专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第5章 模拟集成电路设计技术
专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第4章 数字集成电路设计技术
图4-3 PFET的传输特性
10
通过以上分析,我们可以得到以下结论: NFET传送强逻辑0电平、弱逻辑1电平; PFET传送强逻辑1电平、弱逻辑0电平。 设计互补MOS(CMOS)电路就是为了解决传送电平的问题。 设计的基本规则为: 使用PFET传送逻辑1电压UDD; 使用NFET传送逻辑0电压USS=0 V。 以上这些使我们能够构建一个可传送理想逻辑电压0 V和 UDD到输出端的电路。
4
图4-1 NFET和PFET的符号
5
NFET的工作特性如图4-2所示。栅极上的外加电压UDD 保证了NFET导通,其作用如同一个闭合的开关。图4-2(a)中, 器件左端加上了一个逻辑电平0,电压UX=0 V,正如期望的 那样,输出电压UY=0 V。当增加输入电压时,该电压值也 会被传送到输出端。但是,如图4-2(b)所示,当加上一个理 想的逻辑1,即输入电压UX=UDD时,问题就发生了。
11
4.1.2 CMOS传输门 在CMOS电路中, 传输门被作为一种基本的开关或逻辑单
元,由多个逻辑单元的组合来实现基本的开关电路并进而扩 展出更多的逻辑功能。图4-4示出CMOS传输门的结构及其常 用的符号。通过此单元的导通通路是由一互补的控制信号对
(C , C ) 来控制的。当C=1, C 0 时,两管同时导通,输入
信号送至输出端(即输出信号等于输入信号);而当C=0, C 1 时,两管皆不导通(形成高阻态), 将逻辑流切断(即输
入的变化对输出没有影响)。为此可将传输门当作一个电压控 制或逻辑控制的开关。
12
由图4-4可看出,CMOS传输门与CMOS反相器一样,都是 由一个PMOS管和一个NMOS管相并联组成的,但它们的连接 方式却完全不同。为了加深对CMOS传输门电特性的了解,可 先研究各个MOSFET 开关管的性能,然后再将其构成并联电 路。之所以将两MOSFET管称为开关管是因为流过它的电流是 双向的,具体的流向由具体情况来确定。CMOS反相器中 PMOS管的源极必须接UDD,漏极与NMOS管的漏极连在一起 接输出端,而NMOS管的源极必须接到地。也就是说,CMOS 反相器中两管的源、漏极是固定不变的。但对传输门则不然, 其漏、源极可以互换而不固定。
专用集成电路设计实践(西电版)第4章 EDA软件的使
02
常用EDA软件介绍
集成电路设计软件
Cadence Virtuoso
用于模拟和混合信号IC设计,支持从概念到签核 的所有设计流程。
Synopsys Design Compiler
广泛用于数字IC设计,提供逻辑综合和物理优化 功能。
ABCD
Mentor Graphics IC Compiler
针对高性能IC设计,提供高吞吐量物理综合和时 序驱动的布局。
Laker Custom IC Designer
适用于初学者和小型设计团队,提供简单易用的 集成电路设计工具。
电路仿真软件
Cadence NC-Sim
提供高性能、高精度仿真,适用于模拟、混合信号和数字电路。
Mentor Graphics ModelSim
适用于各种规模的电路仿真,支持多种EDA工具接口。
EDA软件的发展可以分为三个阶段: 萌芽期、发展期和成熟期。
发展期:20世纪80年代,随着计算 机技术的不断发展,EDA软件开始广 泛应用于电子设计领域。
萌芽期:20世纪70年代,随着集成 电路的出现,人们开始尝试使用计算 机进行电路设计。
成熟期:21世纪初,随着集成电路规 模的扩大和系统级设计的出现,EDA 软件逐渐成熟并成为电子设计的必备 工具。
导入和导出数据
打开软件并登录,完成必要的工作后 关闭软件。
将数据导入到软件中进行分析和处理, 或导出数据以供其他应用程序使用。
创建和保存项目
创建一个新的项目或打开一个已有的 项目,并保存项目以防止数据丢失。
EDA软件的进阶技巧
使用脚本语言自动化任务
学习并使用脚本语言,如Python或TCL,来自动化重复性任务, 提高工作效率。
专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第2章 集成电路的基本制造工艺及版图设计PPT
〔3〕 BiCMOS工艺:是一种同时兼容双极和CMOS的工 艺,适用于工作速度和驱动能力要求较高的场合,例如模拟类 型的ASIC。
〔4〕 GaAs工艺:通常用于微波和高频频段的器件制作, 目前不如硅工艺那样成熟。
〔5〕 BCD工艺:即Bipolar+CMOS+DMOS〔高压MOS〕, 一般在IC的控制局部中用CMOS。
第2章 集成电路的基本制造 工艺及版图设计
2.1 集成电路的基本制造工艺 2.2 集成电路的封装工艺 2.3 集成电路版图设计
1
半个多世纪前的1947年贝尔实验室创造了晶体管;1949年 Schockley创造了双极〔Bipolar〕晶体管;1962年仙童公司首家 推出TTL〔Transistor Transistor Logic〕系列器件;1974年 ECL〔Emitter Coupled Logic〕系列问世。双极系列速度快, 但其缺点是功耗大,难以实现大规模集成。
6
2. 深亚微米工艺特点 通常将0.35 μm以下的工艺称为深亚微米〔DSM〕工艺。 目前,国际上0.18 μm工艺已很成熟,0.13 μm工艺也趋成熟。 深亚微米工艺的特点包括: 〔1〕 面积〔Size〕缩小。特征尺寸的减小使得芯片面积 相应减小,集成度随之得到很大提高。例如,采用0.13 μm工 艺生产的ASIC,其芯片尺寸比采用0.18 μm工艺的同类产品 小50%。
除此之外,还有崭露头角的超导〔Superconducting〕工艺 等。
3
1. ASIC主要工艺及选择依据 目前适用于ASIC的工艺主要有下述5种: 〔1〕 CMOS工艺:属单极工艺,主要靠少数载流子工作, 其特点是功耗低、集成度高。 〔2〕 TTL/ECL工艺:属双极工艺,多子和少子均参与导 电,其突出的优点是工作速度快,但是工艺相对复杂。
模拟集成电路设计
读书笔记
01 思维导图
03 精彩摘录 05 目录分析
目录
02 内容摘要 04 阅读感受 06 作者简介
思维导图
关键字分析思维导图
集成电路
集成电路
通过
读者
深入
大家
理论
设计
设计
模拟 能够
掌握
内容摘要
《模拟集成电路设计》是一本全面介绍模拟集成电路设计的著作,涵盖了从基础知识到高级设计 技术的各个方面。本书首先介绍了模拟集成电路的基本概念和设计流程,然后详细阐述了各种模 拟电路元件的设计和特性,包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。接下来,本书深入探讨 了模拟集成电路的设计技巧,包括反馈设计、频率响应优化、噪声抑制等。本书还涵盖了模拟集 成电路的版图设计和测试方法,为读者提供了全面的设计工具。
本书的一大亮点是它的理论与实践相结合的方法。它不仅提供了大量的理论分析,还通过实例演 示了如何将理论应用到实际设计中。这种方法使得读者能够更好地理解并掌握模拟集成电路设计 的精髓。
《模拟集成电路设计》是一本非常优秀的教材,无论是对初学者还是对有一定经验的工程师来说, 都是一本极有价值的参考书籍。本书不仅介绍了模拟集成电路的基本知识和技术,还通过实例和 案例分析,使读者能够深入了解并掌握模拟集成电路设计的关键技术和实际应用。
书中另一句引人注目的话是:“在所有的电子系统中,模拟电路是心脏。” 这句话强调了模拟集成电路在电子系统中的核心地位。无论是信号的输入、放大、 处理,还是最后的输出,都离不开模拟集成电路的强大功能。
还有一句令人印象深刻的话:“模拟集成电路设计的挑战在于平衡性能、功 耗和成本。”这是对模拟集成电路设计复杂性的最好诠释。设计师需要在满足性 能要求的还要考虑功耗和成本的问题,这需要他们具备深厚的专业知识和丰富的 实践经验。
专用集成电路设计基础
4、形成场隔离区
(1)生长一层薄氧化层 (2)淀积一层氮化硅
(3)光刻场隔离区,非隔离区用光刻胶保护
(4)刻蚀氮化硅
(5)场区离子注入
(6)热生长厚的场氧化层(7)去掉氮化硅
5、形成多晶硅栅
(1)生长栅氧化层
(2)淀积多晶硅
(3)光刻多晶硅栅
(4)刻蚀多晶硅栅
(5)淀积氧化层
(6)刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层
COMS数字IC中 最基本COMS倒相器的结 构,是在同一硅衬底上 将PMOS和NMOS制作在一 起得到:
源 栅漏
P+ N-Si衬底
源栅漏
N+ P阱
7.逻辑电平
用MOS器件作逻辑开关时,一般希望它们具 有良好的开关特性,开通时具有强的导通能力,关 闭时具有良好的关断能力。
如图2.5a所示,当n沟MOS器件的栅极施加逻 辑电平“1”或VDD,源极接低电平VSS,漏极接后级 单元时,若初始时刻漏极为逻辑“1”电平,N沟晶 体管将对任何连接于漏端的等效电容C放电,放电 后也变成低电平时。由于栅极对于源、漏的电平 VGS和VGD均等于高电平,在栅下面形成一个很厚 的沟道,晶体管具有很大的沟道导通电荷量Q或强 导通能力。这种晶体管始终维持其漏极为逻辑“0” 的状态,我们称该漏极逻辑电平为强“0”。
IDS(sat)=WvmaxCox(VGS-Vtn); VDS>VDS(sat),式(2-7)
这时,用式(2-6)表示短沟道晶体管V-I特性将会 发生偏离。
例:如果N沟晶体管采用0.5 μm (G5)工艺,当: VDS=3.0V, VGS=3.0V, Vth=0.65V, Leff=0.5 μm, Tox=100A时,代入式(2-7)可得: IDS(sat)/W=300 μA/μm。 根据电场强度计算饱和速度和渡越时间:
模电第5章课件PPT学习教案
VT1
VT2
R2 uI2
第12页/共53页
动态分析:
(1)信号输入方式
共模输入电压 uIc 差模输入电压 uId
第13页/共53页
第14页/共53页
第15页/共53页
共模电压放大倍数:
Ac
Δ uo Δ uIc
Ac 愈小愈好, 而Ad 愈大愈好 +
uIc ~
+VCC
Rb
Rc
+ uo
Rc Rb
R
+VCC Rb2
ICQ1
ICQ2
1 2
ICQ3
R
U U V I R CQ1
CQ2
CC
CQ1
(对地)
C
IBQ1
IBQ2
ICQ1
1
(对地)
UBQ1 UBQ2 IBQ1R
VT1
图
VT3
Re
R
VT2
Rb1
VEE
恒流源式差分放大电路
第24页/共53页
3. 动态分析 由于恒流三极管相当于一个阻值很大的长尾电阻 ,它的作用也是引入一个共模负反馈,对差模电压放 大倍数没有影响,所以与长尾式交流通路相同。
IB1 +
UBE1
IC2
IB2 U+BE2 VT2
IC2
I C1
I REF
2IB
I REF
2
IC2
图
所以
1
IC2
I R EF 1
2
当满足 >> 2 时,则
IC2
I R EF
VCC
UB E1 R
第5页/共53页
二、比例电流源
专用集成电路设计基础教程第5章 模拟集成电路设计技术 共329页
(5-37)
当β=100,n=5时相对误差仅为0.06%。当β=5, n=5时, 相对误差为16%。现在再回头看,如果不用V0管,而用基本型 电流源,即把V管b、c极短接,此时有如下关系:
38
ir ic (n1)ib
ic(1
n1 )
io(1
n1 )
(5-38)
n1
io (1n1)ir
29
6. 横向PNP管电流源 横向PNP管在模拟集成电路中已得到广泛应用。所谓横向 PNP管,是指以N型外延层作为PNP管基区,其发射区和集电 区由硼扩散同时实现的,因此在工艺上容易制造出多个发射区 和集电区的晶体管。基本型电流源电路的两个晶体管的基区是 连在一起的,发射极也接相同电位,这样就可以用一个多集电 极的横向PNP管构成多个电流源。图5-6就是用一个多集电极 横向PNP管作为基本型电流源的电路,它的等效电路如图5-7 所示。
24
(5-26) (5-27)
现在来计算一下相对误差值。当β=100时,相对误差仅 为2%;当β=5时,相对误差约为29%。因此用β值很大的管 子作基本型电流源时,其误差可以忽略不计,但对β值很小的 管子来说,其误差就相当大了。为了减小输出电流io和参考电 流ir间的误差,需要对基本型电流源进行改进,改进后的电流 源电路如图5-5所示。这种改进型电流源又称为Wilson电流源。
17
在集成电路版图设计时,常把V1、V2两管靠得很近,加上 工艺相同,掺杂浓度相同,因此两个管子单位面积的反相漏电
流可以认为相同,即 is1 is2 。另外,由图5-2电路可知,V1、
V2两管的正向压降也相同,即UBE1=UBE2。这样由上面几个公 式可以得出
io Ae1 ir Ae2
专用集成电路设计基础
专用集成电路设计基础专用集成电路设计基础,哎呦,听起来好像挺高大上的,实际上呢,就是讲怎么把一些非常复杂、功能强大的电路设计得更小巧、更精密,让它们既能发挥超级大作用,又不占地方、不费电。
就像是做饭时用最简单的食材做出最美味的菜一样,把这些零零碎碎的元件给组合成一个有巨大能力的小“芯片”。
你可能会想,集成电路是什么?说白了,它就是把多个电子电路设计好之后,放到一块儿“芯片”上,大家团结一心,发力互相配合,完成某个特定的任务。
你看,像我们平时用的手机、电视、汽车的智能系统,它们的“大脑”不就是集成电路嘛。
要设计出这样的集成电路,不仅得有技术活儿,还得有点创意,就像打游戏时打怪升级,设计师们在各种复杂的约束条件下,闯关一般,最后把那些看似不可完成的任务,一一攻克掉。
你有没有想过,电路设计和搭积木有点相似?一个集成电路其实就是一堆小小的电子元器件,电阻、电容、晶体管、二极管等,就像积木的不同形状,设计师们就得把它们一个个给拼接起来,然后通过各种工具来确保每一个拼接点都是精准无误的。
比如说晶体管,别看它小,它可是电路里的“大将”,负责开关和放大信号,它的作用可大了。
至于那些电阻和电容嘛,它们就像是电路中的“流量管控员”,调节着电流和电压,确保电路不会出岔子。
所以啊,专用集成电路的设计就像是在玩拼图,你得把这些小“零件”完美地放到一起,最终呈现出一个功能强大的作品。
说起来可能有点抽象,但一旦你理解了这些基本概念,就会觉得这项工作其实很有趣,也很有成就感。
不过,话说回来,做这事儿可不容易。
想象一下,你得在有限的空间里,把各种电路元件都给塞进去,还得保证它们互相不干扰,这就像是你在做一道拼盘菜,盘子很小,食材又多,还得保证每一种食材都能完美展现它的味道。
设计师们就是在这样严格的约束下,一步步把电路的每一个细节都做得像“工艺品”一样。
你看那些大大小小的芯片,它们就像是一个个微小的“世界”,里面有着成千上万的小“村庄”,每个村庄都有自己的任务和职责,大家齐心协力,为了一个共同目标努力。
西电模电课件 第5章
3、交、直流共存,通路各自;c.饱合:.U BE >U BE(ON) , i C <βi B,U CE =U CESe2.E B =0.3V or E B =15V3.R B =100K or R C =10Kto CEQ CE(sat)的变化上。
造成工作点较大的漂移,甚至使管子进入饱和或截止状态要二者兼顾,合理选择R E 的阻值。
,U BB =U CC R B2/(R B1+R B2)R E2VU CEQ 4)22(212=+×−=直流通路交流通路t2.输出回路:i C =f(U CE ) i B =i BQ ----内方程U CE =U CC -I C R C ----外方程放大器的直流图解分析DC Load LineQ R B U CC R C I B QI CQ +-U CE Q u CE =0,i C =U CC /R C ,得M 点;i C =0,u CE =U CC ,得N 点。
3.Ucc 负载线向右平移(Ucc 向左平移)Line Δi =I 1.Q+AC(DC+AC)2.CE反相放大共射放大器输出电压信号与输入电压信号反相通过以上分析可知,由于受晶体管截止和饱和的限制,放大器的不失真输出电压有一个范围,其最大值称为放大器输出动态范围,用峰--峰值U opp 表示。
3. 放大器的输出动态范围U OPP●●2OPP CQ LU I R ′=由图解可知:否则,产生截止失真。
CQ LCEQ CES I R U U ′≤−若U CES 为临界饱和压降,约为0.7V三、非线性失真4.PNP与NPN 相反(关于原点对称)1.Q点设置过低(I CQ 太小) 截止失真最大输出动态范围:U OPP =2*I CQ R L ′∴克服失真Q2.Q点过高(I CQ 太大) 饱合失真最大输出动态范围:U OPP =2(U CEQ -U CES )∴克服失真Q3. 希望U OPP 大Q点应在中间∴U OPP =2*I CQ R L ′=2(U CEQ -U CES )βi br ceer bb’b ′r b e′m u b e+-u ce r cec ′完整的混合π型电路模型平面管结构示意图eb压控型电路模型'm bb e g U I β=C C B m Q Q BE B BE i i i g ||u i u ∂∂∂==×=∂∂∂=ΔΔ•ΔΔ=ΔΔ=Qbe e be Qbbee b UI I I U I U r ce r 0==∂∂=b I cec QCECoe U I u i h ----输入交流开路时的输出电导第三步:根据交流等效电路计算放大器的各项交流指标第二步:确定放大器交流通路,用晶体管交流模型替换晶体管得出放大器的交流等效电路;第一步:画出直流通路并估算直流工作点;低频小信号放大器分析法:已知:β=100,R C =2K,R L =20K,R +--+U i U sR s R B2+C 1R EC E +R LU CC R CR B1+C 25.3.7 共射放大器的交流小信号模型分析法KmAK I r r r r EQ bb e b bb be 4.110021.0)1(=•+≈+•+=+=βR o = R CR B1RB2RiICQRiβRi EEQCCCEQRIUU−=(射随器)与CE相比,CC的输入电阻大大提高了。
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5.1.1 双极型电流源电路 在集成电路中,偏置电路和晶体管分立元件的偏置方法
不同,也就是说,晶体管分立元件通常采用的偏置电路在集 成电路中是不适用的。为了说明这个问题,我们先看一个例 子。
图5-1是晶体管共射放大电路。Rb1、Rb2是偏置电阻,通 过分压固定基极电位;Re是射极反馈电阻,起着直流反馈和 保证工作点稳定的作用。图5-1也是晶体管分立元件通常采用 的偏置电路,现在来估算一下这种偏置电路中的各个电阻的 阻值。
第5章 模拟集成电路设计技术
5.1 电流源 5.2 差分放大器 5.3 集成运算放大器电路 5.4 比较器 5.5 带隙基准 5.6 振荡器
1
5.1 电 流 源
集成电路设计者的主要工作是设计电路,包括电流的设计。 为了给各电路提供设计所指定的电流,常使用电流镜电路,它 是集成电路的基本电路。其主要用途有:做有源负载;利用其 对电路中的工作点进行偏置,以使电路中的各个晶体管有稳定、 正确的工作点。下面我们来讨论模拟集成电路中各种类型的电 流源电路。
11
其中:ie1为V1的发射极电流,ie2为V2的发射极电流。根据晶体
U BE1
KT q
ln ie1 is1
,U BE 2
KT q
ln ie2 is 2
则
(5-7)
U BE 2
U BE1
KT q
ln ie2is1 ie1is 2
(5-8)
12
其中:is1和is2分别是V1、V2单位面积的反相漏电流。 设V1、V2两个管的发射区面积相同,在工艺上实现的单位
17
在集成电路版图设计时,常把V1、V2两管靠得很近,加上 工艺相同,掺杂浓度相同,因此两个管子单位面积的反相漏电
流可以认为相同,即 is1 is2 。另外,由图5-2电路可知,V1、
V2两管的正向压降也相同,即UBE1=UBE2。这样由上面几个公 式可以得出
io Ae1 ir Ae2
(5-18)
(5-20)
19
图5-4 微电流电流源
20
因为
U BE1
KT q
ln ie1 is1
U BE 2
KT q
ln ie2 is 2
(5-21) (5-22)
21
设V1与V2管子完全对称,则有is1=is2,代入式(5-20),有
ie1
KT R1q
ln ie2 ie1
(5-23)
当β≥1时,基极电流可以略而不计, 即ir≈ie2,io≈ie1, 最后得 出
(5-13) (5-14)
16
io ic1 ir ie2
qUBE1
ie1 Ae1i's1 e KT
qUBE2
ie2 Ae2i's2 e KT
(5-15)
(5-16) (5-17)
i 式中,Ae1、Ae2分别为V1、V2两管的发射区面积, s1 、is2 为
V1、V2两管单位面积的反向漏电流。
6
因为
io ic1 ic
(5-2)
所以
2
ir io (1 )
(5-3)
2
io
ir
(1
) 2
(5-4)
7
图5-2 基本型电流源电路
8
当β很大时,电流源输出电流约等于参考电流,因此这种 电流源也叫做“镜像电流源”。给定了参考电流ir,输出电流 也就恒定了。这种电流源电路简单,但误差大,当β较小时,io 与ir匹配较差,且灵活性差,适用于大电流偏置的场合。
9
2. 电阻比例型电流源电路
图5-3所示是由双极型晶体管构成的电阻比例型电流源电 路的原理图。
通过改变R1与R2的比值,即可改变输出电流io和参考电流ir 之比。由图5-3
UBE1+ie1R1=UBE2+ie2R2 UBE2-UBE1=ie1R1-ie2R2
(5-5) (5-6)
10
图5-3 电阻比例型电流源
io
KT qR1
15
3. 面积比例型电流源
比例电流源除了用图5-3中V1、V2射极加R1、R2电阻来实 现外,还可以不加电阻,而通过改变V1、V2两管的发射区面积 比来实现,这种方法同样也可以改变输出电流io和参考电流ir的 比例关系。设V1、V2两管的β1、β2均大于等于1,在忽略基极 电流的情况下,则有
io=ic1≈ie1 ir≈ic2≈ie2
因此在版图设计时,只需根据io和ir比值的要求,设计出相 应的发射区面积Ae1和Ae2即可。
18
4. 微电流电流源
一般而言,ir由主偏置电流提供,其值一般比较大。要想 获得较小的输出电流,可采用微电流电流源来实现。
由图5-4
UBE2=UBE1+ie1R1 则
(5-19)
1 ie1 R1 (U BE 2 U BE1)
3
图5-1 晶体管共射放大电路
4
例如:ic=13 μA,β=50,UDD=15 V, 求Rb1、Rb2的阻值。 当ic=13 μA时,ib=0.26 μA,按晶体管电路原理中的 i1≥(5~10)ib的选择原则,取i1=5ib=1.3 μA,再按基极电位ub= (5~10)ube的选择原则,取ub=4 V,这样Rb1约要3 MΩ,Rb2约 为7 MΩ。这样大的阻值在集成电路中所占有的面积是无法实 现的,因此这种偏置电路不适用于集成化的要求。在模拟集成 电路中常采用电流源电路作为偏置电路。
面积反相漏电流也相同,即is1=is2
U BE 2
U BE1
KT q
ln ie2 ie1
(5-9)
比较式(5-6)和式(5-9)
ie1
ie2 R2 R1
1 R1
KT q
ln ie2 ie1
(5-10)
13
因为io=ic1≈ie1,在忽略基极电流的情况下,ir≈ic2≈ie2,则有
io
ir R2 R1
1 R1
KT q
ln ir io
(5-11)
当io≈ir或 irR2>>
KT ln ir时,得出 q io
io R2 ir R1
(5-12)
14
可见,输出电流io和参考电流ir之间的关系可由R2和R1的 比值来决定,因此灵活性大。该电流源还有温度补偿作用,如 当温度升高时,UBE1下降,同时UBE2也下降,抑制了输出电流 io上升。
5
1. 基本型电流源
图5-2是基本型电流源电路,它是由两个匹配晶体管V1、 V2构成的。设两个晶体管完全对称,前向压降ube1=ube2,电流 放大系数β1=β2。ir为参考电流,io为电流源输出电流。现在来 推导它们之间的关系。
ir ic2 ib1 ib2
ic
2ic
ic (12)来自(5-1)