肖特基(SCHOTTKY)系列二极管
肖特基二极管的应用
肖特基二极管的应用肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有金属-半导体结构的二极管，具有高速开关、低反向漏电流、低电压降等优点。
在电子工程中，肖特基二极管被广泛应用于各种场合，本文将从以下几个方面介绍肖特基二极管的应用。
一、整流电路肖特基二极管作为一种高效的整流器件，在直流电源中得到了广泛的应用。
它具有快速开关速度和低反向漏电流等优点，能够有效地减小整流器件的功耗和体积。
常见的整流电路包括单相半波整流电路、单相全波整流电路和三相全波桥式整流电路等。
二、信号检测肖特基二极管还可以用于信号检测。
由于其具有快速开关速度和低反向漏电流等优点，可以在射频信号处理中起到重要作用。
例如，在无线通信系统中，可以使用肖特基二极管进行射频检测和限幅放大。
三、混频器混频器是一种将两个不同频率的信号进行混合以产生新的频率信号的电路。
肖特基二极管可以作为混频器的关键元件之一，用于将高频信号和低频信号进行混合。
由于其具有快速开关速度和低反向漏电流等优点，能够有效地提高混频器的性能。
四、功率放大肖特基二极管还可以用于功率放大。
在射频功率放大器中，肖特基二极管可以作为开关管使用，实现快速开关和调制，并且具有高效率和低失真等优点。
此外，在多级功率放大器中，肖特基二极管还可以用于信号衰减和保护。
五、电压参考肖特基二极管还可以用于电压参考。
由于其具有低电压降和温度稳定性等优点，可以作为精密电压参考源使用。
例如，在模拟集成电路中，肖特基二极管常常被用来产生稳定的参考电压源。
六、光伏应用肖特基二极管还可以应用在光伏领域。
在太阳能电池中，由于其具有高效率和低漏电流等优点，常被用来代替普通的p-n结二极管作为反向保护二极管，以提高太阳能电池的效率和稳定性。
七、数字电路肖特基二极管还可以应用在数字电路中。
由于其具有快速开关速度和低反向漏电流等优点，可以用于高速逻辑门电路、存储器和时钟等。
此外，在数字信号处理中，肖特基二极管还可以用于数据转换和信号调制等。
二极管 mos管 肖特基二极管
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。
它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。
一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。
二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。
四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。
1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。
2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。
3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。
肖特基二极管应用选择
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
肖特基(SCHOTTKY)系列二极管
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
肖特基(Schottky)二极管
肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
2cr104肖特基二极管参数
2CR104肖特基二极管参数1.引言肖特基二极管（S cho t tk yD io de）是一种半导体器件，具有快速开关特性和低功耗的优点。
它由金属-半导体结构组成，相比于普通二极管具有更低的正向电压丢失和更快的开关速度。
2CR104是一款常见的肖特基二极管型号，本文将介绍其参数及相关特性。
2. 2C R104肖特基二极管参数下面是2CR104肖特基二极管的主要参数：最大正向电流（I F）-：该参数指示了二极管能够承受的最大正向电流。
对于2C R104肖特基二极管而言，其最大正向电流为100m A。
正向导通压降（V F）-：该参数表示在正向工作状态下，二极管中的电压降。
2C R104肖特基二极管的正向导通压降约为0.35V。
反向击穿电压（V R）-：该参数是指当反向电压超过一定值时，二极管会发生击穿现象。
对于2C R104肖特基二极管而言，其反向击穿电压为5V。
反向漏电流（I R）-：该参数表示在反向工作状态下，二极管中的漏电流。
2CR104肖特基二极管的反向漏电流约为10μA。
响应时间（t r、t f）-：该参数表示二极管由非导通到导通（t r）和由导通到非导通（tf）的响应时间。
2CR104肖特基二极管的响应时间非常短，通常在纳秒级别。
环境工作温度（T）-：该参数指示了二极管能够正常工作的环境温度范围。
对于2CR104肖特基二极管而言，其环境工作温度范围通常为-55℃至+125℃。
3. 2C R104肖特基二极管特性2C R104肖特基二极管具有以下特性：快速开关特性-：由于肖特基二极管的结构特点，其在开关过程中具有更快的转换速度。
这使得2C R104在高频应用中非常有用，例如射频通信和功率放大器等。
低向前电压丢失-：相比于传统的PN结二极管，2C R104肖特基二极管的正向电压丢失更低。
这意味着在正向工作状态下，能够减少能量损耗和发热。
低反向漏电流-：2CR104肖特基二极管具有较低的反向漏电流，可以确保在反向工作状态下，能够最小化漏电流的影响。
肖特基二极管简介
BTA54C BTA54SDO41SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。
肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。
超过200V电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。
与可控硅元件不一样。
电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A规格的有做到200V电压。
电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
肖特基的工作原理
肖特基的工作原理肖特基（Schottky）二极管是一种特殊类型的二极管，其工作原理基于金属-半导体的接触。
它由一个金属与半导体材料形成的PN结构组成，而不是常规的PN结构中的两种不同类型的半导体材料。
肖特基二极管的工作原理可以通过金属与半导体接触形成的面积电势垒来解释。
在肖特基二极管中，金属接触到n型半导体材料的一侧，而p型半导体材料的一侧则未被金属覆盖。
这种金属与半导体之间的接触形成了一个正向电势垒，使电子从n型半导体向金属辐射，并形成一个逆向漏电流。
当施加正向偏压时，即将正电压施加到金属端，而负电压施加到半导体端时，电子会从金属向半导体材料注入。
由于金属对电子具有很低的功函数和高电导率，电子可以在金属-半导体界面上快速通过，并进入半导体材料。
这种注入过程在肖特基二极管中被称为“电子注入”。
当电子注入到半导体材料时，它们会与空穴发生复合，导致电流流过二极管。
在肖特基二极管中，正向工作时，由于电子注入的数量较大，电流可以在非常短的时间内形成。
这使得肖特基二极管具有快速开关和高频应用的能力。
与之相反，当施加反向偏压时，即将正电压施加到半导体端，而负电压施加到金属端时，电子注入被抑制。
这是因为在反向偏压下，电子注入需要克服金属与半导体接触面处的电势垒才能发生，而这个电势垒反向偏压中会增加。
因此，在反向偏压下，肖特基二极管有很小的漏电流。
肖特基二极管的一个重要特性是其低阈值电压。
由于金属-半导体界面形成的电势垒较低，肖特基二极管可以在较低的电压下开始导通，从而在一些特定的应用中提供更高的效率。
肖特基二极管还具有快速开关速度和低反向恢复时间的优势。
这是因为在肖特基二极管中，电子注入和抽取的过程非常迅速。
由于电子的移动速度远高于空穴，因此反向恢复的时间也更短。
此外，肖特基二极管还具有低功耗和高耐压能力的优点。
由于电子注入和抽取过程的高效率，肖特基二极管的功耗较低。
同时，它们还能承受较高的电压，使其在高压应用中具有重要的作用。
40v2a肖特基二极管参数
40v2a肖特基二极管参数一、肖特基二极管简介肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由金属与半导体P型或N 型材料的接触形成。
它以德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）的名字命名。
与普通的PN结二极管相比，肖特基二极管具有较低的开启电压和快速的开关特性。
肖特基二极管的结构相对简单，由金属与半导体的接触组成。
金属与半导体的接触界面形成了一个肖特基势垒，该势垒的高度取决于金属与半导体材料的选择。
肖特基二极管的工作原理是基于金属与半导体之间的肖特基势垒形成的。
二、肖特基二极管的参数1. 最大反向电压（Vrmax）最大反向电压是指肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
一旦超过这个电压，肖特基二极管将会击穿，导致失效。
40v2a肖特基二极管的最大反向电压为40V，表示在正向偏置时，电压不应超过40V。
2. 正向导通电压（Vf）正向导通电压是指肖特基二极管在正向电流下的电压降。
肖特基二极管的正向导通电压较低，通常在0.2V至0.5V之间，这使得肖特基二极管在低电压应用中非常有用。
40v2a肖特基二极管的正向导通电压为2V。
3. 最大正向电流（Ifmax）最大正向电流是指肖特基二极管能够承受的最大正向电流。
超过这个电流，肖特基二极管可能会过热并损坏。
40v2a肖特基二极管的最大正向电流为2A，表示在正向偏置时，电流不应超过2A。
4. 导通电阻（Rd）导通电阻是指肖特基二极管在正向导通状态下的电阻。
肖特基二极管由于金属与半导体的接触，具有较低的导通电阻，因此能够在高频应用中提供更好的性能。
40v2a肖特基二极管的导通电阻较低。
5. 反向漏电流（Ir）反向漏电流是指肖特基二极管在反向电压下的泄漏电流。
肖特基二极管的反向漏电流较小，这是因为金属与半导体的接触形成的肖特基势垒可以有效地阻止电流的流动。
40v2a肖特基二极管的反向漏电流较小。
6. 响应时间（tr、tf）响应时间是指肖特基二极管从关断到导通或从导通到关断的时间。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表摘要：1.肖特基二极管的基本概念和特点2.肖特基二极管的分类和应用领域3.常用肖特基二极管的型号与参数4.肖特基二极管的主要性能指标及其意义5.选择和使用肖特基二极管时需关注的因素正文：肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
它以金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作，而非利用PN结原理。
由于其独特的性能优势，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。
肖特基二极管的特点包括：1.低功耗：正向导通压降仅0.4V左右，整流电流可达到几千毫安。
2.高速度：反向恢复时间极短，可达到几纳秒。
3.良好的热稳定性：具有较高的热稳定性，可以承受较高的功耗。
根据应用领域和性能要求，肖特基二极管可分为不同类型。
例如，用于续流二极管、保护二极管等。
在通信电源、变频器等电路中，肖特基二极管有着广泛的应用。
常用的肖特基二极管型号包括：1.引线式肖特基二极管：D80-004、B82-004等。
2.封装式肖特基二极管：MBR1545、MBR2535、MBR300100CT、MBR400100CT等。
在选择和使用肖特基二极管时，需要关注以下性能指标：1.正向电压VF：指肖特基二极管正向导通时，正向电压与正向电流的比值。
VF越低，功耗越小。
2.反向漏电IR：指二极管反向漏电流。
IR越小，二极管的反向性能越好。
3.反向电压VR：二极管能承受的最大反向电压。
VR越高，二极管的耐压能力越强。
4.反向恢复时间trr：二极管从反向导通到截止的时间。
trr越小，二极管的开关速度越快。
总之，肖特基二极管具有低功耗、高速度等优点，广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等电路。
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。
但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
检波肖特基二极管
检波肖特基二极管检波肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它以其高速开关特性和低压降而广泛应用于各种电子设备中。
本文将介绍检波肖特基二极管的原理、特点以及应用领域。
一、原理检波肖特基二极管是由一个P型半导体和一个金属接触面组成的。
与普通的PN结二极管不同，肖特基二极管的P型半导体区域没有掺杂杂质，而是与金属接触形成一个肖特基势垒。
当正向偏置时，电流主要通过金属-半导体接触面流过，而不是通过PN结。
这使得肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度。
二、特点1. 低压降：检波肖特基二极管的正向压降通常只有0.3V左右，远低于普通二极管的0.7V。
这使得肖特基二极管在低压工作环境下能够更高效地工作，减少能量损耗。
2. 高速开关：由于肖特基二极管的载流子在金属-半导体接触面上移动，而不需要穿越PN结，因此具有更快的开关速度。
这使得它在高频应用中能够更加准确地进行信号检测和处理。
3. 低反向漏电流：肖特基二极管的反向漏电流很小，通常在微安级以下。
这使得它在高温环境下也能保持稳定的性能。
4. 温度稳定性好：与普通二极管相比，肖特基二极管的温度稳定性更好。
在高温环境下，它的性能变化较小。
三、应用领域1. 通信设备：由于肖特基二极管具有高速开关和低压降的特点，因此广泛应用于通信设备中，如高频调制解调器、光纤通信设备等。
它能够高效地进行信号检测和处理，提升通信质量和传输速度。
2. 电源管理：肖特基二极管在电源管理电路中用于快速充放电，能够提高电源效率和稳定性。
例如，它可以用于手机充电器、笔记本电脑电源适配器等设备中。
3. 太阳能电池：肖特基二极管在太阳能电池中作为反向电流保护二极管使用，能够防止太阳能电池在夜间或云天气等情况下被逆向电流损坏。
4. 射频检测：肖特基二极管的快速开关特性使其非常适合射频检测应用。
它可以用于无线电接收器、雷达系统等设备中，实现高精度的信号检测和处理。
检波肖特基二极管以其低压降和高速开关特性在各种电子设备中得到了广泛应用。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种具有快速开关特性和低电压损耗的二极管。
其工作原理是通过形成金属和半导体之间的肖特基势垒来导电。
以下是一些常见的肖特基整流二极管型号及其参数介绍：
1.BAT54C：
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
2.BAT46W：
-最大正向电流：150mA
-最大反向电压：100V
-正向压降：0.4V（I=0.1A）
- 导通时间：5ns
3.BAT41：
-最大正向电流：100mA
-最大反向电压：40V
-正向压降：0.45V（I=0.1A）
- 导通时间：8ns
4.BAT54S：
-最大正向电流：300mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.26V（I=0.2A）
- 导通时间：6ns
5.BAT54:
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.41V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
6.BAT85:
-最大正向电流：1A
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：1ns
以上只是一些常用的肖特基整流二极管型号，实际上市场上还有很多其他型号的肖特基整流二极管。
不同型号的肖特基整流二极管具有不同的正向电流、反向电压、正向压降和导通时间等参数，可以根据具体应用需求选择合适的型号。
肖特基二极管种类
肖特基二极管种类1. 通用型肖特基二极管（General Purpose Schottky diodes）：通用型肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度，适用于各种不同的应用，如功率供应和转换器、逆变器、电流矩阵和快速整流器等。
这些二极管具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。
2. 快速恢复型肖特基二极管（Fast Recovery Schottky diodes）：快速恢复型肖特基二极管具有更高的开关速度和更低的反向恢复时间，适用于高频应用和要求更高的开关速度的电路。
这些二极管在功率转换和整流电路中具有重要作用。
3. 超快恢复型肖特基二极管（Ultra-Fast Recovery Schottky diodes）：超快恢复型肖特基二极管是一种更高速度和更低恢复时间的二极管，适用于要求更高频率和更高效率的应用，如高频电路、雷达系统、无线通信和高速开关。
4. 高压肖特基二极管（High Voltage Schottky diodes）：高压肖特基二极管具有高反向电压承受能力和较低反向漏电流，适用于高压应用，如电源管理、电力系统和高压整流器。
5. 低压降肖特基二极管（Low Voltage Drop Schottky diodes）：低压降肖特基二极管是一种具有极低正向压降的二极管，通常在0.2伏以下。
这种二极管适用于要求较低连续正向电压降和快速开关速度的应用，如电源管理、电池充电和电动车等。
6. 高功率肖特基二极管（High Power Schottky diodes）：高功率肖特基二极管具有较高的电流和功率承载能力，适用于高功率转换和整流电路。
这些二极管通常用于电源供应、马达驱动器等高功率应用中。
7. 低容量肖特基二极管（Low Capacitance Schottky diodes）：低容量肖特基二极管具有较低的反向恢复电容，适用于高频应用，如天线和射频电路。
这些二极管能够提供更高的频率响应和更低的信号衰减。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
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肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，一般只有100V左右；二是反向漏电流I R较大。
但随着半导体技术的不断发展，V R已超过100V，如我所生产的2DK10140，V R为140V；I R也达到μA级，已接近普通硅管的水平。
二．我所肖特基二极管的生产状况：我所研制和生产肖特基二极管已有十余年的历史, 并为重要军工项目成功地提供了许多种类的肖特基产品。
目前济半所的肖特基二极管在种类和产量上均据国内第一位，产品畅销国内外。
近年来，为了最大程度地满足军工配套的各种需求，扩大产量，面向国内外两大市场，我们对原肖特基二极管生产线实施了技术改造，引进了许多关键设备和工艺技术，突破了许多技术难点，使产品的成品率、电参数性能以及可靠性均有大幅度的提高，品种及封装形式已形成系列化。
在产品的研制、生产、检验过程中，我们严格按照军用标准和ISO9002国际质保体系的要求进行管理，使产品质量在生产过程中的每一个环节都得到良好的控制。
我所的国家级军用产品实验室，能对产品的各种性能进行测试。
任何岗位的员工上岗前都经过严格的培训，这些都确保我们能提供高品质的产品。
目前，我们能提供电流从几十mA到50A，电压从20V到一百多伏的肖特基产品。
并能提供下面的封装形式。
玻璃封装：DO-35、DO-41,DO-7,MELF,MiniMELF;金属封装, TO-247等；塑料树脂封装R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、TO-220、TO-3P、SMA、SMB、Mini、Smini等。
我所生产的军品级和工业品级的肖特基系列产品，已广泛应用于航空、航天设备、计算机设备、通讯设备等领域。
能用于高速开关电路，低压高频整流电路，信号检波、混频电路，IC& MOS静电保护电路，供电电源隔离电路和极性保护电路。
整机产品如开关电源、电子变压器、传感器、电话机等。
三．我所肖特基二极管的种类（1）军用产品：2DK030，2DK035，2DK12，2DK13,2DK14,2DK15,2DK162DK5100，2DK10100，2DK10140,2DK30100，1N60等（2）一般工业用产品：1N60，1N60P（I F（AV）=30-50mA, V R=40-45V）1A系列1N5817-1N5819，SR120-SR1A01.5A系列SR13-SR192A系列SR220-SR2A03A系列1N5820-1N5822,SR320-SR3A05A 系列SR520-SR5A08A 系列SR820-SR86010A 系列SR1020-SR106016A 系列SR1620-SR166020A系列SR2020-SR206030A系列SR3020-SR306040A系列SR4030-SR406050A系列SR5030-SR5060四．我所肖特基二极管的特点和性能质量分析：在通常情况下，一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面之间SiO2层的存在，使得接触电阻和表面态密度明显增大，致使器件的性能大大降低，为了解决这个问题，我们采用近十年国外研究的一项新工艺技术—金属硅化物—硅接触势垒工艺，形成了非常可靠且重复的肖特基势垒。
此外为了解决上层电极金属与硅化物层的兼容问题以及相互扩散和反应问题，我们采用了扩散势垒和多层金属化技术，为了提高反向性能，采用了保护环结构等新工艺技术。
由于我们采用了多项国内外新工艺技术，使器件的常温电参数和高温性能及反向抗浪涌冲击的能力等可靠性能标有了明显的提高。
其特点总结如下：（1）采用保护环结构（2）V F低，I R小（3）硬击穿特性（4）高温特性好（5）低损耗，高效率下面是本所制造的肖特基二极管的特性：1．直流电参数：按GB4032整流二极管总技术条件和测试方法，对产品主要电参数进行测试，表1、表2分别列出2DK10100和2DK1640的主要电参数，并与国外公司的同类产品10CTQ140、16CTQ140作了比较。
由表1、表2可以看出，本所制造的肖特基二极管的电参数水平已达到了国外公司同类产品的水平。
表1 2DK10100实测平均值与10CTQ140参数值的比较表2 2DK1640 实测平均值与16CTQ060参数值的比较2．技改前后常温反向漏电特性及反向抗烧毁能力的检查常温下检查了反向漏电特性，并对样品进行了破坏性物理实验，以检查肖特基势垒的反向抗烧毁能力，测试结果列于表3。
表3 技改前后产品的反向特性及抗烧毁能力的比较3．高温反向漏电流的检查将目前产品2DK1630、技改前的产品2DK13F以及从国外进口封装成的管子SR1630各15支，分别测试了高温反向漏电流，结果为表4、表5。
经查阅，与2DK1630对应的国外同类产品为15CTQ030，其高温（125℃）反向漏电流为70mA，对照表4、表5，结论如下：①技改后的产品与技改前的产品比较，高温反向漏电流低1—2个数量级。
②技改后的芯片与从台湾进口的芯片一起封装后，在100℃下测试高温反向性能已达到国外同类产品的先进水平。
表4 2DK1630与2DK13F的高温反向漏电流比较（V R=30V）表5 台湾芯片封装成SR1630高温反向漏电流（V R=30V）备注：当温度为125℃时，由于反向漏电流太大，无法测出。
可以看出，我所肖特基二极管产品的常温电参数性能以及高温电性能、正反向抗烧毁能力等可靠性指标均已达到国际先进水平，可以满足军工产品的需要。
五．介绍我所生产的两种肖特基二极管：1．2DK030小电流肖特基二极管（1）概述：2DK030是为替代2AK、2AP锗二极管系列产品而开发设计的肖特基二极管。
由于锗管温度特性较差，已满足不了重点工程电子系统的高可靠的要求。
普通的硅开关整流二极管虽有良好的温度特性，但其正向压降V F比锗管高，功耗大，也不具有高的开关速度。
为此，我们开发了2DK030硅肖特基二极管，其V F低（小于锗管的V F）、功耗小、反向恢复快、转化效率高，并且温度特性优于锗二极管，完全可以代替相应规格的锗二极管。
(2）2DK030肖特基二极管的设计指标(合同号: QJ/01RBJ018—97)V F≤0。
3V 测试条件I F=20mAV BR≥30VI R1≤5μA 测试条件V R=10V，T A=25℃I R2≤200μA 测试条件V R=10V，T A=85℃I FSM=600mA工作环境温度范围：-55℃TO +100℃(3) 2DK030 型肖特基二极管执行的标准该产品的详细规范QJ/01RBJ018—97是根据与航天总公司某院签定的9704Q004经济技术合同要求，按照国标GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉、GJB128〈〈半导体分立器件试验方法〉〉的具体规定制订的、并经电子部标准化所确定后，作为新品的企业军用标准。
质量一致型检验项目的所有A 组、B组和C组的要求、试验方法与抽样方案均与GJB33和GJB128的要求相一致，保证了产品具有良好的开关特性、温度特性和正向电压低的特点，可靠性达到国军标要求的质量保证等级。
(4) 2DK030肖特基二极管的主要研制特点A．设计特点该管在设计中采用了势垒高度фB较低的金属，并尽量减小理想因子П值。
因为φB决定了伏安特性曲线的上升阈值，而П值决定了电流随电压上升的快慢。
适当调整工艺，使之形成富硅硅化物的肖特基的势垒接触，以达到正向电压阈值低、曲线起始上升快的目标。
B．结构特点该管设计和采用的零部件及组装均符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求，为减小封装串联电阻，降低正向压降，尽量加大了引线与芯片的接触面积。
采用了宽“S”形弯曲触须压力接触的镀金上引线，增强了抗浪涌电流的冲击能力。
用美军标准规定的DO-7玻壳封装，轴向引线，壳体透明，具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。
C．工艺与设备特点形成富硅硅化物势垒接触的工艺技术是影响该管电参数性能及可靠性的关键所在。
通过大量的优化实验，对溅射和退火等关键工艺的参数和条件进行了优化，选出了最佳的工艺方案，以达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面，使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率。