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微波谐振器

微波谐振器
矩形谐振腔的主模即为前面介绍的101te74金属波导谐振腔矩形波导谐振腔201151237介质无损耗时的q10te电场储能腔体内壁的功率损耗金属壁的表面电阻媒质的固有阻抗74金属波导谐振腔矩形波导谐振腔201151238介质有损耗时的q介质的耗散功率介质的损耗正切当腔壁和介质都存在着损耗时
《第七章 微波谐振器》学习导航
谐振器为并联 RLC 电路:
Qe
RL
0L
2021/7/17
谐振电路
Q
RL
谐振器与外部负载连接
22
第7章 微波谐振器
7.2 串联和并联谐振电路
⑶ 有载 Q 值
⒊ 有载 Q 值和外部 Q 值
定义为谐振器与外部负载相连接时,将外部 负载考虑在内的品质因数;
谐振时总的储能
QL 0 负载耗损功率+谐振电路损耗功率
⑴ 谐振时的参量
⒈ 串联⒈谐振串电联路谐振电路
传送给谐振器的复功率:
⒉ 串联谐振电路
Pin
1 VI* 2
1 2
I
2(R
jL
j 1)
C
Pl 2 j (Wm We )
输入阻抗:
Z in
R
jL
j1
C
Pl
2
j (Wm
I2 2
We )
R
谐振时 Wm We
谐振频率:
2021/7/17
0 1
LC
⒊ 电有载阻Q的值耗和散外功部率Q值
若谐振器无耗:1 R 0
2021/7/17
1 2 jC( 0 )
21
第7章 微波谐振器
7.2 串联和并联谐振电路
⑴ 空载 Q 值
⒊ 有载 Q 值和外部 Q 值

微波技术基础课件第七章微波谐振器

微波技术基础课件第七章微波谐振器

第7章 微波谐振器
从上述分析可知,谐振器的Q0和R0都与谐振器中的损 耗功率成反比,因而比值R0/Q0便与损耗无关,而只与几何 形状有关,而且R0/Q0与频率也无关。这就允许在任意频段 上对R0/Q0进行测量。因此在实际工程设计中,可将谐振器 的所有尺寸按线性缩尺方法做成模型,进行模拟测量。这 样,在较高频率时,就可以避免尺寸很小的精密加工困难 问题,而在频率较低时,则可不必浪费材料去加工尺寸很 大的谐振器。
E Ai Ei (r)e jit
同时由式(7.1-1)
H
j
Ai
Hi (r)e jit
1 Ei (r) ki Hi (r)
1 Hi (r) ki Ei (r)
(7.1-14) (7.1-15)
第7章 微波谐振器
对于谐振器任一自由振荡模式,可以证明其最大电场
We
1 | E |2 dv
V2
Wm
T(t) Aie jit
(7.1-8)
式中Ai为任意常数,由起始条件决定,亦即由谐振器起始激
励条件决定。
式(7.1-7)为本征值方程,ki为本征值。在选定坐标系后, 可用分离变量法求解。设其特解为Ei(r),于是得到式(7.1-3)
E Ei (r) Aie jit
(7.1-9)
E
E Ei (r) Aie jit i 1
联等效电路。设电路两端的电压为V=Vm sin (ωt+φ),则谐 振器中的损耗功率为 Pl G0Vm2 / 2
G0
2Pl Vm2
(7.1-26)
第7章 微波谐振器
图 7.1-3 微波谐振器的等效电路
第7章 微波谐振器
式中Vm是等效电路两端电压幅值。Pl可由式(7.1-23)求得。 这样,为了计算谐振器的损耗电导G0就必须确定Vm值,然 而,对于微波谐振器,其内不管哪个方向都不属于似稳场, 因而两点间的电压与所选择的积分路径有关,故G0不是单 值量。因此严格讲,在一般情况下,微波谐振器的G0值是 难以确定的。尽管如此,我们还是可以设法在谐振器内表 面选择两个固定点a和b,并在固定时刻可以沿所选择路径 进行电场的线积分,并以此积分值作为等效电压Vm的值,

微波技术基础 第07章 微波谐振器 1

微波技术基础 第07章 微波谐振器 1
带入本征关系式即有谐振波长的一般表 示式:
( ) ( ) ( ) ( ) λ0 =
1
=
+ 2
1
λc
p2 2l
1
2
2
+ 1
1
λc
λg
7.1− 20
其中λc为波导的截止波长,为波导λc波长。
微波谐振器的基本参数 2——品质因数
定义:
Q0
= 2π W
WT
=
ω0
W Pl
其中W代表微波谐振器的储能,WT代表
始拉!
=
ω0
Wm
+ Pl
We
= ω0
2Wm Pl
= ω0L
R
=
1
ω0RC
在谐振频率附近: ω = ω0 + Δω
Zin
=
R+

L
⎜⎝⎛1

ω
1 2 LC
⎞ ⎟⎠
=
R+

L
⎛ ⎜ ⎝
ω
2 −ω ω2
2 0
⎞ ⎟ ⎠
ω2

ω
2 0
=

−ω0 )(ω
+ ω0 )

2ω0Δω
Zin

R
+
j2LΔω

R+
第七章 微波谐振器
主要内容
• 微波谐振器概述 • 微波谐振器的基本特性与参数 • 集总串联/并联RLC谐振电路的基本特性 • 传输线谐振器、金属波导谐振腔、介质
ห้องสมุดไป่ตู้谐振器的特性与设计方法 • Fabry—Perot开式谐振器 • 论微波谐振器的激励与谐振腔的微扰

微波技术基础-微波谐振器

微波技术基础-微波谐振器

回忆——传输线上的波传播
¾传输线上电压与电流的波动方程
d
2U ( dz 2
z)

γ
2U
(
z)
=
0
d
2I ( z) dz 2

γ
2I
(z)
=
0
d 2U (z) dz 2
=
−(R
+
jω L)
dI (z) dz
代入
dI (z) = −(G + jωC)U (z)
dz
γ = α + jβ = (R + jωL)(G + jωC) ——复传播常数
30
矩形波导谐振器
¾矩形波导谐振器的谐振波长与谐振频率
北京邮电大学——《微波技术基础》
2
概述
¾什么是微波谐振器?
微波谐振器又称微波谐振腔,是一种具有储能和选频特性的 微波谐振元件,一般是指一个由任意形状的导电壁所封闭的 体积,在其中能产生电磁振荡。
功能与应用——相当于低频电路中的LC谐振回路,是一种基 本微波元件。是微波振荡器和放大器的主要部分,也广泛应 用于微波信号源、滤波器、波长计、倍频器、选频器中。
L
⎛ ⎜ ⎝
ω ω0

ω0 ω
⎞ ⎟ ⎠
谐振腔在外电路中呈现的输入阻抗在窄
带内具有这样的特性,就可等效为串联谐
振回路。
⎧ ⎪
Pin
⎨ ⎪⎩
Z
in
= =
Ploss + 2 jω(Wm − We )
2Pin = Ploss + 2 jω(Wm
| I |2
| I |2 2
− We )
北京邮电大学——《微波技术基础》

微波技术 第七章 微波谐振器

微波技术 第七章  微波谐振器

第七章微波谐振器§7-1 引言在微波领域中,具有储能和选频特性的元件称为微波谐振器,它相当于低频电路中的LC振荡回路,它是一种用途广泛的微波元件。

低频LC振荡回路是一个集中参数系统,随着频率的升高,LC回路出现一系列缺点,主要是,①损耗增加。

这是因为导体损耗、介质损耗及辐射损耗均随频率的升高而增大,从而导致品质因数降低,选频特性变差。

②尺寸变小。

LC回路的谐振频率,必须减少LC数值,回路尺寸相应地需要变小,这将导致回路储能减少,可见为了提高功率容量降低,寄生参量影响变大。

因为这些缺点,所以到分米波段也就不能再用集中参数的谐振回路了。

在分米波段,通常采用双线短截线作谐振回路。

当频率高于1GHz时,这种谐振元件也不能满意地工作了。

为此,在微波波段必须采用空腔谐振器作谐振回路。

实际上,我们可以把空腔谐振器(简称谐振腔)看成是低频LC回路随频率升高时的自然过渡。

图7-1-1表示由LC回路到谐振腔的过渡过程。

为了提高工作频率,就必须减小L 和C,因此就要增加电容器极板间的距离和减少电感线圈的匝数,直至减少到一根直导线。

然后数根导线并接,在极限情况下便得到封闭式的空腔谐振器。

§7-2 微波谐振器的基本参量根据不同用途,微波谐振器的种类也是多种多样。

图7-2-1示出了微波谐振器的几种结构。

(a)为矩形腔,(b)为圆柱腔,(c)为球形腔,(d)为同轴腔,(e)为一端开路同轴腔,(f)为电容加载同轴腔,(g)为带状腔,(h)为微带腔。

在这些图中,省略了谐振器的输入和输出耦合装置,目的是使问题简化。

但在实际谐振器中,必须有输入和输出耦合装置。

微波谐振器的主要参量是谐振波长(谐振频率或、固有品质因数Q0及等Array效电导G0。

图7-2-1 几种微波谐振器的几何形状一、谐振波长与低频时不同,微波谐振器可以在一系列频率下产生电磁振荡。

电磁振荡的频率称为谐振频率或固有频率,记以。

对应的为谐振波长。

是微波腔体的重要参量之一,它表征微波谐振器的振荡规律,即表示在腔体内产生振荡的条件。

《微波谐振器》PPT课件

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扰模不利于被激励而产生。
• 因为谐振腔是封闭结构,最基本和常用的激励机构(或称耦合机构)就是腔 壁上开槽和孔,通过槽或孔及经过孔进入腔内的耦合针、耦合环,来实现腔 与外电路的耦合。
• 对腔激励的基本考虑是,激励耦合装置必须能够在腔内产生与所选定的谐振 模式相近似的场结构,这一点与波导的激励是相同的。同时还要考虑有利于 抑制干扰模的出现。这些在选择和设计谐振腔时应视具体情况灵活运用。
数为
3
Q 0
1 a2
1 c2
2
2
2 a
1 b
1 a2
2 cΒιβλιοθήκη 1 b 1 c24 谐振腔的激励
• 谐振腔作为选频系统总是要与外电路连接,由有源器件直接或者通过传输线在 腔中激励起所需要的振荡模式。
• 在谐振腔中所选定模式之外的其它模式若存在,则统称为干扰模。 • 在谐振腔中激励所选定工作模式的同时必须同时考虑对干扰模的抑制,使干
• 普通电路中,谐振系统是由集总电感和电容器构 成的谐振回路或滤波器。微波频段,因其参量值 极小而无法从结构上实现,且导体损耗、辐射损 耗及介质损耗的急剧增加,系统的品质因素很低 而选频特性很差。
从能量的角度分析谐振系统
• LC谐振回路,电场能量集中存储在电容器中,磁 场能量集中存储于电感线圈中。
• 电场和磁场的能量随着时间而不停的转换,电场 能量达到最大时,磁场能量为零;而磁场能量达 到最大时,电场能量为零。
• 电磁波的驻波状态有上述的特征。 • 微波段,只要一个系统处于驻波工作状态,这个
系统就可以作为一个微波谐振系统。
设计思路
• 可见驻波状态的传输线也是谐振系统,其电磁能 量转换频率就是谐振频率,与集总的LC谐振回路 不同的是,驻波传输线的电场磁场能量是空间分 布的。

微波谐振器

微波谐振器
3


例题6.3 设计一个矩形波导腔-P241
Microwave Technique
微波屏蔽腔的谐振频率
Microwave Technique
微波屏蔽腔的谐振频率
Microwave Technique
Microwave Technique
Microwave Technique
6.2.2
Microwave Technique
6.2 传输线谐振器
6.2.3
Microwave Technique
6.2 传输线谐振器
讨论
Microwave Technique
6.2 传输线谐振器
讨论
Microwave Technique
6.3 矩形波导谐振腔
概述
Figure 6.6 A rectangular resonant cavity, and the electric field distributions for the TE101 and TE102 resonant modes.
Microwave Technique
引言
LC谐振器的作用
低频…
谐振腔的作用
LC谐振器在微波频段的缺点:
微波…
a. 尺寸变小,储能空间小,容量低; b. 损耗增加:辐射损耗、欧姆损耗及介质热损耗增大, 品质因数低,频率选择性差 。 相异点 相同点 LC回路:一个振荡模式和一个谐 振频率 谐振腔: 无限多个振荡模式和无限多个振荡频率 无损耗时为无功元件, 有损耗时呈纯电阻性。
6.1 串联和并联谐振电路
讨论
Microwave Technique
6.1 串联和并联谐振电路
讨论
Microwave Technique

微波技术基础8-微波谐振器

微波技术基础8-微波谐振器
四、等效电导G0
等效电导 G0 用来统一表征谐振系统的损耗
1 2 PL G0U m 2
,若选定
(20)
或者写出
G0
2PL
2 Um
谐振腔等效电导G0
微波谐振腔—等效电导G0
U m Em dl
a b
(21)
则有
G0 Rm
H d E dl
2 b a
2
(22)
由于在微波谐振腔中,电压Um定义的不唯一性, 所以现代微波理论中对于G0这个参量已经比较淡化 (只有在TEM波,例如同轴腔才使用),而强调ω0和 Q这两个参量。
2 1 W E dV 2 V P 1 E 2 dV L 0 V 2
(11)
微波谐振腔—品质因数Q
于是
可见 , 均匀分布的介质 Q 值 (12 式 ) 是一个普适的 公式,它与波型无关。现在,我们进一步引进复频 ~ 率 ,令
1 Qd PL tg
求本征值:
k1 , k2 ,
, ki ,
同一谐振腔有多个谐振频率
微波谐振腔
传输线谐振器

结构形式主要有

2 短路线型 2 开路线型 4 线型
微波谐振腔
线型谐振器 2
短路
开路
微波谐振腔
终端短路时
thl jtgl Z in Z 0 th j l Z 0 1 jtglthl
x 0, a
0 0
边界条件
y 0,b
z 0,l
0
微波谐振腔—矩形谐振腔
引用矩形波导求解结果(考虑无耗)
H
zmn
m n A cos x cos ye a b

第七章 微波谐振器

第七章 微波谐振器
2. 有两种避免辐射的方法:一种是把电磁场封闭在空腔中;另一 种是使电磁场聚集在高介电常数的介质内。前者导致各种空腔 谐振器的产生,后者则构成各种开放型谐振器的基础。
3. 微波谐振器中有很大一类是由微波传输线构成的,通常称为传 输线型谐振器;另外有些谐振器形状较复杂,如环行谐振器和 混合同轴线型谐振器等,通常称为非传输线型谐振器。
谐振器内储存电磁能量
Q 2
一个周期内损耗的电磁能量 谐振时
2 W
WT
r
W PL
式中,W为谐振器储存的能量; WT为一周期内谐振器损耗的能量;r为谐
振角频率;PL为一周期内谐振器中的平均损耗功率。
其它计算公式 谐振腔内的储能为
W

We
Wm

1 2

v
H 2 dv
2020/1/28
i 1
麦氏
方程组
Ai jBi
将电场和磁场归一化,可得
v Ei (r) 2 dv 1 v Hi (r) 2 dv 1
2020/1/28
微波技术基础
66

E Ei (r ) Aie jit i 1
Ei (r ) 为满足边界条件的模式矢量函数
i 谐振器自由振荡的模式角频率 ki i
即,谐振腔在三个方向 都是纯驻波。
微波技术基础
10 10
场分布从则这是个本意征义矢上看E 谐振。频率0 是问题的本征值,而对应的
用本征值问题加以讨论。在填充空气的条件下
在z方向
k 2 0 0 c
l p g
2
p 1, 2,
p
l
k 2 kc2 2
0
2020/1/28
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+
p2a 2l
+
l 2a
)
2weWe (kal )3 bh 1 Qc = = 由此可得: Pc 2p Rs (2 p 2 a3b + 2bl 3 + p 2a3l + al 3 )
若有介质损耗(漏电)
v v* 1 Pd = 蝌J ?E dv 2 V we '' 2 E dv =
V 2
ablwe '' E 0 8
螺线和外导体之间(d/2<r<D/2)7.3-15 的场解。(较复杂,含第一第二类贝塞尔函 数)
结论:
螺线同轴线重的模式不是TEM模。螺
线的电场主要集中在内外导体之间方
向为轴向。开路端电场最强(高电位)
磁力线为闭合曲线,主要为Z向可见在
壁上有强的f向电流。开路端磁场为零,
短路端磁场最强。
螺旋谐振器分析——电磁场分布
实用的矩形腔模TE10P的性质
TE10p的Q值: 由场解表示:A+=-A-可写出场量:
px pp z E y = E0 sin sin a l jE0 px pp z Hy = sin cos ZTE a l jp E0 px pp z Hz = cos cos k ha a l
由此可以解出电场磁场的储能:
0 a 1- cos( 2 p x ) a 2
dx
l 1+ cos( 2 pp x ) l 2 0
dz +

0
a 1+ cos( 2 p x ) a 2
dx
l 1- cos( 2 pp x ) l 2 0
dz
E02 mbal p 2 E02 mbl mbalE02 1 p2 = + = ( 2 + 2 2 2) 2 2 2 16ZTE 16k h a 16 ZTE h a k
组成:一段四分之一波长的内导体为螺旋线
的螺旋同轴传输线
连接:一端短路 (螺旋线直接与屏蔽外导体
焊接),另一端开路 外形:螺旋线内导体的截面形状为圆形, 屏蔽外导体截面为圆形或正方形。
螺旋谐振器(续二)
输入/输出:一般通过线圈上的抽头完成
(对于50Q负载,抽头距焊接端约 1/8~1/4匝)
也可用位于线圈焊接端附近的电 感性环来实现,谐振器之间可以
f mnp =
vp l mnp
=
c kmnp er mr 2p 骣 p 鼢 骣p m n 珑 鼢+ 珑 鼢 桫 珑a 桫 b
2 2
c = 2p er mr
骣p p + 桫l
2
谐振腔的波长最长的模式称为谐振器主模
(dominant resonat mode)
一般而言矩形腔 l>a>b 主模为TE101
f 010 = c 2p er
2 2
三个模式圆柱腔体
骣 01 ÷ 骣p ÷ c 2.405 çm ÷ + ç0 ÷ = ç ÷ ç ÷ ç l ça 桫 桫 2p er a
l =2p a/2. =2.62a 405
可见此模式与谐振腔的长度无关,不易调节。 • TE011:高Q
f 011 = c 2p er 骣 '01 ÷ 骣 鼢 p c ç m ÷ + 珑 鼢= ç 珑 ç a ÷ 珑 鼢 2p e 桫 桫 l r
通过孔或开路端的窗口来提供耦
合。
螺旋谐振器(三)
优点:螺旋线谐振器在V和U波段具有
体积小、重量轻、Q值高(无载Q值一般2 000左右)
设计制作简单
用途:带通和带阻滤波器、线性相移滤波器、
多工器、倍频器等。
螺旋谐振器分析——电磁场分布
螺旋线谐振器中的场分量可用螺旋同轴 线的场叠加得到。采用圆柱坐标系 (r,q,z),则纵向场分量满足如下波动 方程: 禳z 轾抖 E 1 1 2 镲 犏 (r ) + + kc 镲 = 0 睚 犏抖 镲z H r r r f 臌 r 镲 铪 其余场分量可由横纵关系求得(kc2=k2+b2)
圆形波导谐振腔(续二)
【Q值和功率】
类似于矩形波导,将腔内的场解带入能量计算
公式算出
总能量W=2We(7.4-25)
腔内损耗Pc (7.4-26) 再由Q的定义求出。(7.4-27/28 )
常用的三个模式圆柱腔体
与圆形波导相对应,也有三个基本实用模式: TE111 、TM010和 TE011: TE111:当l >2.1a时为主模
电场和磁场的储能
电场储能:
2 E0 eb We = e 蝌E y E * = y 4 V 4 0 a 1- cos( 2 p x ) a 2
dx
l 1- cos( 2 pp x ) l 2 0
2 E0 abl e dz = 16
磁场储能:
E02 mb * Wh = m 蝌( H x Ex + H z Ez* )dV = 4 2 V 4ZTE p 2 E02 mb + 2 2 2 4k h a
圆形螺旋线谐振器 正方形螺旋线谐振器
d:0.55D b:1.5d Q:1.96D(f0)1/2 总匝数 N:48300/Dfo(匝) 螺旋线特性阻抗 Zo=(2.49×106)/Dfo(W) H=b+0.5D=b+0.92d
d=2S/3 b=S Qo=2.36S(f0)1/2 N=40600/Sfo(匝)
由纵横关系7.4-17 可得出7.4-18,19 【结论】圆柱形谐振腔可以支持无穷多TE和 TM模式当谐振时: 波导波长 l=plg/2
用与矩形波导完全相同的推导方法可以解出 谐振频率。 【对比】将矩形波导的横向部分的参数(a、b) 一起换成mn/a(TE) 'mn/a(TM)即可
圆形波导谐振腔讨论 可将谐振频率(式7.4—24) 绘制成曲线图,得谐振模式图 7.4-4(modechart)。 由此图可确定在什么频率范围 和2a/l尺寸下只有单个谐振模式工作(简并的两个 模的谐振频率相同) 由图可见,当(2a/l)在2—3之间,对应的(2af)2在 16.3X108~20.4X108之间的频率范围内(图中所示 虚线长方形框内),只有TE011和TM111模式能谐振 若设法不让TM111模式激励(起振),则在此频率范 围内调谐时,就只有TE011模式工作,不会出现由 其它模式引起的寄生谐振。
解:波数
2p 2p f 0 2p f 0 er k= = = = 157.08(m- 1 ) l0 vp c
带入相应的公式即可得到解。 P238 注意:Q Qe Qc的关系
圆形波导谐振腔
【结构】由两端短路的圆柱波导组成 【特点】横向场与圆柱波导的场解相同分布图也 相同。 sin m H z 纵向场: Amn J m (kc r ) C1 cos ( b z ) C2 sin ( b z )
利用谐振腔表面电阻:RS=(/2s)和表面磁场有:
H x ( z = 0) dxdy + 2蝌
2 2 2 l b y= 0 z= 0
H z ( x = 0) dydz +
2
+ 2蝌
l
a x= 0
z= 0
[ H x ( y = 0) + H z ( y = 0) ]dzdx =
lb a2
2 Rsl 2 E0 p2ab = ( l2 + 8h
Z0=(2.03×106)/Sfo(W) H =1.6S=b+0.92d
实际设计例子参见书例7.3-3;可见螺旋同轴 线的器件尺寸可以减少18倍
7.4金属波导谐振腔
组成:两端短路的金属波导段 形状:矩形、圆形波导谐振腔 分析方法:驻波法求场型 分析特性。
1. 矩形波导谐振腔(rectangular waveguide cavity) 组成:长度为l两端短路的矩形波导 能量:E和H能量储 存在腔体内,功率损耗由腔体的 金属壁与 腔内填充的介质引起。 连接:可用小孔、 探针或环与外电路耦合 讨论:无耗谐振频率微扰方法求Q值。
电场和磁场的储能
由于ZTE=kh/b; bb10=[k2-(pa)2]1/2于是有:
b 10 - p / a 1 p 1 e + 2 2 2= = 2= 2 2 2 ZTE h a k hk h m
带回原式可知磁场能量与电场能量相等。 —— 与RLC谐振电路相同。
Байду номын сангаас
2
2
2
2
微扰法求解损耗
b Rs Pc = {2蝌0 y= 2 a x= 0
2
微扰法求解损耗
由谐振腔品质因数定义:
2w0We e ' 1 Qd = = = Pd e '' tgd
此式适用于任意谐振腔模式的Qd 。 若同时也存在介质损耗,与RLC同也有:
1 1 1 = + Q Qc Qd
例题7.4-1 用BJ-48铜波导做成的谐振腔,a=4.755cm, b=2.215cm, 腔内填充聚乙烯(r=2.25,tgd=0.0004),其谐振频率f0=5GHz,试求腔 体的长度、TE101TE102模式的Q值
Ez cos m
【分析方法】与矩形波导类似,由附加引入 的短路导体边界z=0和z=l入手此处Hz=0可得
C1 0
bmn pp / l
p 0,1,...
于是:
圆形波导谐振腔(续一)
sin m pp H z z H mnp J m (kc r ) sin cos m l Ez
由此可以解得:
kmn = 骣 p 鼢 骣p m n 珑 鼢+ 珑 鼢 桫 珑a 桫 b
2 2
骣p p + 桫l
2
7.4 - 4
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