第八章习题(答案)

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初二物理第八章练习题含答案

初二物理第八章练习题含答案1. 选择题(1) 以下属于力的性质是:A. 大小B. 方向C. 作用点D. 面积答案：A、B、C(2) 能够使物体发生位移的只有:A. 摩擦力B. 重力C. 弹力和悬挂力D. 正确答案全部都对答案：C(3) 法拉第一定律指出的是:A. 外力作用于物体上时，物体一定保持静止或匀速直线运动B. 外力作用于物体上时，物体的速度将发生变化C. 物体受到的合力为零时，物体一定保持静止或匀速直线运动D. 物体受到的合力为零时，物体的速度将发生变化答案：C2. 填空题(1) 一个力从右往左作用于一个物体，这个物体产生的反作用力的方向是______。

答案：从左往右(2) 一个力从上往下作用于一个物体，这个物体产生的反作用力的方向是______。

答案：从下往上(3) 一个物体受到A力的作用产生加速度a，如果力A的大小不变，改变作用方向，则产生的加速度为______。

答案：-a3. 解答题(1) 什么是力？力的三要素是什么？解答：力是物体之间相互作用的结果，是导致物体发生变化的原因。

力的三要素包括大小、方向和作用点。

大小表示力的强弱程度，方向表示力作用的直线方向，作用点表示力作用的具体位置。

(2) 什么是合力？如何求合力？解答：合力是同时作用在物体上的多个力的共同效果。

求合力的方法是将所有作用在物体上的力按照大小和方向合成，可以通过向量法或图示法来求解。

(3) 描述牛顿第一定律，并用实例说明其应用。

解答：牛顿第一定律也称为惯性定律，指出在没有外力作用时，物体将保持静止或匀速直线运动的状态。

例如，当我们用力推动一张光滑的桌子上的书时，如果力的大小和方向适当，书就会保持匀速直线运动，直到受到其他力的作用。

这说明物体在没有外力干扰时具有惯性，保持原来的状态不发生变化。

总结：初二物理第八章练习题主要涉及力的性质和作用、法拉第一定律等内容。

通过选择题和填空题加深对知识点的理解，同时通过解答题展开思考和拓展。

第8章习题答案

第八章多态1.单选题（1）．下列关于运算符重载的描述中，( D )是正确的。

(A) 可以改变参与运算的操作数个数 (B) 可以改变运算符原来的优先级(C) 可以改变运算符原来的结合性(D) 不能改变原运算符的语义（2）．下列函数中，不能重载运算符的函数是( b )。

(A) 成员函数(B) 构造函数(C) 普通函数 (D) 友员函数（3）．要求用成员函数重载的运算符是( A )。

(A) =(B) == (C) <= (D) ++（4）．要求用友员函数重载的运算符是( C )。

(A) = (B) [] (C) <<(D) ()（5）．在C++中，要实现动态联编，必须使用( D )调用虚函数。

(A) 类名(B) 派生类指针(C) 对象名(D) 基类指针（6）．下列函数中，不能说明为虚函数的是( C )。

(A) 私有成员函数(B) 公有成员函数(C) 构造函数(D) 析构函数（7）．在派生类中，重载一个虚函数时，要求函数名、参数的个数、参数的类型、参数的顺序和函数的返回值( A )。

(A) 相同(B)不同(C) 相容(D) 部分相同（8）．C++中，根据（D ）识别类层次中不同类定义的虚函数版本。

(A) 参数个数(B) 参数类型(C) 函数名(D) this指针类型（9）．虚析构函数的作用是（C ）。

(A) 虚基类必须定义虚析构函数(B) 类对象作用域结束时释放资源(C)delete动态对象时释放资源(D) 无意义（10）．下面函数原型中，( B )声明了fun为纯虚函数。

(A) void fun()=0; (B) virtual void fun()=0;(C) virtual void fun(); (D) virtual void fun(){ };（11）．若一个类中含有纯虚函数，则该类称为( C )。

(A) 基类(B)纯基类(C) 抽象类(D) 派生类（12）．假设Aclass为抽象类，下列正确的说明语句是( B )。

统计学第五版第八章课后习题答案

由Excel制表得:
由图可知:
已知:α= 0、05,n1 = n2=12
=31、75 =28、67 =10、20 =6、06 t=1、72 t∈(-1、72,1、72)接受,否则拒绝。 t=(31 、75-28、67)/(8、08* 0、41)=0、93 0、 93∈(-1、72,1、72)
决策:在α= 0、05得水平上接受。
已知包重服从正态分布,试检验该日打包机工作就是否正常 ( α
=0、) 。解:
如图所示:
本题采用单样本t检验。
:μ=100 :μ≠100基
本统计量:
α=0、05,N=9, =99、978,
S=1、2122, =0、4041 检验结果: t=-0、005,自由度f=8, 双侧检验P=0、996,单侧检验P=0、498
:μ≥700
:μ<700
∵α=0、05∴
=-1、645
计算检验统计量: =(680-700)/(60/6)=-2
决策: ∵Z值落入拒绝域,
∴在α=0、05得显著水平上拒绝 ,接受。
结论: 有证据表明这批灯泡得使用寿命低于700小时,为不合格产品。
8、3 某地区小麦得一般生产水平为亩产250公斤,其标准差为30 公斤。现用一种化肥进行试验,从25个小区抽样,平均产量为270
决策:在 α= 0、05得水平上拒绝。
结论: 服用阿司匹林可以降低心脏病发生率。
8、14 某工厂制造螺栓,规定螺栓口径为7、0cm,方差为0、03cm。今从一批螺栓中抽取80个测量其口径,得平均值为6、97cm,方差为 0、0375cm。假定螺栓口径为正态分布,问这批螺栓就是否达到规定得要求 (a=0、05)？
双侧检验

第8章习题与参考答案

第八章习题本章习题及参考答案一、名词解释菲利普斯曲线需求拉上通货膨胀成本推进通货膨胀通货膨胀失业二、判断√ ×√ √ ×√√1、非平衡的通货膨胀是指每种商品价格上升的比例并不完全相同。

（）2、由于不同部门劳动生产率增长快慢不同导致的通货膨胀被称为需求拉动型通货膨胀。

( )3、成本推动型的通货膨胀是工资推动通货膨胀。

( )4、平衡和预期不到的通货膨胀，会影响人们的收入分配以及产量和就业。

( )5、菲利普斯曲线反映了通货膨胀率与通货膨胀压力之间的反向关系。

( )6、以衰退来降低通货膨胀率会引起失业率上升。

( )7、通货膨胀是指一般物价水平的显著上涨。

( )三、选择题1、成本推动通货膨胀是由于（）A 货币发行量超过流通中的黄金量B 货币发行量超过流通中的价值量C 货币发行量太多引起物价水平普遍持续上升D 以上都不是2、在通货膨胀中利益受损的人是（）A 债权人B 债务人C 养老金收入者D 雇工3、成本推动通货膨胀包括（）A 工资推动通货膨胀B 需求膨胀推动通货膨胀C 货币过度发行通货膨胀D 部门间生产率增长差别导致通货膨胀4、预期不到的通货膨胀会给下列那些人带来好处（）A养老金收入者B 领固定工资者 C 持有现款的人 D 身负重债的人5、造成通货膨胀的原因包括（）A 需求拉动B 成本推动C 经济结构因素的变动D 上述都对6、引起结构性通货膨胀的主要原因在于（）A 各部门工资相继上升B 货币需求过大C 部门间生产率提高快慢不同D 国际市场上的不稳定7、导致需求拉上通货膨胀的因素有（）A 投资需求增加B 货币供给减少C 政府支出减少D 政府收入增加8、根据价格调整方程，要降低通货膨胀率可以（）A 人为制造衰退B 减少货币发行量C 降低实际GNPD 以上都对9、下列哪一个不是根据通货膨胀的起因分类的（）A 平衡的和非平衡的通货膨胀B 需求拉上通货膨胀C 成本推进通货膨胀D 结构性通货膨胀四简答1、通货膨胀是如何分类的？2、治理通货膨胀有那些方法？3、简析结构性通货膨胀及其原因。

课后习题答案第8章_存储器和可编程逻辑器件

第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1存储器按读写功能以及信息的可保存性分别分为哪几类？并简述各自的特点。

解答：存储器按读写功能可分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。

随机存取存储器在工作过程中，既可从其任意单元读出信息，又可以把外部信息写入任意单元。

因此，它具有读、写方便的优点，但由于具有易失性，所以不利于数据的长期保存。

只读存储器在正常工作时其存储的数据固定不变，只能读出，不能随时写入。

ROM为非易失性器件，当器件断电时，所存储的数据不会丢失。

存储器按信息的可保存性可分为易失性存储器和非易失性存储器。

易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息，它需要持续的电源供应以维持数据。

非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。

8-2什么是SRAM？什么是DRAM？它们在工作原理、电路结构和读/写操作上有何特点？解答：SRAM（Static Random Access Memory）为静态随机存储器，其存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路构成的。

DRAM（Dynamic Random Access Memory）为动态随机存储器，常利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器，为了避免存储信息的丢失，必须定时地对电路进行动态刷新。

SRAM的数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存，但其存储单元所用的管子数目多，因此功耗大，集成度受到限制。

DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息，由于电荷保存时间有限，为避免存储数据的丢失，必须由刷新电路定期刷新，但其存储单元所用的管子数目少，因此功耗小，集成度高。

SRAM速度非常快，但其价格较贵；DRAM的速度比SRAM慢，不过它比ROM 快。

8-3若RAM的存储矩阵为256字⨯4位，试问其地址线和数据线各为多少条？解答：存储矩阵为256字⨯4位的RAM地址线为8根，数据线为4根。

8-4某仪器的存储器有16位地址线，8位数据线，试计算其最大存储容量是多少？解答：最大存储容量为216⨯8=524288=512k bit（位）8-5用多少片256⨯4位的RAM可以组成一片2K⨯8位的RAM？试画出其逻辑图。

单片机第八章习题参考答案

第八章习题参考答案一、填空题1、MCS-51外扩ROM、RAM或I/O时，它的地址总线是 P0、P2 口。

2、12根地址线可寻址 4 KB存储单元。

3、微机与外设间传送数据有程序传送、中断传送和 DMA传送三种传送方式。

4、 74LS138是具有3个输入的译码器芯片，其输出作为片选信号时，最多可以选中 8 块芯片。

5、74LS273通常用来作简单输出接口扩展；而74LS244则常用来作简单输入接口扩展。

6、并行扩展存储器，产生片选信号的方式有线选法和译码法两种。

7、在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为了扩展芯片的片选端提供信号。

8、起止范围为0000H-3FFFH的存储器的容量是 16 KB。

9、11根地址线可选 2KB 个存储单元，16KB存储单元需要 14 根地址线。

10、32KB RAM存储器的首地址若为2000H，则末地址为 9FFF H。

11、假定一个存储器有4096个存储单元，其首地址为0，则末地址为 0FFFH 。

12、除地线公用外，6根地址线可选 64 个地址，11根地址线可选 2048 个地址。

13、单片机扩展的内容有程序存储器扩展、数据存储器扩展及 I/O口的扩展等。

二、选择题1、当8031外扩程序存储器8KB时，需使用EPROM2716（ C ）A、 2片B、 3片C、 4片D、 5片2、某种存储器芯片是8KB*4/片，那么它的地址线根数是（ C ）A、 11根B、 12根C、 13根D、 14根3、 74LS138芯片是（ B ）A、驱动器B、译码器C、锁存器 D、编码器4、 MCS-51外扩ROM、RAM和I/O口时，它的数据总线是（ A ）A、 P0B、 P1C、 P2D、P35、6264芯片是（ B ）A、 E2PROMB、 RAMC、 Flash ROMD、EPROM6、一个EPROM的地址有A0----A11引脚，它的容量为（ B ）。

A、2KBB、4KBC、11KBD、12KB7、单片机要扩展一片EPROM2764需占用（ C ）条P2口线。

《半导体物理》习题答案第八章

第8章半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。

解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V εε=-，∴1022()rs s d D V x qN εε=-代入数据：11141352219145211.68.85100.24 4.9210()()7.3101.610 5.8109.2710d x cm -----⨯⨯⨯⨯⨯==⨯⨯⨯⨯⨯3.对由电阻率为5cm Ω⋅的n 型硅和厚度为100nm 的二氧化硅膜组成的MOS 电容，计算其室温（27℃）下的平带电容0/FB C C 。

解：当5cm ρ=Ω⋅时，由图4-15查得143910D N cm -=⨯；室温下0.026eV kT =，0 3.84r ε=（SiO 2的相对介电系数）代入数据，得：1141/20002197722110.693.84(11.68.85100.026)11()11.6 1.61010010310FBr rs rs A C C kT q N d εεεε---===⨯⨯⨯+⋅+⨯⨯⨯⨯⨯此结果与图8-11中浓度为1⨯1015/cm 3的曲线在d 0=100nm 的值非常接近。

4. 导出理想MIS 结构的开启电压随温度变化的表示式。

解：按定义，开启电压U T 定义为半导体表面临界强反型时加在MOS 结构上的电压，而MOS结构上的电压由绝缘层上的压降U o 和半导体表面空间电荷区中的压降U S （表面势）两部分构成，即oST S Q U U C =-+ 式中，Q S 表示在半导体表面的单位面积空间电荷区中强反型时的电荷总数，C o 单位面积绝缘层的电容，U S 为表面在强反型时的压降。

U S 和Q S 都是温度的函数。

以p 型半导体为例，强反型时空间电荷区中的电荷虽由电离受主和反型电子两部分组成，且电子密度与受主杂质浓度N A 相当，但反型层极薄，反型电子总数远低于电离受主总数，因而在Q S 中只考虑电离受主。

结构力学第八章作业参考答案

基本体系
D
Z2
B
2I 2FL/9 I
M图
D
L
B
A
L
B
2FL/9
A
L
FL/9
B
解：（1）该结构为有两个基本未知量，分别为 Z1 和 Z 2 ，如图。（2）可以得到位移法的典型方程：
⎧r11Z1 + r12 Z 2 + R1P = 0 ⎨ ⎩r21Z1 + r22 Z 2 + R2 P = 0
（3）做出基本结构的各单位内力图和荷载内力图。令其中系数： r11 = 14i 自由项： R1 p = 0 （4）求解出多余未知力。
4
1m
E
E
E r12 2I
4m
I
I
4m
I
I
1m
0.75 E
1m
结构力学第八章习题参考答案
（2）可以得到位移法的典型方程：
⎧r11Z1 + r12 Z 2 + R1P = 0 ⎨ ⎩r21Z1 + r22 Z 2 + R2 P = 0
（3）做出基本结构的各单位内力图和荷载内力图。其中系数： r11 = r22 =
8－7 试用位移法计算连续梁，绘制弯矩图。 EI = 常数
A Z1 B 6m 6m
基本体系
Z1 C 6m
A B 6m 6m C 6m
D
D
解：（1）该结构为有两个基本未知量，分别为 Z1 和 Z 2 ，如图。（2）可以得到位移法的典型方程：
⎧r11Z1 + r12 Z 2 + R1P = 0 ⎨ ⎩r21Z1 + r22 Z 2 + R2 P = 0

第8章习题答案(孙丽华)

4
3
体。由 n 10 和 a l 2 查表 9-7 得 0 .66 ，则钢管根数为
n
0.9 R E (1)
R E ( man)

0.9 45 11.26 0.66 5.45
考虑到接地体的均匀对称布置，最后确定选用 12 根直径 50mm、长 2.5m 的钢管作接地体，并用 40×4mm2 的扁钢连接，呈环形布置。
可见，该避雷针不能保护这座建筑物。 8-13 某电气设备需进行接地，可利用的自然接地体电阻为 15Ω，而接地电阻要求不得大于 4Ω。
试选择垂直埋地的钢管和连接扁钢。已知接地处的土壤电阻率为 150 Ω m。解：需要装设的人工接地体的接地电阻为
R E ( man)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
R E ( nat ) R E R E ( nat ) R E
答：变电所内的设备和建筑物必须有完善的直击雷防护装置，通常采用独立避雷针或避雷线；对于雷电侵入波的过电压保护是利用阀型避雷器以及与阀型避雷器相配合的进线段保护。 8-5 什么叫接地？什么叫接地装置？电气上的“地”是什么意义？什么叫对地电压？什么叫接
触电压和跨步电压？答：电气设备的某部分与大地之间做良好的电气连接，称为接地。接地体与接地线的总和，称为接地装置。电气上的“地”是指在距接地体 20m 以外电位等于零的地方。电气设备的接地部分（如接地的
答：总等电位联结是在建筑物进线处，将 PE 线或 PEN 线与电气装置接地干线、建筑物内的各种金属管道（如水管、煤气管、采暖和空调管道等）以及建筑物的金属构件等，都接向总等电位连接端子板，使他们都具有基本相等的电位；局部等电位联结又称辅助等电位联结，是在远离总等电位联结处、非常潮湿、有腐蚀性物质、触电危险性大的局部范围内进行的等电位联结，以作为总等电位联结的一种补充。采取等电位联结后，可以降低接触电压，保障人身安全。 8-9 什么叫感知电流、摆脱电流和致命电流？电流对人体的伤害程度与哪些因素有关？我国规

大学物理第八章课后习题答案

大学物理第八章课后习题答案-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN第八章电磁感应电磁场8 －1一根无限长平行直导线载有电流I，一矩形线圈位于导线平面内沿垂直于载流导线方向以恒定速率运动（如图所示），则（）（A）线圈中无感应电流（B）线圈中感应电流为顺时针方向（C）线圈中感应电流为逆时针方向（D）线圈中感应电流方向无法确定分析与解由右手定则可以判断，在矩形线圈附近磁场垂直纸面朝里，磁场是非均匀场，距离长直载流导线越远，磁场越弱．因而当矩形线圈朝下运动时，在线圈中产生感应电流，感应电流方向由法拉第电磁感应定律可以判定．因而正确答案为（B）．8 －2将形状完全相同的铜环和木环静止放置在交变磁场中，并假设通过两环面的磁通量随时间的变化率相等，不计自感时则（）（A）铜环中有感应电流，木环中无感应电流（B）铜环中有感应电流，木环中有感应电流（C）铜环中感应电动势大，木环中感应电动势小（D）铜环中感应电动势小，木环中感应电动势大23分析与解根据法拉第电磁感应定律，铜环、木环中的感应电场大小相等，但在木环中不会形成电流．因而正确答案为（A ）．8 －3 有两个线圈，线圈1 对线圈2 的互感系数为M 21 ，而线圈2 对线圈1的互感系数为M 12 ．若它们分别流过i 1 和i 2 的变化电流且ti t i d d d d 21<，并设由i 2变化在线圈1 中产生的互感电动势为ε12 ，由i 1 变化在线圈2 中产生的互感电动势为ε21 ，下述论断正确的是（）．（A ）2112M M = ，1221εε=（B ）2112M M ≠ ，1221εε≠（C ）2112M M =， 1221εε<（D ）2112M M = ，1221εε<分析与解教材中已经证明M21 ＝M12 ，电磁感应定律t i M εd d 12121=；ti M εd d 21212=．因而正确答案为（D ）． 8 －4 对位移电流，下述四种说法中哪一种说法是正确的是（）（A ）位移电流的实质是变化的电场（B ）位移电流和传导电流一样是定向运动的电荷（C ）位移电流服从传导电流遵循的所有定律（D ）位移电流的磁效应不服从安培环路定理分析与解位移电流的实质是变化的电场．变化的电场激发磁场，在这一点位移电流等效于传导电流，但是位移电流不是走向运动的电荷，也就不服从焦耳热效应、安培力等定律．因而正确答案为（A ）．48 －5 下列概念正确的是（）（A ）感应电场是保守场（B ）感应电场的电场线是一组闭合曲线（C ） LI Φm =，因而线圈的自感系数与回路的电流成反比（D ） LI Φm =，回路的磁通量越大，回路的自感系数也一定大分析与解对照感应电场的性质，感应电场的电场线是一组闭合曲线．因而正确答案为（B ）．8 －6 一铁心上绕有线圈100匝，已知铁心中磁通量与时间的关系为()Wb π100sin 100.85t Φ⨯=，求在s 100.12-⨯=t 时，线圈中的感应电动势．分析由于线圈有N 匝相同回路，线圈中的感应电动势等于各匝回路的感应电动势的代数和，在此情况下，法拉第电磁感应定律通常写成tψt ΦN ξd d d d -=-=，其中ΦN ψ=称为磁链．解线圈中总的感应电动势()()t tΦNξπ100cos 51.2d d =-= 当s 100.12-⨯=t 时，V 51.2=ξ． 8 －7 有两根相距为d 的无限长平行直导线，它们通以大小相等流向相反的电流，且电流均以tI d d 的变化率增长．若有一边长为d 的正方形线圈与两导线处于同一平面内，如图所示．求线圈中的感应电动势．5分析本题仍可用法拉第电磁感应定律tΦξd d -=来求解．由于回路处在非均匀磁场中，磁通量就需用⎰⋅=SΦS B d 来计算（其中B 为两无限长直电流单独存在时产生的磁感强度B 1 与B 2 之和）．为了积分的需要，建立如图所示的坐标系．由于B 仅与x 有关，即()B B x =，故取一个平行于长直导线的宽为ｄx 、长为d 的面元ｄS ，如图中阴影部分所示，则x d S d d =，所以，总磁通量可通过线积分求得（若取面元y x S d d d =，则上述积分实际上为二重积分）．本题在工程技术中又称为互感现象，也可用公式tl M E M d d -=求解．解1 穿过面元ｄS 的磁通量为()x d xI μx d d x I μΦd π2d π2d d d d 0021-+=⋅+⋅=⋅=S B S B S B 因此穿过线圈的磁通量为()43ln π2d π2d π2d 02020Id μx x Id μx d x Id μΦΦd d dd =-+==⎰⎰⎰ 再由法拉第电磁感应定律，有6tI d μt ΦE d d 43ln π2d d 0⎪⎭⎫ ⎝⎛=-= 解2 当两长直导线有电流I 通过时，穿过线圈的磁通量为 43ln π20dI μΦ=线圈与两长直导线间的互感为 43ln π20d μI ΦM == 当电流以tl d d 变化时，线圈中的互感电动势为 tI d μt I M E d d 43ln π2d d 0⎪⎭⎫ ⎝⎛=-= 试想：如线圈又以速率v 沿水平向右运动，如何用法拉第电磁感应定律求图示位置的电动势呢此时线圈中既有动生电动势，又有感生电动势．设时刻t ，线圈左端距右侧直导线的距离为ξ，则穿过回路的磁通量()ξf ΦS,1d =⋅=⎰S B ，它表现为变量I 和ξ的二元函数，将Φ代入t ΦE d d -= 即可求解，求解时应按复合函数求导，注意，其中v =tξd d ，再令ξ＝d 即可求得图示位置处回路中的总电动势．最终结果为两项，其中一项为动生电动势，另一项为感生电动势．8 －8 有一测量磁感强度的线圈，其截面积S ＝4.0 cm 2 、匝数N ＝160 匝、电阻R ＝50Ω．线圈与一内阻R i ＝30Ω的冲击电流计相连．若开始时，线圈的平面与均匀磁场的磁感强度B 相垂直，然后线圈的平面很快地转到与B 的方向平行．此时从冲击电流计中测得电荷值54.010C q -=⨯．问此均匀磁场的磁感强度B 的值为多少7分析在电磁感应现象中，闭合回路中的感应电动势和感应电流与磁通量变化的快慢有关，而在一段时间内，通过导体截面的感应电量只与磁通量变化的大小有关，与磁通量变化的快慢无关．工程中常通过感应电量的测定来确定磁场的强弱．解在线圈转过90°角时，通过线圈平面磁通量的变化量为NBS NBS ΦΦΦ=-=-=0Δ12 因此，流过导体截面的电量为ii R RNBS R R Φq +=+=Δ 则 ()T 050.0=+=NSR R q B i 8 －9 如图所示，一长直导线中通有I ＝5.0 A 的电流，在距导线9.0 cm 处，放一面积为0.10 cm 2 ，10 匝的小圆线圈，线圈中的磁场可看作是均匀的．今在1.0 ×10－2 s 内把此线圈移至距长直导线10.0 cm 处．求：（1）线圈中平均感应电动势；（2）设线圈的电阻为1.0×10－2Ω，求通过线圈横截面的感应电荷．8分析虽然线圈处于非均匀磁场中，但由于线圈的面积很小，可近似认为穿过线圈平面的磁场是均匀的，因而可近似用NBS ψ=来计算线圈在始、末两个位置的磁链．解（1）在始、末状态，通过线圈的磁链分别为1011π2r ISμN S NB ψ==,2022π2r IS μN S NB ψ== 则线圈中的平均感应电动势为 V 1011.111πΔ2ΔΔ8210-⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-==r r t IS μN t ΦE 电动势的指向为顺时针方向．（2）通过线圈导线横截面的感应电荷为tΦE d d -= 8 －10 如图（ａ）所示，把一半径为R 的半圆形导线OP 置于磁感强度为B 的均匀磁场中，当导线以速率v 水平向右平动时，求导线中感应电动势E 的大小，哪一端电势较高9分析本题及后面几题中的电动势均为动生电动势，除仍可由tΦE d d -=求解外（必须设法构造一个闭合回路），还可直接用公式()l B d ⋅⨯=⎰l E v 求解．在用后一种方法求解时，应注意导体上任一导线元ｄl 上的动生电动势()l B d d ⋅⨯=v E .在一般情况下，上述各量可能是ｄl 所在位置的函数．矢量（v ×B ）的方向就是导线中电势升高的方向．解1 如图（ｂ）所示，假想半圆形导线O P 在宽为2R 的静止形导轨上滑动，两者之间形成一个闭合回路．设顺时针方向为回路正向，任一时刻端点O 或端点P 距形导轨左侧距离为x ，则B R Rx Φ⎪⎭⎫ ⎝⎛+=2π212 即B R tx RB t ΦE v 2d d 2d d -=-=-= 由于静止的形导轨上的电动势为零，则E ＝－2R v B ．式中负号表示电动势的方向为逆时针，对OP 段来说端点P 的电势较高．解2 建立如图（c ）所示的坐标系，在导体上任意处取导体元ｄl ，则()θR θB l θB E o d cos d cos 90sin d d v v ==⋅⨯=l B vB R θθBR E v v 2d cos d E π/2π/2===⎰⎰- 由矢量（v ×B ）的指向可知，端点P 的电势较高．10 解3 连接OP 使导线构成一个闭合回路．由于磁场是均匀的，在任意时刻，穿过回路的磁通量==BS Φ常数.由法拉第电磁感应定律tΦE d d -=可知，E ＝0 又因 E ＝E OP ＋E PO即 E OP ＝－E PO ＝2R v B由上述结果可知，在均匀磁场中，任意闭合导体回路平动所产生的动生电动势为零；而任意曲线形导体上的动生电动势就等于其两端所连直线形导体上的动生电动势．上述求解方法是叠加思想的逆运用，即补偿的方法．8 －11 长为L 的铜棒，以距端点r 处为支点，以角速率ω绕通过支点且垂直于铜棒的轴转动.设磁感强度为B 的均匀磁场与轴平行，求棒两端的电势差．分析应该注意棒两端的电势差与棒上的动生电动势是两个不同的概念，如同电源的端电压与电源电动势的不同．在开路时，两者大小相等，方向相反（电动势的方向是电势升高的方向，而电势差的正方向是电势降落的方向）．本题可直接用积分法求解棒上的电动势，亦可以将整个棒的电动势看作是O A 棒与O B 棒上电动势的代数和，如图（ｂ）所示．而E O A 和E O B 则可以直接利用第８－2 节例1 给出的结果．解1 如图（ａ）所示，在棒上距点O 为l 处取导体元ｄl ，则()()r L lB ωl lB ωE L-r r AB AB 221d d --=-=⋅⨯=⎰⎰-l B v 因此棒两端的电势差为()r L lB ωE U AB AB 221--== 当L ＞2r 时，端点A 处的电势较高解2 将AB 棒上的电动势看作是O A 棒和O B 棒上电动势的代数和，如图（ｂ）所示．其中221r ωB E OA =,()221r L B ωE OB -= 则()r L BL ωE E E OB OA AB 221--=-= 8 －12 如图所示，长为L 的导体棒OP ，处于均匀磁场中，并绕OO ′轴以角速度ω旋转，棒与转轴间夹角恒为θ，磁感强度B 与转轴平行．求OP 棒在图示位置处的电动势．分析如前所述，本题既可以用法拉第电磁感应定律t ΦE d d -= 计算（此时必须构造一个包含OP 导体在内的闭合回路，如直角三角形导体回路OPQO ），也可用()l B d ⋅⨯=⎰lE v 来计算．由于对称性，导体OP 旋转至任何位置时产生的电动势与图示位置是相同的．解1 由上分析，得()l B d ⋅⨯=⎰OP OP E v l αB l o d cos 90sin ⎰=v()()l θB θωl o d 90cos sin ⎰-=l()⎰==L θL B ωl l θB ω022sin 21d sin 由矢量B ⨯v 的方向可知端点P 的电势较高．解2 设想导体OP 为直角三角形导体回路OPQO 中的一部分，任一时刻穿过回路的磁通量Φ为零，则回路的总电动势QO PQ OP E E E t ΦE ++==-=0d d 显然，E QO ＝0，所以()221PQ B ωE E E QO PQ OP ==-= 由上可知，导体棒OP 旋转时，在单位时间内切割的磁感线数与导体棒QP 等效．后者是垂直切割的情况．8 －13 如图（ａ）所示，金属杆AB 以匀速12.0m s -=⋅v 平行于一长直导线移动，此导线通有电流I ＝40A ．求杆中的感应电动势，杆的哪一端电势较高分析本题可用两种方法求解．（1）用公式()l B d ⋅⨯=⎰lE v 求解，建立图（a ）所示的坐标系，所取导体元x l d d =，该处的磁感强度xI μB π20=．（2）用法拉第电磁感应定律求解，需构造一个包含杆AB 在内的闭合回路．为此可设想杆AB 在一个静止的形导轨上滑动，如图（ｂ）所示．设时刻t ，杆AB 距导轨下端CD 的距离为y ，先用公式⎰⋅=SΦS B d 求得穿过该回路的磁通量，再代入公式tΦE d d -=，即可求得回路的电动势，亦即本题杆中的电动势．解1 根据分析，杆中的感应电动势为()V 1084.311ln 2πd 2πd d 50m 1.1m 1.00-⨯-=-=-==⋅⨯=⎰⎰v v v I μx x μxl E AB AB l B 式中负号表示电动势方向由B 指向A ，故点A 电势较高．解2 设顺时针方向为回路AB CD 的正向，根据分析，在距直导线x 处，取宽为ｄx 、长为y 的面元ｄS ，则穿过面元的磁通量为x y xI μΦd 2πd d 0=⋅=S B 穿过回路的磁通量为11ln 2πd 2πd 0m1.1m 1.00⎰⎰-===S Iy μx y x I μΦΦ 回路的电动势为V 1084.32πd d 11ln 2πd d 500-⨯-=-=-=-=Iy μt y x I μt ΦE 由于静止的形导轨上电动势为零，所以 V 1084.35-⨯-==E E AB式中负号说明回路电动势方向为逆时针，对AB 导体来说，电动势方向应由B 指向A ，故点A 电势较高．8 －14 如图（ａ）所示，在“无限长”直载流导线的近旁，放置一个矩形导体线框，该线框在垂直于导线方向上以匀速率v 向右移动，求在图示位置处，线框中感应电动势的大小和方向．分析本题亦可用两种方法求解．其中应注意下列两点：1．当闭合导体线框在磁场中运动时，线框中的总电动势就等于框上各段导体中的动生电动势的代数和．如图（ａ）所示，导体eh 段和fg 段上的电动势为零［此两段导体上处处满足()0l B =⋅⨯d v ］，因而线框中的总电动势为()()()()hg ef hgef gh ef E E E -=⋅⨯-⋅⨯=⋅⨯+⋅⨯=⎰⎰⎰⎰l B l B l B l B d d d d v v v v 其等效电路如图（ｂ）所示．2．用公式tΦE d d -=求解，式中Φ是线框运动至任意位置处时，穿过线框的磁通量．为此设时刻t 时，线框左边距导线的距离为ξ，如图（c ）所示，显然ξ是时间t 的函数，且有v =tξd d ．在求得线框在任意位置处的电动势E （ξ）后，再令ξ＝d ，即可得线框在题目所给位置处的电动势．解1 根据分析，线框中的电动势为hg ef E E E -=()()⎰⎰⋅⨯-⋅⨯=hgef l B l B d d v v ()⎰⎰+-=2201000d 2πd 2πl l l l d I μl d I μv v ()1202πl d I I μ+=1vI 由E ef ＞E hg 可知，线框中的电动势方向为efgh ．解2 设顺时针方向为线框回路的正向．根据分析，在任意位置处，穿过线框的磁通量为()()ξl ξξx Il μdx ξx Il μΦl 120020ln π2π21++=+=⎰ 相应电动势为()()1120π2d d l ξξl l I μt ΦξE +=-=v 令ξ＝d ，得线框在图示位置处的电动势为 ()1120π2l d d l l I μE +=v 由E ＞0 可知，线框中电动势方向为顺时针方向．*8 －15 有一长为l ，宽为b 的矩形导线框架，其质量为m ，电阻为R ．在t ＝0时，框架从距水平面y ＝0 的上方h 处由静止自由下落，如图所示．磁场的分布为：在y ＝0 的水平面上方没有磁场；在y ＝0 的水平面下方有磁感强度为B 的均匀磁场，B 的方向垂直纸面向里．已知框架在时刻t 1 和t 2 的位置如图中所示．求在下述时间内，框架的速度与时间的关系：（1） t 1 ≥t ＞0，即框架进入磁场前；（2） t 2 ≥t ≥t 1 ，即框架进入磁场，但尚未全部进入磁场；（3）t ＞t 2 ，即框架全部进入磁场后．分析设线框刚进入磁场（t 1 时刻）和全部进入磁场（t 2 时刻）的瞬间，其速度分别为v 10 和v 20 ．在情况（1）和（3）中，线框中无感应电流，线框仅在重力作用下作落体运动，其速度与时间的关系分别为v ＝gt （t ＜t 1）和v ＝v 20 ＋g （t －t 2 ）（t ＞t 2 ）．而在t 1＜t ＜t 2这段时间内，线框运动较为复杂，由于穿过线框回路的磁通量变化，使得回路中有感应电流存在，从而使线框除受重力外，还受到一个向上的安培力F A ，其大小与速度有关，即()A A F F =v ．根据牛顿运动定律，此时线框的运动微分方程为()tv v d d m F mg A =-，解此微分方程可得t 1＜t ＜t 2 时间内线框的速度与时间的关系式．解（1）根据分析，在1t t ≤时间内，线框为自由落体运动，于是()11t t gt ≤=v 其中1t t =时，gh 2101==v v（2）线框进入磁场后，受到向上的安培力为v Rl B IlB F A 22== 根据牛顿运动定律，可得线框运动的微分方程tv m v d d 22=-R l B mg 令mRl B K 22=，整理上式并分离变量积分，有 ⎰⎰=-t t t g 110d d vv Kv v 积分后将gh 210=v 代入，可得()()[]1212t t K e gh K g g K----=v （3）线框全部进入磁场后（t ＞t 2），作初速为v 20 的落体运动，故有()()()[]()222031221t t g e gh K g g Kt t g t t K -+--=-+=--v v 8 －16 有一磁感强度为B 的均匀磁场，以恒定的变化率t d d B 在变化．把一块质量为m 的铜，拉成截面半径为r 的导线，并用它做成一个半径为R 的圆形回路．圆形回路的平面与磁感强度B 垂直．试证：这回路中的感应电流为td d π4B d ρm I =式中ρ 为铜的电阻率，d 为铜的密度．解圆形回路导线长为πR 2，导线截面积为2πr ，其电阻R ′为22rR ρS l ρR ==' 在均匀磁场中，穿过该回路的磁通量为BS Φ=，由法拉第电磁感应定律可得回路中的感应电流为t t t d d 2πd d π1d d 122B ρRr B R R ΦR R E I ='='='= 而2ππ2r R d m =，即dm Rr π2π2=，代入上式可得 td d π4B d ρm I = 8 －17 半径为R ＝2.0 cm 的无限长直载流密绕螺线管，管内磁场可视为均匀磁场，管外磁场可近似看作零．若通电电流均匀变化，使得磁感强度B 随时间的变化率td d B 为常量，且为正值，试求：（1）管内外由磁场变化激发的感生电场分布；（2）如1s T 010.0d d -⋅=tB ，求距螺线管中心轴r ＝5．0 cm 处感生电场的大小和方向．分析变化磁场可以在空间激发感生电场，感生电场的空间分布与场源———变化的磁场（包括磁场的空间分布以及磁场的变化率td d B 等）密切相关，即S B l E d d ⋅∂∂-=⎰⎰S S k t .在一般情况下，求解感生电场的分布是困难的．但对于本题这种特殊情况，则可以利用场的对称性进行求解．可以设想，无限长直螺线管内磁场具有柱对称性，其横截面的磁场分布如图所示．由其激发的感生电场也一定有相应的对称性，考虑到感生电场的电场线为闭合曲线，因而本题中感生电场的电场线一定是一系列以螺线管中心轴为圆心的同心圆．同一圆周上各点的电场强度E k 的大小相等，方向沿圆周的切线方向．图中虚线表示r ＜R 和r ＞R 两个区域的电场线．电场线绕向取决于磁场的变化情况，由楞次定律可知，当0d d <t B 时，电场线绕向与B 方向满足右螺旋关系；当0d d >t B 时，电场线绕向与前者相反．解如图所示，分别在r ＜R 和r ＞R 的两个区域内任取一电场线为闭合回路l （半径为r 的圆），依照右手定则，不妨设顺时针方向为回路正向．（1） r ＜R ， tB r t r E E k l k d d πd d d π2d 2-=⋅-=⋅=⋅=⎰⎰S B l E tB r E k d d 2-= r ＞R ， t B R t r E E k lk d d πd d d π2d 2-=⋅-=⋅=⋅=⎰⎰S B l E tB r R E k d d 22-= 由于0d d >tB ，故电场线的绕向为逆时针．（2）由于r ＞R ，所求点在螺线管外，因此tB r R E k d d 22-= 将r 、R 、tB d d 的数值代入，可得15m V 100.4--⋅⨯-=k E ，式中负号表示E k 的方向是逆时针的．8 －18 在半径为R 的圆柱形空间中存在着均匀磁场，B 的方向与柱的轴线平行．如图（ａ）所示，有一长为l 的金属棒放在磁场中，设B 随时间的变化率tB d d 为常量．试证：棒上感应电动势的大小为分析变化磁场在其周围激发感生电场，把导体置于感生电场中，导体中的自由电子就会在电场力的作用下移动，在棒内两端形成正负电荷的积累，从而产生感生电动势．由于本题的感生电场分布与上题所述情况完全相同，故可利用上题结果，由⎰⋅=lk E l E d 计算棒上感生电动势．此外，还可连接OP 、OQ ，设想PQOP 构成一个闭合导体回路，用法拉第电磁感应定律求解，由于OP 、OQ 沿半径方向，与通过该处的感生电场强度E k 处处垂直，故0d =⋅l E k ，OP 、OQ 两段均无电动势，这样，由法拉第电磁感应定律求出的闭合回路的总电动势，就是导体棒PQ 上的电动势．证1 由法拉第电磁感应定律，有 22Δ22d d d d d d ⎪⎭⎫ ⎝⎛-==-==l R l t B t B S t ΦE E PQ 证2 由题８－17可知，在r ＜R 区域，感生电场强度的大小tB r E k d d 2= 设PQ 上线元ｄx 处，E k 的方向如图（b ）所示，则金属杆PQ 上的电动势为()()222202/2d d d 2/d d 2d cos d l R l t B x r l R t B r x θE E l k k PQ -=-==⋅=⎰⎰x E 讨论假如金属棒PQ 有一段在圆外，则圆外一段导体上有无电动势该如何求解8 －19 截面积为长方形的环形均匀密绕螺绕环，其尺寸如图（ａ）所示，共有N 匝（图中仅画出少量几匝），求该螺绕环的自感L ．分析如同电容一样，自感和互感都是与回路系统自身性质（如形状、匝数、介质等）有关的量．求自感L 的方法有两种：1．设有电流I 通过线圈，计算磁场穿过自身回路的总磁通量，再用公式IΦL =计算L ．2．让回路中通以变化率已知的电流，测出回路中的感应电动势E L ，由公式t I E L L d /d =计算L ．式中E L 和tI d d 都较容易通过实验测定，所以此方法一般适合于工程中．此外，还可通过计算能量的方法求解．解用方法1 求解，设有电流I 通过线圈，线圈回路呈长方形，如图（ｂ）所示，由安培环路定理可求得在R 1 ＜r ＜R 2 范围内的磁场分布为xNI μB π20=由于线圈由N 匝相同的回路构成，所以穿过自身回路的磁链为 12200ln π2d π2d 21R R hI N μx h x NI μN N ψS R R ==⋅=⎰⎰S B 则1220ln π2R R h N μI ψL = 若管中充满均匀同种磁介质，其相对磁导率为μr ，则自感将增大μr 倍．8 －20 如图所示，螺线管的管心是两个套在一起的同轴圆柱体，其截面积分别为S 1 和S 2 ，磁导率分别为μ1 和μ2 ，管长为l ，匝数为N ，求螺线管的自感．（设管的截面很小）分析本题求解时应注意磁介质的存在对磁场的影响．在无介质时，通电螺线管内的磁场是均匀的，磁感强度为B 0 ，由于磁介质的存在，在不同磁介质中磁感强度分别为μ1 B 0 和μ2 B 0 ．通过线圈横截面的总磁通量是截面积分别为S 1 和S 2 的两部分磁通量之和．由自感的定义可解得结果．解设有电流I 通过螺线管，则管中两介质中磁感强度分别为I L N μnl μB 111==,I LN μnl μB 222== 通过N 匝回路的磁链为221121S NB S NB ΨΨΨ+=+=则自感2211221S μS μlN I ψL L L +==+= 8 －21 有两根半径均为a 的平行长直导线，它们中心距离为d ．试求长为l的一对导线的自感（导线内部的磁通量可略去不计）．分析两平行长直导线可以看成无限长但宽为d 的矩形回路的一部分．设在矩形回路中通有逆时针方向电流I ，然后计算图中阴影部分（宽为d 、长为l ）的磁通量．该区域内磁场可以看成两无限长直载流导线分别在该区域产生的磁场的叠加．解在如图所示的坐标中，当两导线中通有图示的电流I 时，两平行导线间的磁感强度为()r d I μr I μB -+=π2π200 穿过图中阴影部分的磁通量为 aa d l μr Bl ΦS a d a -==⋅=⎰⎰-ln πd d 0S B 则长为l 的一对导线的自感为aa d l μI ΦL -==ln π0 如导线内部磁通量不能忽略，则一对导线的自感为212L L L +=．L 1 称为外自感，即本题已求出的L ，L 2 称为一根导线的内自感．长为l 的导线的内自感8π02l μL =，有兴趣的读者可自行求解． 8 －22 如图所示，在一柱形纸筒上绕有两组相同线圈AB 和A ′B ′，每个线圈的自感均为L ，求：（1） A 和A ′相接时，B 和B ′间的自感L 1 ；（2） A ′和B 相接时，A 和B ′间的自感L 2 ．分析无论线圈AB 和A ′B ′作哪种方式连接，均可看成一个大线圈回路的两个部分，故仍可从自感系数的定义出发求解．求解过程中可利用磁通量叠加的方法，如每一组载流线圈单独存在时穿过自身回路的磁通量为Φ，则穿过两线圈回路的磁通量为2Φ；而当两组线圈按（1）或（2）方式连接后，则穿过大线圈回路的总磁通量为2Φ±2Φ，“ ±”取决于电流在两组线圈中的流向是相同或是相反．解（1）当A 和A ′连接时，AB 和A ′B ′线圈中电流流向相反，通过回路的磁通量亦相反，故总通量为0221=-=ΦΦΦ，故L 1 ＝0．（2）当A ′和B 连接时，AB 和A ′B ′线圈中电流流向相同，通过回路的磁通量亦相同，故总通量为ΦΦΦΦ4222=+=，故L I ΦI ΦL 4422===．本题结果在工程实际中有实用意义，如按题（1）方式连接，则可构造出一个无自感的线圈．8 －23 如图所示，一面积为4.0 cm 2 共50 匝的小圆形线圈A ，放在半径为20 cm 共100 匝的大圆形线圈B 的正中央，此两线圈同心且同平面．设线圈A 内各点的磁感强度可看作是相同的．求：（1）两线圈的互感；（2）当线圈B 中电流的变化率为－50 A·ｓ－1 时，线圈A 中感应电动势的大小和方向．分析设回路Ⅰ中通有电流I 1 ，穿过回路Ⅱ的磁通量为Φ21 ，则互感M ＝M 21 ＝Φ21I 1 ；也可设回路Ⅱ通有电流I 2 ，穿过回路Ⅰ的磁通量为Φ12 ，则21212I ΦM M == ．虽然两种途径所得结果相同，但在很多情况下，不同途径所涉及的计算难易程度会有很大的不同．以本题为例，如设线圈B 中有电流I 通过，则在线圈A 中心处的磁感强度很易求得，由于线圈A 很小，其所在处的磁场可视为均匀的，因而穿过线圈A 的磁通量Φ≈BS ．反之，如设线圈A 通有电流I ，其周围的磁场分布是变化的，且难以计算，因而穿过线圈B 的磁通量也就很难求得，由此可见，计算互感一定要善于选择方便的途径．解（1）设线圈B 有电流I 通过，它在圆心处产生的磁感强度R I μN B B 200=穿过小线圈A 的磁链近似为 A B A A A A S RI μN N S B N ψ200== 则两线圈的互感为H 1028.6260-⨯===RS μN N I ψM A B A A （2）V 1014.3d d 4-⨯=-=tI M E A 互感电动势的方向和线圈B 中的电流方向相同．8 －24 如图所示，两同轴单匝线圈A 、C 的半径分别为R 和r ，两线圈相距为d ．若r 很小，可认为线圈A 在线圈C 处所产生的磁场是均匀的．求两线圈的互感．若线圈C 的匝数为N 匝，则互感又为多少解设线圈A 中有电流I 通过，它在线圈C 所包围的平面内各点产生的磁感强度近似为()2/322202d R IR μB +=穿过线圈C 的磁通为 ()22/32220π2r d R IR μBS ψC +==则两线圈的互感为 ()2/3222202πdR R r μI ψM +== 若线圈C 的匝数为N 匝，则互感为上述值的N 倍． 8 －25 如图所示，螺绕环A 中充满了铁磁质，管的截面积S 为2.0 cm 2 ，沿环每厘米绕有100 匝线圈，通有电流I 1 ＝4.0 ×10 －2 A ，在环上再绕一线圈C ，共10 匝，其电阻为0.10 Ω，今将开关Ｓ突然开启，测得线圈C 中的感应电荷为2.0 ×10 －3C ．求：当螺绕环中通有电流I 1 时，铁磁质中的B 和铁磁质的相对磁导率μr ．分析本题与题８－８相似，均是利用冲击电流计测量电磁感应现象中通过回路的电荷的方法来计算磁场的磁感强度．线圈C 的磁通变化是与环形螺线管中的电流变化相联系的．解当螺绕环中通以电流I 1 时，在环内产生的磁感强度110I n μμB r =则通过线圈C 的磁链为S I n μμN BS N ψr c 11022==设断开电源过程中，通过C 的感应电荷为q C ，则有()RS I n μμN ψR ψR qc r c c 110201Δ1=--=-= 由此得 T 10.02110===S N Rqc I n μμB r 相对磁导率1991102==I n μS N Rqc μr8 －26 一个直径为0.01 m ，长为0.10 m 的长直密绕螺线管，共1 000 匝线圈，总电阻为7.76 Ω．求：（1）如把线圈接到电动势E ＝2.0 V 的电池上，电流稳定后，线圈中所储存的磁能有多少磁能密度是多少*（2）从接通电路时算起，要使线圈储存磁能为最大储存磁能的一半，需经过多少时间分析单一载流回路所具有的磁能，通常可用两种方法计算：（1）如回路自感为L （已知或很容易求得），则该回路通有电流I 时所储存的磁能221LI W m =，通常称为自感磁能．（2）由于载流回路可在空间激发磁场，磁能实际是储存于磁场之中，因而载流回路所具有的能量又可看作磁场能量，即V w W V m m d ⎰=，式中m w 为磁场能量密度，积分遍及磁场存在的空间．由于μB w m 22=，因而采用这种方法时应首先求载流回路在空间产生的磁感强度B 的分布．上述两种方法还为我们提供了计算自感的另一种途径，即运用V w LI V m d 212⎰=求解L ．解（1）密绕长直螺线管在忽略端部效应时，其自感l S N L 2=，电流稳定后，线圈中电流RE I =，则线圈中所储存的磁能为J 1028.3221522202-⨯===lRSE N μLI W m 在忽略端部效应时，该电流回路所产生的磁场可近似认为仅存在于螺线管。

运筹学答案第八章

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第八章习题解答
8.15 如图8-59，发点S1，S2分别可供应10和15个单边位上，数收为c点ij。t1，t2可以接收10和25个单位，求最大流，
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第八章习题解答
8.11 求图8-56中v1到各点的最短路。
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8.12 求图8-57网络中各顶点间的最短路。
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心B货1B，中18，B心.22B，的02，运B某3B输每种3。能天货A力需物1，由、求A2单分个2的位别仓库运为库存费9At量，如1，分5表At别，28运—为64t送。每，到天各求31仓运个3t库费配，到最货9t配；省中
20 0 36 14 32
D(4)
0
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V1 0 5 16 19 12
V2 20 0 36 14 32

生物化学第八章糖代谢习题含答案

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 生物化学第八章糖代谢习题含答案第八章糖代谢习题一、是非题 1．判断下列关于戊糖磷酸途径的论述对或错：① 在这一代谢途径中可生成 5-磷酸核糖。

② 转醛酶的辅酶是 TPP，催化 -酮糖上的二碳单位转移到另一个醛糖上去。

③ 葡萄糖通过这一代谢途径可直接生成 ATP。

④ 这一代谢途径的中间物 4-磷酸赤藓糖，是合成芳香族氨基酸的起始物之一。

2．判断下列关于柠檬酸循环的论述对或错：① 此循环的第一个反应是乙酰 CoA 和草酰乙酸缩合生成柠檬酸② 此循环在细胞质中进行。

③ 琥珀酸脱氢酶的辅酶是 NAD+。

④ 该循环中有 GTP 生成。

3．判断下列关于光合作用的叙述对或错：① 光反应为暗反应提供 NADPH 和 ATP。

② 暗反应只能在无光的条件下进行。

③ 循环式光合磷酸化需要两个光反应系统参加。

④ 在三碳（Calvin）循环过程中， CO2 最初受体是 5-磷酸核酮糖。

4．判断下列关于己糖激酶和葡萄糖激酶的叙述对或错：1 / 16① 己糖激酶对葡萄糖的亲和力比葡萄糖激酶高 100 倍。

② 己糖激酶对底物的专一性比葡萄糖激酶差。

③ 6-磷酸葡萄糖对己糖激酶和葡萄糖激酶都有抑制作用。

④ 在肝和脑组织中既有己糖激酶也有葡萄糖激酶。

5．判断下列关于糖异生的叙述对或错：① 糖异生是酵解的逆转。

② 糖异生只在动物组织中发生。

③ 丙酮酸羧化酶激酶是糖异生的关键酶之一。

④ 凡能转变为丙酮酸的物质都是糖异生的前体。

6．判断下列关于乙醛酸循环的叙述对或错：① 异柠檬酸裂解酶和苹果酸合成酶是乙醛酸循环中的两个关键酶。

② 许多植物和微生物能在乙酸环境中生活是因为它们细胞中有乙醛酸循环。

生物化学课后习题答案-第八章xt8

第八章脂代谢一、课后习题1.为什么说脂肪氧化可产生大量内源性水？2.如果用14C标记乙酰CoA的两个碳原子，并加入过量的丙二酸单酰CoA，用纯化的脂肪酸合成酶体系来催化脂肪酸的合成，在合成的软脂肪酸中，哪两个碳原子是被标记的？3.1mol三软脂酰甘油酯完全氧化分解，产生多少摩尔ATP？多少molCO2？如由3mol软脂肪酸和1mol甘油合成1mol三软脂酰甘油酯，需要多少摩尔ATP？4.在动物细胞中由丙酮酸合成1mol己酸，需净消耗多少摩尔ATP及NADPH？5.1mol下列含羟基不饱和脂肪酸完全氧化成CO2和水？可净生成多少摩尔ATP？CH3-CH2-CH2-CH-CH2-CH2CH-COOHOH6.据你所知，乙酰CoA在动物体内可转变成哪些物质？解析：1.生物体内的主要脂类物质中，脂肪是体内的储存能源物质，其氧化分解后比糖产生多得多的能量，这主要是由于脂肪酸含有高比例的氢氧比，含氢多，脱氢机会多，氧化后产生大量内源性水必然高。

2.标记碳原子将会出现在软脂酸的碳链末端（远羧基端）的15、16号碳原子。

乙酰CoA在脂肪酸的合成过程中是初始原料，而直接原料为丙二酰CoA，乙酰CoA通过羧化形成丙二酰CoA。

合成起始引物为乙酰CoA，合成过程直接由丙二酰CoA提供二碳单位，所以标记首先出现在远羧基端的两个碳原子上。

3.1mol三软脂酰甘油脂首先在脂肪酶的水解作用下生成1mol甘油和3mol软脂酸。

甘油在甘油激酶和ATP供能的作用下生成α-磷酸甘油，α-磷酸甘油再在α-磷酸甘油脱氢酶的作用下生成二羟磷酸丙酮和NADH+H+,二羟磷酸丙酮由此可插入酵解途径生成丙酮酸，丙酮酸再进入TCA循环，能量产生如下：10+2.5+2+2.5（苹果酸穿梭）×2-1=18.5molATP 或10+2.5+2+1.5（α-磷酸甘油穿梭）×2-1=16.5molATP；软脂酸通过β-氧化过程完成完全氧化，1mol软脂酸需要7次循环氧化，每个循环产生一个FADH+H+和NADH + H+,最终产生8mol乙酰2molATP，能量产生如下：[（1.5+2.5）× 7 + 8× 10 - 2] × 3 = 318molATP。

第八章资本预算（习题及答案）

第⼋章资本预算（习题及答案）第⼋章资本预算⼀、单项选择题1. A企业投资20万元购⼊⼀台设备，⽆其他投资，没有建设期，预计使⽤年限为20年，⽆残值。

设备投产后预计每年可获得净利3万元，则该投资的静态投资回收期为（/doc/b94067650.html ）。

A.5年B.3年C.4年D.6年[答案]：A[解析]：年折旧＝20/20＝1（万元），经营期内年净现⾦流量＝3＋1＝4（万元），静态投资回收期＝20/4＝5（年）。

[该题针对“项⽬评价的原理和⽅法”知识点进⾏考核]2. 年末ABC公司正在考虑卖掉现有的⼀台闲置设备。

该设备于8年前以50000元购⼊，税法规定的折旧年限为10年，按直线法计提折旧，预计净残值率为10％；⽬前可以按10000元价格卖出，假设所得税率30％，卖出现有设备对本期现⾦流量的影响是（/doc/b94067650.html）。

A.减少1200元B.增加1200元C.增加8800元D.增加11200元[答案]：D[解析]：年折旧＝50000×（1－10％）/10＝4500（元），账⾯余额＝50000－4500×8＝140 00（元），变现损失＝14000－10000＝4000（元），变现损失减税＝4000×30％＝1200（元），现⾦净流量＝10000＋1200＝11200（元）。

[该题针对“所得税和折旧对现⾦流量的影响”知识点进⾏考核]3. 某项⽬的⽣产经营期为5年，设备原值为20万元，预计净残值收⼊5000元，税法规定的折旧年限为4年，税法预计的净残值为8000元，直线法计提折旧，所得税率为30%，设备使⽤五年后报废时，收回营运资⾦2000元，则终结点现⾦净流量为（/doc/b94067650.html）。

A.4100元B.8000元C.5000元D.7900元[答案]：D[解析]：年折旧额＝（200000－8000）/4＝48000（元），第4年末时折旧已经计提完毕，第5年不再计提折旧，第5年末设备报废时的折余价值＝200000－48000×4＝8000（元），预计实际净残值收⼊5000元⼩于设备报废时的折余价值8000元的差额抵减所得税，减少现⾦流出，增加现⾦净流量，所以终结点现⾦净流量＝2000＋5000＋（8000－5000）×30%＝7900（元）。

第八章练习题及答案当代资本主义经济

第八章当代资本主义经济一、名词解释生产集中垄断垄断利润垄断价格金融资本金融寡头跨国公司国家垄断资本主义经济全球化二、单项选择题1．自由竞争引起生产集中，而生产集中发展到一定阶段，就会引起（ D ）A．交换B．联合C．分化D．垄断2．垄断组织形式虽多种多样，其本质都是为了（ D ）A．垄断先进技术B．操纵销售市场C．控制商品生产D．攫取垄断利润3．垄断利润是指垄断资本家凭借其在生产和流通中的垄断地位而获得的（A ）A．大大超过平均利润的高额利润B．平均利润C．超额利润D．商业利润4．垄断资本的根本目的是为了追求（ D ）A．商业利润B．平均利润C．超额利润D．垄断利润5．垄断资本主义的特点不在于工业资本的统治，而在于（ B ）A．商业资本的统治B．金融资本的统治C．产业资本的统治D．借贷资本的统治6．资产阶级国家同垄断资本相结合形成（ C ）A．自由竞争资本主义B．国际垄断资本主义C．国家垄断资本主义D．国家所有的垄断资本7．资产阶级国家与私人垄断资本融为一体，即资本主义国家所有制是（ B ）A．具有社会主义因素的资本主义B．国家垄断资本主义的最高形式C．资本主义国家的国家社会主义D．资本主义和社会主义趋同表现8．私人垄断资本与国家垄断资本的关系是（A ）A．私人垄断资本是国家垄断资本的深厚基础B．国家垄断资本是私人垄断资本的深厚基础C．私人垄断资本是国家垄断资本的必然趋势D．国家垄断资本是私人垄断资本的前提条件9．资产阶级国家通过财政收入政策进行宏观调节，主要是调整（ D ）A．利息率B．贴现率C．货币发行量D．税种税率10．资本主义国家的“国有化”实际上是通过国家财政支出（ A ）A．帮助垄断资本走出困境避免破产的一种形式B．与私人垄断资本进行等价交换的产权交易行为C．以高价购买形式来建立公有企业的一种政策D．用劳动人民创造的财富培育社会主义因素11．国家垄断资本主义的国有企业的生产经营宗旨是（ B ）A．为满足劳动人民的物质文化需要服务B．为促进私人垄断资本的发展创造条件C．为了追求日益增多的高级生产技术D．为向社会主义过渡准备物质条件12．垄断利润的来源是（ C ）A．垄断资本家的垄断地位B．垄断资本家使用的先进设备C．工人阶级和劳动人民创造的剩余价值D．资产阶级政府提供的高额补贴13．垄断价格的形成（ D ）A．是对价值规律的否定B．表明商品的市场价格完全可以任意决定C．表明商品的市场价格完全不受价值规律支配D．是价值规律在垄断阶段作用的表现形式14．垄断统治形成后，垄断与竞争的关系是（A ）A．垄断与竞争并存并使竞争更加剧烈和复杂B．垄断消除了竞争C．垄断虽然没有消除竞争但大大削弱了竞争D．垄断使竞争消除了资本主义的性质15．第二次科技革命和生产力的巨大发展，客观上要求（ D ）A．调整资本主义生产关系B．改变资本主义生产资料私人占有制C．削弱国家对经济的调控D．资本主义经济从自由竞争阶段走向垄断阶段16．垄断资本主义国家生产关系的基础仍然是（ D ）A．生产资料的国家所有制B．生产资料的集体所有制C．生产资料的社会所有制D．生产资料的资本主义私人所有制17．资本社会化的高级形式是（ C ）A．私人资本B．垄断资本C．国家垄断资本D．金融资本18．垄断资本主义阶段资本国际化的主要形式是（C ）A．商业资本国际化B．借贷资本国际化C．产业资本国际化D．金融资本国际化19．资源配置的国际化体现了（ B ）A．国际经济调节的手段B．经济全球化的本质C．各国经济体制一体化的形成D．各国经济利益统一化的要求20．经济全球化进程明显加快是（B ）A．垄断占统治地位后B．二次世界大战后C．20世纪初期D．20世纪80年代后21．二次世界大战后，适应经济全球化的要求而建立的政府间的国际金融组织是（ C ）A．世界贸易组织B．欧洲中央银行C．国际货币基金组织D．亚太经合组织22．经济全球化在制度上和组织形式上的体现与反映是（ B ）A．贸易全球化B．经济一体化C．知识信息化D．技术复杂化23．在当代一系列地区经济集团化组织中，组织形式最完备、影响最大的是（ D ）A．东南亚国家联盟B．北美自由贸易区C．非洲经济共同体D．欧洲联盟24．发达资本主义国家同发展中国家之间经济关系的实质是（ C ）A．平等协商与互相合作的关系B．互相依赖和共同发展的关系C．控制与反控制、剥削与反剥削的关系D．等价交换、互通有无的协作关系三、多项选择题1．垄断和竞争的关系是（ABCDE ）A．垄断没有也不可能消除竞争B．垄断代替自由竞争占据统治地位C．垄断与自由竞争并存又凌驾于自由竞争之上D．垄断产生新的竞争并成为主要竞争形式E．垄断时期的竞争有不同于自由竞争的特点2．融合生长而形成金融资本的资本形式有（ AC ）A．垄断的银行资本B．银行资本C．垄断的工业资本D．工业资本E．垄断的财政资本3．金融资本形成的主要途径有（ ACE ）A．大银行通过信贷关系控制大工业企业B．许多小银行合并为实力雄厚的大银行C．大银行和大工业企业的资本相互渗透D．众多小工业企业合并为大垄断企业E．大银行和大工业企业在人事上结合4．资本主义经济制度决定资本主义的“经济计划化”虽能收到一定的效果，但它不可能（AE ）A．完全适应社会化大生产的客观要求B．实现全社会的经济稳定、协调发展C．对经济增长和结构调整起积极作用D．使社会生产无政府状态得到一定缓解E．从根本上消除社会生产的无政府状态5．国家垄断资本主义社会资本再生产创造有利条件的方式主要有（ABDE ）A．采取有利于私人垄断资本增加积累的优惠税收政策B．以低息、长期贷款等信贷方式支持私人垄断资本C．用宪法和其他法律规定私有财产神圣不可侵犯D．通过国家采购和刺激消费为私人垄断资本提供购买力E．实行国有企业“私有化”，以低价将国有企业出售给私人垄断资本6．资本主义国家对非国有企业的计划管理所依靠的各种主要经济杠杆是（DE ）A．财政B．税收C．信贷D．经济合同E．经济计划7．垄断时期由垄断本身产生的竞争包括（ABC ）A．垄断组织内部的竞争B．垄断组织之间的竞争C．垄断组织与非垄断组织之间的竞争D．非垄断组织内部的竞争E．非垄断组织之间的竞争8．金融资本（ACD ）A．是银行垄断资本和工业垄断资本互相融合产生的新型资本B．适应生产高度集中和高度社会化的客观要求C．是资本主义发展到垄断阶段的一个重要标志D．在垄断资本主义国民经济中占统治地位E．在经济上通过“个人联合”实现其统治9．垄断利润获得的具体途径是（BCDE ）A．垄断组织直接创造了更多的社会价值B．加强对本国无产阶级和其他劳动人民的剥削C．通过垄断价格抢夺非垄断企业剥削到的一部分利润D．加强对国外人民的剥削E．资产阶级对国民收入进行再分配10．国家垄断资本主义的基本形式有（ABD ）A．国家与私人垄断资本溶为一体B．国家与私人垄断资本在企业内部的结合C．国家与私人垄断资本在国际范围内的结合D．国家与私人垄断资主义在企业外部的结合E．国家与私人垄断资本在国际范围外的结合11．国家垄断资本主义的形成和发展（ACDE ）A．是私人垄断资本和国家政权相互融合的产物B．没有给资本主义经济带来促进作用C．在相当大程度上促进主要资本主义国家济的较快发展D．也给资本主义经济带来一系列新问题新矛盾E．表明资本主义生产关系发生了某些质变12．垄断资本主义国家经济职能增强的表现在（ABCDE ）A．通过建立和发展经济为国民经济的顺利发展提供物质基础B．通过经济计划引导、协调经济发展C．通过大力投资发展教育，促进人力资源的开发利用，为经济增长提供人力保障D．通过财政收入政策，缓解收入上贫富悬殊状况，凋节社会矛盾，稳定社会秩序E．通过各种经济立法，维持市场规则的正常进行13．经济全球化迅速发展的根本原因是（ACD ）A．新科技的广泛应用，把世界经济融成全球“网络经济”B．新殖民主义政策的推动加快了经济全球化进程C．关贸总协定的缔结，使国际贸易自由化的程度大大提高D．各国积极引进国际资本的政策，促进了经济全球化进程E．各国完全统一的共同利益的增强，促使经济全球化14．资本国际化的形成与发展表明（ABCD ）A．资本国际化是商品经济发展的必然经济现象B．自由竞争资本主义阶段主要是商业资本国际化C．进入垄断资本主义阶段至二次大战前主要是借贷资本和商业资本国际化D．二次大战后资本进一步国际化主要是产业资本国际化E．世界各国经济利益一致性导致经济全球化15．贸易全球化发展的原因是（ABCE ）A．世界范围的产业结构调整，要求不同水平国家扩大贸易B．新科技革命促进各国生产发展，需要扩大国际贸易C．各国生产和需求结构的变化，促进国际贸易发展D．发达国家对发展中国家的无私援助，推动贸易全球化E．新科技革命使国际贸易方式、支付方式简便，促使贸易全球化16．国际货币基金组织的宗旨是（ACD ）A．增进国际货币合作B．促进国际贸易发展C．协助成员国克服国际支付困难D．稳定国际汇率E．支持落后国家免受发达国家控制17．经济联盟是经济一体化水平较高的形式，其主要内容是（ABCDE ）A．成员国之间的贸易免除关税和限额B．成员国对外实行共同的关税和外贸政策C．建立共同的储备，稳定成员国之间的汇率D．建立各种基金，调节成员国某些部门和地区的发展E．最终目标是使联盟各成员国实现经济一体化18．发达资本主义国家之间经济关系的本质是（BC ）A．共同联手援助发展中国家B．按照资本和实力在经济上分割世界C．维护各国垄断资本的利益D．相互制裁以保护本国利益E．建立和发展互相合作的经济联系四、填空题1．垄断利润是垄断资本家凭借__垄断地位__而获得的___超过平均利润__的高额利润。

普通化学第八章课后答案

第八章配合物配合物思考题与答案1．设计一些实验，证明粗盐酸的黄色是Fe3+与Cl-的络离子而不是铁的水合离子或者羟合离子的颜色。

（略）2．配位化学创始人维尔纳发现，将等物质的量的黄色CoCl3.6NH3﹑紫红色CoCl3.5NH3﹑绿色CoCl3.4NH3和紫色CoCl3.4NH3四种配合物溶于水，加入硝酸银，立即沉淀的氯化银分别为3 ﹑2 ﹑1 ﹑1mol，请根据实验事实推断它们所含的配离子的组成。

答：配离子分别是[Co(NH3)6]3+, [Co(NH3)5Cl]2+ , [Co(NH3)4Cl2] +, [Co(NH3)4Cl2] +，颜色不同的原因是有同分异构体。

3．实验测得Fe(CN)64-和Co(NH3) 63+均为反磁性物质（磁矩等于零），问它们的杂化轨道类型。

答：中心二价Fe2+亚铁离子外层价电子排布是3d6，有4个未成对电子，测得Fe(CN)64-为抗磁性物质，说明中心的铁离子的外层价电子排布发生变化，进行了重排，使得内层3d轨道上没有未成对电子，所以应采取的是d2sp3杂化方式。

三价Co离子外层价电子排布也是3d6，也有4个未成对电子，测得Co(NH3) 63+为反磁性物质，原理同上，也是d2sp3杂化方式。

4．实验证实，Fe(H2O)63+和Fe(CN) 63-的磁矩差别极大，如何用价键理论来理解？答：Fe(H2O)63+的中心离子铁是采用sp3d2杂化方式，外轨型配合物，高自旋，有5个成单电子，磁矩高；而Fe(CN) 63-采用的是d2sp3杂化方式，内轨型配合物，低自旋，只有1个成单电子，所以磁矩低。

5．上题的事实用晶体场理论又作如何理解？略6．用晶体场理论定性地说明二价和三价铁的水合离子的颜色不同的原因。

略7．FeF63-为 6 配位，而FeCl4-为四配位，应如何解释？1答：三价Fe的外层价电子层电子排布是3d3，d轨道上有2个空轨道。

同样作为中心离子，作为负电荷的配体之间的排斥力是需要重点考虑的。

第8章死锁习题及答案

第八章死锁习题及答案一、填空题1．进程的“同步”和“互斥”反映了进程间①和②的关系。

【答案】①直接制约、②间接制约【解析】进程的同步是指在异步环境下的并发进程因直接制约而互相发送消息，进行相互合作、相互等待，使得各进程按一定的速度执行的过程；而进程的互斥是由并发进程同时共享公有资源而造成的对并发进程执行速度的间接制约。

2．死锁产生的原因是①和②。

【答案】①系统资源不足、②进程推进路径非法【解析】死锁产生的根本原因是系统的资源不足而引发了并发进程之间的资源竞争。

由于资源总是有限的，我们不可能为所有要求资源的进程无限地提供资源。

而另一个原因是操作系统应用的动态分配系统各种资源的策略不当，造成并发进程联合推进的路径进入进程相互封锁的危险区。

所以，采用适当的资源分配算法，来达到消除死锁的目的是操作系统主要研究的课题之一。

3．产生死锁的四个必要条件是①、②、③、④。

【答案】①互斥条件、②非抢占条件、③占有且等待资源条件、④循环等待条件【解析】互斥条件：进程对它所需的资源进行排它性控制，即在一段时间内，某资源为一进程所独占。

非抢占条件：进程所获得的资源在未使用完毕之前，不能被其它进程强行夺走，即只能由获得资源的进程自己释放。

占有且等待资源条件：进程每次申请它所需的一部分资源，在等待新资源的同时，继续占有已分配到的资源，循环等待条件：存在一进程循环链，链中每一个进程已获得的资源同时被下一个进程所请求。

4．在操作系统中，信号量是表示①的物理实体，它是一个与②有关的整型变量，其值仅能由③原语来改变。

【答案】①资源，②队列，③P-V【解析】信号量的概念和P-V原语是荷兰科学家E．W．Dijkstra提出来的。

信号量是一个特殊的整型量，它与一个初始状态为空的队列相联系。

信号量代表了资源的实体，操作系统利用它的状态对并发进程共享资源进行管理。

信号量的值只能由P-V原语来改变。

5．每执行一次P原语，信号量的数值S减1。

如果S>=0，该进程①；若S<0，则②该进程，并把它插入该③对应的④队列中。

第八章习题答案

第八章习题解答8-1考虑并回答下面的问题：（a ）在确定非线性元件的描述函数时，要求非线性元件不是时间的函数，并要求有斜对称性，这是为什么？（b ）什么样的非线性元件是无记忆的？什么样的非线性元件是有记忆的？它们的描述函数各有什么特点？（c ）线性元件的传递函数与非线性元件的描述函数，有什么是相同的？有什么是不同的？线性元件可以有描述函数吗？非线性元件可以有传递函数吗？（d ）非线性系统线性部分的频率特性曲线与非线性元件的负倒描述函数曲线相交时，系统一定能产生稳定的自激振荡吗？解：（a ）描述函数法只能用来研究非线性定常系统的特性，这要求非线性元件的特性不随时间发生变化。

在用描述函数法研究非线性系统的自振特性时，要求在正弦输入下非线性特性的输出没有直流分量，这要求非线性元件的特性是斜对称的。

（b ）一般情况下用代数方程描述的非线性特性是无记忆的，根据非线性环节当前的输入就可以决定非线性环节的输出。

用微分方程描述的非线性特性是有记忆的，不能简单地根据非线性环节当前的输入决定非线性环节的输出。

无记忆非线性特性的描述函数一般为实数，有记忆非线性特性的描述函数一般为复数。

（c ）线性元件的传递函数与非线性元件的描述函数都是元件的外部描述。

线性元件的传递函数表述的是元件输出拉氏变换与输入拉氏变换之比，而非线性元件的描述函数表示的是元件在正弦输入下输出基波特性。

由传递函数可以得到系统的频率特性，而描述函数一般不是频率的函数，线性元件可以有描述函数，但传递函数只适用于线性系统，非线性系统没有传递函数。

（d ）只有稳定的交点才对应稳定的自激振荡。

8-2设非线性元件的输入、输出特性为35135()()()()y t b x t b x t b x t =++证明该非线性元件的描述函数为2413535()48N A b b A b A =++式中A 为非线性元件输入正弦信号的幅值。

解：由于非线性特性是单值斜对称的，所以10A =，10φ=。

(完整版)大学物理学(课后答案)第8章

第八章课后习题解答一、选择题8-1如图8-1所示，一定量的理想气体，由平衡态A 变到平衡态B ，且它们的压强相等，即=A B p p 。

则在状态A 和状态B 之间，气体无论经过的是什么过程，气体必然[ ](A) 对外作正功 (B) 内能增加 (C) 从外界吸热 (D) 向外界放热分析：由p V -图可知，A A B B p V p V =，即知A B T T <，则对一定量理想气体必有B A E E >，即气体由状态A 变化到状态B ，内能必增加。

而作功、热传递均是过程量，与具体的热力学过程相关，所以（A ）、（C ）、（D ）不是必然结果，只有（B ）正确。

8-2 两个相同的刚性容器，一个盛有氢气，一个盛有氦气（均视为刚性分子理想气体）。

开始时它们的压强和温度都相同。

现将3 J 热量传给氦气，使之升高到一定的温度。

若使氢气也升高同样的温度，则应向氢气传递热量为[ ](A) 6 J (B) 3 J (C) 5 J (D) 10 J分析：由热力学第一定律Q E W =∆+知在等体过程中Q E =∆。

故可知欲使氢气和氦气升高相同的温度，由理想气体的内能公式2m i E R T M '∆=∆，知需传递的热量之比22222:():():5:3HHe H He H He H He H Hem m Q Q i i i i M M ''===。

故正确的是（C ）。

8-3 一定量理想气体分别经过等压、等温和绝热过程从体积1V 膨胀到体积2V ，如图8-3所示，则下述正确的是[ ]习题8-1图(A) A C →吸热最多，内能增加(B) A D →内能增加，作功最少(C) A B →吸热最多，内能不变(D) A C →对外作功，内能不变分析：根据p V -图可知图中A B →为等压过程，A C →为等温过程，A D →为绝热过程。

又由理想气体的物态方程pV vRT =可知，p V -图上的pV 积越大，则该点温度越高，因此图中D A B C T T T T <==，又因对于一定量的气体而言其内能公式2i E vRT =，由此知0AB E ∆>，0AC E ∆=，0AD E ∆<。

数据库原理与应用系列第八章习题（含答案）

第八章习题（答案）班级：学号: 姓名:1.填空题（1）SQL Server 有两种安全认证模式，即___WINDOWS_______________安全认证模式和______混合______安全认证模式。

（2）SQL SERVER安装好以后，只有2个已经创建的用户：___SA_______和BULTIN/administrators，它们都是超级用户，对数据库拥有一切权限。

（3）数据库的完整性是指数据的___正确性___和___相容性____。

（4）按数据库状态，数据转储分为动态转储和静态转储。

（5）按数据转储方式，数据转储分为海量转储和增量转储。

2.单选题（1）日志文件用于记录( D )。

A、程序运行过程B、数据操作C、程序运行结果D、对数据的更新操作（2）SQL的COMMIT语句的主要作用是( C )。

A、终止程序B、中断程序C、事务提交D、事务回退（3）SQL的ROLLBACK语句的主要作用是( D )。

A、终止程序B、中断程序C、事务提交D、事务回退（4）在数据库系统中，对存取权限的定义称为(B)。

A、命令B、授权C、定义D、审计（5）设有两个事务T1,T2，其并发操作如下表所示，下面评价正确的是（C ）。

A、该操作不存在问题B、该操作丢失修改C、该操作不能重复读D、该操作读“脏”数据（6）设有两个事务T1,T2，其并发操作如下表所示，下面评价正确的是（B ）。

A、该操作不存在问题B、该操作丢失修改C、该操作不能重复读D、该操作读“脏”数据（7）A、该操作不存在问题B、该操作丢失修改C、该操作不能重复读D、该操作读“脏”数据（8）若事务T对数据对象A加上S锁，则（ C ）A、事务T可以读A和修改A，其他事务只能再对A加S锁，而不能加X锁B、事务T可以读A但不能修改A，其他事务能对A加S锁和X锁C、事务T可以读A但不能修改A，其他事务只能再对A加S锁，而不能加X锁D、事务T可以读A和修改A，其他事务能对A加S锁和X锁（9）若事务T对数据对象A加上X锁，则（ C ）A、事务T可以读A和修改A，其他事务不能对A加X锁B、事务T可以修改A，其他事务不能对A加X锁C、事务T可以读A和修改A，其他事务都不能再对A加任何类型的锁D、事务T修改A，其他事务都不能再对A加任何类型的锁（10）数据库中的封锁机制是（ C ）的主要方法。