(1)--电力电子技术课程期末考试(试卷)
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ D ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（C ）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试卷-带答案
三、简答题（共10分）1、答：在脉宽调制（PWM）技术中，脉冲宽度可以提高一个比较器来实现，即用一个三角波（调制信号）与一个直流控制电压（参考信号）进行比较，比较器输出电压的极性由这两个比较电压的差值的正负来决定。
这样改变控制电压的大小，即可以改变两个电压的交点位置，也就是改变输出电压极性的位置，从而改变正、负脉冲的宽度（7分）2、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。
（2.5分）而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
（2.5分）四、分析题（15分）1、如下图a所以的单相电压型全桥逆变电路，共四个桥臂，可看成两个半桥电路·栅极信号的波形图，如图b所示，请分析输出电压u o、输出电流i o的波形，并在图b下画出其波形。
（7分）图a．单相电压型全桥逆变电路图图b ．单相电压型全桥逆变电路波形图评分标准：输出电压u o 、输出电流i o 的波形各3.5分。
2、如下图所示单相桥式不可控整流电路带电阻负载，变压器二次侧的有效值为2=200U V ，电阻值为18Ω，此时VD1管子损坏(不能导通)，那么分析此时输出电压du 、输出电流d i 、变压器二次侧电流2i 的波形并绘制出，计算此时输出电压d u、电流d i的平均值大小。
（8分）O πO2π2i tωd i d u O 2u tω22U tωu 1u 2VD 1VD 3VD 2VD4i d2201sin ()0.45=902U td t U V πωωπ===⎰d=5A U I R=dd五、计算题（共30分，每题10分。
）请将正确选项写在答题纸上，直接写在试卷上无效。
1、三相桥式全控整流电路带阻感性负载，L 足够大，R =5Ω，U 2=220V ，求α=60o 时输出平均电压U d 、输出平均电流I d ，流过晶闸管电流平均值I dVT 和有效值I VT ，变压器二次侧电流有效值I 2 的大小。
电力电子技术期末考试试题含答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的根本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止__ 。
18.在如下器件：电力二极管〔Power Diode 〕、晶闸管〔SCR 〕、门极可关断晶闸管〔GTO 〕、电力晶体管〔GTR 〕、电力场效应管〔电力MOSFET 〕、绝缘栅双极型晶体管〔IGBT 〕中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _〔设U 2为相电压有效值〕。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
电力电子技术期末考试试卷
《电力电子技术》考试试卷题号一二三四五六总分分值30 20 10 20 20 100得分一．单项选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分）在每小题列出的四个备选项中有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
1、交流电变为直流电称为，直流电交为交流电称为。
（）A、整流、整流B、整流、交交变换C、整流、逆变D、逆变、整流2、当阳极和阴极之间加上正向电压而门极不加任何信号时，晶闸管处于。
（）A、导通状态B、关断状态C、不确定状态D、都不对3、单相桥式全控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°4、过电压分为外因过电压和内因过电压，由分闸、合闸等开关操作引起的过电压属于，由电力电子装置内部器件的开关过程引起的过电压属于。
（）A、外因过电压、外因过电压B、外因过电压、内因过电压C、内因过电压、外因过电压D、内因过电压、内因过电压5、三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的。
A.√2 倍B.√3 倍C.√2 *√3 倍D.2√‾3 倍6、单相桥式可控整流电路带阻感性负载时，α的移相范围可扩大到。
（）A、90°B、120°C、150°D、180°7、在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有几个晶闸管导通。
（）A、两个B、三个C、四个D、一个8、三相桥式半波整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2 B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U29、三相全控桥式整流电阻性负载电路中，整流变压器二次相电压的有效值为U2ϕ，当触发延迟角a的变化范围在30°～60°之间时，其输出平均电压为Ud= 。
A. 1.17U2ϕcosαB. 2.34U2ϕcosαC. Ud=2.34U2ϕ[1+cos (60°+ α)]D. 2.34U2ϕsinα10、单相桥式半控整流大电感负载电路中，为避免“失控”现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（）。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
《电力电子技术》第一学期期末试卷(B卷)
《电力电子技术》第一学期期末试卷（B卷）（考试时间：90分钟总分：100分）一、填空: （30分）1、有一晶闸管的型号为KP80－9，请说明KP ；80表示，9表示。
2、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
3、当温度降低时，晶闸管的正反向漏电流会、晶闸管的触发电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
4、通常变流电路实现换流的方式有、、四种5、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压，经常使用的保护方法是而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有和。
6、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
（电源相电压为U）27、多个晶闸管串联使用时必须考虑的问题，解决的方法是。
8、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
9、对三相桥式全控变流电路实施触发时，如采用单宽脉冲触发，单宽脉冲的宽度一般取度较合适；如采用双窄脉冲触发时，双窄脉冲的间隔应为度。
10、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。
二、判断：（14分）1、晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。
（）2、双向晶闸管与普通晶闸管一样，额定电流也用通态电流平均值表示（）3、双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体（P1N1P2N2）材料构成的。
（）4、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（）5、三相全控桥整流电路，带大电感性负载，当电路出故障时会发生失控现象（）6、触发普通晶闸管的触发脉冲，不一定能触发可关断晶闸管。
绝对包你期末考试考过的20套电力电子技术试题和答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ D ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（C ）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题及答案（史上最全）
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.1.电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在______开关开关开关______状态。
状态。
2.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为______通态损耗通态损耗通态损耗______，而当器件开关频率较高时，，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为功率损耗主要为______开关损耗开关损耗开关损耗______。
3.3.电力电子器件组成的系统，电力电子器件组成的系统，电力电子器件组成的系统，一般由一般由一般由______控制电路控制电路控制电路______、、_驱动电路驱动电路__、 _ _主电路主电路主电路__三部分组成，三部分组成，由由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路保护电路______。
4.4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件单极型器件_ _ _ 、、 _双极型器件双极型器件_ _ _ 、、_复合型器件复合型器件__三类。
5.5.电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为__承受正向电压导通，承受反相电压截止承受正向电压导通，承受反相电压截止__。
6.6.电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有__普通二极管普通二极管__、_快恢复二极管快恢复二极管__、 _ _肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管__。
7.7.肖特基二肖特基二极管的开关损耗极管的开关损耗__小于小于__快恢复二极管的开关损耗。
8.8.晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为 __ __ __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ __ __ 。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试卷第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
《电力电子技术》试卷A及答案
《电力电子技术》课程期末试卷（A卷）班级：姓名：学号成绩一、填空（每空1分，共30分）1．电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。
2．未来电力电子技术的发展趋势是智能化、高频化、大功率化、模块化。
3．电力电子器件在电力电子电路中功能大致相同，具有开关特性，主要工作在开关状态。
4．PN结是由P型半导体和N型半导体结合构成，其中P型半导体内的多子是空穴，N型半导体内的多子是电子。
5．电力电子器件按器件的开关控制特性可以分为不可控器件、半控型器件和全控型器件，其中，二极管属于不可控器件、晶闸管属于半控型器件、三极管和MOSFET属于全控型器件。
6．电力二极管的导电特性可概括为承受正向电压承受反向电压截止。
7．晶闸管有三个电极，它们是阳极A、阴极K和门极G。
8．晶体管有两个特性，分别是开关特性、放大特性。
9．二极管的英文简称是PD ，电气符号为；晶体管的英文简称是GTR ，电气符号为。
10．按照稳压控制方式分类，直流变换电路可分为脉冲宽度调制和脉冲频率调制两种。
11．按照输入电源的性质，逆变电路分为电压型逆变电路和电流型逆变电路两种。
12．一般情况下，电力电子装置由控制电路、驱动电路、检测电路、主电路四部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
二、单选题（每空2分，共20分）1．可关断晶闸管属于（B）。
A. 不可控器件B. 全控器件C. 半控器件2．晶闸管是由（C）层半导体组成，形成（B）个PN结。
A. 二B. 三C. 四D. 五3．电力晶体管（GTR）一般采用（A）接法。
A. 共射极B. 共阳极C. 共集电极D. 共基极4．只有当阳极电流小于（A）电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
A. 维持电流B. 擎住电流C. 通态电流D. 额定电流5．三相桥式逆变电路与单相桥式逆变电路相比，输出电压的谐波系数（B）。
A. 三相比单相的大B. 单相比三相的大C. 一样大6．三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。
《电力电子技术》期末考试试卷
《电力电子技术》期末考试试卷一、选择题（每小题1分，共20分）1．下列哪种情况下不能使导通的晶闸管关断：（ ）A.加反向阳极电压B. 加反向门极电压C ．减少正向阳极电压值，使其阳极电压小于维持电流2.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理（ ）。
A.30º-35º，B.10º-15º，C.0º-10º，D.0º。
3．选择晶闸管额定电压时考虑安全裕量（ ）A. 1~2倍B.2~3倍C.1.5~2倍D.1.5~3倍4．单相全控桥式整流电路，纯阻性负载，其输出电压平均值为（ ）A.2cos 145.02α+UB.αcos 45.02UC.2cos 19.02α+UD.αcos 9.02U5. 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。
A ． GTR B. MOSFET C. IGBT D. GTO6．三相全控桥式整流电路，VT1和VT4的脉冲应间隔（ ）A.60°B.120°C.180°D.240°7. α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A.0度，B.60度，C.30度，D.120度，8．电压型逆变电路直流侧接有（），相当于（）源。
A．电流 B．电压 C．大电感 D．大电容9.下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波10．为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于( )。
A 5°B 15°C 20°D 30°11.门极可关断晶闸管属于（）A.单极型电压驱动型B.单极型电流驱动型C.双极型电压驱动型D.双极型电流驱动型12.下列能使导通的晶闸管关断的是（）A.加正向阳极电压B.加反向阳极电压C.加正向门极电压D.加反向门极电压13. 变压器漏抗对整流电路的影响体现在：换相不能瞬时完成，其所对应的时间用电角度表示，叫（）。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是：A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案：A2.( ) 电压型逆变器输出波形为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为：A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案：B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有：A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案：A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。
答案：晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中，每个器件的导通时间为单个周期的_______________。
答案：1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。
答案：PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。
答：电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。
其优点主要包括：•可以实现能量的调节、转换和控制，提高能源利用效率；•可以精确控制电机的运行状态，实现电动机的调速和起停；•可以实现高效、精确、稳定的电力输出，并且对电网负荷的影响小。
其中，逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。
逆变器能将直流电转换为交流电，广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。
2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。
答：电力电子系统广泛应用于以下场景中：•钢铁、冶金、矿山等重工业领域：逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。
电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。
电力电子技术期末考试试题资料-共18页
电力电子技术试题一、填空1. 电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_ 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5. 电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6. 电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7. 肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
7. 晶闸管的基本工作特性可概括为__ 正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
8. 对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于__IH 。
9. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大_ 于__Ubo。
10. 逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
11. 电力MOSFE的T 通态电阻具有__正__温度系数。
12.IGBT 的开启电压UGE（th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET。
13. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
14. 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFE）T、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管_，属于全控型器件的是GTO 、GTR 、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET ，_ 属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ，属于复合型电力电子器件得有IGBT _ ；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFE，T属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
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则至少需要几组独立的电源向驱动电路供电？为什么？
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课
刷
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图3
网
案
答
程
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图4
h 5．（2 分）在电流波形发生畸变时描述系统的功率因数可表示为：
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yin 其中 的含义是：① 课flcos 1 的的含义是：②
刷
6．（2 分）在典型的升降压斩波电路 Zeta、Sepic 和 Cuk 中，输入电压极性与输
出电压极性相同的电路是 ①
；极性相同的电路是②
课 1．（4 分）采用电力电子技术可实现的电力变换通常可分为四大类，它们分别
高能达到多少？为什么？
2．（8 分）输入为直流电、输出也为直流电的变流电路有哪些种类？各有什么
VT1 VT3 VT5
id
主要的特点？ 3．（8 分）SPWM 的含义是什么？其基本原理是什么？试画出采用双极性调制
u2
LB
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bቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
ud
L
方式、调制度为 1、载波比为 6 时，调制信号一个周期的 SPWM 波形。 4．（7 分）晶闸管相控电抗器的基本原理是什么？ 晶闸管触发控制角 a <90°与a ＝90°两种情况下等效电抗是否相等，为什么？？ 5．（5 分）单相全波交流电压控制器当控制角 a 小于负载功率因数角f 时为什 么输出电压不可控？
课 ，属于全控型器件的是②
，工作频率最高的是 ④
，容 ，属于电
压驱动的是_⑤
，属于电流驱动的是 ⑥
。
8．（4 分）零电压开关是指： ① 开关又是指 ②
二、简答（33 分）
；零电流 。
3．（2 分）电力电子器件在串联使用时应注意的问题是：①
在并联使用时应注意的问题又是②
。
；
1．（5 分）三相桥式全控整流电路带阻感负载（电感值很大）时的功率因数最
3．图 3 所示为一个三相桥式电压型逆变电路
(1) 当该电路采用输出为方波的 180导电方式时，各相电路工作波形如图 4 所示，
试画出输出线电压 uUV 、 uNN' 、 uUN 以及输出电流 iU 的波形。
(2) 给出 uNN' 的计算过程及公式。
(3) 如果图中 IGBT 的驱动电路采用基于集成驱动芯片 M57962L 的驱动电路，
4．（4 分）单相桥式全控整流电路，带电阻负载时，其角的移相范围为 ①
西安交通大学考试题
课 程 电力电子技术
成绩
；带阻感负载（电感极大）时，其角的移相范围为 ②
，其交流侧电
流中所含谐波的次数为 ③
，其整流输出电压中所含的谐波次数
为④
。
学院 专业班号 姓名
考试日期 学号
年
月日
期中
期末
一、填空（27 分） （ 说 明 ： 填 空 题 的 答 案 请 写 在 答 题 纸 上 。只 写 答 案 ， 不 必 抄 题 ， 但 需 写 清 楚题号。）
程
课
2．电路如图 1 所示，已知 U2=100V，E=100V, R=2.0，L 足够大， =30。
图2
(1) 不考虑 LB 时，画出 ud、id、iVT2、uVT4 和 i2C 的波形，计算 Ud、Id、I2 和功率因数；
（图 2 供绘制波形用）
(2) LB=2mH 时，画出 ud、iVT2 的波形，计算 Ud、Id 和 。
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c i2C
VT4 VT6 VT2 图1
R
课
刷
三、综合（40 分）
课
网 1．试绘出 Boost 斩波电路的电路原理图，并简述其基本工作原理。若电源电压
答案 E=100V，电感、电容值极大，负载电阻 R=20Ω。计算当 T=100s，ton=40s 时输
出电压的平均值和输出电流的平均值。
。
是：①
；②
；_③
网
7．（3 分）在 PWM 控制中，同步调制指： ①
，异步调
④
。
案
制又是指： ②
，分段同步调制指： ③
。
答 2．（6 分）在如下器件：晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、绝缘栅
程 双极型晶体管（IGBT）、电力场效应晶体管（电力 MOSFET）中，属于半控型
器件的是 ① 量最大的是_③