晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？
什么是晶体管测试仪？晶体管测试仪如何正确使用？一、晶体管测试仪作用可测试仪性能稳定，能自动读出准确数据，使用方便，适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。
它可测各种二极管，三极管，可控硅，MOS场效应管;能判断器件类型，引脚的极性，输出HFE，阀电压，场效应管的结电容，附加条件可测电容和电阻等。
特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。
二、什么是晶体管测量仪器?众所周知，晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN 型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
三、XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
晶体管特性图示仪QT2操作规程MicrosoftWord文档
晶体管特性图示仪态QT2 操作规程一、测试前的开关与调节
二、各类晶体管的操作方法
三、注意事项
1、不要在放有易燃易爆品的地方使用仪器；
2、仪器特别是连接测试件的测试导线应远离强电磁场，以免对测量产生干拢；
3、打开电源前确保接好了保护地线以防电击，且应避免交流电的零线用作保护地线；
4、不要不接保护地线或不接保护地线，否则将造成潜在的电击伤害；
5、无保护地线和保险丝时请勿使用仪器；
6、仪器测试完毕、排除故障需打开仪器或更换保险丝前需切断电源和负载；
7、未经许可严禁取下仪器外壳和拆卸仪器的任何部件；
8、打开电源预热10分钟后仪器才可进入正常工作状态；
9、对被测管的的主要直流参数要熟悉了解，特别要了解该被测管的集电极最大允许耗
散功率P cm,集电极对其它极的最大反向击穿电压，如BV CEO、BV CBO、BV CRR，集电极最大允许电流Ｉcm等主要指标；
10、在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同，即选择PNP或NPN的开关置于
规定位置；
11、将集电极电压输出电压不应超出被测管允许的集电极电压，一般情况下将峰值电压
旋至零，防止被测管损坏；
12、对被测管进行必要的估算，以选择合适的注入阶梯电流或电压，此估算的原则以不
超过被测管的集电极最大允许耗损功率；
13、在进行Ｉcm的测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测管被电流击穿；
14、在进行Io或Ｉcm测试中，应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的
16、注意仪器保养，操作人员离开岗位必须断开仪器电源。
制定部门：制定：审核：核准：。
晶闸管知识
(2) 反向重复峰值电压 URRM
信息来源:
门极开路，元件额定结温时，从晶闸管阳极伏安特性反向阻断高阻区(图 1-10 中曲线④) 反向漏电流急剧增长的拐弯处所决定的的电压称为反向不重复峰值电压 URSM，这个电压是 不能长期重复施加的。取反向不重复峰值电压的 90%定义为反向重复峰值电压 URRM，这个电 压允许重复施加。
(2) 线路采用过流检测装置，由过流信号控制触发器抑制过流，或接入过流继电器。 (3) 安装快速熔断器。快速熔断器的动作时间要求在 10ms 以内，熔断体的额定电流 IKR 可
按以下原则选取： 1.57IT(AV)≥IKR≥IT IT(AV)为元件额定电流，IT 为元件实际工作电流有效值 四. 晶闸管门极触发 参数表中所给晶闸管 IGT、VGT 为能触发元件至通态的最小值，实际使用中，晶闸管门 极触发 IGT、VGT 应远大于此值。 应用中门极触发电流波形对晶闸管开通时间、开通损耗以及 di/dt 承受能力，都有较大 影响。为保证元件工作在最佳状态，并增强抗干扰性能，对仪元公司所有晶闸管，建议 门极触发脉冲电流幅值：IGM=2～5A(<10A)，上升率：diG/dt≥2A/μs，上升时间： tr≤1μs。即采用极陡前沿的强触发脉冲(见图四)。
流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑，即
IT(AV)=(2-3)I/1.57 假设逆变器直流输入电流为 Id，则所选器件 I 为 T(AV) IT(AV)=(2-3)×Id/(1.57 )
(3) 关断时间 tq
并联逆变线路中，KK 元件的关断时间选择要根据触发引前时间 tf 和换流时间 tr 来决定。 一般取：
(4) 通态平均电压 UT(AV)
信息请登陆:输配电设备网
多功能晶体管测试仪使用说明12864LCV2.011资料
多功能晶体管测试仪使用说明V2.01120150301 1、功能介绍1.1、晶体管测试仪可以完全自动识别及测量三极管、场效应管、IGBT、二极管、双二极管、电阻、双电阻、电容、电感等，可测电容ESR(非在线测量)等功能。
1.2、简易信号发生器(方波)：最高4MHz, 频率可调非连续输出，如4M、2M、1M、.... 100K ... 1KHz等。
单键调整输出稍麻烦一点，但可满足一般性使用。
输出信号电压：4.5V 串680欧电阻。
本功能状态下不自动关机，也不能手动关机，1.3、A频率计：0-3.8Mhz，输入信号电压2.5-5V.，分辨率1Hz。
可定制为7.6MHz高分辨率模式，0.1hz-130Khz 分辨率0.001hz, 100hz以下1-10秒，在测频状态下单击，屏幕上显示“Hi”，切换为高分辨率模式，超过130Khz自动切回正常模式。
已校准过B高精度频率计，16Hz-100Mhz.，输入信号电压2.5-5V，分辨率16Hz。
高分辨率模式，2hz-2.1Mhz 分辨率0.02hz, 1.6K以下1-10秒，在100M状态下单击，切换为高分辨率模式，屏幕上显示“Hi”，超过2.1M自动切回正常模式。
已校准过C高精度频率计，1024Hz-2.4Ghz.，输入信号电压30mV，分辨率1024Hz。
可用于对讲机发射频率测试。
高分辨率模式，102hz-137Mhz 分辨率1hz, 100K以下1-10秒，在2.4G状态下单击，切换为高分辨率模式,屏幕上显示“Hi”，超过137M自动切回正常模式。
由于易受干扰500K 以下不能很好测量。
非完全测试,2.4G没条件测试，500MHz测试ok。
已校准过,2.4G 灵敏度高，有时不接输入信号也会有输出，易受到干扰。
信号输入线宜用屏蔽线。
可自己DIY加个双掷开关切换 2.4G和100M 两档输入信号，并且双击切换档位，显示2.4G 或100M ABC为三选一功能1.4、可在线ESR: 测量时接入 1 3 口， 0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。
晶闸管参数应该如何选择
嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅，国外简称为SCR元件，是硅整流装置中最主要的器件，它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。
合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命，保证生产和降低设备检修成本费用。
在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项：即额定电流(A)和额定电压(V)，使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数，在一般情况下也是可以的。
但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。
根据可控硅的静态特性，对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。
1 选择正反向电压可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VBO，可控硅由阻断突然转为导通，这个VBO值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。
所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。
在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。
当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。
而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。
在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。
在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。
因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。
可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。
晶闸管的结构以及工作原理
一、晶闸管的基本结构晶闸管（SemiconductorControlled Rectifier 简称SCR ）是一种四层结构（PNPN ）的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。
它有三个引出电极，即阳极（A ）、阴极（K ）和门极（G ）。
其符号表示法和器件剖面图如图1所示。
图1 符号表示法和器件剖面图普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散P 型杂质（铝或硼），形成211P N P 结构，然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质（磷或锑）形成阴极，同时在2P 上引出门极，在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。
图2、晶闸管载流子分布二、晶闸管的伏安特性晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定的。
通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系，如图3所示。
图3 晶闸管的伏安特性曲线当晶闸管AK V 加正向电压时，1J 和3J 正偏，2J 反偏，外加电压几乎全部降落在2J 结上，2J 结起到阻断电流的作用。
随着AK V 的增大，只要BO AK V V <，通过阳极电流A I 都很小，因而称此区域为正向阻断状态。
当AK V 增大超过BO V 以后，阳极电流突然增大，特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。
晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ，器件压降为1V 左右，特性曲线CD 段对应的状态称为导通状态。
通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。
晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下，器件才能被关断。
当晶闸管处于断态（BO AK V V <）时，如果使得门极相对于阴极为正，给门极通以电流G I ，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。
转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数，G I 越大，BO V 越小。
如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号，器件仍然然导通。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。
以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。
- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。
2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。
这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。
3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。
- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。
- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。
如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。
4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。
- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。
常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。
5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。
如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。
- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。
请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。
在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
三、测试步骤：“电压调节”
1.“电压调节”钮逆时针调节到底。
2.打开“电源”开关。
3.“保护电流设定”开关选择一组需要值。
4.将被测器件接在接线端子上。
上海华晶整流器有限公司
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-004
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
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项目
晶体管VDRM、IDRM、VRRM、IRRM参数测试仪操作规程
一、试仪是断态电压及电流VDRM、IDRM和反向电压及电流VRRM、IRRM的专用测试设备，适用于检测各种晶闸管、整流管及可控、整流模块。
8.顺时针调节“电压调节”钮，同时从“电流(mA)”显示表和“电压(V)”显示表中读取数值。
9.测试完毕后必须将“电压调节”来自逆时针调节。注：①“电压(V)”显示表显示值不为零时，不能改变“极性”选择键。
②测试电压值达到3000V以上时，其测试持续时间不能大于30秒。
编制：
审核：
批准：
5.“电流”量程键，选择需要位置。为了保证测量精度，优选20mA档。如果测试电流大于20mA，“电源(mA)”显示表显示“1”。
6.“电压”量程键选择需要位置。为了保证测量精度，优选X1档。如果测试电压大于2000V，“电压(V)”显示表显示“1”。
7.按动“复位”键(如保护指示灯灭，可不按此按钮)。
晶闸管和双向可控硅应用规则
晶闸管和双向可控硅应用规则闸流管闸流管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
导通让门极相对阴极成正极性，使产生门极电流，闸流管立即导通。
当门极电压达到阀值电压VGT ，并导致门极电流达到阀值IGT，经过很短时间tgt（称作门极控制导通时间）负载电流从正极流向阴极。
假如门极电流由很窄的脉冲构成，比方说1μs，它的峰值应增大，以保证触发。
当负载电流达到闸流管的闩锁电流值 I L 时，即使断开门极电流，负载电流将维持不变。
只要有足够的电流继续流动，闸流管将继续在没有门极电流的条件下导通。
这种状态称作闩锁状态。
注意，VGT ，IGT和IL参数的值都是25℃下的数据。
在低温下这些值将增大，所以驱动电路必须提供足够的电压、电流振幅和持续时间，按可能遇到的、最低的运行温度考虑。
规则 1 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧I GT ，直至负载电流达到≧I L 。
这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。
灵敏的门极控制闸流管，如 BT150，容易在高温下因阳极至阴极的漏电而导通。
假如结温 T j 高于 T jmax , 将达到一种状态，此时漏电流足以触发灵敏的闸流管门极。
闸流管将丧失维持截止状态的能力，没有门极电流触发已处于导通。
要避免这种自发导通，可采用下列解决办法中的一种或几种：1. 确保温度不超过Tjmax。
2. 采用门极灵敏度较低的闸流管，如BT151，或在门极和阴极间串入1kΩ或阻值更小的电阻，降低已有闸流管的灵敏度。
3. 若由于电路要求，不能选用低灵敏度的闸流管，可在截止周期采用较小的门极反向偏流。
这措施能增大IL。
应用负门极电流时，特别要注意降低门极的功率耗散。
截止（换向）要断开闸流管的电流，需把负载电流降到维持电流 I H 之下，并历经必要时间，让所有的载流子撤出结。
在直流电路中可用“强迫换向”，而在交流电路中则在导通半周终点实现。
（负载电路使负载电流降到零，导致闸流管断开，称作强迫换向。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。
下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。
首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。
除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。
同时还需要一些测试引线和测试探头。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。
接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。
第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。
在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。
插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。
接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。
晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。
通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。
在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。
例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。
这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。
接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。
在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。
同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。
最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。
同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。
总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。
元器件参数测试仪设备安全操作规程
元器件参数测试仪设备安全操作规程本文档旨在制定元器件参数测试仪设备的安全操作规程，以确保设备的正常运行和使用者的人身安全。
所有使用设备的人员应严格遵守本规程并遵循设备的使用说明进行操作。
设备使用前的准备工作在使用元器件参数测试仪设备之前，需要进行以下准备工作：1.检查设备是否处于完好无损的状态，如发现任何异常情况都应立即停用设备并通知相关人员进行处理。
2.确认设备是否接地正确，以保障使用者的人身安全。
3.根据设备的说明书和实验要求，安装测试用具，并检查测试用具是否合适。
4.检查设备是否正确连接电源，并确认电源符合相应标准。
设备的操作流程在进行元器件参数测试仪设备的操作时，需要按照以下步骤进行：1.先将设备连接电源，通知LED指示灯亮起后，按下设备上的电源开关。
等待设备启动。
2.根据实验要求，调节设备上相应的参数，如电压、电流等。
3.将待测元器件安装到测试用具上，并使用测试用具正确连接元器件。
4.按下设备上的测试按钮进行测试，等待测试完成。
5.根据测试结果判断元器件质量，确认测试完成。
6.操作完成后，先关闭设备的电源开关，等待设备停止工作。
设备的维护与保养为了保障设备的正常使用，需要进行设备的维护与保养：1.定期对设备进行清洗，并检查设备的各个部件是否正常工作。
2.定期对设备进行校准，保证测试结果的准确度。
3.检查设备的电源线和其它连接线是否正常，有无损伤或老化现象，并修复或更换损坏的部分。
4.对设备电源开关、旋钮、按钮等部件进行定期保养，保持其灵敏度和正常工作状态。
设备的安全注意事项在使用元器件参数测试仪设备的过程中，需要注意以下事项：1.使用设备时，应严格按照操作规程进行操作，不得随意调节设备参数或进行非法操作。
2.警惕电源电压过大，可能会导致设备和使用者的伤害，应使用符合要求的电压。
3.严禁对设备的电源线和连接线随意插拔，操作时需保证它们的安全可靠连接。
4.禁止试图去拆卸设备壳体内部部件。
5.如发现设备短路、过负荷等异常情况，应立即停止使用设备，并关闭设备电源开关，通知相关人员进行处理。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明一、准备工作1.将晶体管测试仪放置在平稳的台面上，并插入电源插头。
2.确保晶体管测试仪的电源开关处于关闭状态。
二、连接测试电路1.将待测晶体管正确插入测试仪的晶体管插座中，确保引脚与插座相对应。
2.连接测试电路。
根据待测晶体管的类型和测试要求，将测试仪的输入和输出端子连接到电路中。
可以通过连接线将测试仪的输入端子与输入信号源连接，将输出端子与负载电阻连接。
三、调整测试仪参数1.打开晶体管测试仪的电源开关，待测试仪开始运行。
2.调整测试仪的工作模式。
根据待测晶体管的类型和测试要求，设定测试仪的工作模式，例如共射、共基或共集模式。
3.调整输入信号源的频率和幅值。
根据测试要求，设定输入信号源的频率和幅值。
可以通过测试仪上的旋钮或按钮进行调节。
四、进行测试1.运行测试仪，开始测试。
根据测试仪的提示或指示灯，逐步进行测试。
2.测试参数的测量。
根据测试仪的操作说明，逐个测量待测晶体管的参数，例如电流放大倍数、输出阻抗和截止频率等。
可以使用测试仪上的按钮或旋钮进行参数测量，并观察测试仪的显示屏或指示灯。
五、结束测试1.结束测试。
根据测试要求，停止输入信号源的工作，并将测试仪的电源开关关闭。
2.拔出待测晶体管。
轻轻拔出待测晶体管，注意不要损坏晶体管或测试仪的插座。
3.关闭电源。
将晶体管测试仪的电源开关关闭，并拔出电源插头，以确保安全和省电。
六、注意事项1.在进行测试之前，确保待测晶体管和测试电路没有电流，并断开电源。
2.在测试时，可以参考晶体管的参数手册，并根据其引脚配置和测试要求进行正确连接和调整。
3.在进行高频测试时，尽量减少测试线的长度，以减少信号衰减和干扰。
4.在使用过程中，注意安全，避免触摸高压或高温区域。
5.使用完毕后，及时清理晶体管测试仪上的灰尘和杂物，并妥善保管，以确保下次使用时的正常运行。
晶体片测试仪技术安全操作规程
晶体片测试仪技术安全操作规程前言晶体片测试仪（Crystal Tester）是一种用于测试晶体管、二极管、三极管等元器件参数的重要设备。
在使用晶体片测试仪时，必须严格按照操作规程进行操作，以确保测试的准确性和安全性，避免出现设备故障或人身伤害等事故的发生。
本文档旨在规范晶体片测试仪的安全操作，以帮助用户避免潜在的风险。
设备准备在使用晶体片测试仪前，需要先进行设备准备工作。
具体步骤如下：1.根据设备供应商提供的操作说明，正确连接晶体片测试仪与电源、被测元器件等相关设备。
2.启动晶体片测试仪，进行系统自检，确保设备正常。
3.根据被测元器件的类型和参数要求，选择相应的测试模式和测试方法。
操作流程1.将待测元器件正确插入设备测试插座，注意端口标识和插头引脚引线的正确对接。
2.根据被测元器件的类型选择相应的测试模式，开启测试程序。
3.等待测试结果测出后，确认测试结果准确无误并记录。
如不准确可再次进行测试，直至测试结果准确。
4.在测试过程中，严禁碰触设备的内部元器件，以及非设备使用者的干预操作。
安全注意事项1.在设备操作前，需确保操作者已经熟知文档中规程条及技术描述。
2.晶体片测试仪的电源功率较大，使用前需要确认设备连接到符合标准的电源插座，电流稳定传输且安全可靠。
在使用过程中，应该注意日常检查电线缆及插头的状态和接头是否松动等，如有问题请立即停止使用，并联系维修人员处理。
3.未经设备生产商或相关专业人员授权，严禁对晶体片测试仪进行拆卸、维修等非专业操作。
4.使用过程中禁止触碰设备插座以及按钮区域，确保插头表面干燥，空气环境干燥和稳定。
5.在清洁设备表面时，应该使用干燥、清洁、柔软的布进行清理，严禁使用酸性、碱性或研磨性物质。
6.在测试过程中，应该注意库房或实验室内杂物堆放等安全问题，避免打翻容易燃的物质，或引发火灾。
总结晶体片测试仪的操作规程与安全操作，是关乎到我们实验室中电子元器件测试的准确性和人员安全的重要规范。
晶体管图示仪使用方法
根据晶体管交流输入电阻的定义
可以从输入特性曲线上估算出被测晶体管的输入电阻 rbe 。具体方法是：根据静态工作点的参数，在图示仪的曲线上确定静态工作点 Q 的位置，求出曲线在该点的斜率，（如图 1.2.6 所示）即 可 求 得 被 测 晶 体管在 Q 点处的 rbe 。
的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
(6)“零电压”、“零电流”开关
此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时，才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。
根据所显示的正向特性曲线，可测试出被测二极管在某一电压ＶF下的正向电流Ｉ F ，正向直流电阻ＲF 和正向交流电阻 rF 等常用参数。
正向电流 ＩF ：如图1.2 .7 所示，对于不同的正向电压ＶF ，可从曲线上测出相应的正向电流ＩF 。
正向直流电阻 Ｒ F：ＶF 和 ＩF 的比值即为相应工作点处的正向直流电阻 ＲF 。
(3)“峰值电压范围”开关和“峰值电压％”旋钮
“峰值电压范围’’是5个挡位的按键开关。“峰值电压％”是连续可调的旋钮。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡，都必须在开始时将“峰值电压％”置于0位，然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后，“峰值电压％”旋钮应回调至零。
下面以 NPN 型三极管为例，说明具体的测试方法：
(3) 测量晶体管共射输出特性曲线及有关参数
将被测的晶体管 (如 3DG6 ) 插入测试台。将屏幕的光点调到屏幕的左下角。根据第 ( 2 ) 部分“主要旋钮的作用及选择”中的原则，将各旋钮置于适当的位置，即可在图示仪的屏幕上显示出如图 1.2.5 所示的晶体管输出特性曲线。根据输出特性曲线，可测试出晶体管的输出电阻 rce、电流放大倍数 β以及穿透电流ＩCEO。
QT2晶体管测试仪
仪器型号QT2KTD 上海科梯达电子科技有限公司文件编号QG/ESM04-2011-04-008 页码仪器名称晶体管测试仪操作指导书版本A/0 8/1 生效日期2012/05/22注意事项使用仪器前必须注意以下项，以保证正确，安全的进行测试。
1 对被测管的主要进流参数的熟悉与了解，特别了解该被测管的集电极最大允许耗散功率P CM，集电极对其它极的最大反向击穿电压台BV CEO，BV CBO，BV CER，集电极最大允许电流I CM等主要指示。
2 在测试前首先将极性与被测管所需要的极性相同即选择PNP或NPN的开关置于规定位置，这样基本上确定了被测管的集电极电压极性，阶梯极性，以及测量象限。
3 将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，一般情况下将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级，并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参为原则。
4 对被测管进行必要的估算，以选择合适的注入阶梯电流或电压，此估算的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率。
估算方法一般取被测管β为100级/族为10级此时在管子的承受功率P C＝Ιｂ×10级×β×V CE在发射极接地的情况下）P C≤P CM。
5.在进行I CM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿。
6.在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流。
具体数据列表如下：电压档级10V 50V 100V 500V 5KV允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5mA在进行50A（10V）档级时当实际测试电流超过20 A时以脉冲阶梯为宜操作图示变更履历备注：核准审核编制标记日期编制审核图(1)说明：1、显示调节；2、X Y电流/度K2-13、级/秒，100%占空比，调零，级/族(从上而下)4、S选择，S电压，极性，NPN/PNP选择。
可控硅参数符号说明
可控硅参数符号说明参数符号说明:IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数K P200A—500A平板型普通晶闸管参数KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管KP2000A—4500A 平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管可控硅整流器件YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性单、双向可控硅（SCR,TRIAC）K S5A—50A 螺栓型双向晶闸管K S200A—800A 平板型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管KG50A—1200A 平板型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表2表2 KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
硅双向触发二极管参数部分国外型号双向可控硅参数固体继电器参固体继电器参数术语1.输入电压范围（单位：V）在规定的环境温度下，施加在输入端，使输出端维持“导通”状态的电压范围。
可控硅(晶闸管)检验指导书
① a.当击穿电压小于500V时，X电压/度旋钮根据击穿电压的值适当选 择合适的档位，Y电流/度旋钮根据击穿曲线大小选择合适档位，一般 串联电阻置于1KΩ档，功耗电阻置于10KΩ档，输入开关置于零电流。 应符合技术规格书的要求，公司常用可控硅(晶闸管)正﹑反向阻 b.将可控硅(晶闸管)的A1(T1)﹑A2(T2)与测试仪A或B输出端的E、C相 断峰值电压如下： 连，然后逐渐增大峰值电压，直至产生击穿曲线为止，读数完毕应迅 BTA06-600C﹑BTA08-600C 600V/800V； BT169D 速将峰值电压置零，然后将可控硅(晶闸管)的A1(T1)﹑A2(T2)与测试 400V/400V； BT136-600E ﹑BT137-600E 600V/600V 。 仪A或B输出端的C、E相连,测试其反向阻断峰值电压。 ② 当击穿电压接近或大于500V时，则需将选择5000V输出档，同时测 试座接高压输出端，测试时，需白色测试按钮。
修改状态：A 类 别
王志鹏
审 核 重要度 关键件
物 料名称 序号 检验项目
可控硅(晶闸管)
页
码 第 1 页 共4 页 抽样方案
技术要求
1.引脚及散热片表面无绣斑等附着物,引脚无变形或受损情况； 2.表面的标识清晰﹑耐磨； 3.环保料在其本体或包装箱表面应该有相应的标识； 4. 检查产品上的生产批号、生产周期是否和外包装的条形码的 标识一致。 1.A1(T1)﹑A2(T2)﹑G脚的位置与要求相符； 2.引脚的尺寸及间距与技术图纸或样品相符； 3.管子本体尺寸与要求相符；
检验方法
检验器具
光学放大镜 酒精
1
*外观及标识
目测，必要时采用光学放大镜及酒精辅助测试。
IL=Ⅱ， AQL=2.5
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（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
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