第1章《自测题、习题》参考答案

模拟电子技术基础自测题与习题参考答案

刘波粒刘彩霞主编

高等教育出版社

Higher Education Press

目录

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第1章半导体二极管及其基本电路.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1第2章双极型晶体管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6第3章场效应管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18第4章多级放大电路与频率响应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26第5章放大电路中的反馈. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .40第6章功率放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .50第7章集成运算放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .60第8章集成运算放大电路的基本应用. . . . . . . . . . . .. . . . . . .73第9章信号发生电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .91第10章直流电源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .102

模拟电子技术基础 1 第1章半导体二极管及其基本电路

自测题

1.1填空题

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于________，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。

2．半导体中的漂移电流是在作用下形成的，扩散电流是在作用下形成的。

3．当温度升高时，二极管的正向压降将_______，反向电流将_______。

4．面接触型二极管由于它的PN结结电容，适用于_____等低频电路中。

5．二极管最主要的特性是_________，它有两个主要参数，一个是反映正向特性的_________，另一个是反映反向特性的_______________。

6．在常温下，硅二极管的开启电压约为____V，导通后在较大电流下的正向压降约为____V；锗二极管的开启电压约为_____V，导通后在较大电流下的正向压降约为_____V。

7．硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在状态。

8．两只硅稳压管的稳压值分别为

Z16V

U=，

Z29V

U=。把它们串联相接可得到_____、_____、_____和_____的稳压值。把它们并联可得到_____和_____稳压值。

9．光照强度加强，PN结呈现的电阻会变。

答案：1．杂质浓度，温度。2．电场，浓度差。3．减小，增大。4．大，整流。5．单向导电性，最大整流电流

F

I，最大反向工作电压U RM。6．0.5，0.7，0.1，0.2。7．反向击穿。8．15V，9.7V，6.7V，1.4V，6V，0.7V。9．小。

1.2选择题

1．在本征半导体中加入适量的_____元素可以形成N型半导体，加入_____元素可以形成P型半导体。

A．二价；B．三价；C．四价；D．五价。

2．PN结外加正向电压时，扩散电流_____漂移电流，耗尽层_____；当PN结外加反向电压时，扩散电流_____漂移电流，耗尽层_____。

A．大于；B．小于；C．等于；D．变宽；E．变窄；F．不变。

3．关于PN结正偏说法正确的是_____。

2 第1章 自测题与习题参考答案

A ．P 端加正电压，N 端加负电压；

B ．N 端加正电压，P 端加负电压；

C ．P 端、N 端都加正向电压；

D ．P 端、N 端都加反向电压。

4．用万用表的100ΩR ⨯挡和1k ΩR ⨯挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是_____。

A ．100ΩR ⨯挡的测量值比1k ΩR ⨯挡测量值大；

B ．100ΩR ⨯挡的测量值比1k ΩR ⨯挡测量值小；

C ．相同。

5．理想二极管的正向电阻为 。

A ．零；

B ．无穷大；

C ．约几千欧；

D ．约几十欧

6．二极管的最大反向工作电压是100V ，它的击穿电压约为______。

A ．50V ；

B ．100V ；

C ．150V ；

D ．200V 。

7．在常温下测得流过某二极管的电流为10mA ，此时二极管的动态电阻为______。

A ．2.6k Ω；

B ．1.3k Ω；

C ．2.6Ω；

D ．条件不足，无法计算。

8．稳压管电路如题1.2.8图所示。两稳压管的稳压值Z U 均为6.3V ，正向导通电压D 0.7V U =，其输出电压为______。

A ．6.3V ；

B ．0.7V ；

C ．7V ；

D ．14V 。

9．稳压管稳压电路如题1.2.9图所示，其中Z16V U =，Z27V U =，且具有理想的特性。由此可知输出电压O U 为______。

A ．6V ；

B ．7V ；

C ．1V ；

D ．0V 。

答案：1．D 、B 。2．A 、E 、B 、D 。3．A 。4．B 。5．A 。6．D 。7．C 。8．C 。

9．C 。

1.3判断题

1．在N 型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P 型半导体。（ ）

2．因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ ）

3．漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）