场效应管的分类
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
常见场效应管
常见场效应管场效应管（Field Effect Transistor，简称 FET）是一种重要的电子元件，在电子电路中有着广泛的应用。
它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、热稳定性好等优点，被广泛应用于模拟电路和数字电路中。
下面我们就来详细了解一下常见的场效应管。
一、结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，JFET）结型场效应管是最早出现的场效应管之一。
它的结构比较简单，主要由一个 N 型或 P 型半导体沟道以及两个 PN 结组成。
根据沟道的类型，结型场效应管可以分为 N 沟道结型场效应管和 P 沟道结型场效应管。
N 沟道结型场效应管在正常工作时，需要在栅极和源极之间加一个反向偏置电压，使得 PN 结处于截止状态。
这样，沟道中的多数载流子（电子）就会受到耗尽层的阻挡，从而减小沟道的导电能力，实现对电流的控制。
P 沟道结型场效应管的工作原理与 N 沟道类似，只是多数载流子为空穴，并且栅极和源极之间需要加一个正向偏置电压。
结型场效应管的特点是输入电阻高，一般可达10^7 Ω 以上；噪声低；但它的缺点是输出特性曲线的非线性较严重，放大倍数较小。
二、金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）MOSFET 是目前应用最广泛的场效应管之一。
它分为增强型MOSFET 和耗尽型 MOSFET 两种类型。
增强型 MOSFET 又分为 N 沟道增强型和 P 沟道增强型。
对于 N 沟道增强型 MOSFET，当栅极和源极之间的电压为零时，沟道不存在，只有当栅极电压大于阈值电压时，才会形成沟道，从而实现电流的导通。
P 沟道增强型 MOSFET 的工作原理与之相反。
耗尽型 MOSFET 同样有 N 沟道和 P 沟道之分。
在耗尽型 MOSFET 中，即使栅极电压为零，也存在一定的沟道。
当栅极电压为负（对于N 沟道）或正（对于 P 沟道）时，沟道会被耗尽，从而控制电流。
场效应管
在栅极和源极之间加反 向电压，耗尽层会变宽，导电 沟道宽度减小，使沟道本身得 电阻值增大，漏极电流ID减小， 反之，漏极ID电流将增加。
耗尽层的宽度改变主要在沟道区
１．当UDS=0时，uGS对导电沟道的控制作 用
UGS（off）为夹断电压，为负值。UGS（off）也可用UP表示。
一·Ｎ沟道增强型MOS场效应管
1、工作原理
绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这 些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。 2、工作原理分析
（1）ＵＧＳ＝０ 漏极之间相当于两个背靠 背的ＰＮ结，无论漏极之间家 何种极性电压，总是不导电。
（２）UDS=0,0<UGS<UGS(th) 栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近SiO2一侧的空穴， 形成由负离子组成的和耗尽层。增大UGS耗尽层变宽 （3）
1.4
场效应管
场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制 输出回路电流的三极管，又称单极性三极管。
场效应管的分类
N沟道
结型场效应管 JFET 场效应管 FET
绝缘栅场效应管 IGFET,MOSFET
耗尽型
P沟道
增强型 N沟道 P沟道 耗尽型
结型场效应管JFET
N沟道结型场效应管
符号
ＵＧＳ＝０时， 耗尽层比较窄，导 电沟比较宽。
ＵＧＳ由零逐渐减 小，耗尽层逐渐加宽， 导电沟相应变宽。 当ＵＧＳ＝ＵＧＳ（ｏｆ ｆ），耗尽层合拢，导电 沟被夹断。
２．当ｕGS为UGS（off）~0中一固定值时，uDS对 漏极电流iD的影响。
绝缘栅型场效应管 MOSFET
六种场效应管
六种场效应管场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种非常重要的电子器件，它能够通过控制输入电场来调节输出电流。
场效应管分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）两大类，每类中又分为增强型和耗尽型。
第一种场效应管是N沟道增强型MOSFET（N-Channel Enhanced MOSFET）。
N沟道增强型MOSFET是一种双极性器件，其栅极和漏极之间的电场控制输出电流。
当栅极电压为正值时，它吸引正极性的载流子，导致漏极电流增加。
N沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用，如放大器和开关电路。
第二种场效应管是N沟道耗尽型MOSFET（N-Channel Depletion MOSFET）。
N沟道耗尽型MOSFET的工作原理与N沟道增强型MOSFET类似，但是它的栅极电压为0伏时有输出漏极电流，因此被称为耗尽型。
N沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用，如电压参考电路和电流源。
第三种场效应管是P沟道增强型MOSFET（P-Channel Enhanced MOSFET）。
P沟道增强型MOSFET与N沟道增强型MOSFET原理相同，但是它使用了P型半导体材料。
当栅极电压为负值时，它吸引负极性的载流子，导致漏极电流增加。
P沟道增强型MOSFET通常用于低功率应用和负电压电路。
第四种场效应管是P沟道耗尽型MOSFET（P-Channel Depletion MOSFET）。
P沟道耗尽型MOSFET与P沟道增强型MOSFET原理相同，只是栅极电压为0伏时有输出漏极电流。
P沟道耗尽型MOSFET通常用于特定应用，如负电压参考电路和负电流源。
第五种场效应管是结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）。
JFET是一种单极性器件，通过控制栅源电压来调节输出电流。
JFET分为N沟道和P沟道两种类型，其工作原理均基于P-N结的特性。
场效应管的分类
场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。
其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。
因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。
场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。
MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。
结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间；绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。
它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。
场效应管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。
每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。
场效应管基本资料
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。
场效应管基础知识资料
场效应管基础知识一、场效应管的分类按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、I DSS —饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、UP —夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT —开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM —跨导。
是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS —漏源击穿电压。
是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM —最大耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM —最大漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过IDSM几种常用的场效应三极管的主要参数四、场效应管的作用2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
六种场效应管
六种场效应管一、结型场效应管结型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变二氧化硅（SiO2）层中电荷分布来实现对漏极电流的控制。
它的工作特点是在工作过程中不需要很大的功耗，并且具有良好的噪声特性。
在电子设备中，结型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
二、绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在二氧化硅（SiO2）绝缘层上覆盖金属薄膜来实现对源极和漏极之间的控制。
由于没有栅极氧化层与半导体之间的电容，因此其输入电阻非常高，并且具有低噪声特性。
在电子设备中，绝缘栅型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
三、MOS型场效应管MOS型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在金属-氧化物-半导体（MOS）结构上施加电压来改变电荷分布实现对漏极电流的控制。
它的优点是输入电阻高、驱动电流小、功耗低、易于集成等。
在电子设备中，MOS型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
四、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的单极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
五、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的双极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
六、结型双极型场效应管结型双极型场效应管是一种双极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变半导体内部的电子和空穴浓度实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
同时，它还具有较好的噪声特性和稳定性，适用于各种复杂的电子设备中。
场效应管的应用和分类
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3) 特性曲线 （1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7（b）所示。
02
(3. 2)
03
(3. 3)
04
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理
图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
(3. 13) 3.2.2 共漏放大电路 漏放大电路又称源极输出器。 电路如图3.15所示。由图3.15（b）可得:
(3. 1)
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
输出特性 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系, 即
01
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电 压uGS的关系为
图 3.10 场效应管共源放大电路
(3. 8)
01
(3. 7) 由于栅极电阻上无直流电流, 因而
02
图 3.11分压偏置式共源放大电路
场效应管放大电路的静态工作点可用式（3.4）或式（3.5）与式（3.7）或式（3.8）联立求出UGSQ和IDQ,漏源电压UDSQ由下式求得:
动态分析
(3. 9)
1
2
3.1 场效应管
01
场效应晶体管的分类
场效应晶体管的分类
1. 结型场效应晶体管啊，这可就像电路中的小卫士！比如在一些音频放大器里就能看到它的身影呢。
2. 绝缘栅型场效应晶体管，那可是厉害角色，就如同精确的指挥官，在各种电子设备中掌控着电流，像电脑里就有它在默默工作哟。
3. 增强型场效应晶体管呀，简直是给电路注入活力的魔法棒！想想那些快速运行的电子玩具，可不就有它的功劳。
4. 耗尽型场效应晶体管呢，就好像沉稳的老大哥，在很多地方都发挥着独特作用，比如一些仪器仪表里就有它哦。
5. N 沟道场效应晶体管，不就如同勇敢的战士在电流的战场上冲锋陷阵嘛，好多电子产品可都靠它啦。
6. P 沟道场效应晶体管，像是默默奉献的幕后工作者呢，在特定的电路环境里发挥关键作用，一些智能设备中可少不了它。
7. 高压场效应晶体管，那就是应对大场面的强者呀！难道不是在高压环境下展现出强大的力量吗？
8. 低噪声场效应晶体管哇，就如同一个安静的守护者，悄悄地让设备安静而高效地运行，像一些精密仪器里它可重要了呢。
总之，场效应晶体管的分类丰富多样，每一种都在电子世界里有着不可替代的地位呀！。
场效应管详解
场效应管详解一、场效应管的基本概念场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，由栅极、漏极和源极三个电极组成。
栅极与漏极之间通过电场控制漏极和源极之间的电流。
二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理基于电场控制电流的效应。
当栅极施加一定电压时，在栅极和漏极之间形成了一个电场，这个电场控制着漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以改变漏极和源极之间的电流，实现对电流的控制。
三、场效应管的分类根据不同的控制机构，场效应管可以分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
MOSFET是最常见的一种场效应管。
四、场效应管的特点和优势1. 高输入阻抗：场效应管的栅极是绝缘层，因此栅极和源极之间的电流极小，使得场效应管具有很高的输入阻抗。
2. 低噪声：由于高输入阻抗的特性，场效应管的噪声很低。
3. 低功耗：场效应管的控制电流很小，从而使得其功耗较低。
4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适合高频应用。
五、场效应管的应用领域场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、开关电路、调节电路、振荡器等。
在电子行业中，场效应管已经成为一种重要的电子元件。
六、场效应管的优化和发展随着科技的不断进步，场效应管也在不断优化和发展。
目前，一些新型的场效应管已经出现，如高电压场效应管、功率场效应管等，以满足不同领域对场效应管的需求。
场效应管作为一种重要的电子元件，具有较高的输入阻抗、低噪声、低功耗和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。
随着科技的不断发展，场效应管的优化和发展也在不断进行，使其能更好地满足不同领域的需求。
场效应管的研究和应用将继续推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和创新。
电路中的场效应管有哪些种类和应用
电路中的场效应管有哪些种类和应用场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它基于电场效应来实现电流的控制和放大，具有高输入阻抗、低功耗和高频特性等优点。
本文将介绍电路中的场效应管的种类和应用。
一、场效应管的种类1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）MOSFET是最常见的场效应管种类之一，由金属氧化物半导体材料构成。
根据结构和工作模式的不同，MOSFET可分为两种类型：增强型MOSFET和耗损型MOSFET。
增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）通常处于截止状态，需要施加正向电压来打开通道。
它的主要特点是输入电阻高，适用于放大和开关电路。
耗损型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）则相反，通常处于导通状态，需要施加负向电压来截止通道。
它具有低输入电阻和高输出电阻的特点，适用于特定的应用场景。
2. JFET（结型场效应管）JFET使用p-n结构构成，分为N沟道型JFET和P沟道型JFET两种。
N沟道型JFET的导电沟道为N型，需要施加负向电压来控制电流。
它的主要特点是低噪声、高输入阻抗和高放大倍数，常用于高频放大器和低噪声电路。
P沟道型JFET则相反，导电沟道为P型，需要施加正向电压来控制电流，适用于某些特殊的电路设计。
二、场效应管的应用1. 放大器场效应管有很好的放大特性，常用于放大信号。
通过调整输入电压，可以控制输出电流的变化，实现对信号的放大。
2. 开关由于场效应管的高输入阻抗和快速开关速度，可以用作开关元件，广泛应用于电源管理、逆变器和驱动电路等领域。
它的开关速度快，能够有效控制高频信号和脉冲信号。
3. 模拟开关场效应管还可以用作模拟开关，根据输入电压的变化，实现对模拟信号的切换和控制。
比如在音频信号中的应用，可以实现信号的选择、切换和调节。
4. 逻辑门场效应管可以组合成各种逻辑门电路，实现数字电路中的逻辑运算。
六种场效应管
六种场效应管场效应管，也称为放大管或开关管，是一种电子元件，常用于放大电路和开关电路中。
根据N沟道场效应管（N-channel）和P沟道场效应管（P-channel）的不同，可以将场效应管分为两类。
下文将详细介绍这六种场效应管的特点和应用。
1. N沟道增强型场效应管（N-channel Enhancement-mode MOSFET）N沟道增强型场效应管是一种常见的场效应管，其通道内没有形成倒转层，需要加正压才能导通。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗以及较高的放大能力。
N沟道增强型场效应管广泛应用于放大电路、开关电路、数字电路、感应器等。
2. P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-mode MOSFET）P沟道增强型场效应管与N沟道增强型场效应管相似，但其通道内由P型材料构成，需要加负压才能导通。
P沟道增强型场效应管广泛应用于自动控制系统、电源管理、信号处理等领域。
3. N沟道耗尽型场效应管（N-channel Depletion-mode MOSFET）N沟道耗尽型场效应管是一种通道内部已经形成倒转层的场效应管，其导通状态是默认状态，需要施加负压才能阻断导通。
N沟道耗尽型场效应管常用于模拟电路、功率放大器、电源稳压器等领域。
4. P沟道耗尽型场效应管（P-channel Depletion-mode MOSFET）P沟道耗尽型场效应管与N沟道耗尽型场效应管类似，但其导通状态是默认阻断状态，需要施加正压才能导通。
P沟道耗尽型场效应管广泛应用于低电平开关、电源管理、信号选择等场合。
5. 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）绝缘栅双极晶体管是一种结合了MOSFET和双极晶体管特点的高压功率半导体器件。
IGBT具有高输入阻抗、低导通压降、高电流放大倍数等特点，在电力电子领域被广泛应用于变频器、电机驱动、逆变器等高压高功率设备中。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
一文读懂场效应管的分类、结构以及原理
一文读懂场效应管的分类、结构以及原理场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。
它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。
1.结型场效应管（1）结型场效应管结构N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。
两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。
结型场效应管的结构示意图（2）结型场效应管工作原理以N沟道为例说明其工作原理。
当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。
当VGS《0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。
当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS （off）。
（3）结型场效应管特性曲线结型场效应管的特性曲线有两条，一是输出特性曲线（ID=f（VDS）| VGS=常量），二是转移特性曲线（ID=f（VGS）|VDS =常量）。
N沟道结型场效应管的特性曲线如下图所示。
（a）漏极输出特性曲线（b）转移特性曲线N沟道结型场效应管的特性曲线2. 绝缘栅场效应三极管的工作原理绝缘栅场效应三极管分为：耗尽型→N沟道、P沟道增强型→N沟道、P沟道（1）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构N沟道耗尽型的结构和符号如下图（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。
所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。
于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。
当VGS》0时，将使ID进一步增加。
mos场效应管分类
mos场效应管分类MOS场效应管是一种常见的半导体器件，它可以用于放大、开关和调节电流等多种应用。
根据其结构和工作原理的不同，MOS场效应管可以分为多种类型，下面将对其进行分类介绍。
1. N沟道MOS场效应管（NMOS）N沟道MOS场效应管是一种常见的MOS管，它的基本结构由P型衬底、N型沟道和P型栅极组成。
当栅极施加正电压时，会形成一个电场，使得沟道中的电子被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，NMOS管的导通是由栅极控制的。
NMOS管具有低电压驱动、高速开关和较小的输入电容等优点，常用于数字电路中。
2. P沟道MOS场效应管（PMOS）P沟道MOS场效应管与NMOS管相似，但其沟道为P型，栅极为N型。
当栅极施加负电压时，会形成一个电场，使得沟道中的空穴被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，PMOS管的导通也是由栅极控制的。
PMOS管具有低功耗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于模拟电路中。
3. 增强型MOS场效应管（Enhancement MOSFET）增强型MOS场效应管是一种常见的MOS管，其沟道中没有自由电子或空穴，需要通过栅极施加电压来形成导电通道。
当栅极施加正电压时，会形成一个电场，使得沟道中的电子或空穴被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，增强型MOS管的导通也是由栅极控制的。
增强型MOS管具有高输入阻抗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于放大电路中。
4. 耗尽型MOS场效应管（Depletion MOSFET）耗尽型MOS场效应管与增强型MOS管相似，但其沟道中已经存在自由电子或空穴，不需要通过栅极施加电压来形成导电通道。
当栅极施加负电压时，会形成一个电场，使得沟道中的自由电子或空穴被排斥到栅极附近，从而形成截止状态。
因此，耗尽型MOS管的导通是由栅极控制的。
耗尽型MOS管具有高输入阻抗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于放大电路中。
MOS场效应管根据其结构和工作原理的不同，可以分为N沟道MOS管、P沟道MOS管、增强型MOS管和耗尽型MOS管等多种类型。
场效应管（MOS管）的分类介绍与测量方法：
场效应管（MOS管）的分类介绍与测量方法：场效应管(MOS管)的分类介绍与测量方法:一、符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场效应管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的板子上的场管最好原值代换。
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场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。
其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。
因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。
场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。
MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。
结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间；绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高(栅极与其它电极互相绝缘)。
它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。
场效应管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。
每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。
同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。
1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。
同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。
2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。
）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件">元件股份公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。
其英文与中文对照如下：N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管SB肖特基势垒栅场效应晶体管MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）HEMT 高电子迁移率晶体管SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管SIT 静电感应晶体管IGBT 绝缘栅比极晶体管ALGaAS 铝家砷4．"外形"栏根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。
注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形，"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形，"CHIP"的为小型片状，"SMD"或"SO"的为表面封装，"SP"的为特殊外形，"LLCC"为无引线陶瓷片载体，"WAFER"的为裸芯片。
5．"用途与特性"栏本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。
对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管其余的英文缩写与中文全称对照如下：A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大（射频放大）HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频（低频）O 振荡S 开关SW-REG 开关电源SYM 对称类TEMP 温度传感TR 激励、驱动TUN 调谐TV 电视TC 小型器件标志UHF 超高频UNI 一般用途V 前置/输入级VA 场输出级VHF 甚高频VID 视频VR 可变电阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFET MOS-INM MOSFET独立组件MOS-ARR MOSFET陈列组件MOS-HBM MOSFET半桥组件MOS-FBM 全桥组件MOS-TPBM MOSFET三相桥组件技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS 场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V(br)ces ;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间："/"(斜线)前为导通时间Ton , "/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, "/"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF （DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。