《晶体管及其应用》PPT课件
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71晶体管及其应用 .ppt
空穴
价电子
这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产
生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子
来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当
于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
本征半导体的导电机理
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 :
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。
电子技术
电子管
晶体管 集成电路
电子技术分：
模拟电子技术，
数字电子技术。
t
模拟电子技术研究模拟电路， 数字电子技术研究数子电路。
t
模拟信号是指在时间和数值上都连续的信号。
数字信号是指在时间和数值上都不连续的信 号，即所谓离散的。
第7章 晶体管及其应用
7.1 PN结及其单向导电性 7.2 晶体二极管及其应用 7.3 晶体三极管及基本放大电路 7.4 晶闸管简介
学习电子技术，就是要掌握常用半导体器件的原 理、特性，以及由这些器件所组成的电子电路的分 析方法。二极管与晶体管是最常用的半导体器件， 而PN结是构成各种半导体器件的基础。
7.1 PN结及其单向导电性
什么是半导体?
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
例如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和 硫化物都是半导体。
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。 在常温下即可 变为自由电子 掺入五价元素
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
学习任务二极管三极管晶闸管及其应用PPT课件
PN结开始形成 时
价电子
空穴的移动与价电子的移动相反；
空穴的移动相当于正电荷的移动；
空穴 价电子
带空穴 的C原子
一.半导体基础知识
3）半导体导电 在半导体的两端加外电压时，半导体内部出现两部分电流：一是电子的
定向移动形成的电子电流，二是价电子的递补形成的空穴电流；
在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电； 自由电子和空穴统称为载流子；
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
空穴移动
Si
Si
Si
Si
Si Si Si Si
一.半导体基础知识
在外电场的作用下，有空穴的A原子可以吸引相邻B原子中的价电子 ，B原子失去价电子成了带空穴的原子，B原子也可以由相邻C原子 的价电子来递补，这样好像空穴由A原子运动到了C原子。
空穴
带空穴的A原子
带空穴的B原子
一.半导体基础知识
4.PN结及其单向导电性 1）PN结：将P型半导体和N型半导体结合在一起，在P型半导体和N型
半导体的交界面形成一个特殊的薄层，称为PN结；
一.半导体基础知识
P型半导体和N型半导体的交界面处出现 自由电子和空穴的浓度差。
由于浓度的差别，自由电子和空穴都 要从浓度高的区域向浓度低的区域 扩散。
光敏电阻
③ 对压力敏感
压敏电阻
一.半导体基础知识
掺入某种杂质后，
④
导电能 1）定义：完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体； 2）晶体结构（以Si为例）
一.半导体基础知识
+14 2 8 4
硅原子
si
si
si si si si si si si
汽车电工电子基础 4晶体管及其应用
当发射结处于反向偏置、集 电结处于反向偏置时，晶体 管工作于截止状态。
图4-5 NPN晶体管 共发射极电路特性曲线
饱和区
当UCE UBE时，晶体管工
作于饱和状态。 在饱和区，发射结处于正 向偏置，集电结也处于正 偏。 深度饱和时，
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
图4-5 NPN晶体管 共发射极电路特性曲线
图4-38 JFT106型晶体管电压调节器原理图
晶体管电压调节器工作原理
（1）先他励：稳压管VS1截止，VT1截止，VT2、VT3导通。 励磁 电路：蓄电池正极→点火开关→励磁绕组→晶体管VT3→搭铁 →蓄电池负极。
（2）后自励：发电机电压低于调压值时（略）；发电机电压高于 调压值时：稳压管VS1反向击穿导通， VT1导通，VT2、VT3 截止，励磁电路切断。
结构特点：
集电区： 面积最大
集电结
基极 B
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
发射结
E 发射极
发射区：掺 杂浓度最高
（二）电流分配与放大原理
➢ IC要比IB大得多。
➢ IB的小变化引起IC
的大变化。
图4-3 电流放大测试电路
基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变 化的特性称为晶体管的电流放大作用。
3. 分析讨论
（二）晶体管控制白炽灯电路连接与检测 1. 线路连接与检验
图4-41 开关晶体管控制电路图
2. 电路测量
图4-42 标注测量点的开关晶体管控制电路图
3. 分析讨论
模块小结
31 晶体三极管又称为晶体管（或三极管），分为NPN型 和PNP型两种类型；晶体管具有电流放大能力，电流 放大系数是其重要参数之一；晶体管具有饱和导通、 线性放大和截止三种不同的工作状态，对应其输出特 性的饱和区、放大区和截止区；晶体管实现电流放大 作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
图4-5 NPN晶体管 共发射极电路特性曲线
饱和区
当UCE UBE时，晶体管工
作于饱和状态。 在饱和区，发射结处于正 向偏置，集电结也处于正 偏。 深度饱和时，
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
图4-5 NPN晶体管 共发射极电路特性曲线
图4-38 JFT106型晶体管电压调节器原理图
晶体管电压调节器工作原理
（1）先他励：稳压管VS1截止，VT1截止，VT2、VT3导通。 励磁 电路：蓄电池正极→点火开关→励磁绕组→晶体管VT3→搭铁 →蓄电池负极。
（2）后自励：发电机电压低于调压值时（略）；发电机电压高于 调压值时：稳压管VS1反向击穿导通， VT1导通，VT2、VT3 截止，励磁电路切断。
结构特点：
集电区： 面积最大
集电结
基极 B
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
发射结
E 发射极
发射区：掺 杂浓度最高
（二）电流分配与放大原理
➢ IC要比IB大得多。
➢ IB的小变化引起IC
的大变化。
图4-3 电流放大测试电路
基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变 化的特性称为晶体管的电流放大作用。
3. 分析讨论
（二）晶体管控制白炽灯电路连接与检测 1. 线路连接与检验
图4-41 开关晶体管控制电路图
2. 电路测量
图4-42 标注测量点的开关晶体管控制电路图
3. 分析讨论
模块小结
31 晶体三极管又称为晶体管（或三极管），分为NPN型 和PNP型两种类型；晶体管具有电流放大能力，电流 放大系数是其重要参数之一；晶体管具有饱和导通、 线性放大和截止三种不同的工作状态，对应其输出特 性的饱和区、放大区和截止区；晶体管实现电流放大 作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
晶体管及其应用-PPT课件
e UCE
直流下耦合电容C1、C2相当于开路 由直流通道求工作点上的IB： U -U 由图可得 IB= CC BE RB 由晶体管放大原理可求得IC： IC=β IB
式中ICRC前面的负号表示输出 电压与集电极电流IC反相，即 与输入电压反相。
由图又可求得工作点上UCE：
UCE=UCC－ICRC
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电工技术
第 6章
1. 放大电路的组成原则
放大电路的作用是实现对微弱小信号的幅度放大，单凭晶 体管的电流放大作用显然无法完成。必须在放大电路中设置 直流电源，使其保证晶体管工作在线性放大区。因此，放大 电路的组成原则为： (1) 核心元件晶体管必须发射结正偏，集电结反偏； (2) 输入回路的设置应使输入信号耦合到晶体管输入电路， 以保证晶体管的以小控大作用； (3) 输出回路的设置应保证晶体管放大后的电流信号能够转 换成负载需要的电压形式；
iC
Q
Q点的上移造成放 大过程中信号的一 部分进入饱和区， 发生饱和失真，集 电极电流上削波。
ib
放大电路输出电 压同样产生饱和 失真。由于共射 电路输入、输出 反相，因此输出 电压呈下削波。
UCE
u0
结论：VB值大Q点高，饱和失真！
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电工技术
第 6章
基极电位VB设置较低时对Q点的影响
ui
微弱输入 小信号ui
放 大 电 路
u0
幅度大大增强 的输出信号u0
放大电路的核心元件是晶体管，因此，放大电路若要实现 对输入小信号的放大作用，必须首先保证晶体管工作在放大 区。 晶体管工作在放大区的外部偏置条件是：其发射结正向偏 置、集电结反向偏置。此条件是通过外接直流电源，并配以 合适的偏置电路来实现的。
晶体管简介ppt课件
接上页
由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
场效应晶体管及其应用资料课件
在模拟电路中的应用
信号放大
在模拟电路中，场效应管 可作为放大器使用，具有 低噪声、高输入阻抗等优 点。
混频器和振荡器
场效应管可用于构建混频 器和振荡器，用于信号处 理和通信系统。
电源管理
在电源电路中，场效应管 可用来调节电压和电流， 实现高效的电源管理。
在功率电路中的应用
电源开关
在功率电路中，场效应管可作为 电源开关使用，实现高效、快速
注入的均匀性和准确性。
设备选择
03
根据具体的制造工艺选择相应的设备，如氧化炉、光刻机、刻
蚀机和离子注入机等。
06
实际应用案例分析
场效应晶体管在微处理器中的应用
场效应晶体管在微处理器中作 为开关元件，控制电流的通断 。
由于其高速开关特性和低导通 电阻，场效应晶体管在微处理 器中能够实现高速、低功耗的 数据传输。
可靠性问题
随着使用时间的增长，场效应晶体管可能会出现老化、失效等问题 ，影响电子设备的稳定性和寿命。
能效问题
目前场效应晶体管的能效还有待提高，尤其是在低电压、低功耗的 应用场景下，需要进一步优化设计。
未来的发展趋势与前景
新材料与新工艺
绿色环保
随着新材料和先进工艺的发展，场效 应晶体管将不断优化，实现更高的性 能和更低的功耗。
结构
场效应晶体管由源极、漏极、栅极和基片组成，其中栅极通 过绝缘层与基片隔离，通过改变输入电压来控制输出电流。
02
场效应晶体管的性能参数
直流参数
开启电压
指场效应管正常工作所需的最 小电压，也称阈值电压。
漏源饱和电压
当漏极电流达到最大时，对应 的漏源电压称为漏源饱和电压 。
跨导
表示场效应管放大能力的参数 ，定义为电压变化量与电流变 化量的比值。
第六章晶闸管及其应用ppt课件
应用领域：
• 整流〔交流 直流） • 逆变〔直流 交流）
• 变频〔交流 交流） • 斩波〔直流 直流）
此外还可作无触点开关. 等。
一、晶闸管的结构、符号
构造
A〔阳极）
三
P1
四
个
层
N1
PN
半
结
导
P2
体
G〔控制极）
符号
N2
. K〔阴极）
A
A
+
A
P1
P
IA
P1 N1
N1
NN
P2 T1
G
P2 G
G
PP
IG
0.45U21c2oαs
由公式可知：ILU RL L0.4U 5 R2 L1c 2o αs
改变控制角 ，可改变输出电压Uo。
.
2、 单相半控桥式整流电路
1. 电路 2. 工作原理 (1)电压u 为正半周时
T1和D2承受正向 电压。 T1控制极加触 发电压, 则T1和D2导 通，电流的通路为
a T1 RL D2
.
晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向
电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向
电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反
馈，晶闸管仍可维持导通状态。
晶闸管关断的条件： 1. 降低阳极与阴极间的电压，使通过晶闸管的
电流小于维持电流IH 2. 阳极与阴极间的电压减小为零 3.将阳极和阴极间加反相电压
.
§6.2 晶闸管整流电路
一、 单相可控整流电路
1、单相半波可控整流电路
（1〕电路及工作原理uG
A
• 整流〔交流 直流） • 逆变〔直流 交流）
• 变频〔交流 交流） • 斩波〔直流 直流）
此外还可作无触点开关. 等。
一、晶闸管的结构、符号
构造
A〔阳极）
三
P1
四
个
层
N1
PN
半
结
导
P2
体
G〔控制极）
符号
N2
. K〔阴极）
A
A
+
A
P1
P
IA
P1 N1
N1
NN
P2 T1
G
P2 G
G
PP
IG
0.45U21c2oαs
由公式可知：ILU RL L0.4U 5 R2 L1c 2o αs
改变控制角 ，可改变输出电压Uo。
.
2、 单相半控桥式整流电路
1. 电路 2. 工作原理 (1)电压u 为正半周时
T1和D2承受正向 电压。 T1控制极加触 发电压, 则T1和D2导 通，电流的通路为
a T1 RL D2
.
晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向
电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向
电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反
馈，晶闸管仍可维持导通状态。
晶闸管关断的条件： 1. 降低阳极与阴极间的电压，使通过晶闸管的
电流小于维持电流IH 2. 阳极与阴极间的电压减小为零 3.将阳极和阴极间加反相电压
.
§6.2 晶闸管整流电路
一、 单相可控整流电路
1、单相半波可控整流电路
（1〕电路及工作原理uG
A
第二章晶体管-PPT课件
例题
1、由电极电位判断三极管的工作状态。
在电路中，测得下述6组三极管三个极的电位： c 1）NPN管：(1) 1V (2) 0.3V (3) 2V (2) e~0.3V (3) e~2V c~0.7V c~5V 0.3V 0.7V 5V 3V 1V 1V
b e
解： (1) b~1V;e~ 0.3V ;c~ 3V (硅管，放大）
特点
6
9
iC(mA )
4
3 2 1 3 6 9
此区域中 : 100A IB=0, IC=ICEO, 80A UBE< 死区 60A 电压，称为 截止区。 40A
20A iB=0 12 vCE(V)
特点
输出特性三个工作区域的特点:
（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
iC i B , 且 IC = IB 即：
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：VCEVBE ， IB>IC，VCE0.3V (3) 截止区： VBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
输出特性
V V V A C E Q A r c e IC IC Q Q
2.1.3 温度对晶体管特性曲线的影响
T (C )
RC VC
VB
输出特性
vCE =0.5V
vCE=0V
iB(A)
80
60 40 死区电 20 压，硅管 0.5V，锗 管0.2V。
vCE 1V 工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4
0.8
vBE(V)
输入特性
二、共射输出特性曲线
i (mA ) iC f (v )| C i = 常数 C E
第6章 晶体管及其应用(1) PN结及晶体二极管
扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子 扩散
形成空间电荷区
产生内电场
促使
少子 漂移
阻止P区 N区P区源自空间电荷区N区＋ ＋ ＋
＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋
＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋
＋ ＋ ＋
载流子的扩散运动
内电场方向 PN 结及其内电场
第3页
继续讨论
扩散运动和漂移运动相互联系又相互矛盾，扩散使空间 电荷区加宽，促使内电场增强，同时对多数载流子的继续扩 散阻力增大，但使少数载流子漂移增强；漂移使空间电荷区 变窄，电场减弱，又促使多子的扩散容易进行。
正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对 多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对
少数载流子起推动作用，把少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
第3页
PN结中的扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的。在一定条 件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数 载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷 区的宽度基本稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。
pn结及晶体二极管结及晶体二极管晶体三极管及基本放大电路晶体三极管及基本放大电路集成运算放大器功率放大器集成运算放大器功率放大器第第77章章门电路及组合逻辑电路门电路及组合逻辑电路第第88章章触发器和时序逻辑电路触发器和时序逻辑电路第第99章章555555定时器及其应用定时器及其应用第二篇第二篇61pn61pn6216216226226236236262624624625625物质按导电能力的不同可分为导体半导体和物质按导电能力的不同可分为导体半导体和绝缘体绝缘体33类
N型半导体
在纯净的硅（或锗）中掺入微量的磷或砷等五价元 素，杂质原子就替代了共价键中某些硅原子的位置，杂 质原子的四个价电子与周围的硅原子结成共价键，剩下 的一个价电子处在共价键之外，很容易挣脱杂质原子的 束缚被激发成自由电子。同时杂质原子由于失去一个电 子而变成带正电荷的离子，这个正离子固定在晶体结构 中，不能移动，所以它不参与导电。 杂质离子产生的自由电子不是共价键中的价电子， 因此与本征激发不同，它不会产生空穴。 由于多余的电子是杂质原子提供的，故将杂质原子 称为施主原子。
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大区。
晶体管工作在放大区的外部偏置条件是：其发射结正向
偏置、集电结反向偏置。此条件是通过外接直流电源，并配
以合适的偏置电路来实现的。
三种基本组态的晶体管放大电路
晶体管放大电路一般有三种组态：
e
c
c＋
e＋ ＋
＋
b
b
b
＋
ui
－
u0 ＋
e
－
ui
－
u0 c
ui
－
－
u0
－
共发射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路
需放大的信号电压 ui通过C1转换为放大电路的输入电流， 与基极偏流叠加后加到晶体管的基极，基极电流iB的变化通 过晶体管的以小控大作用引起集电极电流 iC变化；iC通过RC 使电流的变化转换为电压的变化，即： uCE=UCC- iCRC
由上式可看出：当 iC增大时，uCE就减小，所以 uCE的变 化正好与 iC相反，这就是它们反相的原因。uCE经过C2滤掉 了直流成分，耦合到输出端的交流成分即为输出电压 u0。 若电路参数选取适当，u0的幅度将比 ui 幅度大很多，亦即 输入的微弱小信号 ui 被放大了，这就是放大电路的工作原
由直流通道求工作点上的IB：
由图可得
IB=
UCC-UBE RB
由晶体管放大原理可求得IC：
IC=βIB
式中ICRC前面的负号表示 由图又可求得工作点上UCE：
输出电压与集电极电流IC
UCE=UCC－ICRC
反相，即与输入电压反相。
已知图示电路中UCC=10V，RB=250KΩ，RC=3KΩ， β=50，试求该放大电路的静态工作点Q。
+UCC
电路提供合适的 静态工作点。
C1+
有极性电解电
RC
RB
+C2
3DG6管
向放大电路提供能 量，并保证晶体管 工作在放大区
容的作用是隔
离直流和让输
入交流信号顺
利通过。
有极性电解电容的作
晶体管在放大电路 中起以小控大的能
量控制作用
用是隔离直流和让放 大的交流信号顺利输 出。
3. 共射放大电路的工作原理 iC 反相！ uCE
无论放大电路的组态如何，其目的都是让输入的微弱小信 号通过放大电路后，输出时其信号幅度显著增强。必须清楚： 幅度得到增强的输出信号，其能量并非来自于晶体管，而是 由放大电路中的直流电源提供的。晶体管只是实现了对能量 的控制，使之转换成信号能量，并传递给负载。
1. 放大电路的组成原则
放大电路的作用是实现对微弱小信号的幅度放大，单凭 晶 体管的电流放大作用显然无法完成。必须在放大电路中设置 直流电源，使其保证晶体管工作在线性放大区。因此，放大 电(1路) 核的心组元成件原晶则体为管：必须发射结正偏，集电结反偏；
基极固定偏置电流
IC
ICRC
输入交流信号电流
iB
IB
0
t
0
t
IB
+UCC
放大后的集电极电流
0
t
信号电流和基极 固定偏流的叠加
ui
C1+ ib
RB
iB b
c
RC iC
+C2
3DG6uCE
0
t ui
e
iCu通0 过RC将放大的 电流转换为放大的
晶体管电压输出。
0
t
u0
输入信号电压
uCE经C2滤掉了直流 成分后的输出电压
电
扩音器中放大电路的组成 源
放大电路的放大作用，实质是把直流电源UCC的能量转移
给输出信号。输入信号的作用则是控制这种转移，使放大电
路输出信号的变化重复或反映输入信号的变化。
幅度大大增强
ui
放
大 电
u0
的输出信号u0
微弱输入
路
小信号ui
放大电路的核心元件是晶体管，因此，放大电路若要实
现对输入小信号的放大作用，必须首先保证晶体管工作在放
理。
放大电路的基本概念 是什么？放大电路中 能量的控制与变换关
系如何？
说明共发射极电压放大器 输入电压与输出电压的相位 关系如何？
放大电路中各电 压、电流的符号 有何规定?
基本放大电路的组 成原则是什么？以 共射组态基本放大 电路为例加以说明
你会做吗？
如果共发射极电压
放大器中没有集电极 电阻RC，能产生电压
集电极电阻
放大电路的核心元 件——三极管
耦合电容 C1+
基极电阻 基极电源
RB UBB
R+CC 2
3DG6管
耦合电容
UCC
集电极电源
上图所示为双电源组成的共发射极基本放大电路。
实际应用中，共射放大电路通常采用单电源供电，各部
分的作用分别如下：
RC的作用是将放大的集电极电流
转换成晶体管的输出电压。
基极偏置电阻 的作用是为放大
放大吗？
二、 基本放大电路的静态分析
输入信号ui=0、只在直流电源UCC作用下电路的状态称 “静态”。静态分析就是要求出此时的IB、IC和UCE三数值。
1.放大电路静态分析的估算法
C1+
RB IB
b
UBE
＋UCC
IC C 放
RC+ 2
大 电
c
路
3DG6
的 直
e
UCE
流 通
道
直流下耦合电容C1、C2相当于开路
(2) 输入回路的设置应使输入信号耦合到晶体管输入电路， 以保证晶体管的以小控大作用；
(3) 输出回路的设置应保证晶体管放大后的电流信号能够转 换成负载需要的电压形式；
(4) 不允许被传输小信号放大后出现失真。
2. 共射放大电路的组成及各部分作用
共发射极放大电路是电子技术中应用最为广泛的放大电 路形式，其电路组成的一般形式为：
所谓“放大”，是指将一个微弱的电信号，通过某种装
置，
得到一个波形与该微弱信号相同、但幅值却大很多的信号输
出。这个装置就是晶体管放大电路。“放大”作用的实质是
电
为 放
路对电流、电压或输能入量信号的源控制作用。 扬声器负载
大 器
提
话筒送来的微 弱音频信号
RS +
放大电路
+ i0 u0
－US－Biblioteka 供 能 量 的 直 流学习目的与要求
了解放大电路的基本概念及结构组成； 熟悉低频小信号放大电路及功率放大器的 工作原理；理解静态工作点的图解法，掌 握其微变等效电路的估算法；熟练掌握分 压式偏置的共发射极放大电路静态情况下 的特点、动态情况下的特点；理解反馈对 放大电路性能的影响。
一、 基本放大电路的概念及工作原理
放大电路是电子技术中应用十分广泛的一种单元电路。
显然，放大电路内部各电流、电压都是交直流共存的。
共射放大电路工作原理
放大电路内部各电压、电流都是交直流共存的。其直流分 量及其注脚均采用大写英文字母；交流分量及其注脚均采用 小写英文字母；叠加后的总量用英文小写字母，但其注脚采
用大写英文字母。例如：基极电流的直流分量用IB表示；交 流分量用ib表示；总量用iB表示。
＋UC IC C
IB
10 0.7 250
37.2μA
I C 50 0.0372 1.86mA