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个电路测量四组数据。找出其中错误的一组。
A． IC = 0.5mA ，Vi = 10mV ，VO = 0.37V C． IC = 1.5mA ，Vi = 10mV ，VO = 0.96V
B． IC = 1.0mA ，Vi = 10mV ，VO = 0.62V D． IC = 2.0mA ，Vi = 10mV ，VO = 0.45V
+
Vo
A
−
1k
1
1μF
Vi1
+1V 200k
Vi1
−
Vi2
A1
+
Vo
Vi2
200k
+1V
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t/s 0.5 1.0
t/s
7. 电路如图。写出Vo = f (Vi ) 表达式，并说明Vi 应满足什么条件。
8. 电路如图，A 为理想运放，电容上的初始电压为 0，且 R1 = R2 = R ， C1 = C2 = C ，求： （1）当Vi1 = 0V 时，Vo 与Vi2 的关系式； （2）当Vi2 = 0V 时，Vo 与Vi1 的关系式； （3）当Vi1 、Vi2 共同作用时，Vo 与Vi1 、Vi2 的关系式；
6. 在由 PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为 10kHz、5mV 的正弦电压时，输出电压波
形出现了顶部削平的失真（削顶）。这种失真是
。
A．饱和失真
B．截止失真
C．交越失真
D．频率失真
7. 为使一个电压信号能得到有效放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么
电路？
mV，共模输入电压VSC
=
mV；若差模、共模电压增益为AVD = −10、AVC = −0.2，则差动放大电路输出电压VO =
mV。
（注：00 年北理工研考题）
3. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的
作用，和对共模信号的
年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
漂移电流，耗尽层
。
2 二极管的主要特性是
，它的两个主要参数是反映正向特性的
和反映反向特性的
。
（注：本题为往年考题）
3. 用一只万用表不同的欧姆档测得某二极管的电阻分别为 250Ω 和 1.8kΩ：
（1）产生这种现象的原因是
；
（2）两个电阻值对应的二极管偏置条件为；250Ω 为 偏，1.8kΩ 为 偏。
4. 电路如图：
（1）当电源V = 5V 时，测得 I = 1mA 。若把电源电压调整到V = 10V ，则电流的大小将是 。
A． I = 2mA
B． I < 2mA C． I > 2mA
（2）设电路中保持V = 5V 不变。当温度为 20℃时，测得二极管正向
电压Vp = 0.7V ；当温度上升到 40℃时，则Vp 的大小是
2. 场效应管（FET）的输入电阻，比双极型晶体管（BJT）的输入电阻
。（注：00 年北理工研考题）
3. 图所示为场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是 为 1996 年电子科技大学研究生入学考试“模拟电路”考题）
沟道
MOS 管。（注：本题 ID/mA
4. 电路如图。试判断其对正弦信号有无放大作用，并简要说明理由。 3
第二章 运算放大器
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1. 判断下列说法是否正确： （1）处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”来处理。（ ） （2）反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。（ ） （3）处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号远算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才 能防止输入偏置电流带来 IIB 的远算误差。（ ） （4）在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流 之代数和。（ ）
R4
拟与数字电路”考题）
3. 一个可调的电压基准电路如图。A 为理想运放： （1）计算输出电压的可调范围； （2）当负载 RL 发生变化时，Vo 会随之变化吗？ （3）若把运放 A 的负电源取消（即 −12V 端接地），分析此电路能否 正常工作？
2k 1k 6V 2k
+12V 2k
+
Vo
A
−
−12V RL
A．共射电路
B．共基电路
C．共集极电路
5
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8. 电路如图，为基本放大电路，输出接负载RL，输入端加正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平
的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减少RL的值，将出现什么现象？
A．可能使失真消失
B．失真更加严重
C．可能出现波形两头都削平的失真
9. 放大电路如图，其中电容 C1 、C2 和 Ce 都足够大。若更换晶体管使 β 由 50 改为 100，（ rb′b ≈ 0 ），则此放
D1
D2 R
A
3k
6V
12V
B
题9 图
10k
D2
+
+
20k
D1
Vo
Vi
10V
2.5V
−
题 10 图
4
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第四章 BJT 三极管及放大电路基础
1. 测得某NPN管的VBE=0.7V，VCE=0.2V，由此可判定它工作在
区。
2 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的点位分布如图。试判断各晶体管的类型（PNP/NPN、 Si/Ge 管），并区分 e、b、c 三个电极。（注：本题为往年考题）
4. 如图是由理想运放A1、A2组成的半导体三极管 β 值测量电路。 （1）设三极管 T 为硅管，试求 e、b、c 各点电
压的大致数值；
R1
+12V
（2）若电压表的读书为 800mV，试求被测三极
5k
+5V
管的 β 值。
T
−
A1
+
R3 20k
R2
20k
−
A2
+
V
5. 同相输入放大电路如图所示，A为理想运放，电位器Rw用来调节输出直流点位。
（1）无自举电路的输入电阻 ri ； （2）有自举电路的输入电阻 ri ； （3）说明自举的作用。
12. （提高题）放大电路如图。仅当源极电阻R2增大时，放大电路的电压放大倍数 AV 如何变化？
Rg1 C1
+VDD
+
C2
Vi
Rg Rg2
C
+ Rs Vo
C1
+ Vi Rg
+VDD Rd C2
+ Vo
R2 C3
。
A．仍 = 0.7V
B． > 0.7V
C． < 0.7V
R
I V
+
D VD
−
5. 电路如图。 D1 ∼ D3 为理想二极管，A、B、C 等都相同，试问哪盏灯最亮？
6. 电路如图，设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别是 5V和 10V，求： 输出电压Vo（已知稳压管的正向压降为 0.7V）。
7. 电路如图，Dz1和Dz2为稳压管，其稳定工作电压分别为 6V和 7V，且具有理想特性，则：
R2
2. （故障分析）电路如图。已知 R1 = R2 = R3 = R4 ，设运放为理想。当
Vi1 R1
Vi1 = Vi2 = 1V 时，测得Vo = 1V 。你认为这种现象正常吗？若不正常，请
−
A
分析是哪个电阻可能（有两种可能）出现了开路或短路故障（注：运放
+
Vi2 R3
Vo
本身并未损坏）（注：本题为 2000 年北京理工大学研究生入学考试“模
−12V −9.2V
−12.3V A
−1.2V B 题3 图
+6.0V
+5.3V +5.3V C
4. 如下电路能否实现正常放大？为什么？
Rb
+ C1 Vi
C2
+Vcc Rc
C3 +
Re Ce
Vo
A
Rb 510k C1
+Vcc Rc
3k
+
10μ
Vi
Re C2
1k 100μ
RL 3k
+ Vo
B
5. 某同学为验证基本共射极放大电路的电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下，对同一
560k
C1 T1
C2
+
Vi
Rg 80k
Rf 1k
Rs
C3 T2
Re RL 6k 18k
+ Vo
10k Cs
题9图
题 10 图
11. 场效应管自举电路如图。已知VDD = +20V ，Rg = 51MΩ ，Rg1 = Rg2 = 200kΩ ，Rs = 22kΩ ，gm = 1mA/V ， 自举电容 C 很大，可认为交流短路。求：
5. 图示为某 MOS 管放大电路的外部电路，由图级可判定该管为
型 MOS 管。
VGS/V
（注：本题为 1999 年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
−3 题3图
6. 判断下列管子各工作在什么状态，并说明理由。
+VDD Rd
C1
+
Vi
Rg
C2 RL
C1
+ Vi R1
+VDD Rd
C2 + Vo
（1）画出小信号等效电路； （2）求放大电路的中频电压放大倍数 AV 及 ri 、 ro 的表达式。
C1 T1
+
T2
+ RC Vo
Vi
Rg
VBB
VGG
VCC
题7图
C1 T1
+
Vi
Rg
−VCC
T2
Re
C2
+ RL Vo
题8图
7
模电课堂练习汇编 9. 图示FET放大电路中，两管T1和T2的小信号参数相同，低频跨导为 g ，C1～C3为耦合、旁路电容： （1）T1在电路中起什么作用？ （2）画出放大电路的中频小信号等效电路。
大电路的电压放大倍数为
。
Rb
+ C1 Vi
+Vcc Rc
C2
+
RL
Vo
题8图
Rb2
6k C1
+
Vi
Rb1 4k
Rc
+Vcc = 10V
2k
C2
+
Re
RL 2k
Vo
3.3k Ce
题9图
6
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第五章 场效应管放大电路
1 场效应管从结构上分成
和
两大类型，它属于
控制型器件。（注：本题为往年考题）
题 11 图
题 12 图
8
第六章 模拟集成电路
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1 集成远算放大器是一种采用
耦合方式的放大电路，最常见的问题是
，限于集成工艺的限制，
在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的
来替代，或是采用
的方法
来解决。
2. 在差动放大电路中，若VS1=18mV，VS2=10mV，则电路差模输入电压VSD =
（1）当Vi = 0V 时，调节电位器，输出直流电压Vo 的可调范围是 +15V
多少？
Vi
（2）电路的闭环电压放大倍数 Avf = ？ 6. 电路如图，由理想运放组成求和积分器。
RW 100k 2M −15V
设运放最大输入电压Vom = ±10V ，写出输出关系Vo = f (Vi1,Vi2 ) ，并画出输出波形。
3. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各电极的对地电位如图，试判断这些晶体管分别处于哪种工 作状态（饱和/截止/放大/倒置/已损坏）。
3DG8C 3CG21
①② ③ ①② ③ ①② ③
2V 2.7V 6V 2.2V 5.3V 6V −4V −1.2V−1.4V
A
B
C
题2图
3AD6A
−8.5V
−18V
导通时的沟道电阻为 0Ω。
（1）求ωt 在 0 ∼ π 和π ∼ 2π 期间的Vo 值； （2）画出输出电压Vo 的波形。
Rf /10k
R1/10k
Vi
−
A
+
Vo
R2/5.1k
VGS
Vi +1V
VGS
−4V
ωt
π
2π 3π 4π
ωt
2
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第三章 二极管及其基本电路
1. 判断 PN 结外加正向电压，扩散电流
R2 C3
题4图
题5图
3V
5V
VP = −3.5V
VT =2V
A
B
题6图
7. 指出图中各晶体管分别组成何种放大电路组态，并在图中正确标出各直流电源的极性和电解电容 C 的 极性（在电源前加正、负号，在电解电容正极性端加正号）。
8. 两级放大电路如图所示，已知T1管的 gm ，T2管的 rbe 、 β ：
输出电压Vo为
V。
D1
A
+
正弦 D2
B
交流
电源 D3
C
题5 图
1k 25V Dz2
+
Dz1
Vo −
题6 图
1k 20V Dz2
Dz1
+ 1k Vo
−
题7图
8. 电路如图。设Vi = sin ωt(V) ，V2 = 2(V) ，二极管特性为理想，则：
输出电压Vo 的波形应为图示
图。
3
2V
+ VD
+
R 1k
Vo
Vi
−
Vo 3 2
1
A
Vo 1
Vo
−1
Vo ωt
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ωt B
ωt C
ωt D
9. 电路如图。（设二极管正向压降为 0.7V） （1）判断各二极管是否导通； （2）求 A、B 两端的电压值。
10. 电路如图。二极管均为理想，设Vi = 15sin ωt(V) ，试画： 输出电压Vo 的波形。
9. 电路如图。运放、二极管都有理想特性，运放最大输出电压为，输出信号幅值足够大。 试画出电路的电压传输特性。
R2 Vi
R1
R
−
A1
+ −
A2
+
R 0.1⋅VxVy
题7 图
Vi1 Vi2
Vo
C1 R1
−
A
+
R2 C2
题8 图
Vi 10k
10k
−
Vo
A1
+
10k
Vo
−
A2
+
题9 图
10. 相敏检波电路如图（a）所示。Vi 和VGS 波形见图（b），设运放为理想，场效应管的电压Vp = −3V ，
10. 电路如图。已知：T1管 gm = 0.8mA/V ；T2管 rbe = 1.2kΩ ， β = 100 ；C1、C2、C3和Cs交流短路。
（1）画出小信号等效电路；
（2）求放大电路的 AV 及 ri 、 ro 。 +VDD
T1
C1 T2
C2 +
+
Vo
Vi Rg
Re C3
Rd
Rb
+VDD
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