半导体物理-吉林大学内部讲义

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In dϕ n dϕ n Jn = = −qnµ n = −σ n ( x ) A dx dx
(1-166)
Jp = Ip A = −qpµ p dϕ p dx (1-167) = −σ p (x ) dϕ p dx
(1-166)式和(1-167)式称为修正的欧姆定律,其中 σ p ( x ) = qpµ p σ n ( x ) = qnµ n 分别称为电子和空穴的等效电导率。修正欧姆定律虽然在 形式上和欧姆定律一致,但它包括了载流子的漂移和扩散 的综合效应。 从修正欧姆定律可以看出,费米能级恒定(即 dϕ n dx = 0,ϕ p dx = 0 )是电流为零的条件。处于热平衡的半 d 导体,费米能级恒定。或者说,热平衡系统具有统一的费 米能级。
利用电流密度表达式,式(1-211)式和(1-212)可以分别 写成
v ∂p 1 ∆p = − ∇ ⋅ jp + G − (1-213) ∂t q τp
v ∂n 1 ∆n = ∇ ⋅ jn + G − ∂t q τn
(1-214)
在一维情况下,
∂n ∂ 2n ∂n ∆n (1-219) ∂p ∂2 p ∂p ∆p = Dn 2 + µ n ε +G− = D p 2 − µ pε +G− (1-218) ∂t ∂x τn ∂x ∂t ∂x τp ∂x
和同样,对于型半导体,有
Na ψ = −VT ln ni
(1-152)
ε=
VT dN a N a dx
(1-153)
1.6非平衡载流子 非平衡载流子
在非平衡状态下可以定义 E 和 E 两个量以代替 E F , 使得
Fn
Fp
E Fn − Ei n = ni exp KT

《半导体物理》讲义

《半导体物理》讲义

晶体结构晶格§1晶格相关的基本概念1.晶体:原子周期排列,有周期性的物质。

2.晶体结构:原子排列的具体形式。

3.晶格:典型单元重复排列构成晶格。

4.晶胞:重复性的周期单元。

5.晶体学晶胞:反映晶格对称性质的最小单元。

6.晶格常数:晶体学晶胞各个边的实际长度。

7.简单晶格&复式晶格:原胞中包含一个原子的为简单晶格,两个或者两个以上的称为复式晶格。

8.布拉伐格子:体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。

(布拉伐格子的每个格点对应一个原胞,简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同;复式晶格每种等价原子都构成和布拉伐格子相同的格子。

)9.基失:以原胞共顶点三个边做成三个矢量,α1,α2,α3,并以其中一个格点为原点,则布拉伐格子的格点可以表示为αL=L1α1 +L2α2 +L3α3 。

把α1,α2,α3 称为基矢。

10.平移对称性:整个晶体按9中定义的矢量αL 平移,晶格与自身重合,这种特性称为平移对称性。

(在晶体中,一般的物理量都具有平移对称性)11.晶向&晶向指数:参考教材。

(要理解)12.晶面&晶面指数:参考教材。

(要理解)立方晶系中,若晶向指数和晶面指数相同则互相垂直。

§2金刚石结构,类金刚石结构(闪锌矿结构)金刚石结构:金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格,它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。

常见的半导体中Ge,Si,α-Sn(灰锡)都属于这种晶格。

金刚石结构的特点:每个原子都有四个最邻近原子,它们总是处在一个正四面体的顶点上。

(每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数)每两个邻近原子都沿一个<1,1,1,>方向,处于四面体顶点的两个原子连线沿一个<1,1,0>方向,四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个<1,0,0,>方向。

金刚石结构的密排面:{1,1,1} 晶面的原子都按六方形的方式排列。

《半导体物理学》课件

《半导体物理学》课件
重要性
半导体物理学是现代电子科技和信息 科技的基础,对微电子、光电子、电 力电子等领域的发展具有至关重要的 作用。
半导体物理学的发展历程
19世纪末期
半导体概念的形成,科学家开始认识到 某些物质具有导电性介于金属和绝缘体
之间。
20世纪中叶
晶体管的商业化应用,集成电路的发 明,推动了电子科技和信息科技的发
半导体中的热电效应
总结词
解释热电效应的原理及其在半导体中的应用。
详细描述
当半导体受到温度梯度作用时,会在两端产生电压差 ,这一现象被称为热电效应。热电效应的原理在于不 同温度下,半导体内部载流子的分布不同,导致出现 电势差。热电效应在温差发电等领域有应用价值,可 以通过优化半导体的材料和结构来提高热电转换效率 。
分析器件在长时间使用或恶劣环 境下的性能退化,以提高其可靠 性。
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06
半导体材料与工艺
半导体材料的分类和特性
元素半导体
如硅、锗等,具有稳定的化学性质和良好的半导 体特性。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等,具有较高的电子迁移率和 光学性能。
宽禁带半导体
如金刚石、氮化镓等,具有高热导率和禁带宽度 大等特点。
半导体材料的制备和加工
气相沉积
通过化学气相沉积或物理气相沉积方法制备 薄膜。
05
半导体器件的工作原理
二极管的工作原理
总结词
二极管是半导体器件中最简单的一种 ,其工作原理基于PN结的单向导电性 。
详细描述
二极管由一个P型半导体和一个N型半 导体结合而成,在交界处形成PN结。 当正向电压施加时,电子从N区流向P 区,空穴从P区流向N区,形成电流; 当反向电压施加时,电流极小或无电流 。

吉林大学-半导体材料-课件-第五章5.1-5.3

吉林大学-半导体材料-课件-第五章5.1-5.3
按气体的物理特性分 气溶胶辅助CVD :Aerosol assisted CVD (AACVD) 直 接 液 体 喷 射 CVD : Direct liquid injection CVD
(DLICVD)
等离子体法 微波等离子体协助CVD :Microwave plasma-assisted CVD
吉林大学电子科学与工程学院
半导体材料
硅源要求
通常使用的硅源是SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3和SiCl4。
SiHCl3和SiCl4常温下是液体,外延生长温度高,但 生长速度快,易提纯,使用安全
SiH2Cl2和SiH4常温下是气体,反应温度低,外延 层杂质分布陡峭。缺点是:
要求生长系统具有良好的气密性,否则会因漏气而 产生大量的外延缺陷。
第 5 章 硅外延生长
吉林大学电子科学与工程学院
半导体材料
第5章 硅外延生长
5-1、外延生长概述 5-2、硅衬底制备 5-3、硅的气相外延生长 5-4、硅外延层电阻率的控制 5-5、硅外延层的缺陷 5-6、硅的异质外延
吉林大学电子科学与工程学院
半导体材料
5-1、外延生长概述
外延生长的定义 外延生长的分类 发展外延生长的动机
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半导体材料
重掺杂的衬底区:低电阻率的衬底降低了基片的 电阻,降低饱和压降,提供在中等电流下高的器 件工作速度→高频
轻掺杂的外延层:集电极区高的电阻率保证高的 集电极-衬底的击穿电压→大功率
吉林大学电子科学与工程学院
半导体材料
CMOS电路制作在一层很薄的轻掺杂p型外延层上;
SiH4在高温和高浓度下易发生气相分解而生成粉末 状硅使外延无法进行。
表5-1:常用硅源的特性

半导体物理 吉林大学 半物第十章课件

半导体物理  吉林大学 半物第十章课件
2
光电效应:光电器件的基础; 光学方法:研究能带结构及特性参数的手段。
➢ 半导体吸收系数:p.293
角频率为 的平面电磁波,沿固体中x方向传播时,电场强度:
E y
E 0
expi
t
nx c
exp
x
c
(10.11)
光强: I ( x ) I e( x ) 0
(10.12)
称为吸收系数: =2
Ec
n1
n2
Eg
图10.9
n1 n2
Ev 激子能级
h
Eenx
激子吸收谱
二、自由载流子吸收
当入射光的波长较长,不足以引起带间跃迁或形成激子时, 半导体中仍然存在光吸收(图10.2),原因:
自由载流子吸收:自由载流子在同一能带内的跃迁引起的吸收.
吸收谱在本征吸收限长波一侧,吸收系数随波长的增加而增大。
n,n 2,n与散射机制有关。 18
吸收阈值: Eg EI
(图10.16)
Ec Ed
Ev
c
Ec
Ea Ev
d
对于浅杂质,通常Eg-EI>EI,则: 电离杂质吸收谱在中性杂质吸收谱高能侧。
23
四、晶格振动吸收
远红外区,光子与晶格振动的相互作用引起的光吸收。 吸收机理:红外高频光波电场,使离子晶体的正负离子沿相 反方向移动 激发长光学波振动 交变的电偶极矩 其与电 磁场相互作用,导致光吸收。 晶格振动吸收,在离子晶体、极性半导体中较显著;在元素 半导体中,不存在固有电极矩偶,但也能观察到晶格振动吸 收较弱。实际上,这是一种二级效应,即,红外光的电场感 应产生电偶极矩,它反过来又与电场耦合,引起光吸收。
k
0
处的跃迁几率不为零的跃迁,称为允许跃迁。

半导体物理讲义-2

半导体物理讲义-2

半导体物理讲义-2第二部分半导体中的电子和空穴前面我们讨论了半导体能带结构的一些共同的基本特点。

不同的半导体材料.其能带结构不同,而且往往是各向异件的,即沿不同的被矢k方向,E ~ K关系不同。

由于问题复杂,虽然理论上发展了多种计算的力法.但还不能完全确定出电子的全部能态,尚需借助于实验帮助,采用理论和实验相结合的方法来确定半导体中电子的能态。

本节介绍最初测出载流子有效质量并据此推出半导体能带结构的回旋共振实验及硅和锗的能带结构。

因对大多数半导体,起作用的往往是导带底附近的电子和价带顶附近的空穴,所以只给出导带底和价带顶附近的能带结构一、k空间等能面已知,一维情况下设能带极值在k=0处,则导带底附近和价带顶附近的E ~ K关系:图极值附近E ~K 关系示意图所以,如果知道m*n和m*p ,则极值附近的能带结构便可了解。

对实标的三维晶体,以kx , ky , kz为坐标轴构成k空间,k空间任―矢量代表波矢k(kx , ky , kz) 。

其中简单情况(半导体或晶体具有各向同性时):导带低附近E ~ K关系当E(k)为某一定值时,对应于许多组不同的(kx,ky,kz),将这些组不同的(kx,ky,kz)连接起来构成一个封闭面,在这个面上的能量值均相等,这个面称为等能量面,简称等能面。

容易看出,上式表示的等能面是一系列半径为的球面。

图 k空间球形等能面平面示意图一般情况(半导体或晶体具有各向异性的性质):导带低附近E ~ K关系晶体有各向异性时,E(k)与k的关系沿不同的k方向不一定相同,反映出沿不同的k 方向,电子的有效质量不一定相同,而且能带极值不一定位于k=o处。

设导带底位于k0 ,能量为E(k0),在晶体中选择适当的坐标轴kx , ky , kz,并令m*x , m*y , m*z分别表示沿kx , ky , kz 三个方向的导带底电子的有效质量,用泰勒级数在极值k0附近展开,略去高次项,得:注意:要具体了解这些球面或椭球面的方程,最终得出能带结构,还必须知道有效质量的值。

半导体材料吉大 讲义绪论

半导体材料吉大 讲义绪论
超晶格的出现是半导体材料发展的里程碑,它推 动着量子阱激光器、高速二维电子器件和光集成器件 的发展,为器件制作从“杂质工程”走向“能带工程” 开拓了广阔的道路。
6
20世纪90年代初获得了高质量P型GaN外延薄层材料。 制作了高亮度蓝色发光二极管并迅速产业化,为实现全 彩显示奠定了基础,开辟了半导体在显示领域应用的新 天地。 蓝色激光器达到了实用化的水平,GaN及其多元化合物 还是半导体照明的首选材料。 根据材料的重要性和开发成功的先后,分别称Si为第一 代,GaAs为第二代,GaN为第三代半导体材料。
Si Ge B C 灰-Sn P 灰-As 灰-Sb S Se Te I
熔点 (℃ )
1412 958 2300 4027 230 44 817 431 119 217 450 113
禁带宽度 Eg(eV)
1.119 0.6643
1.6 5.4 0.08 2 1.2 0.1 0.24 1.8 0.3 1.3
13
连续单管激光器类
阵激光器类
光电二极管
高速光电探测器 大面积InGaAs光电二极管 高功率脉冲激光二极管
LED
IC
14
以Si材料为例,半导体器件对材料的要求, 归纳起来有三方面:
1. 器件对掺杂量 的要求; 2. 器件对半导体单晶 材料晶体完整性的要
求; 3. 对单晶材料均匀性和大尺寸方面的要求。
半导体
无机
结晶型 无定型
元素
(处于IIIA和VIIA的金属与非金属交界处, 如:Si、Ge、Se、Te、Sn )
化合物 (统计可能有四千多种,研究出的有一
千多种)
元素 a-Si,a-Ge
化合物 a-GaAs,a-SiC 有机 分子晶体、高分子聚合物。如蒽、聚乙炔等

半导体物理吉林大学半物第四章精品PPT课件

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⑷电子在状态中的分布,要受到泡利不相容原理的限制.
适合上述条件的量子统计,称为费米-狄拉克统计.
能带中的电子在能级上的分布,服从费米-狄拉克统计规律。
二、费米分布函数和费米能级
⒈费米-狄拉克统计分布: 热平衡时,能量为E的单电子态被电子占据的几率为
f E
1
exp E EF 1
KT
(4.10)
E EF 5 KT时,f E 0.993.
EF标志电子填充能级的水平
§4.3 能带中的电子和空穴浓度
为了计算单位体积中导带电子和价带空穴的数 目,即载流子浓度,必须先解决下述两个问题:
1、能带中能容纳载流子的状态数目; 2、载流子占据这些状态的几率.
通常所遇到的杂质浓度不太高的情况下,费米能 级是在禁带中,EC-EF or EF-EV>>KT,载流子遵循波 尔兹曼统计规律。通常把这种经典统计适用的情况, 称为非简并化情况。
NV(E)与E 的关系如图4.1所示.
价带的状态密度随着电子能量的增加同样按着抛物线关系增大, 价带顶附近,空穴能量越高,状态密度越大;
E
1
NC(E) NV(E)
2
图 4.1 状态密度与能量的关系
§4.2 费米分布函数
一、导出费米分布函数的条件(适用性)
⑴把半导体中的电子看作是近独立体系,即认为电子之间的相 互作用很微弱.
E
对于具体的电子体系, 在

E
exp
GE
E EF kT
1
N
一定温度下, 只要EF确定 了, 电子在能级中的分布 情况就完全确定了.
EF是反映电子在各个能级中分布情况的参数. 与EF相关的因素:
①与表示量子态分布的函数G(E)有关; ②与电子总数N有关,(如掺杂) ③与温度T有关;

半导体物理课件

半导体物理课件
2 L 2 L
KY
半径

k
2mE
kX
等能面内代表点个数为:
4 2V V 3 3 k 2 k 3 3 ( 2 ) 3
1 d 1 2m 1 N(E) E2 2 2 V dE 2
3 2
N(E)
E越大 N(E)越大
0
E
1.3、布洛赫定理
一、布洛赫定理
2、势箱(三维金属中的电子)
V(x , y , z) 0
V(x , y , z)
0 x, y, z L
x , y, z 0,
x, y, z L
2 2 ( x , y , z ) E ( x , y , z ) 2m
2k 2 E 2m
k k x k y kz

x L
0
kL n , (n 1,2 .)
2mE n 2 2 2 n 2 2 E 2 L2 2mL2
n k , ( n 1 ,2 ,3 ,......) L n C sin x L
c
2
由归一化 dx 1 解得:
C 2 L

单电子薛定谔方程
2 2 V r r E r 2m
(1) (2)
V r Rm V r
其解一般可以写成
ik r r e u r
(3) (4)
其中 Rm m1a1 m2 a2 m3a3
2、绝热近似
可以认为体系处于平衡态时,所有粒子的动能平均值都有 相同的数量级。但由于电子的质量比离子的质量小得多。从 而电子的运动速度大约比离子的运动速度大两个数量级。对 于离子的任意的甚至是非平衡的一个组态分布,电子都可在 瞬间建立与这个分布相应的平衡。因此可以认为,在每一个 给定的瞬间,电子是在固定的离子势场中运动。反过来,在 离子还没有显著变化的时间内,电子就来得及以相应的几率 跑遍自己轨道的所有点。因此可认为,离子的运动不是在电 子的瞬时位置组态的势场中,而是在它们电荷的平均空间分 布所建立的势场中运动。这样就消除了体系的电子和离子之 间的能量交换的可能性。因此,这样近似叫做绝热近似。在 这种近似下,可以把离子的运动和电子的运动分开来考虑。

《半导体物理基础》课件

《半导体物理基础》课件
当电子从导带回到价带时,会释 放能量并发出光子,这就是发光 效应。发光效应是半导体的一个 重要应用,如发光二极管和激光 器等。
04 半导体中的载流子输运
CHAPTER
载流子的产生与复合
载流子的产生
当半导体受到外界能量(如光、热、电场等)的作用时,其 内部的电子和空穴的分布状态会发生改变,导致电子和空穴 从价带跃迁到导带,产生电子-空穴对。
06 半导体物理的应用与发展趋势
CHAPTER
半导体物理在电子器件中的应用
01
02
03
晶体管
利用半导体材料制成的晶 体管是现代电子设备中的 基本元件,用于放大、开 关和整流信号。
集成电路
集成电路是将多个晶体管 和其他元件集成在一块芯 片上,实现特定的电路功 能。
太阳能电池
利用半导体的光电效应将 光能转化为电能,太阳Hale Waihona Puke 电池是可再生能源的重要 应用之一。
半导体物理在光电子器件中的应用
LED
发光二极管,利用半导体的光电效应发出可见光 ,广泛应用于照明和显示领域。
激光器
利用半导体的光放大效应产生激光,用于数据存 储、通信和医疗等领域。
光探测器
利用半导体的光电效应探测光信号,用于光纤通 信、环境监测等领域。
半导体物理的发展趋势与展望
新材料和新型器件
随着科技的发展,人们不断探索新的半导体材料和新型器件,以 提高性能、降低成本并满足不断变化的应用需求。
闪锌矿结构
如铬、钨等金属的晶体结构。
如锗、硅等半导体的晶体结构。
面心立方结构(fcc)
如铜、铝等金属的晶体结构。
纤锌矿结构
如氮化镓、磷化镓等半导体的晶 体结构。
晶体结构对半导体性质的影响

吉林大学电子科学与工程学院半导体材料

吉林大学电子科学与工程学院半导体材料

固 态 无 限 互 溶
Cu-Ni、Au-Ag、Ge-Si
固 态 互 相 不 溶 解
Au-Si
溶 解 度 有 限 固 溶 体
Sn-Pb、Au-Ni、Al-Si
固 态 形 成 化 合 物
吉林大学Ⅲ电-Ⅴ子科材学料与工程学院 半导体材料
形成连续固溶体的二元相图
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
形成连续固溶体的二元相图
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
几个基本概念
5. Gibbs相律 :描述平衡体系中独立组元
数,相数和自由度数之间的关系。任何相
图都必须遵从相律。
F=0,无变量系统
F=C-P+2
F=1,单变量系统
¾ F是自由度数;
F=2,双变量系统
¾ C是组成材料系统的独立组元数;
¾ P是平衡相的数目。
相律可以用来确定系统处于平衡时可能存在的最多平 衡相的数目,也可以用来判断测绘的相图是否正确。
例如 CaCO3加热分解:CaCO3 ⇔ CaO + CO2 独立组元数=3-1=2
吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料
• 凝聚态系统
凡是能够忽略气相影响,只考虑液相和固 相的系统。 忽略压力影响,只有温度,组分浓度变量
F = C−P +1
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相图
一、相与相平衡 二、单元系相图 三、二元系相图
特征:
空气、盐水等
① 一个相中可以包含几种物质,即几种物质可以形成 一个相;
② 一种物质可以有几个相; 水有固相、液相和气相
③ 固体机械混合物中有几种物质就有几个相; 糖+砂 ④ 一个相可以连续成一个整体,也可以不连续。

半导体物理学讲义

半导体物理学讲义

半导体物理学讲义第⼀章半导体中的电⼦状态本章介绍:本章主要讨论半导体中电⼦的运动状态。

主要介绍了半导体的⼏种常见晶体结构,半导体中能带的形成,半导体中电⼦的状态和能带特点,在讲解半导体中电⼦的运动时,引⼊了有效质量的概念。

阐述本征半导体的导电机构,引⼊了空⽳散射的概念。

最后,介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。

在1.1节,半导体的⼏种常见晶体结构及结合性质。

在1.2节,为了深⼊理解能带的形成,介绍了电⼦的共有化运动。

介绍半导体中电⼦的状态和能带特点,并对导体、半导体和绝缘体的能带进⾏⽐较,在此基础上引⼊本征激发的概念。

在1.3节,引⼊有效质量的概念。

讨论半导体中电⼦的平均速度和加速度。

在1.4节,阐述本征半导体的导电机构,由此引⼊了空⽳散射的概念,得到空⽳的特点。

在1.5节,介绍回旋共振测试有效质量的原理和⽅法。

⾃学内容。

在1.6节,介绍Si、Ge的能带结构在1.7节,介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构,主要了解GaAs的能带结构第⼀节半导体的晶格结构和结合性质本节要点1.常见半导体的3种晶体结构;2.常见半导体的2种化合键。

1. ⾦刚⽯型结构和共价键重要的半导体材料Si、Ge都属于⾦刚⽯型结构。

这种结构的特点是:每个原⼦周围都有四个最近邻的原⼦,与它形成四个共价键,组成⼀个如图1(a)所⽰的正四⾯体结构,其配位数为4。

⾦刚⽯型结构的结晶学原胞,是⽴⽅对称的晶胞如图1(b)图所⽰。

它是由两个相同原⼦的⾯⼼⽴⽅晶胞沿⽴⽅体的空间对⾓线滑移了1/4空间对⾓线长度套构成的。

⽴⽅体顶⾓和⾯⼼上的原⼦与这四个原⼦周围情况不同,所以它是由相同原⼦构成的复式晶格。

其固体物理学原胞和⾯⼼⽴⽅晶格的取法相同,但前者含两个原⼦,后者只含⼀个原⼦。

原⼦间通过共价键结合。

共价键的特点:饱和性、⽅向性。

2. 闪锌矿结构和混合键III-V族化合物半导体绝⼤多数具有闪锌矿型结构。

闪锌矿结构由两类原⼦各⾃组成的⾯⼼⽴⽅晶胞沿⽴⽅体的空间对⾓线滑移了1/4空间对⾓线长度套构成的。

吉林大学半导体课件第八章(精)

吉林大学半导体课件第八章(精)
第八章 发光管与半导体激光器
一.名词、概念、术 语与问题




LEDs and Lasers 辐射复合:在复合过程中电子多余的能量可以以辐 射的形式(发射光子)释放出来,这种复合称为辐 射复合,它是光吸收的逆过程。 非辐射复合:在复合过程中电子的多余能量可以以 其它形式释放出来,而不发射光子,这种复合称为 非辐射复合。 带间辐射复合:带间辐射复合是导带中的电子直接 跃迁到价带与价带中的空穴复合。发射的光子的能 量接近等于半导体材料的禁带宽度。带间辐射复合 是本征吸收的逆过程。由于半导体材料能带结构的 不同,带间复合又可以分为直接辐射复合和间接辐 射复合两种。




电致发光; 当正向偏压加于P-N结(或异质结)的两端时,载 流子注入穿越P-N结(或异质结),使得载流子浓 度超过热平衡值,形成过量载流子。过量载流子 复合,能量可能以光(光子)的形式释放。在光 子发射过程中,我们从偏压的电能量得到光能量。 这种现象称为电致发光。 注射效率 :可以产生辐射复合的二极管电流 I n 在 二极管的总电流 I 中所占的百分比。 辐射效率:发生辐射复合的电子数与注入的总电子 数之比。

0
EF
PN V
Ec
Ev
h
q n
0 VF
V
Ec
Ev
q p h
(a)
(b)
图8-10P-N的电致发光结:(a)零偏压,(b)正向偏压

等电子陷阱能够有效地提高GaP的发光效率的物理 原理是什么? 等电子陷阱能够有效地提高GaP的发光效率的实际 意义在于缓和间接能隙跃迁的选择定则。GaP材料 是间接带隙半导体,带间电子跃迁几率是很小,不 能实现有效的发光。当氮原子进入GaP取代磷原子 形成等电子陷阱时,等电子杂质对电子的束缚是短 程力,因此,被束缚的电子定域在杂质原子附近很 窄的范围内。电子的波函数在位形空间中的定域是 很确定的。根据海森堡测不准关系,电子波函数在 动量空间中会扩展到很宽的范围,因而被束缚在等 电子陷阱的电子在 k 空间中从 到 的几率改变,
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b1 a 1 b2 a 2 b3 a 3 2
或写为: bi a j 2 ij
b1 a 2 b2 a 3 b2 a 3 b2 a 1 b3 a 1 0
( i , j 1,2 ,3 )
1 .3
b1 2
( n1 , n2 , n3 为任意整数 )
相应的晶格矢 Rm 可表示为: Rm m1 a1 m2 a 2 m3 a3 ( m1 , m2 , m3 为任意整数 ) 通常用 a1, a2, a3 表示正格子原胞的三个基矢,而用 a, b, c 表示晶胞的三个基矢。 倒格矢 Kn 和晶格矢 Rm 之间有如下关系: K n Rm 2 ( n1 m1 n2 m2 n3 m3 ) 2 ( 整数 ) ( 1.6 )
1
1.晶体结构
原胞:只含有一个格点的晶胞称为原胞; 基矢:确定原胞(晶胞)大小的矢量。原胞(晶胞)以基矢为周期排列,因此,基矢的大小为晶格常数。 格矢:平移矢量 R。 晶胞的选择方法,在某种程度上是任意的。 根据晶胞的平移操作,就可以填满整个晶格空间,即,在晶格中的格点是周期性排列的,所以说晶体内 部结构具有周期性。 反映晶体周期性的重复单元,有两种选取方法: 在固体物理学中,选取周期最小的重复单元,即原胞 在晶体学中,由对称性选取最小的重复单元,即晶胞(单胞) 。 原胞和晶胞都是用来描述晶体中晶格周期性的最小重复单元,但二者有所不同。在固体物理学中,原胞 只强调晶格的周期性;而在结晶学中,晶胞还要强调晶格中原子分布的的对称性。
第一章的学习内容
§1.1 晶体内部结构的周期性 §1.3 倒格子
§1.1 晶体内部结构的对称性
晶体中的原子是按照一定规则排列的,形成一个有序结构。 图 1.1(a)表示 ABCD 的基本单位。如果它的基矢为 a b 时,则可用平移矢量 R 表示所有点的位置,即:
R pa qb
p, q 为整数
1.1
在三维情况下,平移矢量为
R pa qb sc
( p , q , s为整数)
1.2
R 又称为格矢 晶格:由平移矢量 R 形成的有规则排列的空间点阵; 格点:以 R 指定的点,称为格点;即空间(一维或多维)点阵中的点(结点) 。 晶胞:图 1.1(a)中,以 a,b 定义的 ABCD 区域称为晶胞;
电子的共 有化运动
能带的形成
单电子近似
一维单电子 薛定谔方程
周期性势场
晶体中的 波函数 晶体中电子 的能量谱值
3
3.半导体中的电子状态
一、能带的形成:
a: 什么是电子的共有化运动(VIP). 当原子和原子相互接近形成晶体时,不同原子的内外各层轨道将发生程度不同的交叠。由于电子轨道的 重叠,原来属于某一原子的电子不再局限于这个原子,它可以转移到相邻的原子上去,电子在相邻的原子之 间转移,这表明电子可以在整个晶体中运动,晶体中电子的这种运动,称为电子的共有化运动。
2p 2s






晶体中电子的运动
b: 电子共有化运动的特点 1. 外层电子轨道重叠大,共有化运动显著。 2. 无外力作用时,电子只能在能量相同的轨道之间转移,引起相对应的共有化运动,因为各原子中相似 壳层上的电子才有相同的能量,电子只能在相似壳层中转移。 即,组合成晶体后,每一个原子能级引起“与之对应”的共有化运动:2s 能级引起“2s”的共有化运动, 2p 能级引起“2p”的共有化运动。 晶体中电子做共有化运动时的能量是怎样的? a: 考虑一些相同的原子,当它们之间的距离很大时,可以忽略它们之间的相互作用,每个原子都可以看 成孤立的,它们有完全相同的电子能级。如果把这些原子看成一个系统,则每一个电子能级都是简并的。(2 个原子构成的系统,为二度简并(不计原子本身的简并时) ;N 个原子构成的系统,为 N 度简并) 。
N 个原子 构成的系 统,原子 距离很大 时 其电子 能级为 N 度简 并的分 立能级
2p 2s

1s
简并:如果对应某一个本征值的本征函数不 止一个(不考虑相位因素造成的区别),我们就说该算符对 于这个本征值是简并的。(量子力学) 对应于某一能量为 E 的能级,存在不同的波函数(不同的电子),则称体系在这一能级上简并。 晶体中电子做共有化运动时的能量是怎样的? a: 考虑一些相同的原子,当它们之间的距离很大时,可以忽略它们之间的相互作用,每个原子都可以看 成孤立的,它们有完全相同的电子能级。如果把这些原子看成一个系统,则每一个电子能级都是简并的。(2 个原子构成的系统,为二度简并(不计原子本身的简并时) ;N 个原子构成的系统,为 N 度简并) 。 b: 能带的形成:原子相互靠近时,由于之间的相互作用,使简并解除,原来具有相同能量的能级,分裂 成具有不同能量的一些能级组成的带,称为能带。原子之间的距离愈小它们之间的相互作用愈强,能带的宽 度也愈大。(图 3.2) 原子能级和能带之间并不一定都存在一一对应的关系。当共有化运动很强时,能带可能很宽而发生能带 间的重叠,碳原子组成的金刚石就是属于这种情况。(图 3.3)
exp( iK n Rm ) 1 ( 1 .7 )
正格子与倒格子的关系,可以学习教材 P6
------------------------------------------------------------------------------------------2
3.半导体中的电子状态
4
3.半导体中的电子状态
金刚石:以及锗(Ge) ,硅(Si) 碳原子有 6 个电子,1s2,2s2,2p2,4 个外层电子为价电子,原子结合为晶体时,内层电子态变化不 大,对晶体性质影响不明显,则只考虑价电子状态的变化。 2s、2p 能级构成 sp3 杂化轨道:由 1 个 s 态和 3 个 p 态组成。根据泡里不相容原理,考虑自旋,则 2s 能级有 N 个电子态,可容纳 2N 个电子;2p 能级有 3N 个电子态,可容纳 6N 个电子。 所以,许多实际晶体的能带不一定同孤立原子的某个能级相当,即不一定能区分 s 能级和 p 能级所过渡 的能带。金刚石和 Ge、Si,它们的原子都有 4 个价电子,2 个 s 电子,2 个 p 电子,组成晶体后,由于轨道 杂化的结果,其价电子形成的能带如下图所示。
2p 2s

1s
孤立原子中的电子能量:分立能级
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
§3.1
晶体中的能带
以两种不同的方式,讨论晶体中电子的运动状态和能级,重点是说明晶体中的能带的形成。 1、定性地说明晶体中电子的共有化运动和能带的形成; 2、利用简化的周期性势场模型,得出晶体中电子的波函数和能量谱值。
晶体中的能带
能带的形成
晶体中电子的 波函数和能量谱值
§1.3 倒格子
正格子:实空间中,晶体中的原子排列成的晶格点阵,称为正格子。 倒格子:为了方便描述、讨论晶体中传播的晶格振动或电子的运动及其状态等,引入的一个与正格子相 关联的空间关系。 描述倒格子所存在的空间也称为倒空间或 k 空间。(为后面讨论波矢量 k 做准备)。 假设倒格子的基矢为 b1, b2, b3, 它们与正格子基矢 a1, a2, a3 的关系为:
------------------------------------------------------------------------------------------第一章 晶体结构
固体分为晶体和非晶体。 非晶体也称为玻璃态物质或无定型固体,非晶体中原子的排列是短程有序的。 (参看第十三章 半导体) 晶体中的原子排列是长程有序的。 非晶态
其中: b 2 2
a2 a3 a1 a2 a3 a3 a1 a1 a2 a3 a1 a2 a1 a2 a3
b3 2
1.4
由上述的三个基矢 b1, b2, b3 平移而形成的晶格称为倒格子。当倒格子中的任意格点作为原点时,从原 点到其他倒格子点之间的矢量称为倒格矢。 用 Kn 表示,则 K n n1b1 n2 b2 n3 b3
5
3.半导体中的电子状态
定性理论(物理概念) :晶体中原子之间的相互作用,使能级分裂形成能带。 定量理论(量子力学计算) :电子在周期场中运动,其能量不连续形成能带。 能带(energy band):包括允带和禁带。 允带(allowed band) :允许电子能量存在的能量范围。 禁带(forbidden band) :不允许电子能量存在的能量范围。 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带(empty band) :未被电子占据的允带。 满带(filled band) :允带中的能量状态(能级)均被电子占据。 导带(conduction band) :电子未占满的允带(有部分电子。 ) 价带(valence band):被价电子占据的允带(低温下通常被价电子占满) 。 总结:能带的特点 1:形成能带后,电子态数目保持不变,每个电子态不再属于个别原子,而是延展于整个晶体。 2:电子的能带结构由它们所在势场决定,因而与组成晶体的原子结构和晶体结构有关,同晶体中原子数 目无关。当晶体中原子数目增加时,只增加每个能带中的电子态数,使能带中子能级的密集程度增加,对能 带结构,如允带和禁带的宽度及相对位置无影响。 3:处于低能级的内壳层电子共有化运动弱,所以能级分裂小,能带较窄;处于高能级的外壳层电子共有 化运动强,能级分裂大,因而能带较宽。 4:每个能带都是共有化电子可能的能量状态,称为允带;各允带之间有一定的能量间隙,电子能量不可 能在这一能量间隙内,称之为禁带。 5:每个允带包含的能级数一般等于孤立原子相应能级的简并度(不计自旋简并)× 组成晶体的原子数 目。 6:许多实际晶体的能带与孤立原子能级间并不是一一对应的。 二、晶体中电子的波函数和能量谱值
------------------------------------------------------------------------------------------第三章 半导体中的电子状态
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