【CN110572143A】具有高线性度的单刀双掷SPDT开关和发送接收电路【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910149311.7
(22)申请日 2019.02.28
(30)优先权数据
62/681,040 2018.06.05 US
16/111,139 2018.08.23 US
(71)申请人 三星电子株式会社
地址 韩国京畿道
(72)发明人 V.特里帕西
(74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
11105
代理人 邵亚丽
(51)Int.Cl.
H03K 17/687(2006.01)
(54)发明名称
具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发
送-接收电路
(57)摘要
一种单刀双掷开关。在一些实施例中，开关
包括连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双
掷开关的第一开关接线端子之间的第一开关晶
体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双
掷开关的第二开关接线端子之间的第二开关晶
体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开
关晶体管的栅极之间的第一辅助晶体管、以及连
接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体
管的栅极之间的第二辅助晶体管。权利要求书2页 说明书6页 附图4页CN 110572143 A 2019.12.13
C N 110572143
A
权 利 要 求 书1/2页CN 110572143 A
1.一种单刀双掷开关，包括：
第一开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间，
第二开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间，
第一辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间，以及
第二辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体管的栅极之间。
2.如权利要求1所述的单刀双掷开关，其中第一辅助晶体管的栅极被连接到第二开关晶体管的栅极。
3.如权利要求2所述的单刀双掷开关，其中第二辅助晶体管的栅极被连接到第一开关晶体管的栅极。
4.如权利要求1所述的单刀双掷开关，还包括连接在单刀双掷开关的第一开关接线端子和第一开关晶体管之间的第一耦合电容器。
5.如权利要求4所述的单刀双掷开关，还包括连接在单刀双掷开关的第二开关接线端子和第二开关晶体管之间的第二耦合电容器。
6.如权利要求1所述的单刀双掷开关，其中：
第一辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第一开关晶体管的沟道宽度，并且
第二辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第二开关晶体管的沟道宽度。
7.如权利要求6所述的单刀双掷开关，其中：
第一辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第一开关晶体管的沟道宽度的50％，并且
第二辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第二开关晶体管的沟道宽度的50％。
8.如权利要求6所述的单刀双掷开关，其中：
第一辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第一开关晶体管的沟道宽度的35％，并且
第二辅助晶体管的沟道宽度小于或等于第二开关晶体管的沟道宽度的35％。
9.如权利要求1所述的单刀双掷开关，其中：
第一开关晶体管被直接连接到公共端子而没有中间耦合电容器，并且
第二开关晶体管被直接连接到公共端子而没有中间耦合电容器。
10.一种发送-接收电路，包括：
单刀双掷开关，其具有公共端子、第一开关接线端子和第二开关接线端子；
低噪声放大器，其具有连接到第二开关接线端子的输入，和
功率放大器，其具有连接到第一开关接线端子的输出，
单刀双掷开关包括：
第一开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间，
第二开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间，
第一辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间，以及
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