晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程和处理工序
晶圆制造工艺流程和处理工序晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。
（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。
用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。
16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
半导体芯片制造工艺流程
半导体芯片制造工艺流程一、晶圆生产过程1、切割原材料：首先，将原材料（多晶片、单晶片或多晶硅）剪切成小块，称之为原乳片（OOP）。
2、晶圆处理：将原乳片受热加热，使其变形，使其压紧一致，然后放入一种名叫抛光膏的特殊介质中，使原乳片抛光均匀，表面压处理完成后可以形成称做“光本”的片子，用于制作晶圆切片。
3、晶圆切片：将打磨后的“光本”放入切片机，由切片机按特定尺寸与厚度切割成多片，即晶圆切片。
4、外层保护：为防止晶圆切片氧化和粉化，需要给其外层加以保护，银镀层属于最常用的保护方式，银镀用于自行氧化或化学氧化，使晶圆切片的表面具有光泽滑润的特性，同时会阻止晶圆切片粉化，提升晶圆切片的质量。
二、封装1、贴有芯片的封装状态：需要将芯片封装在一个特殊容器，这个容器由多层金属合金制成，其中折叠金属层和金属緩衝層能够有效地抗震，同时能够预防芯片表面外来粉尘的影响，芯片的需要的部件，贴入折叠金属层的空隙中，用以安全固定。
2、针引线安装：引线是封装过程中用来连接外部与芯片内部的一种金属元件，一般由铜带按照需要的形状进行切割而成，由于引线的重要性，需要保证引线的装配使得引线舌语长度相等，防止引线之间相互干涉，芯片内部元件之间并不影响运行。
3、将口金连接到封装上：封装固定完毕后，需要给封装上焊上金属口金，来使得封装具有自身耐腐蚀性能，保护内部金属引线免于腐蚀。
4、将封装上封装在机柜中：把封装好的芯片安装在外壳体内，使得外壳可以有效地防止芯片的护盾被外界的破坏。
三、芯片测试1、芯片测试：芯片测试是指使用指定的设备测试芯片，通过检测芯片的性能参数，来查看芯片的表现情况，判断其是否符合要求，从而判断该芯片产品是否可以出厂销售。
2、功能测试：功能测试是检测半导体芯片的特殊功能，例如检查芯片操作程序功能是否达到产品要求，及看看芯片故障率是否太高等。
3、芯片温度：芯片也要进行温度测试，温度的大小决定了芯片的工作状况以及使用寿命，需要把比较详细的测量温度，用以检查芯片是否能够承受更高的工作温度条件；4、芯片功能检测：功能检测是常用的测试，如扫描检测或静态测试，根据设计上的配置，将芯片进行检测，来看看是否有损坏，看看功能是否正常，符合产品要求。
晶圆制作工艺
晶圆制作工艺一、引言晶圆制作工艺是半导体制造过程中的核心环节之一。
其涉及的工艺步骤和技术要求对最终产品的性能和质量有着重要影响。
本文将对晶圆制作工艺进行全面、详细、完整且深入地探讨，介绍晶圆制作工艺的基本原理、工艺流程和常见工艺技术。
二、晶圆制作工艺的基本原理晶圆制作工艺是将半导体材料加工成具有一定形状、尺寸和质量的晶圆，以便后续的集成电路制造。
其基本原理包括以下几个方面：2.1 材料选择和准备晶圆制作的材料主要有硅、硅化物和砷化镓等。
在材料选择上，需要考虑材料的物理特性、制备成本和工艺可行性等因素。
材料准备包括材料的精炼、制备和切割等步骤，确保材料具备一定的纯度和尺寸。
2.2 晶圆生长晶圆的生长是指通过各种物理或化学方法，在晶圆衬底上逐渐沉积出一层具有晶体结构的薄膜，形成单晶材料。
常用的晶圆生长方法包括气相沉积、熔融法和溅射法等，其中气相沉积是最常用的方法之一。
2.3 陶瓷制备陶瓷制备是指将材料粉末经过烧结或其他方法形成块状或多孔结构的过程，用于制作陶瓷衬底。
陶瓷衬底具有高温稳定性和电气绝缘性能，被广泛应用于光电子、电子器件等领域。
2.4 清洗和净化清洗和净化是晶圆制作过程中必不可少的步骤，主要目的是去除晶圆表面的污染物和杂质。
清洗方法包括化学溶液浸泡、超声波清洗和离子束清洗等，净化方法则采用真空处理或高温退火等方式。
三、晶圆制作工艺的流程晶圆制作工艺的流程包括以下几个主要步骤：3.1 晶圆生长晶圆生长是整个制作工艺中的关键步骤，它的质量和性能直接影响到后续工艺的进行和设备的性能。
晶圆生长的主要方法有： - Czochralski法（CZ法）：通过在熔融的原料中拉出晶种并逐渐增长晶体，得到大直径的单晶圆。
- 悬拉法（Floating Zone Method，FZ法）：利用悬吊附近的热源将单晶材料熔化，并自下向上生长。
- 气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD法）：在气相中使反应气体分解并沉积在衬底表面上，形成单晶薄膜。
晶圆制作过程范文
晶圆制作过程范文晶圆是一种非常重要的半导体材料，用于制造各种电子器件，如集成电路和太阳能电池等。
制作晶圆的过程主要包括晶圆材料选择、单晶生长、切割和抛光等几个关键步骤。
下面将详细介绍晶圆制作的过程。
第一步：晶圆材料选择晶圆通常由硅(Si)材料制成，因为硅具有良好的电子特性和光学特性。
在选择硅材料之前，首先需要确定应用所需的特性，如阻挡层、导电性等。
根据这些需求，可以选择不同纯度的硅材料，如普通硅、高纯硅和超纯硅。
第二步：单晶生长单晶生长是生产晶圆的关键步骤之一、单晶生长的方法有多种，其中常用的包括凝固法、溶液法和气相淀积法。
凝固法是通过将溶液或熔融物体逐渐冷却，使其凝固成单晶体。
这种方法可以生长较大尺寸的晶体，并且可以控制晶体的取向和纯度。
溶液法是通过在溶液中逐渐减少溶质浓度，使其沉淀成单晶体。
这种方法可以生长优质的单晶，但是晶体尺寸相对较小。
气相淀积法是通过在气相中控制气氛和温度的条件下，使气态材料沉积在基片上形成单晶。
这种方法可以生长大尺寸、高质量的单晶体。
第三步：切割在单晶生长完成后，需要将单晶体切割成薄片，即晶圆。
晶圆的切割通常使用金刚石切割盘进行，切割出的晶圆通常具有圆形或方形。
在切割过程中，需要防止产生晶格的损伤或污染。
因此，在切割之前，通常会在单晶体表面形成一层保护膜，如氧化物或金属膜，以防止切割时对晶体的影响。
第四步：抛光切割出的晶圆通常具有不平整的表面，需要进行抛光处理。
抛光主要是通过机械研磨和化学腐蚀的方法，将晶圆表面的杂质、损伤和不平整层层去除，使其表面平坦光滑。
机械研磨通常使用研磨液和研磨盘对晶圆表面进行研磨，去除表面不平整。
化学腐蚀是利用化学溶液对晶圆表面进行腐蚀，去除表面的污染和损伤。
此外，抛光过程还可以通过光学手段实时监测晶圆表面的平整度和光滑度，以保证抛光的质量和效果。
第五步：清洗和检测抛光完成后，晶圆需要进行清洗和检测。
清洗过程主要是将抛光产生的残留物、污染物和杂质从晶圆表面洗净，以确保晶圆的纯净度。
晶圆生产工艺与流程介绍
晶圆的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装1.晶棒成长工序：它又可细分为：1）.融化（Melt Down）将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）.颈部成长（Neck Growth）待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）.晶冠成长（Crown Growth）颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。
4）.晶体成长（Body Growth）不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）.尾部成长（Tail Growth）当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping）由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD(Chemic al Vapordeposi tion)法沉积一层Si3N4(Hot CVD 或 LPCVD)。
（1）常压 CVD (Normal Pressu re CVD)（2）低压 CVD (Low Pressu re CVD)（3）热 CVD (Hot CVD)/(therma l CVD)（4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanc ed CVD)（5）MOCVD(MetalOrgani c CVD) & 分子磊晶成长 (Molecu lar Beam Epitax y)（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake)（6）腐蚀 (etchin g)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后 LPCVD沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程晶圆制造是指通过一系列工艺步骤来制作半导体芯片的过程。
以下是典型的晶圆制造工艺流程。
1.单晶片生长：晶圆制造的第一步是将纯度很高的硅材料通过化学气相沉积或其他方法生长为单晶片。
这个步骤是整个工艺流程的基础。
2.晶圆切割：在单晶片生长完成后，将其切割成薄片，即晶圆。
通常使用金刚石刀进行切割，切割后的晶圆具有相对平整的表面和一定的厚度。
3.光刻：光刻是晶圆制造中关键的步骤之一、在此步骤中，通过光刻机将需要形成的图案转移到晶圆表面。
这通常涉及到在晶圆表面涂覆光刻胶，然后通过光刻机的曝光和显影过程来形成所需的图案。
4.晶圆清洗：在光刻步骤完成后，晶圆需要进行清洗，以去除光刻胶的残留物和其他杂质。
晶圆清洗通常会使用化学溶液和超声波的作用来清洁晶圆表面。
5.电镀：在一些情况下，需要对晶圆进行电镀，以增加其表面的导电性和减小电阻。
这个步骤通常涉及将晶圆浸入含有金属离子的溶液中，在电流作用下使金属离子沉积在晶圆表面。
6.氧化：氧化是将晶圆表面涂覆一层氧化物的过程。
这个步骤可以在大气中进行，也可以通过化学气相沉积来完成。
氧化的目的是改善晶圆表面的质量，并为后续步骤提供一定的保护。
7.形成电极和连线：在晶圆上制作电极和连线是将芯片的不同部分连接起来的关键步骤。
这个步骤通常涉及使用光刻和电镀等技术，将导电材料沉积在晶圆表面，并通过化学蚀刻来形成所需的电极和连线。
8.打磨和抛光：在制造晶圆过程中，由于一些原因，晶圆表面可能会有一些不平整和缺陷。
为了修复这些问题，晶圆需要经过打磨和抛光，使其表面更加平整和光滑。
9.测试和封装：在晶圆制造完毕后，需要对芯片进行测试，以确保其正常工作。
测试通常会使用特定的测试设备和测试程序来进行，包括电性能测试、可靠性测试等。
然后，芯片会进行封装，即将其放入塑料或金属封装中，以保护芯片并为其提供适当的引脚。
以上是晶圆制造的典型工艺流程。
当然，实际的晶圆制造可能会因不同应用领域和制造工艺的差异而略有不同。
晶圆制造实用工艺流程
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD)（2）低压 CVD (Low Pressure CVD)（3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘 (pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘 (post bake)（6）腐蚀 (etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。
用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
晶圆生产流程及每道工序的关键工艺参数
晶圆生产流程及关键工艺参数1. 晶圆生产流程概述晶圆生产是半导体工业中的重要环节，主要包括晶圆切割、清洗、掩膜光刻、离子注入、扩散、腐蚀、金属化等多个工序。
下面将详细介绍每个工序的步骤和关键工艺参数。
2. 晶圆生产流程详解2.1 晶圆切割晶圆切割是将硅单晶棒切割成具有一定厚度的硅片，主要步骤包括：2.1.1 硅单晶棒修整将硅单晶棒进行修整，使其表面光滑且直径均匀。
2.1.2 硅单晶棒预定位对硅单晶棒进行预定位，确定切割位置。
2.1.3 硅单晶棒切割使用金刚石线锯将硅单晶棒切割成硅片。
2.1.4 硅片清洗将切割好的硅片进行清洗，去除杂质和污染物。
2.2 清洗清洗是将硅片表面的杂质和污染物去除，主要步骤包括：2.2.1 预清洗将硅片浸泡在预清洗液中，去除大部分粉尘和有机污染物。
2.2.2 主清洗使用酸性或碱性清洗液对硅片进行主要清洗，去除残留的有机污染物和金属离子。
2.2.3 漂洗用纯水对硅片进行漂洗，去除清洗液残留。
2.2.4 干燥将硅片在干燥器中进行干燥，去除水分。
2.3 掩膜光刻掩膜光刻是通过光刻胶和掩膜模板将芯片图形转移到硅片上，主要步骤包括：2.3.1 光刻胶涂覆将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
2.3.2 掩膜对位将掩膜模板对准硅片，并通过对位器进行精确定位。
2.3.3 曝光使用紫外光将掩膜模板上的芯片图形转移到硅片上。
2.3.4 显影使用显影液去除未曝光的光刻胶，形成芯片图形。
2.4 离子注入离子注入是将特定元素注入硅片表面，改变硅片的导电性能，主要步骤包括：2.4.1 离子源准备准备离子源和加速器设备，确定注入元素和能量。
2.4.2 离子束对准将离子束对准硅片表面，并通过对位器进行精确定位。
2.4.3 注入通过加速器加速离子束，使其注入硅片表面，并控制注入剂量和深度。
2.5 扩散扩散是将特定元素在硅片中进行扩散，形成PN结构，主要步骤包括：2.5.1 清洗将注入后的硅片进行清洗，去除污染物。
晶圆生产工艺与流程介绍
晶圆生产工艺与流程介绍文档编制序号：[KK8UY-LL9IO69-TTO6M3-MTOL89-FTT688]晶圆的生产工艺流程介绍从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长?-->?晶棒裁切与检测?-->?外径研磨?-->?切片?-->?圆边?-->?表层研磨?-->?蚀刻?-->?去疵?-->?抛光?-->?清洗?-->?检验?-->?包装1.晶棒成长工序：它又可细分为：1）.融化（Melt?Down）将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）.颈部成长（Neck?Growth）待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）.晶冠成长（Crown?Growth）颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。
4）.晶体成长（Body?Growth）不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）.尾部成长（Tail?Growth）当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2.晶棒裁切与检测（Cutting?&?Inspection）将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3.外径研磨（Surface?Grinding?&?Shaping）由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
(完整版)晶圆的生产工艺流程汇总
晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长 -- 晶棒裁切与检测 -- 外径研磨 -- 切片 -- 圆边-- 表层研磨 -- 蚀刻 -- 去疵 -- 抛光 -- 清洗 -- 检验 -- 包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。
4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。
(完整版)晶圆的生产工艺流程汇总
颈部成长
1
待硅融浆的温度安定之后，将〈1.0.0〉方向的晶 种慢慢插入其中。
2
接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定 尺寸（大凡约6mm左右）。
3
维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内 的晶粒排列取向差异。
晶冠成长
颈部成长完成后，慢慢降低提升速度 和温度。
使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5 、6、8、12吋等）。
07
CATALOGUE
蚀刻
蚀刻
要点一
蚀刻的目的
蚀刻是晶圆制造过程中一个重要的步 骤，其目的是去掉晶片表面因加工应 力而产生的一层损伤层。这一层通常 很薄，但如果不将其去除，将会影响 芯片的电气性能和可靠性。因此，蚀 刻是确保晶片表面质量的关键步骤之 一。
要点二
浸泡
将晶片放入化学蚀刻液中，让蚀刻液 与晶片表面发生化学反应。这个过程 通常需要一定时间，以确保蚀刻液能 够充分与晶片表面接触。
抛光的影响因素：抛光处理的效果受 到多个因素的影响，包括抛光设备的 类型和精度、抛光材料的种类和粒度 、化学试剂的种类和浓度、晶片的材 质和厚度等。在抛光处理过程中，要 综合考虑这些因素，以获得最佳的处 理效果。同时，抛光处理还需要注意 保护晶片的边缘部分，避免在处理过 程中对边缘造成损伤或破坏。
06
(完整版)晶圆的 生产工艺流程汇 总
汇报人：XXX 2023-12-01
目录
• 晶棒成长工序 • 晶棒裁切与检测 • 外径研磨 • 切片 • 圆边 • 研磨 • 蚀刻 • 去疵 • 抛光 • 清洗 • 检验 • 包装
01
CATALOGUE
晶棒成长工序
融化
• 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内：加热到其 熔点1420°C以上，使其完全融化。待硅融浆的温度 安定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中。 接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺 寸（大凡约6mm左右）。
晶圆加工流程
晶圆加工流程
晶圆加工流程通常包括以下步骤：
1. 晶圆生长：通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉
积（PVD）等方法，在衬底上通过不断加料、热处理等方式
逐渐生长出晶圆。
2. 退火：将生长出的晶圆加热至高温，以去除内部的应力和缺陷，并提高晶体品质。
3. 切割：将晶圆切割成标准的圆片，通常以钻孔和砂轮为主。
在切割过程中需要控制切割角度和切割深度等参数，以确保每个圆片的质量和规格一致。
4. 去胶：去除表面上的胶层，通常使用化学物质如酸、氢氟酸等，也可以使用激光去胶等方法。
5. 清洗：将切割后的圆片进行清洗，去除表面的污染和残留物，通常使用气流除尘和化学溶解等方法。
6. 处理：对圆片进行各种处理，如刻蚀、离子注入、薄膜沉积等，以制备出各种器件和元件。
7. 封装：将制备好的器件和元件封装成完整的芯片，以保护其内部结构和电路，并方便连接和使用。
以上是典型的晶圆加工流程，不同的应用和工艺还有许多细节和差异。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、 CVD（Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD） .(1)常压 CVD （Normal Pressure CVD）(2)低压 CVD （Low Pressure CVD)（3)热 CVD （Hot CVD）/(thermal CVD)（4)电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD）(5)MOCVD （Metal Organic CVD）＆分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)(6）外延生长法（LPE）4、涂敷光刻胶(1）光刻胶的涂敷（2)预烘 (pre bake）（3）曝光(4）显影（5)后烘（post bake)（6）腐蚀（etching）(7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷（P+5) 离子，形成 N 型阱9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜，作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构,并氧化生成 SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As）离子，形成 NMOS 的源漏极。
用同样的方法,在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
晶圆的生产工艺流程汇总
晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长 -- 晶棒裁切与检测 -- 外径研磨 -- 切片 -- 圆边-- 表层研磨 -- 蚀刻 -- 去疵 -- 抛光 -- 清洗 -- 检验 -- 包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。
4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。
晶圆生产主要工艺流程
晶圆生产主要工艺流程晶圆生产是集成电路制造的基础工艺流程，也是整个芯片制造过程中的关键环节。
晶圆生产主要包括晶圆加工、掩膜制备、光刻、扩散、腐蚀、离子注入、热处理等多个工艺步骤。
下面将详细介绍晶圆生产的主要工艺流程。
一、晶圆加工晶圆加工是整个晶圆生产的第一步，也是最关键的一步。
首先，需要从硅单晶片中切割出晶圆，常用的切割方法有线锯切割和研磨切割两种。
切割完成后，需要对晶圆进行抛光，以去除切割过程中产生的毛刺和磨损层，使晶圆表面变得光滑。
二、掩膜制备掩膜制备是晶圆生产的重要一环，它是通过光刻技术来制备掩膜图形。
首先，需要将光刻胶涂覆在晶圆表面，然后使用掩膜对光刻胶进行曝光，通过光刻机进行曝光和显影处理，使光刻胶形成所需的图形。
掩膜图形决定了芯片的电路结构和功能。
三、光刻光刻是晶圆生产中的核心工艺步骤，用于将掩膜上的图形转移到晶圆上。
光刻过程中，首先将掩膜和晶圆对准，然后使用紫外光照射光刻胶，使光刻胶发生化学或物理变化。
然后，通过显影处理，使未曝光的部分光刻胶被溶解掉，暴露出晶圆表面的区域。
最后，使用蚀刻或其他加工方法，将暴露出来的晶圆表面进行加工。
四、扩散扩散是晶圆生产中的一种加工方法，用于控制晶圆表面杂质的浓度和分布。
扩散过程中，将晶圆置于高温炉中，与气体或液体中的杂质进行反应，使杂质从液体或气体中扩散到晶圆表面。
扩散后的晶圆表面形成了所需的掺杂区域，用于形成芯片中的电子器件。
五、腐蚀腐蚀是晶圆生产中的一种加工方法，用于去除晶圆表面的氧化层或其他不需要的杂质。
腐蚀过程中，将晶圆放置在腐蚀液中，使腐蚀液与晶圆表面发生化学反应，去除表面的氧化层或杂质。
腐蚀后的晶圆表面更加平整和清洁，有利于后续工艺的进行。
六、离子注入离子注入是晶圆生产中的一种加工方法，用于控制晶圆中杂质的浓度和分布。
离子注入过程中，将晶圆放置在离子注入机中，加速并定向注入离子束到晶圆表面。
注入的离子将与晶体中的原子进行替换或形成杂质，从而改变晶圆的电学性质。
晶圆的生产工艺流程
晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长 -- 晶棒裁切与检测 -- 外径研磨 -- 切片 -- 圆边-- 表层研磨 -- 蚀刻 -- 去疵 -- 抛光 -- 清洗 -- 检验 -- 包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。
3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。
4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。
5）、尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。
到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。
3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。
4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。
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晶圆制造工艺流程1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。
（1）常压CVD (Normal Pressure CVD)（2）低压CVD (Low Pressure CVD)（3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD)（5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)（6）外延生长法(LPE)4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。
14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。
用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。
16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um 。
（2）真空蒸发法（Evaporation Deposition ）（3）溅镀（Sputtering Deposition ）19、光刻技术定出VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。
然后，用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。
20、光刻和离子刻蚀，定出PAD 位置21、最后进行退火处理，以保证整个Chip 的完整和连线的连接性晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。
而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。
经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。
而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry何谓Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：Tencor Surfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate"机台是什幺用途?答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何?答：90~120 度C何种气体为Poly ETCH主要使用气体?答：Cl2, HBr, HCl用于Al 金属蚀刻的主要气体为答：Cl2, BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次?答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.遇IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE为那三个英文字缩写?答：Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等何谓ESC(electrical static chuck)答：利用静电吸附的原理, 将Wafer 固定在极板(Substrate) 上Asher主要气体为答：O2Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度简述TURBO PUMP 原理答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化ORIENTER 之用途为何？答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题简述EPD之功用答：侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点何谓MFC？答：mass flow controler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量GDP 为何?答：气体分配盘(gas distribution plate)GDP 有何作用？答：均匀地将气体分布于芯片上方何谓isotropic etch?答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等何谓anisotropic etch?答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少何谓etch 选择比?答：不同材质之蚀刻率比值何谓AEI CD?答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)何谓CD bias?答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD简述何谓田口式实验计划法?答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析何谓反射功率?答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率Load Lock 之功能为何?答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.厂务供气系统中何谓Bulk Gas ?答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如N2, O2, Ar 等.厂务供气系统中何谓Inert Gas?答：Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如NH3, CF4, CHF3, SF6 等.厂务供气系统中何谓Toxic Gas ?答：Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如SiH4, Cl2, BCl3 等.机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作冷却器的冷却液为何功用?答：传导热Etch之废气有经何种方式处理?答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽何谓RPM?答：即Remote Power Module,系统总电源箱.火灾异常处理程序答：(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关闭VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序答：(1) 警告周围人员. (2) 按Pause 键,暂止Run 货. (3) 立即关闭VMB 阀,并通知厂务. (4) 进行测漏.高压电击异常处理程序答：(1) 确认安全无虑下,按EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤人员T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何?答：提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送Wafer,节省时间.机台PM时需佩带面具否答：是,防毒面具机台停滞时间过久run货前需做何动作答：Seasoning(陈化处理)何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。