,欧姆定律并不适用,也就是说,电压和电流不成正比。这是因为电动机在运转时会产生“反电动势”。 例如,外电压为8伏,电阻为2欧,反电动势为6伏,此时的电流是(8-6)/2=1(安),而不是4安。因此功率是8×1=8(瓦)。 另外说一句焦耳定律,就是电阻发热的那个公式,发热功率为“电流平方乘以电阻”,这也是永远正确的。 还拿上面的例子来说,电动机发热的功率是1×1×2=2(瓦),也就是说,电动机的总功率为8瓦,发热功率为2瓦,剩下的6瓦用于做机械功了。 电工常用计算公式 一、利用低压配电盘上的三根有功电度表,电流互感器、电压表、电流表计算一段时间内的平均有功功率、现在功率、无功功率和功率因数。 (一)利用三相有功电度表和电流互感器计算有功功率 式中 N——测量的电度表圆盘转数 K——电度表常数(即每kW·h转数) t——测量N转时所需的时间S CT——电流互感器的变交流比 (二)在三相负荷基本平衡和稳定的情况下,利用电压表、电流表的指示数计算视在功率 (三)求出了有功功率和视在功率就可计算无功功率 (四)根据有功功率和现在功率,可计算出功率因数

例1某单位配电盘上装有一块500转/kW·h电度表,三支100/5电流互感器,电压表指示在400V,电流表指示在22A,在三相电压、电流平衡稳定的情况下,测试电度表圆盘转数是60S转了5圈。求有功功率、现在功率、无功功率、功率因数各为多少 [解]①将数值代入公式(1),得有功功率P=12kW ②将数值代入公式(2);得视在功率S=15kVA ③由有功功率和视在功率代入公式(3),得无功功率Q=8l kVar ④由有功功率和现在功率代入公式(4),得功率因数cosφ= 0.8 二、利用秒表现场测试电度表误差的方法 (一)首先选定圆盘转数,按下式计算出电度表有N转内的标准时间 式中 N——选定转数 P——实际功率kW K——电度表常数(即每kW·h转数) CT——电流互感器交流比 (二)根据实际测试的时间(S)。求电度表误差 式中 T——N转的标准时间s t——用秒表实际测试的N转所需时间(s) 注:如果计算出的数是正数,电度表决;负数,则是慢。 【例】某用户有一块750转/kW·h上电度表,配有150/5电流互感器,接有10kW 的负载,现场测试60s圆盘转了5圈。求电度表误差是多少 〔解〕①先求电度表转5圈时的标准秒数由公式(1),得T=72s ②由公式(2)得出电度表误差ε=20%,快20%。 三、配电变压器的高低压熔丝选择方法 (一)先计算变压器高低压侧的额定电流 式中 S——变压器容量kVA U——电压kV (二)高压熔丝=Ix(1.5~2.5)(2) (三)低压保险丝=低压额定电流(I)(3) (例)有一台50kVA变压器,高压侧额定电压10kV,低压侧的额定电压 0.4kV。求高低压的额定电流各是多少 A高压侧应选择多少A的熔丝低压侧应选择多少A的保险丝〔解〕①将数值代入公式(1),得高压电流I= 2.8 A

12种开关电源拓扑及计算公式

输入输出电压关系 D T Ton Vin Vout == 开关管电流 Iout Iq =(max)1开关管电压 Vin Vds =二极管电流 ) 1(1D Iout Id ?×=二极管反向电压 Vin Vd =12、BOOST 电路 输入输出电压关系 D Ton T T Vin Vout ?= ?=11 开关管电流 11( (max)1D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vds =二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vout Vd =13、BUCK BOOST 电路 输入输出电压关系 D D Ton T Ton Vin Vout ?= ?=1开关管电流 11( (max)1D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vin Vds ?=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vout Vin Vd ?=1

输入输出电压关系 D D Vin Vout ?= 1开关管电流 )1( (max)1D D Iout Iq ?×=开关管电压 Vout Vin Vds +=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Vin Vout Vd +=15、FLYBACK 电路 输入输出电压关系 Lp Iout Vout T D Vin Vout ×××=2开关管电流 (max)1Lp Ton Vin Iq ×= 开关管电压 Ns Np Vout Vin Vds × +=二极管电流 Iout Id =1二极管反向电压 Np Ns Vin Vout Vd × +=16、FORW ARD 电路 输入输出电压关系 D Np Ns T Ton Np Ns Vin Vout ×=×=开关管电流 Iout Np Ns Iq ×= (max)1开关管电压 Vin Vds ×=2二极管电流 D Iout Id ×=1

功率开关管功耗的计算

功率开关管功耗的计算 1) 开关管导通时的功耗测试 开通时间Ton(uS) 4.955 (时间测量以电压波形为基准) 开通时电流的最小值Ion-min(A) 0.222 开通时电流的最大值Ion-max(A) 0.644 规格书上的导通电阻Ron-resistance(homn) 3 2) 开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通到关断电压的最大值V off-max(V) 288 由开通到关断电流的最大值Ioff-max(A) 0.637 3) 开关管由关断到导通时的功耗测试 由关断到导通的时间Ton-fall(nS) 47 (测量电压波形的下降时间,单位ns) 由关断到导通电压的最大值V on-max(V) 198 由关断到导通电流的最大值Ion-max(A) 0.491 4) 周期时间的测量 开关周期时间Tperiod(uS) 11.6762 开关管的开关损耗Pswitch(W) 0.327087666 开关管的导通损耗Pon-resistance(W) 0.477385448

开关管的总功耗Ploss(W) 0.804473114 5) 温度降额的计算 结点到表面的热阻Rjc(℃/W) 10 开关管的最高工作温度Tmax-spec(℃) 150 高温测得的开关管表面温度Tmax(℃) 81.8 89.8 开关管的实际温度降额(%) 59.9 计算公式: Ploss=Pswitch+Pon-resistance Pswitch=(1/6*V off-max*Ioff-max*Toff-rise+1/6*V on-max*Ion-max*Ton-fall)/Tperiod Pon-resistance=(0.5*(Ion-min+Ion-max))^2*Ton/Tperiod 降额(%)=(Tmax+Rjc*Ploss)/Tmax-spec*100% 3842电路的保护---个人经验(原创) 3842电路的保护 用UC3842做的开关电源的典型电路见图1。过载和短路保护,一般是通过在开关管的源极串一个电阻(R4),把电流信号送到3842的第3脚来实现保护。当电源过载时,3842保护动作,使占空比减小,输出电压降低,3842的供电电压Vaux也跟着降低,当低到3842不能工作时,整个电路关闭,

开关电源-高频-变压器计算设计

要制造好高频变压器要注意两点: 一是每个绕组要选用多股细铜线并在一同绕,不要选用单根粗铜线,简略地说便是高频交流电只沿导线的表面走,而导线内部是不走电流的实习是越挨近导线中轴电流越弱,越挨近导线表面电流越强。选用多股细铜线并在一同绕,实习便是为了增大导线的表面积,然后更有效地运用导线。 二是高频逆变器中高频变压器最好选用分层、分段绕制法,这种绕法首要目的是削减高频漏感和降低分布电容。 1、次级绕组:初级绕组绕完,要加绕(3~5层绝缘垫衬再绕制次级绕组。这样可减小初级绕组和次级绕组之间分布电容的电容量,也增大了初级和次级之间的绝缘强度,契合绝缘耐压的需求。减小变压器初级和次级之间的电容有利于减小开关电源输出端的共模打扰。若是开关电源的次级有多路输出,而且输出之间是不共地的为了减小漏感,让功率最大的次级接近变压器的初级绕组。 若是这个次级绕组只要相对较少几匝,则为了改善耦合状况,仍是应当设法将它布满完好的一层,如能够选用多根导线并联的方法,有助于改善次级绕组的填充系数。其他次级绕组严密的绕在这个次级绕组的上面。当开关电源多路输出选用共地技能时,处置方法简略一些。次级能够选用变压器抽头方式输出,次级绕组间不需要采用绝缘阻隔,从而使变压器的绕制愈加紧凑,变压器的磁耦合得到加强,能够改善轻载时的稳压功能。 2、初级绕组:初级绕组应放在最里层,这样可使变压器初级绕组每一匝用线长度最短,从而使整个绕组的用线为最少,这有效地减小了初级绕组自身的分布电容。通常状况下,变压器的初级绕组被规划成两层以下的绕组,可使变压器的漏感为最小。初级绕组放在最里边,使初级绕组得到其他绕组的屏蔽,有助于减小变压器初级绕组和附近器材之间电磁噪声的相互耦合。初级绕组放在最里边,使初级绕组的开始端作为衔接开关电源功率晶体管的漏极或集电极驱动端,可削减变压器初级对开关电源其他有些电磁打扰的耦合。 3、偏压绕组:偏压绕组绕在初级和次级之间,仍是绕在最外层,和开关电源的调整是依据次级电压仍是初级电压进行有关。若是电压调整是依据次级来进行的则偏压绕组应放在初级和次级之间,这样有助于削减电源发生的传导打扰发射。若是电压调整是依据初级来进行的则偏压绕组应绕在变压器的最外层,这可使偏压绕组和次级绕组之间坚持最大的耦合,而与初级绕组之间的耦合减至最小。 初级偏压绕组最佳能布满完好的一层,若是偏压绕组的匝数很少,则能够采用加粗偏压绕组的线径,或许用多根导线并联绕制,改善偏压绕组的填充状况。这一改善方法实际上也改善了选用次级电压来调理电源的屏蔽才干,相同也改善了选用初级电压来调理电源时,次级绕组对偏压绕组的耦合状况。 高频变压器匝数如何计算?很多设计高频变压器的人都会有对于匝数的计算问题,那么我们应该如何来计算高频变压器的匝数,从而解决这个问题?接下来,晨飞电子就为大家介绍下匝数的计算方法:

使用功率MOSFET管中的开关损耗详解

使用功率MOSFET管中的开关损耗详解 深入理解功率MOSFET的开关损耗 做照明驱动的朋友都希望自己做的驱动板能达到很高的效率,除开驱动芯片本身的损耗如果加深对MOS管开关的损耗做适当的电路调整我想多多少少也是可以挤出一部分效率来的哦。 以下内容详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。对提升产品性能应该有所帮助。 MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是:下面的开通过程对应着BUCK 变换器上管的开通状态,对于下管是0电压开通,因此开关损耗很小,可以忽略不计。 图1 MOSFET开关过程中栅极电荷特性 开通过程中,从t0时刻起,栅源极间电容开始充电,栅电压开始上升,栅极电压为 其中: VGS为PWM栅极驱动器的输出电压,Ron为PWM栅极驱动器内部串联导通电阻,Ciss 为MOSFET输入电容,Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前,漏极没有电流流过,时间t1为 VGS电压从VTH增加到米勒平台电压VGP的时间t2为 VGS处于米勒平台的时间t3为

t3也可以用下面公式计算: 注意到了米勒平台后,漏极电流达到系统最大电流ID,就保持在电路决定的恒定最大值ID,漏极电压开始下降,MOSFET固有的转移特性使栅极电压和漏极电流保持比例的关系,漏极电流恒定,因此栅极电压也保持恒定,这样栅极电压不变,栅源极间的电容不再流过电流,驱动的电流全部流过米勒电容。过了米勒平台后,MOSFET完全导通,栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束,就继续地增大,直到等于驱动电路的电源的电压。 MOSFET开通损耗主要发生在t2和t3时间段。下面以一个具体的实例计算。输入电压12V,输出电压3.3V/6A,开关频率350kHz,PWM栅极驱动器电压为5V,导通电阻1.5Ω,关断的下拉电阻为0.5Ω,所用的MOSFET为AO4468,具体参数为Ciss=955pF,Coss=145pF,Crss=112pF,Rg=0.5Ω;当VGS=4.5V,Qg=9nC;当VGS=10V,Qg=17nC,Qgd=4.7nC,Qgs=3.4nC;当VGS=5V且ID=11.6A,跨导gFS=19S;当VDS=VGS且ID=250μA,VTH=2V;当VGS=4.5V 且ID=10A,RDS(ON)=17.4mΩ。 开通时米勒平台电压VGP: 计算可以得到电感L=4.7μH.,满载时电感的峰峰电流为 1.454A,电感的谷点电流为5.273A,峰值电流为6.727A,所以,开通时米勒平台电压VGP=2+5.273/19=2.278V,可以计算得到: 开通过程中产生开关损耗为 开通过程中,Crss和米勒平台时间t3成正比,计算可以得出米勒平台所占开通损耗比例为84%,因此米勒电容Crss及所对应的Qgd在MOSFET的开关损耗中起主导作用。Ciss=Crss+Cgs,Ciss所对应电荷为Qg。对于两个不同的MOSFET,两个不同的开关管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多时,A管的开关损耗就有可能大于B管。因此在实际选取MOSFET时,需要优先考虑米勒电容Crss的值。 减小驱动电阻可以同时降低t3和t2,从而降低开关损耗,但是过高的开关速度会引起EMI的问题。提高栅驱动电压也可以降低t3时间。降低米勒电压,也就是降低阈值开启电

开关电源热阻计算方法及热管理

开关电源热阻计算方法及热管理 我们设计的DC-DC电源一般包含电容、电感、肖特基、电阻、芯片等元器件;电源产品的转换效率不可能做到百分百,必定会有损耗,这些损耗会以温升的形式呈现在我们面前,电源系统会因热设计不良而造成寿命加速衰减。所以热设计是系统可靠性设计环节中尤为重要的一面。但是热设计也是十分困难的事情,涉及到的因素太多,比如电路板的尺寸和是否有空气流动。 我们在查看IC产品规格书时,经常会看到R JA 、T J 、T STG 、T LEAD 等名词;首先R JA 是指芯 片热阻,即每损耗1W时对应的芯片结点温升,T J 是指芯片的结温,T STG 是指芯片的存储温 度范围,T LEAD 是指芯片的加工温度。 二、术语解释 首先了解一下与温度有关的术语:T J 、T A 、T C 、T T 。由“图1”可以看出,T J 是指芯片 内部的结点温度,T A 是指芯片所处的环境温度,T C 是指芯片背部焊盘或者是底部外壳温度, T T 是指芯片的表面温度。 数据表中常见的表征热性能的参数是热阻R JA ,R JA 定义为芯片的结点到周围环境的热阻。 其中T J = T A +(R JA *P D ) 图1.简化热阻模型 对于芯片所产生的热量,主要有两条散热路径。第一条路径是从芯片的结点到芯片 顶部塑封体(R JT ),通过对流/辐射(R TA )到周围空气;第二条路径是从芯片的结点到背部焊 盘(R JC ),通过对流/辐射(R CA )传导至PCB板表面和周围空气。 对于没有散热焊盘的芯片,R JC 是指结点到塑封体顶部的热阻;因为R JC 代表从芯片内 的结点到外界的最低热阻路径。 三、典型热阻值 表1典型热阻

三相电流计算公式

三相电流计算公式 I=P/(U*1.732)所以1000W的线电流应该是1.519A。 功率固定的情况下,电流的大小受电压的影响,电压越高,电流就越小,公式是I=P/U 当电压等于220V时,电流是4.545A,电压等于380V时,电流是2.63A,以上说的是指的单相的情况。380V三相的时候,公式是I=P/(U*1.732),电流大小是1.519A 三相电机的电流计算I= P/(1.732*380*0.75) 式中:P是三相功率(1.732是根号3) 380 是三相线电压(I是三相线电流) 0.75是功率因数,这里功率因数取的是0.75 ,如果功率因数取0.8或者0.9,计算电流还小。电机不是特别先进的都是按0.75计算。按10kW计算:I=10kW/(1.732*380*0.75) =10kW/493.62 =20.3 A 三相电机必须是三相电源,10KW电动机工作时,三根电源线上的工作电流都是20.3 A 实际电路计算的时候还要考虑使用系数,启动电流等因素来确定导线截面积、空开及空开整定电留。 三相电中,功率分三种功率,有功功率P、无功功率Q和视在功率S。电压与电流之间的相位差(Φ)的余弦叫做功率因数,用符号cosΦ表示,在数值上,功率因数是有功功率和视在功率的比值,即cosΦ=P/S 三种功率和功率因素cosΦ是一个直角功率三角形关系:两个直角边是有功功率P、无功功率Q,斜边是视在功率S。三相负荷中,任何时候这三种功率总是同时存在:S2=P2+Q2S=√(P2+Q2) 视在功率S=1.732UI 有功功率P=1.732UIcosΦ无功功率Q=1.732UIsinΦ功率因数cosΦ=P/S 根号3,没有软件写不上,用1.732代替 系统图 Pe:额定功率Pj:计算有功功率Sj:计算视在功率Ij:计算电流Kx:同时系数cosφ:功率因数Pj=Kx*Pe Sj=Pj/cosφ单相供电时,Ij=Sj/Ue 三相供电时,Ij=Sj/√3Ue 电气系统图里的符号是有标准的 KM表示交流接触器 KA表示中间继电器, KT表示时间继电器;

常用电源开关管参数

常用电源开关管参数 型号反压V 电流A 功率W 型号反压V 电流A 功率W BU108 1500 5 12.5 C4291 1500 5 100 BU208A 1500 5 12.5 C4292 1500 6 100 BU208D 1500 5 12.5 C4303A 1500 6 80 BU209A 1500 5 12.5 2SD348 1500 7 50 BU308 1500 5 12.5 D820 1500 5 50 BU500 1500 6 75 D821 1500 6 50 BU508A 1500 7.5 75 D822 1500 7 50 BUY71 2200 2 40 D838 2500 3 50 2SC1942 1500 3 50 D869 1500 3.5 50 C2027 1500 5 50 D870 1500 5 50 C2125 2200 5 50 D871 1500 6 50 C3480 1500 3.5 80 D898 1500 3 50 C3481 1500 5 120 D899 1500 4 50 C3482 1500 6 120 D900 1500 5 50 C3484 1500 3.5 80 D903 1500 7 50 C3485 1500 6 120 D950 1500 3 42 C3685 1500 6 120 D952 1500 3 65 C3686 1500 7 120 D953 1500 5 70 C3687 1500 8 150 D954 1500 5 80 C3688 1500 10 150 D957A 1500 6 95 C3729 1500 5 50 D994 1500 8 50 C3883 1500 5 50 D995 2500 3 50 C4199A 1500 10 100 D1016 1500 7 50 型号反压V 电流A 功率W 型号反压V 电流A 功率W D1142 1500 3.5 50 D1455 1500 5 50 D1143 1500 5 65 D1456 1500 6 50 D1172 1500 5 65 D1545 1500 5 50 D1173 1500 5 70 D1546 1500 6 50 D1174 1500 5 85 D1547 1500 7 50

反激式开关电源的设计方法

1 设计步骤: 1.1 产品规格书制作 1.2 设计线路图、零件选用. 1.3 PCB Layout. 1.4 变压器、电感等计算. 1.5 设计验证. 2 设计流程介绍: 2.1 产品规格书制作 依据客户的要求,制作产品规格书。做为设计开发、品质检验、生产测试等的依据。 2.2 设计线路图、零件选用。 2.3 PCB Layout. 外形尺寸、接口定义,散热方式等。 2.4 变压器、电感等计算. 变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的, 2.4.1 决定变压器的材质及尺寸: 依据变压器计算公式 Gauss x NpxAe LpxIp B 100(max ) B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss) Lp = 一次侧电感值(uH) Ip = 一次侧峰值电流(A) Np = 一次侧(主线圈)圈数 Ae = 铁心截面积(cm 2) B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定,以TDK Ferrite Core PC40为例,100℃时的B(max)为3900 Gauss ,设计时应考 虑零件误差,所以一般取3000~3500 Gauss 之间,若所设计的 power 为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss 左右,以避免铁心 因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,Ae 越高,所以可以 做较大瓦数的Power 。 2.4.2 决定一次侧滤波电容: 滤波电容的决定,可以决定电容器上的Vin(min),滤波电容越大,Vin(win)越高,可以做较大瓦数的Power ,但相对价格亦较高。 2.4.3 决定变压器线径及线数: 变压器的选择实际中一般根据经验,依据电源的体积、工作频率,

电流计算公式

、静电学 1.两种电荷、电荷守恒定律、元电荷:(e=1.60×10-19C);带电体电荷量等于元电荷的整数倍 2.库仑定律:F=kQ1Q2/r2(在真空中){F:点电荷间的作用力(N),k:静电力常量k=9.0×109N?m2/C2,Q1、Q2:两点电荷的电量(C),r:两点电荷间的距离(m),方向在它们的连线上,作用力与反作用力,同种电荷互相排斥,异种电荷互相吸引} 3.电场强度:E=F/q(定义式、计算式){E:电场强度(N/C),是矢量(电场的叠加原理),q:检验电荷的电量(C)} 4.真空点(源)电荷形成的电场E=kQ/r2 {r:源电荷到该位置的距离(m),Q:源电荷的电量} 5.匀强电场的场强E=UAB/d {UAB:AB两点间的电压(V),d:AB两点在场强方向的距离(m)} 6.电场力:F=qE {F:电场力(N),q:受到电场力的电荷的电量(C),E:电场强度(N/C)} 7.电势与电势差:UAB=φA-φB,UAB=WAB/q=-ΔEAB/q 8.电场力做功:WAB=qUAB=Eqd{WAB:带电体由A到B时电场力所做的功(J),q:带电量(C),UAB:电场中A、B两点间的电势差(V)(电场力做功与路径无关),E:匀强电场强度,d:两点沿场强方向的距离(m)} 9.电势能:EA=qφA {EA:带电体在A点的电势能(J),q:电量(C),φA:A点的电势(V)} 10.电势能的变化ΔEAB=EB-EA {带电体在电场中从A位置到B位置时电势能的差值} 11.电场力做功与电势能变化ΔEAB=-WAB=-qUAB (电势能的增量等于电场力做功的负值) 12.电容C=Q/U(定义式,计算式) {C:电容(F),Q:电量(C),U:电压(两极板电势差)(V)} 13.平行板电容器的电容C=εS/4πkd(S:两极板正对面积,d:两极板间的垂直距离,ω:介电常数) 常见电容器〔见第二册P111〕 14.带电粒子在电场中的加速(V o=0):W=ΔEK或qU=mVt2/2,Vt=(2qU/m)1/2 15.带电粒子沿垂直电场方向以速度V o进入匀强电场时的偏转(不考虑重力作用的情况下) 类似平抛运动平行电场方向:初速度为零的匀加速直线运动d=at2/2,a=F/m=qE/m 垂直电场方向:匀速直线运动L=V ot(在带等量异种电荷的平行极板中:E=U/d) 二、恒定电流 1.电流强度:I=q/t{I:电流强度(A),q:在时间t内通过导体横载面的电量(C),t:时间(s)} 2.欧姆定律:I=U/R {I:导体电流强度(A),U:导体两端电压(V),R:导体阻值(Ω)} 3.电阻、电阻定律:R=ρL/S{ρ:电阻率(Ω?m),L:导体的长度(m),S:导体横截面积(m2)} 4.闭合电路欧姆定律:I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U内+U外 {I:电路中的总电流(A),E:电源电动势(V),R:外电路电阻(Ω),r:电源内阻(Ω)} 5.电功与电功率:W=UIt,P=UI{W:电功(J),U:电压(V),I:电流(A),t:时间(s),P:电功率(W)} 6.焦耳定律:Q=I2Rt{Q:电热(J),I:通过导体的电流(A),R:导体的电阻值(Ω),t:通电时间(s)} 7.纯电阻电路中:由于I=U/R,W=Q,因此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R 8.电源总动率、电源输出功率、电源效率:P总=IE,P出=IU,η=P出/P总{I:电路总电流(A),E:电源电动势(V),U:路端电压(V),η:电源效率} 9.电路的串/并联串联电路(P、U与R成正比) 并联电路(P、I与R成反比) 电阻关系R串=R1+R2+R3+ 1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+ 电流关系I总=I1=I2=I3 I并=I1+I2+I3+ 电压关系U总=U1+U2+U3+ U总=U1=U2=U3 功率分配P总=P1+P2+P3+ P总=P1+P2+P3+ 三、磁场 1.磁感应强度是用来表示磁场的强弱和方向的物理量,是矢量,单位T),1T=1N/A?m 2.安培力F=BIL;(注:L⊥B) {B:磁感应强度(T),F:安培力(F),I:电流强度(A),L:导线长度(m)} 3.洛仑兹力f=qVB(注V⊥B);质谱仪〔见第二册P155〕{f:洛仑兹力(N),q:带电粒子电量(C),V:带电粒子速度(m/s)}

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