模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解

学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18:00~19:30
做作业
1.限时;2.不要看书;3.不会的题先放过。
19:40~20:00
测试
如没有,则休息。
20:10~20:40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测,直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法: 先自己回顾老师上课讲的,找差距。
4. 如果没有学习新课程,将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20:45~21:00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21:03~21:23
查
漏
补
缺
1.21:03~21:10英语:
掌握5个单词(1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用)并记录。
2.21:10~21:15数学:
对以往的知识点进行考查(每周2个);
对未掌握的知识点进行补习;
模拟电子技术基础 第三版 王远 张玉平 机械工业出版社第3章习题答案khdaw

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3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场效应 管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 3.计算电压增益Au。
gm
= − 2I DSS U GS(off)
(1 − U GS ) U GS ( off )
= − 2 × 2 (1 − − 2 ) = 0.5ms −4 −4
1. UGD> UGS(off)
当UGS=-1V, UDS=3V时 UGD =UGS —UDS
=-4V> -5V =UGS(off)
• 所以,管子工作在可变电阻区。
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2. UGD< UGS(off)
当UGS=-2V, UDS=4V时 UGD = UGS —UDS
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I DQ
= I DSS
(1 − U GSQ ) 2 = U GS ( off )
−2 2 × (1 −
) 2 = 0 . 5 mA
−4
U GSQ = U GQ − U SQ = −2V
• 能。
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3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 图中绝缘栅型N沟道增 强型的场效应管。
• d)是一个自给偏压式 共源放大电路,只用 于耗尽型和结型场效 应管。
• 不能。
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=
gmU̇ gs RL′ U̇gs + gmU̇gsRL′
模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论,基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上,重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法,使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时:60 学时(课内) 本课程学分: 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。
模拟电子技术基础简明教程第三版习题答案

第一章习题参考答案习题1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在50 C时的反向电流为10 口 A ,试问它在20 C和80 C时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10 C,反向电流大致增加一倍。
解:在20 C时的反向电流约为: 2 310 A 1.25 A在80 C时的反向电流约为:2310 A 80 A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,贝「极管的电流和电压各为多少?解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5 U II 0.8A, U 0.7V②电源电压为3V时3 U II 2.2A, U 0.8V可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,贝V二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大T |~~1.5V 1 k?(b)习题1-4 已知在下图中,U| = 10sin w t (V), R L=1 k?,试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压U。
的波形,并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流l Z、动态电阻r Z以及温度系数a u,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数a u的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,贝y稳压性能愈好。
习题1-6某稳压管在温度为20C,工作电流为5 mA时,稳定电压U Z=10V,已知其动态内阻r Z=8?,电压的温度系数a u=0.09%/ C,试问:①当温度不变,工作电流改为20 mA时,U Z约为多少?②当工作电流仍为5 mA,但温度上升至50C时,U Z约为多少?解:① U Z I Z r Z(20 5) 10 38 0.12VU Z10 0.12 10.12V②U z U z U T 0.09% (50 20) 2.7%U Z 10 1 2.7% 10.27习题1-7 在下图中,已知电源电压 U 二10V , R = 200?,R L = 1k?,稳压管的U z 二6V ,试求:① 稳压管中的电流I z = ?② 当电源电压U 升高到12V 时,I z 将变为多少?② | U U z30mAR③ I R —— 3mAR LR L习题1-8设有两个相同型号的稳压管,稳压值均为 6V ,当工作在正向时管压降均为 0.7V ,如果将他们用不同的方 法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出 各种不同的串联方法。
大学_《模拟电子技术基础》第三版(王远张玉平著)课后答案下载

《模拟电子技术基础》第三版(王远张玉平著)课后答案下载《模拟电子技术基础》第三版图书内容第1章半导体基础及二极管应用电路1、1半导体基础知识1、1、1本征半导体1、1、2杂质半导体1、1、3漂移电流与扩散电流1、2PN结1、2、1PN结的形成及特点1、2、2PN结的单向导电特性1、3晶体二极管及其应用1、3、1晶体二极管的伏安特性1、3、2二极管的直流电阻和交流电阻1、3、3二极管模型1、3、4二极管应用电路举例1、3、5稳压管及其应用1、3、6PN结电容效应及应用1、3、7__特殊二极管__小结思考题与习题1第2章晶体三极管基础2、1双极型晶体三极管2、1、1BJT的工作原理2、1、2BJT的静态特性曲线2、1、3BJT主要参数2、1、4BJT小信号模型2、2结型场效应管2、2、1JFET的结构和工作原理 2、2、2JFET的特性曲线及参数 2、2、3JFET的小信号模型2、3金属-氧化物-半导体场效应管2、3、1N沟道增强型MOSFET工作原理2、3、2N沟道耗尽型MOSFET工作原理2、3、3MOSFET小信号模型2、3、4场效应晶体管与双极型晶体管的比较__小结思考题与习题2第3章晶体管放大电路基础3、1放大电路的基本组成和工作原理3、1、1基本放大器及其模型3、1、2放大电路的组成及其直流、交流通路3、1、3放大电路的图解法3、2三类基本组态放大电路的交流特性分析3、2、1共射和共源放大电路3、2、2共集和共漏放大电路3、2、3共基和共栅放大电路3、2、4三类基本组态放大电路的比较3、3多级放大电路3、3、1多级放大器耦合方式3、3、2多级放大器性能指标的计算3、3、3组合放大器__小结思考题与习题3第4章模拟集成基本单元电路4、1半导体集成电路概述4、2恒流源和稳定偏置电路4、2、1BIT参数的温度特性4、2、2BJT恒流源4、2、3MOS恒流源4、3带恒流源负载的放大电路4、3、1BJT有源负载放大电路4、3、2MOS有源负载放大电路4、4差动放大器4、4、1差放的偏置、输入和输出信号及连接方式4、4、2差动放大器的大信号差模传输特性4、4、3差动放大器的微变等效分析4、4、4有源负载差动放大器4、4、5MOS差动放大电路4、5功率输出级电路4、5、1功率放大器的特点、指标和分类4、5、2互补推挽乙类功率放大器4、5、3其他乙类推挽功率放大器4、5、4MOS输出级电路4、5、5达林顿组态4、6BiCMOS电路__小结思考题与习题4《模拟电子技术基础》第三版本书目录本书为“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)C.减小I B从12 uA增大到22 uA时,l c从lmA变为2mA,那么它C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将(A )A.增大;B.不变;C.减小1.3电路如图PI.2所示,已知* =10sin - t(V),试画出U i与u o的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
解图P1.2解:U i与U o的波形如解图PI.2所示1.4电路如图P1.3所示,已知U i =5sin - 't (V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i与u o的波形图,并标岀幅值。
第1章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内(I)在本征半导体中加入(A )元素可形成N型半导体,加入(C )元素可形成P型半导体。
屮f I I I解图P1.3{>+al一A图P1.3A.增大B.不变(3)工作在放大区的某三极管,如果当的B约为(C )。
A.83B.91图P1.21.6电路如图P1.4所示,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T: 26mV,电容C对交流信号可视为短路;u i为正弦波,有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D =(V -U D)/R =2.6mA其动态电阻:r D: U T/I D =10」: 1mA故动态电流的有效值:l d=Uj/r D1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V和8V,正向导通电压为0.7V。
试问:(1) 若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2) 若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种: 1.4V; 14V; 6.7V; 8.7V。
1、两个管子都正接。
(1.4V)2、6V的管子反接,8V的正接。
(6.7V)3、8V的反接,6V的管子正接。
(8.7V)4、两个管子都反接。
模拟电子技术基础 第三版 王远 张玉平 机械工业出版社第1章习题答案khdaw

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4.当UI= 7V,RL变化时,电路的稳压性能如何?
假设稳压管能正常稳压,
则 U Z = 6V
∵IZ
=
I
=
( 7 − 6 )V 500Ω
= 2mA < 10mA
∴ IZ大大小于正常稳定电流,稳压管
不能正常工作,无法稳压。
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R
500
I0
= UZ RL
6V =
1kΩ
= 6mA
IZ = I − I0 = 22mA
∵10mA < 22mA < 33mA
∴ 稳压管可以正常工作:
U0 =UZ =6V
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2.当UI=20V,RL=100Ω时,U0=?
假设稳压管正常工作,
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1-10
稳压管电路如图1-29所示。已知稳压管的 稳压值为6V,稳定电流为10mA,额定功耗为 200mW,限流电阻R=500Ω。 1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=?
2.当UI=20V,RL=100Ω时,U0=?
3.当UI=20V,RL开路时,电路的稳压性能如何?
4.当UI=7V,RL变化时,电路的稳压性能如何?
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解:1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 稳压管的最大工作电流:
I Z max
=
PZM UZ
= 200 mW 6V
≈ 33 mA
I = UI −UZ = 20− 6 = 28mA
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3.当UI=20V,RL开路时,电路的稳压性能如何?
模拟电子技术基础第三版 课后答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
最新北理工-模拟电子技术基础第三版王远-第二章习题答案复习课程
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1.13M
2.求Au和Aus.
•
•
U i I B rbe
•
Uo
RC R L RC RL
•
IC
RC R L RC RL
•
IB
•
RCRL
Au
Uo
•
Ui
RC RL
rb b '
1
26 0 .5
112
•
Aus
Uo
•
83
Us
3.求Ri和Ro.
•
Ri U I•ii R R BB rbrebe2.7kRoRC16k
直流通路 a)
交流通路
直流通路 b)
交流通路
2-10:共射基本放大电路中,已知晶体管的 β=50,Vcc=12V。
1 、 当 R C 2 .4 K , R B3 0 0 k 时 , 确 定 静 态 工 作 点 IB Q , IC Q , U C E Q 。
解:将输入短路、电容器视为开路
I BQ ICQ ,U BEQ 0.7V
I BQ
VCC
U BEQ RB
37 A
ICQ I BQ 1.88mA
U CEQ VCC ICQ RC 7.488V
2.若要求 UCEQ6V、 ICQ2mA,求RB和RC。
U CEQ 6V 、 I CQ 2 mA
RC
V CC
U CEQ I CQ
3k
I BQ
I CQ
北理工-模拟电子技术基础 第三版王远-第二章习题答
案
2-4:在放大电路中测得晶体管各电极对地的 直流电压如下所列,确定它们各为哪个电极, 晶体管是NPN型还是PNP型?
晶体管工作在放大区时发射结正偏、集 电结反偏。
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模拟电子技术基础第三版课后答案免费习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性~管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好~还是小一些好,答:二极管的正向电阻越小越好~反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零~反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50?时的反向电流为10μA~试问它在20?和80?时的反向电流大约分别为多大,已知温度每升高10?~反向电流大致增加一倍。
,3解:在20?时的反向电流约为:2101.25,,,,AA3在80?时的反向电流约为:21080,,,,AA习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:?如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压~如图(b)~此时二极管的电流I 和电压U各为多少,?如将图(b)中的1.5V电压改为3V~则二极管的电流和电I/mA压各为多少,3+ U -解:根据图解法求解2?电源电压为1.5V时I11.5,,UIIAUV,,0.8,0.71k?1.5V0 0.5 11.52U/V?电源电压为3V时(b)(a)3,,UIIAUV,,2.2,0.8可见~当二极管正向导通后~如电源电压增大~则二极管的电流随之增大~但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中~u= 10sinωt (V)~R=1k?~试IL对应地画出二极管的电流i、电压u以及输出电压u的波DDO形~并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
u/VI10+ u-D0,t++i/mADuiuIDD10RL-- 0(a),tu/VI0,t-1010u/Vo0,t习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性~它的工作电、动态电阻r以及温度系数α~是大一些好还是小一流IZZU些好,愈小~则当稳压管的电流变化时稳压管的答:动态电阻rZ电压变化量愈小~稳压性能愈好。
愈大~一般来说~对同一个稳压管而言~工作电流IZ则其动态内阻愈小~稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗~以免损坏稳压管。
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
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
1、两个管子都正接。
(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)

3 U I I 2.2 A , U 0.8V
0 0.5 1 1.5 2 U/V (a)
可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二 极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中, uI = 10sinω t (V), RL=1kΩ,试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO的波 形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 uI/V 10 + uD 0 t + + i D/mA uI iD uD 10 RL 0 (a) t uI/V 0 t - 10 uo/V 10 0 t
3
10 A 1.25 A
在 80℃时的反向电流约为: 2
3
10 A 80 A
习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示: ①如在二极管两端通过 1kΩ的电阻加上 1.5V的电压,如图 (b),此时二极管的电流 I 和电压U各为多少? ②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V,则二极管的电流和电 I/mA 压各为多少? 3 + U 解:根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V时 2 I 1.5V 1kΩ (b) 1 1.5 U I I 0.8 A , U 0.7V ②电源电压为 3V时
0 1 1%
t t0
30 1 1%
50 20
30 1 30 1% 39
ICEO 1 ICBO 320 A 0.32mA
习题 1-12 一个实际 PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分 别如图 P1-12(a)和 (b)所示。 ①查看该三极管的穿透电流 ICEO约为多大?输入特性的死区电 压约为多大? ②为了使 PNP型三极管工作在放大区,其 uBE和 uBC的值分别应 该大于零还是小于零?并与 NPN型三极管进行比较。 解:①查图可知, ICEO =0.5mA,死区电压约为 0.2V; ②为了使三极管工作在放大区, 对 PNP型: uBE<0, uBC >0; 对 NPN型: uBE>0, uBC <0。
模拟电子技术基础第三版习题答案

模拟电子技术基础第三版习题答案第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远

模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论,基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上,重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法,使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础 analog electronics二、学时与学分本课程学时: 60学时(课内) 本课程学分: 3.5学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数 18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数 8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009年 12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术 1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。
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模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论,基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上,重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法,使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时:60 学时(课内) 本课程学分: 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。
它要以《高等数学》和《电工技术》的学习为基础,通过本课程的学习使学生获得电子技术的基本知识、基本理论和基本技能,为学习后续课程《高频电路》、《电视原理》、《电气自动控制》打下坚实的基础。
2.课程目标通过本课程的学习,使学生获得电子技术的基本知识、基本理论和基本技能,具备分析问题、解决问题以及应用现代电子技术的能力,为学习后续课程和从事电子技术方面的工作打下坚实的基础。
通过本课程的教学,学生应达到如下能力目标:1.具备电子技术应用的初级能力初级能力包括:(1)电子电路分析能力、测试能力,电路安装、调试、检修、制作能力,检索资料、看参数、查手册能力等。
(2)达到“四会”“四会”:“会看、会算、会选、会用”2.具备一定的电子产品设计和开发创新能力能应用所学知识以及新技术、新器件,结合电路cad 软件,设计开发电子产品。
3.课程内容和要求4.实施建议 4.1 教材选用建议本课程是电子类专业开设的一门基本课程,教材繁多,建议选用优秀的高职高专规划教材,优先选用按照项目式教学组编的教材。
参考教材:(1)黄军辉等主编的《电子技术》,人民邮电出版社,21 世纪高职高专电子技术规划教材。
(2)王远主编的《模拟电子技术》(第二版),机械工业出版社。
(3)江晓安、董秀峰编著的《模拟电子技术》,西安电子科技大学出版社出版。
4.2 教学评价建议本课程教学评价建议采用过程性评价(占30%)与结果性评价(占70%)相结合。
过程性评价建议包括学生平时课堂表现、作业(含实训报告)完成情况、考勤情况、单元测试成绩等。
结果性评价由期末考核评定,可采用笔试方式,全面考核本课程所学知识与技能。
4.3 教学建议(1)建议充分利用现代教育技术,利用图形、图像、动画和ewb 仿真软件,使教学内容直观形象。
(2)对于难度较大的内容,建议采取化大为小,化繁为易,各个击破的方法。
(3)建议加强对器件外特性的认识而淡化对其内部物理机理的分析。
(4)为了能让学生真正参与到教学活动中,建议采用讨论课、练习课、提问课等多种形式,激发学生学习兴趣,培养学生创新精神。
(5)建议采用理论与实践相结合的教学方式,既强调理论学习,更重视实践作用。
通过为学生提供课外实践的场所并给予一定的指导,使他们掌握常用元器件的使用方法、电路原理图和pcb 的设计以及对常用原理图的仿真分析等,从而加深学生对课堂理论知识的理解和掌握。
【篇三:811 电子技术】s=txt>1. 考试内容电子技术考试内容包括《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两部分。
2. 考试要求模拟电子技术基础部分:(1)理解普通二极管、稳压二极管的工作原理,掌握其特性和主要参数。
(2)理解双极型晶体管的工作原理,掌握其特性和主要参数;理解双极型晶体管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点;掌握放大电路静态和动态参数的分析方法。
(3)理解场效应管的工作原理,掌握其特性和主要参数;理解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点;掌握放大电路静态和动态参数分析方法。
(4)了解直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合的特点;掌握多级放大电路静态及动态参数的分析方法;理解差分放大电路的组成和工作原理;掌握差分放大电路静态和动态参数的分析方法。
(5)了解典型集成运放的特点,掌握其电压传输特性和主要参数。
(6)了解功率放大电路的类型及特点;掌握功率放大电路主要参数的分析计算方法。
(7)掌握放大电路频率响应的有关概念;掌握单管放大电路频率响应的分析方法,理解多级放大电路频率响应的分析方法。
(8)掌握反馈的基本概念、反馈类型的判断方法及负反馈放大电路的四种基本组态;掌握深度负反馈条件下放大电路的分析方法;掌握根据需要在放大电路中引入反馈的方法。
了解负反馈放大电路中的自激振荡及其消除方法。
(9)掌握由集成运放组成的基本运算电路的分析方法;掌握模拟乘法器在运算电路中的应用;了解典型有源滤波电路的组成,掌握其特点。
(10)掌握rc桥式正弦波振荡电路的组成、工作原理;了解lc正弦波振荡电路和石英晶体正弦波振荡电路的组成、工作原理,掌握lc振荡电路能否振荡的分析方法;掌握电压比较电路的组成、工作原理和参数分析方法;掌握非正弦波振荡电路的组成、工作原理、波形分析和主要参数的计算方法。
(11)掌握单相整流电路的工作原理和分析方法;了解典型滤波电路的工作原理;掌握线性串联型稳压电路的工作原理及分析方法;掌握线性集成稳压器的应用。
了解开关式稳压电路的工作原理。
数字电子技术基础部分:(1)了解数字信号的基本特点、表示方法,了解数字电路的基本功能及其应用。
(2)掌握常用的二-十进制编码;掌握逻辑代数中的基本定律和定理;掌握逻辑函数常用的描述方法及其相互转换;掌握逻辑函数的化简方法。
(3)了解半导体二极管、晶体管和mos管的开关特性;了解ttl、cmos门电路的组成和工作原理;掌握典型ttl、cmos门电路的逻辑功能、电气特性、主要参数和使用方法。
(4)掌握组合电路的特点、分析方法和设计方法;掌握编码器、译码器、加法器、数据选择器和数值比较器等常用组合电路的逻辑功能及使用方法;了解组合电路的竞争冒险现象及其消除方法。
(5)掌握触发器逻辑功能的描述方法;掌握基本rs触发器的电路结构、工作原理及动态特性;了解典型时钟触发器的电路结构及工作特点;理解触发器的逻辑功能及相互转换。
(6)掌握时序电路的特点、描述方法和分析方法;掌握计数器、寄存器、顺序脉冲发生器、序列发生器等常用时序电路的工作原理、逻辑功能及使用方法;掌握同步时序电路的设计方法。
(7)了解脉冲信号参数的定义;理解施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的工作原理、主要参数的分析方法及应用;掌握555定时器的工作原理。