电子科技大学大学物理2006答案
西安电子科技大学大学物理学习指南11-14章例题习题参考答案(详解)
第11章 静电场【例题精选】例11-1 （见书上） 例11-2()22300(428qd qdR R d R πεππε-或），从O 点指向缺口中心点例11-3 D 例11-4 D 例11-5 B例11-6 0/2σε， 向右； 03/2σε， 向右； 0/2σε， 向左 例11-7 （见书上）【练习题】11-1 B 11-2 0/d λε，220(4)d R d λπε-，沿矢径OP11-3 0/Q ε，0205180Q Rπε和r11-4 B11-5 【解】（1）作与球体同心，半径r <R 的高斯球面S 1。
球体内电荷密度ρ随r 变化，因此，球面S 1内包含的电荷214()d ro Q r r r πρ=⎰。
已知的电荷体密度ρ(r ) =kr ，根据高斯定理：11d s o Q Φε=⋅=⎰E S ， 230144d rr o E r k r r ππε⋅=⎰，可求得球体内任意点的场强：24r o r E k ε=，r <R 。
（2）作与球体同心、半径r >R 的球面S 2，因R 外电荷为零，故S 2内的电荷Q 2=Q 总，根据高斯定理：1231d 44d Rrs oEr k r r Φππε=⋅=⋅=⎰⎰E S ，得球体外任意一点的场强：4204r R E k r ε=，r >R 。
11-6 0/(2)σε-，03/(2)σε11-7 【解】两同轴圆柱面带有等量异号电荷，则内外电荷线密度分别为λ和-λ。
电场分布具有轴对称性。
（1）建立半径1r R <的同轴高斯柱面，设高为h 。
高斯柱面内无电荷分布。
1d 20SE rh π⋅=⋅=⎰E S ，则，10E=（1r R <）（2）建立12R r R <<的同轴高斯柱面，设高为h 。
高斯柱面内包含电荷。
柱面的上下底面无电场分布，电场均匀分布在侧面。
20d 2Sh E rh λπε⋅=⋅=⎰E S ，则，202E rλπε=（12R r R <<） （3）建立半径2r R >的同轴高斯柱面，设高为h 。
西安电子科技大学《872普通物理（不含力学）》历年考研真题汇编
目 录第1部分 西安电子科技大学普通物理考研真题2006年西安电子科技大学402普通物理考研真题2005年西安电子科技大学402普通物理考研真题2004年西安电子科技大学402普通物理考研真题第2部分 西安电子科技大学大学物理考研真题2008年西安电子科技大学851大学物理考研真题2007年西安电子科技大学451大学物理考研真题第3部分 其他院校普通物理最新真题2016年山东大学834普通物理考研真题2016年中山大学851普通物理考研真题2016年华南理工大学860普通物理（含力、热、电、光学）考研真题第1部分 西安电子科技大学普通物理考研真题2006年西安电子科技大学402普通物理考研真题西安电子科技大学2006年攻读硕士学位研究生入学考试试题t,考试科目代码及名称402普通物理(5系)［独就^.加食考试时间2006年｝月15日下午(3小时)答题要求：所有答案(填空题、选择题按照标号写)必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！！一、选择题(每题3分，共45分)I.传播速度为1。
而炽频率为50H&的平面简谐波，在波线上相距为O.Sm的两点之间的振动相位差是(⑴)(A)U/2(B)n/3(C)k/4(D)k/62.在杨氏双建亍涉实验中，使屏幕上干涉屏条纹变宽的是(⑵)(凫)增加玦之间的距离。
Si(B)增加双缝和屏幕之间的距离・$尽敏0^5^(c＞如图，在缝的.垂直平分城上放置平面反射镜.2(D)减小入射光波长’3.用波长为2的单色光垂直入射，观察圆孔的夫琅和费衍射，当衍射孔的半径增加为原来的10倍时，爱里斑的半径和光强分别变为原来的(⑶)(A)10倍和1如倍"(B)10倍和1000睥©0.1倍和IQ000倍.(D)(M倍和100倍。
4.用金属维绕制成的标准电要求是无自感的，统制方法正曲的是(⑷)(A)单线绕制成两个相同的线圈，然后正接在一起，使两线圈中电流同向。
电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
电子科技大学期末考试 09级《大学物理（下）》A 卷（考试时间90分钟，满分100分）一、选择题（每题2分，共20分）1、边长为L 的一个导体方框上通有电流I ，则此框中心的磁感应强度 （ ） （A ）与L 无关； （B ）正比于2L ； （C ）与L 成正比； （D ）与L 成反比。
2、在感应电场中电磁感应定律可写成dtd l d E mCK Φ-=⋅⎰，式中K E 为感应电场的电场强度，此式表明 （ ）（A ）闭合曲线C 上K E处处相等； （B ）感应电场是保守力场； （C ）感应电场的电场线不是闭合曲线；（D ）在感应电场中不能像静电场那样引入电势的概念。
3、一交变磁场被限制在一半径为R 的圆柱体中，在柱内、外分别有两个静止点电荷A q 和B q ，则 （ ） （A ）A q 受力，B q 不受力；（B ）A q 和B q 都受力；（C ）A q 和B q 都不受力；（D ）A q 不受力，B q 受力。
4、关于位移电流，下列哪一种说法是正确的（ ） （A ）位移电流的磁效应不服从安培环路定理；（B ）位移电流是由变化磁场产生； （C ）位移电流不可以在真空中传播； （D ）位移电流是由变化电场产生。
5、根据惠更斯—菲涅尔原理，若已知光在某时刻的波阵面为S ，则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 （ ） （A ）振动振幅之和； （B ）相干叠加； （C ）振动振幅之和的平方； （D ）光强之和。
6、严格地说，空气的折射率大于1，因此在牛顿环实验中，若将玻璃夹层中的空气逐渐抽去而成为真空时，则干涉圆环将 （ ） （A ）变大； （B ）变小； （C ）消失； （D ）不变7、自然光以60。
入射角照射到某一透明介质表面时，反射光为线偏振光，则 （ ） （A ）折射光为线偏振光，折射角为30。
； （B ）折射光为部分偏振光，折射角为30。
；（C ）折射光为线偏振光，折射角不能确定； （D ）折射光为部分偏振光，折射角不能确定。
电子科技大学08级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
弟1页/（共4页） 弟2页/（共4页）电子科技大学期末考试 08级《大学物理（下）》A 卷（考试时间90分钟，满分100分）一、选择题（每题2分，共20分）1、电流元Idl 是圆电流自身的一部分，则 （ ） （A ）电流元受磁力为0；（B ）电流元受磁力不为0，方向沿半径向外； （C ）电流元受磁力不为0，方向指向圆心； （D ）电流元受磁力不为0，方向垂直圆电流平面。
2、若用条形磁铁竖直插入不闭合金属圆环，则金属环中： （ ） （A ）产生感应电动势，也产生感应电流； （B ）产生感应电动势，不产生感应电流； （C ）不产生感应电动势，也不产生感应电流；（D ）不产生感应电动势，产生感应电流。
3、取自感系数的定义式为IL Φ=，当线圈的几何形状不变，周围无铁磁性物质时，若线圈中的电流强度变小，则自感系数L （ ） （A ）变大，与电流成反比关系； （B ）变小；（C ）不变； （D ）变大，但与电流不成反比关系。
4、设在真空中沿着z 轴正方向传播的平面电磁波，其磁场强度的表达式为⎪⎭⎫⎝⎛-=c z t H H y ωcos 0，则电场强度的表达式为（） （A ）⎪⎭⎫⎝⎛--=c z t H Ey ωεμcos 000； （B ）⎪⎭⎫ ⎝⎛--=c z t H E x ωεμcos 000；（C ）⎪⎭⎫ ⎝⎛-=c z t HE xωεμcos000；（D ）⎪⎭⎫ ⎝⎛+=c z t H E y ωεμcos 000。
5、在迈克尔逊干涉仪的一支光路中，放入一片折射率为n 的透明介质薄膜后，测出两束光的光程差的改变量为一个波长λ，则薄膜的厚度是 （ ）（A ）2λ； （B ）n 2λ； （C ）n λ； （D ）)1(2-n λ6、在双缝干涉实验中，屏幕Σ上的P 点处是明条纹。
若将缝2S 盖住，并在21S S 连线的垂直平分面处放一反射镜M ，如图1所示，则此时 （ ） （A ）P 点处仍为明条纹； （B ）P 点处为暗条纹；（C ）不能确定P 点处是明条纹还是暗条纹； （D ）无干涉条纹。
最新电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年1 月14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。
课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指（ A ）的半导体。
A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（B）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，B. n型，C. p型，D. 1.1×1015cm-3,E. 9×1014cm-34、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。
A、变化量；B、常数；C、杂质浓度；D、杂质类型；E、禁带宽度；F、温度5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C ）进入（A ），实现重掺杂成为简并半导体。
A、E c；B、E v；C、E F；D、E g；E、E i。
67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。
A、变大，变大B、变小，变小C、变小，变大D、变大，变小8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。
06高考物理大全答案
2006年普通高等学校招生全国统一考试Ⅰ理科综合能力测试参考答案14．A 15．B 16．B 17．AD 18．D 19．AC 20．B 21．A22.（1）ABD（2）I ．II ．UI R U R -2223.如图，A 表示爆炸处，O 表示观测者所在处，h 表示云层下表面的高度，用t 1表示爆炸声直接传到O 处所经时间，则有d =v t 1 ①用t 2表示爆炸声经云层反射到达O 处所在经时间，因为入射角等于反射角，故有22222vt h d =+⎪⎭⎫ ⎝⎛ ② 已知t 2- t 1=Δt ③ 联立①、②、③，可得()t dv t v h ΔΔ2212+=④代入数值得m h 3100.2⨯= ⑤24.根据“传送带上有黑色痕迹”中知，煤块与传送带之间发生了相对滑动，煤块的加速度a 小于传送带的加速度a 0。
根据牛顿定律，可得A=μg ①设经历晚间，传送带由静止开始加速到速度等于v 0，煤块则由静止加速到v ，有v 0 = a 0t ② v = at ③由于a< a 0，故v< v 0，煤块继续受到滑动摩擦力的作用。
再经过时间t ’，煤块的速度由v 增加到v 0，有v 0=v+at ’④此后，煤块与传送带运动速度相同，相对于传送带不再滑动，不再产生新的痕迹。
设在煤块的速度从0增加到v 0的整个过程中，传送带和煤块移动的距离分别为s 0和s 2，有s 0='21020t v ta + ⑤s =av 22⑥传送带上留下的黑色痕迹的长度l = s 0- s ⑦由以上各式得l =ga g a v 00202)(μμ- ⑧25．（1）用Q 表示极板电荷量的大小，q 表示碰后小球电荷量的大小。
要使小球能不停地往返运动，小球所受的向上的电场力至少应大于重力，即mg dq >ε ①其中Q q α= ② 又有εC Q = ③由①②③式得Cmgdαε>④（2）当小球带正电时，小球所受电场力与重力方向相同，向下做加速运动。
电子科技大学06级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
电子科技大学期末考试 06级《大学物理（下）》B 卷（考试时间90分钟，满分100分）一、 选择题(每题4分，共24分)1. 将尺寸完全相同的铜环和铝环适当放置，使通过两环内的磁通量的变化率相等。
则这两环中的感生电场和感生电流：A. 两环中的感生电场相等；B. 铜环中的感生电场大于铝环中的感生电场；C. 两环中的感生电流相等；D. 铝环中的感生电流大于铜环中的感生电流； 2. 均匀磁场中有一弯成如图所示形状横截面积为S 的铜线(质量密度为ρ)，其中OA 和DO ’两段保持水平，AB =BC =CD =a , 可绕OO ’转动。
当铜线中的电流为I 时，测得平衡时AB 段和CD 段与竖直方向的夹角为α。
则磁感应强度的大小为： A.Sgtg Iρα；B.2Sg tg I ρα； C. 3Sg tg I ρα； D. sin SgIρα； 3. 如图所示劈尖，劈尖角为θ, 以波长为λ的单色光垂直入射，则在厚度为e 处，反射方向两相干光的光程差为： A. 2.3e ； B. 2.32e λ+； C. 2.5e ； D. 2.52e λ+；4. 若一束自然光以布儒斯特角入射到某介质面上，则折射光为 A.只有垂直振动的线偏振光；B. 只有平行振动的线偏振光；C. 平行振动多于垂直振动的部分偏振光；D.垂直振动多于平行振动的部分偏振光；5. 在观察单缝的夫朗和费衍射时，如果单缝垂直于它后面的透镜的光轴向上或向下移动，屏上的衍射图样将： A. 单缝向上则衍射图样中心向下移动；B. 单缝向上则衍射图样中心向上移动； C. 单缝向上或向下移动，衍射图样中心都保持不动；D.不能确定；6. 动能为E k =1.53MeV 的电子的德布罗意波长为: A.136.2810nm -⨯, B. 136.2810m -⨯, C. 142.4810nm -⨯, D. 142.4810m -⨯；二、 填空题II(每空2分，共26分)1. 一载有电流I 的无限长圆柱体，半径为R ，电流在其截面上均匀分布，则圆柱体内外的磁感应强度分别为 (1) 和 (2) ；2. 某一粒子的质量为0.5克，带有82.510-⨯库仑的电量，设其获得一大小为46.010m s ⨯的初始水平速度，如图，若利用磁场使该粒子仍沿水平方向运动，则应加的磁感应强度方向为 (3) ，大小为 (4) ；3. 在真空中，一平面电磁波的电场)/()](cos[0m V cxt E E E y -==ω，则该电磁波的磁感应强度的振幅为(5) ，传播方向为 (6) ；4. 波长为λ的单色光在折射率为n 的媒质中, 由a 点传到b 点，位相改变π，则光程改变 (7) ，光从a 点到b 点的几何路程为 (8) ；5. 空腔辐射体(视为绝对黑体)在5000K 时，辐射的峰值波长=m λ (9) ；辐射出射度为 (10) ；6. S 系中一质量密度为ρ、边长为l 的立方体，若使此立方体沿平行于一边的方向以速度0.6v c =运动，则在S 系中测得其体积为 (11) ，动能为 (12) ；7. 已知一维无限深势井中粒子的波函数为：x an a x n πψsin 2)(=，则n = 3时，粒子在3a x =处出现的概率密度为 (13) ；三、 （10分）一无限长载流直导线与一边长为L 的正方形载流线圈共面，其相对位置如图所示，求：(1) 正方形线圈磁矩的大小与方向；(2) 把该线圈平移至载流直导线左边对称位置，磁力所做的功；四、 (10分) 一N 1匝、面积为S 的圆形小线圈，放在另一半径为R 共N 2匝的大圆形线圈的中央，两者共面，如图，设小线圈内各点的磁感应强度相同。
2006级大学物理上册期末考试卷B解答
2006级大学物理(上)期末考试卷2007.6任课教师____________一、填空题（每空2分，共40分）1. 一可绕过盘心且垂直盘面的固定轴转动的匀质圆盘滑轮上绕有轻绳，绳的下端挂有重物。
己知重物质量为m ，滑轮质量为M ，半径为R ，重物由静止开始运动，滑轮的转动惯量2/2MR J =，则重物下降的加速度大小为____g M m m 2+___________、绳子中的张力大小为______g Mm m M +⋅2_________。
2．长为l 的杆如图悬挂，O 为水平光滑固定转轴，平衡时杆竖直下垂，有一子弹水平地射入杆中，则在此过程中，子弹和杆组成的系统对转轴O 的角动量______守恒_________；动量___不守恒_________；机械能___不守恒________（填守恒或不守恒）。
3．一观察者测得一沿米尺长度方向匀速运动着的米尺长度为0.5m 。
则此米尺以速度v ＝__2.60×108_______________m/s 相对观察者运动。
4．（1）在速度v ＝____c 23________情况下粒子的动量等于非相对论动量的两倍。
（2）在速度v ＝____c 23________情况下粒子的动能等于它的静止能量。
5．质量为10g 的小球与轻弹簧组成的系统，做x =0.05cos(8πt+π/3)m 的简谐振动，振动的周期T= _0.25s ________，速度的最大值v max =__0.4πm/s _（1.26m/s ）_____ , t ＝0时小球的受力F=__22102.3-⨯-π__________（0.316）______N 。
6．已知波源的振动周期为4.00×10-2s ，波的传播速度为300m/s ，波沿x 轴正方向传播，则位于1x ＝10.0m 和2x ＝16.0m 的两质点振动相位差为_____π__________。
7. 一束波长为λ的单色光自空气垂直照射到空气中折射率为n 的薄膜上，要使反射光线加强，薄膜的最小厚度应为______n4λ__________ 。
电子科技大学11级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
弟1页/（共4页） 弟2页/（共4页）电子科技大学期末考试 11级《大学物理（下）》B 卷（考试时间90分钟，满分100分）一、选择题（每题2分，共20分）1．取一闭合积分回路L ，使三根载流导线穿过它围成的面，现改变三根导线之间的相互间隔，但不越出积分回路，则 （ ）A ．回路L 内的∑I 不变，L 上各点的B不变； B ．回路L 内的∑I 改变，L 上各点的B改变；C ．回路L 内的∑I 改变，L 上各点的B不变； D ．回路L 内的∑I 不变，L 上各点的B改变。
2．下列说法哪个是正确的 （ ）A ．导体在磁场中以一定速度运动时，必定产生感应电动势；B ．感生电场的电场线不是闭合曲线；C ．感生电场是保守力场；D ．感生电场是非保守力场，感生电场力的功与路径有关。
3．若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布 （ ）A ．不能用安培环路定理求出；B ．可以直接用安培环路定理求出；C ．只能用毕奥-萨伐尔-拉普拉斯定律求出；D ．可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出。
4．取自感系数的定义式为IL Φ=，当线圈的几何形状不变，周围无铁磁性物质时，若线圈中的电流强度变小，则自感系数L （ ） A ．变大，与电流成反比关系； B ．变小；C ．不变；D ．变大，但与电流不成反比关系。
5．自然光以布儒斯特角由玻璃入射到空气表面上，反射光是 （ ） A ．平行于入射面内振动的完全偏振光； B ．平行于入射面内振动占优势的部分偏振光； C ．垂直于入射面振动的完全偏振光； D ．垂直于入射面振动占优势的部分偏振光。
6．在双缝干涉实验中，用单色自然光，在屏上形成干涉条纹。
若把一个偏振片置于双缝后，则 （ ）A ．干涉条纹的间距不变，但明纹的亮度加强；B ．干涉条纹的间距变窄，且明纹的亮度减弱；C ．干涉条纹的间距不变，但明纹的亮度减弱；D ．无干涉条纹。
7．根据惠更斯—菲涅尔原理，若已知光在某时刻的波阵面为S ，则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 （ ） A ．振动振幅之和； B ．光强之和； C ．振动振幅之和的平方； D ．相干叠加。
2006电磁场与波期末试题和答案_
电子科技大学二零零 5 至二零零 6 学年第 2 学期期 末 考试电磁场与波 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 200 6 年 7 月 6 日课程成绩构成：平时 分， 期中 分， 实验 分， 期末 分一． 填空题（每空1分，共30分）1. 对于时谐电磁场，麦克斯韦第一方程的复数形式H ∇⨯＝ J j D ω→→+ ,其物理意义是 电流和变化的电场是磁场的源 ；第二方程的复数形式E ∇⨯＝ j B ω→- ，其物理意义是 变化的磁场是电场的源 。
对于静态电磁场，这两个方程分别为H ∇⨯＝J →、 E ∇⨯＝ 0 ，它们是各自独立的。
2. 时变电磁场中引入矢量位A ，场量B ＝ A →∇⨯ 。
3. 线性和各向同性媒质的本构关系是 ;;D E B H J E εμσ→→→→→→=== 。
4. 瞬时能流密度矢量（或瞬时坡印廷矢量）(,)S r t ＝ E H →→⨯ ，其物理意义是 单位时间内流过与传播方向垂直的单位面积的电磁能量 。
5. 镜像法的理论根据是 唯一性定理 。
6.均匀平面波在自由空间（参数为70091/,410/,04910F m H m εμπσπ-==⨯=⨯⨯）的频率 f 0＝100MH Z 、波长0λ＝3m 、相速80310/v m s =⨯，当其在介电常数04εε=的电介质中传播时，频率f ＝ 100MHz ，波长λ= 1.5m ，相速v = 1.5×108m/s 。
7. 均匀平面波在导电媒质中传播时，电场和磁场的振幅将按指数规律 衰减 ，电场和磁场的相位 不同 ，波阻抗为 复数；相速不仅与媒质参数有关，还与 频率 有关，这种现象称为 色散 。
8. 临界角c θ=，产生全反射的条件是 12()i c θθεε≥> 。
9. 布儒斯特角b θ=，产生全透射的条件是 i b θθ=且平行极化 。
10. 横截面尺寸为a ×b 的矩阵波导中能传输 TE 波和 TM 波，其截止频率c f =f >fc 时，这两种波才能传输。
成都电子科技大学大学物理2003-2016年考研初试真题+答案
共6页第1页 电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：811 大学物理注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、选择题(本题共计42分,每题3分)1两个物体A 和B 的质量以及它们的速率都不相同，若物体A 的动量在数值上比物体B 的大，则A 的动能E KA 与B 的动能E KB 之间(A) E KB 一定大于E KA ． (B) E KB 一定小于E KA ．(C) E KB ＝E KA ． (D) 不能判定谁大谁小． ［ ］ 2 如图所示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为R 1、带有电荷Q 1，外球面半径为R 2、带有电荷Q 2，则在外球面外面、距离球心为r 处的P 点的场强大小E 为： (A) 20214rQ Q επ+． (B)()()2202210144R r Q R r Q -π+-πεε． (C) ()2120214R R Q Q -π+ε． (D) 2024r Q επ． ［ ］3设某种气体的分子速率分布函数为f (v )，则速率在v 1─v 2区间内的分子的平均速率为(A) ()⎰21d v v v v v f ． (B) ()⎰21d v v v v v v f ． (C)()⎰21d v v v v v f /()⎰21d v v v v f ． (D) ()⎰21d v v v v f /()⎰∞0d v v f ． ［ ］4电流I 由长直导线1沿平行bc 边方向经a 点流入由电阻均匀的导线构成的正三角形线框，再由b 点沿垂直ac 边方向流出，经长直导线2返回电源(如图)．若载流直导线1、2和三角形框中的电流在框中心O 点产生的磁感强度分别用1B 、2B 和3B 表示，则O 点的磁感强度大小 (A) B = 0，因为B 1 = B 2 = B 3 = 0． (B) B = 0，因为虽然B 1≠ 0、B 2≠ 0，但021=+B B ，。
电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案B卷 (A3版)
弟1页/（共4页） 弟2页/（共4页）电子科技大学期末考试 09级《大学物理（下）》B 卷（考试时间90分钟，满分100分）一、选择题（每题3分，共30分）1、一交变磁场被限制在一半径为R 的圆柱体中，在柱内、外分别放有两个静止点电荷A q 和B q ，则 （ ） （A ）A q 受力，B q 不受力； （B ）A q 和B q 都受力； （C ）A q 和B q 都不受力； （D ）A q 不受力，B q 受力。
2、电流元Idl 是圆电流自身的一部分，则 （ ） （A ）电流元受磁力为0；（B ）电流元受磁力不为0，方向沿半径向外； （C ）电流元受磁力不为0，方向指向圆心； （D ）电流元受磁力不为0，方向垂直圆电流平面。
3、设在真空中沿着z 轴正方向传播的平面电磁波，其磁场强度的表达式为⎪⎭⎫⎝⎛-=c z t H H y ωcos 0，则电场强度的表达式为 （ ）（A ）⎪⎭⎫⎝⎛--=c z t H E y ωεμcos 000； （B ）⎪⎭⎫ ⎝⎛--=c z t H E x ωεμcos 000；（C ）⎪⎭⎫ ⎝⎛-=c z t H E x ωεμcos 000； （D ）⎪⎭⎫⎝⎛+=c z t H E y ωεμcos 000。
4、在真空中波长为λ的单色光，在折射率为n 的透明介质中从A 沿某路径传播到B ，若A ，B两点位相差为3π，则此路径AB 的光程为 （ ） （A ）1.5λ ； （B ）1.5nλ ； （C ）3λ ； （D ）1.5λ /n 。
5、观察单色光垂直入射时的光栅衍射图像，发现第3，6，9，…等主极大缺级，由此可见，光栅透光部分的宽度a 与不透光部分的宽度b 之间的关系为 （ ）(A)b =a /2； (B)b =a ； (C)b =2a ； (D)b =3a6、自然光以60。
入射角照射到某一透明介质表面时，反射光为线偏振光，则（ ） （A ）折射光为线偏振光，折射角为30。
杭州电子科技大学物理光学习题及答案
)3(计算题单元四 (二) 杨氏双缝实验二、计算题1. 在双缝干涉的实验中，用波长nm 546=λ的单色光照射，双缝与屏的距离D=300mm ，测得中央明条纹两侧的两个第五级明条纹之间的间距为12.2mm ，求双缝间的距离。
✉ 由在杨氏双缝干涉实验中，亮条纹的位置由λk dD x =来确定。
用波长nm 546=λ的单色光照射，得到两个第五级明条纹之间的间距：λ∆10dDx 5= 双缝间的距离：λ∆10x Dd 5=m 10546102.12300d 9-⨯⨯=，m 1034.1d 4-⨯=2. 在一双缝实验中，缝间距为5.0mm ，缝离屏1.0m ，在屏上可见到两个干涉花样。
一个由nm 480=λ的光产生，另一个由nm 600'=λ的光产生。
问在屏上两个不同花样第三级干涉条纹间的距离是多少?✉ 对于nm 480=λ的光，第三级条纹的位置：λ3d D x =对于nm 600'=λ的光，第三级条纹的位置：'3dD'x λ=那么：)'(3dD x 'x x λλ∆-=-=，m 102.7x 5-⨯=∆单元五 双缝干涉（续）劈尖的干涉，牛顿环2. 在折射率为n=1.68的平板玻璃表面涂一层折射率为n=1.38的MgF 2透明薄膜，可以减少玻璃表面的反射光。
若有波长nm 500=λ的单色光垂直入射，为了尽量减少反射，则MgF 2薄膜的最小厚度应是多少?✉ MgF 2透明薄膜上下两个表面反射光在相遇点的光程差：2en 2=δ（上下两个表面的反射光均有半波损失）。
要求反射最小，满足2)1k 2(en 22λ+=MgF 2薄膜的最小厚度：2min n 4e λ=将38.1n 2=和nm 500=λ带入得到：m 10058.9e 8min -⨯=3. 在双缝干涉实验中，单色光源S 0到两缝S 1、S 2的距离分别为l 1、l 2，并且λλ,3l l 21=-为入射光的波长，双缝之间的距离为d ，双缝到屏幕的距离为D ，如图，求：(1) 零级明纹到屏幕中央O 点的距离； (2) 相邻明条纹)5(计算题间的距离。
06级大学物理I(下)练习题参考答案
06级大学物理I （下）练习题参考答案140001：D 140006： A 140011：D 140012：D 140017：B 140020: B 141002:3π-;π32; cm t x )332cos(2ππ-=；B 处向下，C 处向上141028: 10.04cos()2t ππ-141033: 3/4π 141035: b,f ; a,e 141054:141057:141059:332ππππ－，，－，141075:2/45.2;/7.0;72;/98s m s m s m N π142008：（1）cm t x )4/34/cos(10252ππ-⨯=-（2）s cm v /93.3=142018:解：(1) s l mg m k m T 201.0)//(2/2/2=∆===ππωπ (2) J A l mg kA E 3221092.3)/(2121-⨯=∆==150001：B 150003：C 150009：C 150040: B150044: C 151005: π 151006： 0.8m ；0.2m ；125Hz 151008：3/π 151013：2.4m ；6.0m/s151035：)/2cos(λππωx t A y -+= 151045:A, π2/B , C /2π, B /2π, B/C , ()Cl Bt A y -=cos ， DC 152004:152011解∶(1) 振动方程Hzv f s f cm A t A y 5.0/210)cos(10=====+=-λππωφω初始条件y(0,0)=00)0,0(>y得πφ210-=故得原点振动方程∶cm t y )21cos(10ππ-=(2) x=150cm 是在原点“下游”4/3λ处位相比原点落后π23，所以cmt t y )2cos(10)2321cos(10πππππ-=--=只考虑这一点振动情况时，也可以写成)(cos 10cm t y π=17-1，A 17-2，A 17-3，B 17-4，D 17-5，B 17- 6，B 17-7，同振动方向 17-8，1微米 17-10，暗；暗；2/3 17-11，1200 0A 17-12，48000A 17-14，70000A 17-15，3/133cm17-16：3 17-17： mm 2106.7-⨯ 17-18，n 2/λ17-19，分波阵面；分振幅17-21,(1)60000A ; (2)15条 17-22，6328.80A 17-23，6637.93nm 17-24，54480A17-25，A 17-26，C 17-27，C 17-28，C 17-29，A 17-30，C 17-31，A 17-32，A 17-33，B 17-34，B17-35，l D /2λ 17-36，25cm 17-38，B 17-39，m 51025.1⨯ 17-40，424 17-42，03.0≈θ；3cm17-43，（1）0.2356cm ；（2）0.1178cm 17-44，3,2,1,0±±±=k 共7条17-45，k=3；2k+1=7 17-46，A 17-47：D060002: A 060005: B 060006: D 060017: C 060026: C060031: C 060040: B 060043: B 060047: D 060050: B 060061: B 061012:061015: 260J ；-280J 061056: 等压 ；等压061079: k mu 3/2061080: 气体分子热运动的每个自由度的平均能量 062031:解∶(1) 过程ab 与bc 为吸热过程，吸热总和为J V p V p V p V p T T C T T C Q b b c c a a b b b c P a b V 800)(25)(23)()(1=-+-=-+-=(2) 循环过程对外所作总功为图中矩形面积JV V p V V p A a d d b c b 100)()(=---=(3)db c a d d b b d b c c a a c a d d d b b b c c c a a a T T T T R R V p V p T T R R V p V p T T R V p T R V p T R V p T R V p T =⨯==⨯======242242/)1012(/)(/)1012(/)(/,//,/070019: A ,D 070024: A 070040: D 071022: kT w 23=; 气体的温度是分子平均平动动能的量度 071023：2000m/s ; 500m/s 071037：12.5J ; 20.8J18-1，B 18-2，D 18-3，C 18-4，D 18-5，C 18-6，B 18-7，B 180010：A 18-8，2/c h ν；νh ；c h /ν 18-9, ()20/1c v m m -=,()220/1c v c m E -=,202c m mc E k -=18-10, 2025.1c m ,2025.0c m ,c m 075.0181001：112/(/)-u c m 181005：m 0c 2(n-1) 181019：32c 19-1，D 19-2，D 19-4，A19-5，B 19-6，B 19-7，B 19-8，D 19-9，B 19-10，D 19-11，C 19-12，D 19-13，D 19-14，D 19-15，λhc；λh19-17，α粒子散射；有核；卢瑟福原子有核模型190025: D 190050: D 190071: (2) 190077: (4)190093: A 191007: 150V 191040: π; 0191064: A191063.6-⨯ 191069: >; > ; ＝ 191079: 电子自旋的角动量的空间取向量子化192035: m B e R hcA 2222-=λ; meB R e mv U a 22222==。
大学物理B 06年A卷
杭州电子科技大学学生考试卷（ A ）卷
考试对象：
考试课程 大学物理B
考试日期 2006年 月 日
课程号 教师号 任课教师姓名 考生姓名
学号（8位）
年级
专业
选择题（24分） 填空题（26分） 计算题（50分）
总分（100）
得分
一．选择题（共24分）
1．（本题3分） (5003)
一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为 j bt i at r 2
2+=（其中a 、b 为常量）, 则该质点作
(A) 匀速直线运动． (B) 变速直线运动．
(C) 抛物线运动． (D)一般曲线运动． ［ ］ 2．（本题3分） (5010)
ω
O
R
A
(A) R
g
s μω≤. (B) R
g
s 23μω≤
. (C) R g
s μω3≤
. (D) R
g s μω2≤. 3．（本题3分） (0063)
质量为m 的质点，以不变速率v 沿图中正三角形ABC 的水平光滑轨道运动．质点越过A 角时，
轨道作用于质点的冲量的大小为
(A) m v ． (B) m v ． (C) m v ． (D) 2m v ．
［ ］
第 1页 共 4页 23在作匀速转动的水平转台上，与转轴相距R 处有一体积很小的工件A ，如图所示．设工件与转台间静摩擦系数为μs ，若使工件在转台上无滑动，则转台的角速度ω应满足 [ ]
A B C
第 2页共 4页
第 3页共 4页
第 4页共 4页。
电子科技大学半导体物理B考试试题与参考答案
电⼦科技⼤学半导体物理B考试试题与参考答案电⼦科⼤2005－2006年第⼀学期⼀、选择填空（含多选题）（18分）1、重空⽳是指（ C ）A 、质量较⼤的原⼦组成的半导体中的空⽳B 、价带顶附近曲率较⼤的等能⾯上的空⽳C 、价带顶附近曲率较⼩的等能⾯上的空⽳D 、⾃旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空⽳2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ）A. ⾦刚⽯型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. ⾦刚⽯型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型3、电⼦在晶体中的共有化运动指的是电⼦在晶体（ C ）。
A 、各处出现的⼏率相同B 、各处的相位相同C 、各元胞对应点出现的⼏率相同D 、各元胞对应点的相位相同4、本征半导体是指（ A ）的半导体。
A 、不含杂质与缺陷；B 、电⼦密度与空⽳密度相等；C 、电阻率最⾼； C 、电⼦密度与本征载流⼦密度相等。
5、简并半导体是指（ A ）的半导体A 、(E C -E F )或(E F -E V )≤0B 、(EC -E F )或(E F -E V )≥0C 、能使⽤玻⽿兹曼近似计算载流⼦浓度D 、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电⼦6、当Au 掺⼊Si 中时，它引⼊的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的是（ C ）的作⽤；当B 掺⼊Si 中时，它引⼊的杂质能级是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作⽤。
A 、施主B 、受主C 、深D 、浅7、在某半导体掺⼊硼的浓度为1014cm -3, 磷为1015 cm -3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，B. n 型，C. p 型，D. 1.1×1015cm -3,E. 9×1014cm -38、3个硅样品的掺杂情况如下：甲．含镓1×1017cm -3；⼄.含硼和磷各1×1017cm -3；丙.含铝1×1015cm -3这三种样品在室温下的费⽶能级由低到⾼（以E V 为基准）的顺序是( B )A.甲⼄丙；B.甲丙⼄；C.⼄丙甲；D.丙甲⼄9、以长声学波为主要散射机构时，电⼦的迁移率µn 10、公式与温度的（ B ）。
《大学物理》第6单元课后答案 高等教育出版社
co
q R
qd
8 2 0 R 3
。
9. 某区域的电场线如图所示，把一个带负电的点电荷 q 放在点 A 或 B 时， 在
A 点受的电场力大
后 答
10. 电偶极子的电偶极矩是一个矢量，它的大小是 ql （其中 l 是正负电荷之 间的距离） ，它的方向是由 三、判断题 11.
w.
电荷。
7
案 网
若将放在电场中某点的试探电荷 q 改为 q ，则该点的电场强度大小不变，方向与原来相反 。 【 错 】 【 对 】
(A) (B) (C)
案 网
0
(D)
w.
(D) q / 6 0 。 E 题7图 q S 题9图
3 2 0
0
2 0
co
【 D 【 D 题8图
4. 关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是： (A) 如果高斯面上 E 处处为零，则该面内必无电荷． (B) 如果高斯面内无电荷，则高斯面上 E 处处为零．
学号
姓名
单元六
一、选择题 1. 已知一高斯面所包围的体积内电量代数和 (A) 高斯面上各点场强均为零； (C) 穿过整个高斯面的电通量为零； 2. 高斯定理
q
i
0 ，则可肯定:
【 C
】
(B) 穿过高斯面上每一面元的电通量均为零； (D) 以上说法都不对。 【 A 】
E s dS v dv / 0
杭州电子科技大学
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co
题 10 图 q2 S q4 题 11 图
《大学物理习题集》 （上册）
m
q3 【 对 】
0
d ） 。 0
题 14 图