三极管特性曲线参数及场效应管
三极管的开关特性
三极管的开关特性在脉冲与数字电路中，三极管作为最基本的开关元件得到了普遍的应用。
三极管工作在饱和状态时，其UCES≈0，相当于开关的接通状态；工作在截止状态时，IC≈0，相当于开关的断开状态，因此，三极管可当做开关器件使用。
结型场效应管场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。
场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。
与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。
场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。
图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。
一、结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。
它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P+表示），形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极（g），在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。
在形成PN结过程中，由于P+区是重掺杂区，所以N一区侧的空间电荷层宽度远大二、工作原理N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。
下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。
电路如图Z0123所示。
由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。
漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。
1．栅源电压UGS对导电沟道的影响（设UDS＝0）在图Z0123所示电路中，UGS ＜0，两个PN结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID=0。
若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小，耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。
常用二极管三极管场效应管参数资料
IC=2A
5A
表 9 3DG 高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN 型）
部标新型
旧型号
PCM
号
/W
极限参数
直流参数 交流参数
ICM BUCBO BUCEO ICBO ICEO hFE /mA /V /V /μA /μA /β
fT /MHZ
3DG6A 3DG100M
20 15
25～2 ≥150
70
3DG6A 3DG100A
≤1 -6~4 550 1
50
10
53 2
250
2CW 2CW1
5.5~6.5 38
≤0.5 -3~5 500 1
30
10
54 3
2CW 2CW1 6.2~7.5 33
55 4
≤6 400 1
15
10
2CW 2CW1 7~8.8 29
56 5
≤7 400 1
15
5
2CW 2CW1 8.5~9.5 26
400
2CZ54G 2CP
500
2CZ54H 2CP1E
600
2CZ54K 2CP1G
800
测试条件 25℃ 25℃
12 25℃ 0.01s
5℃
2CP10 2CZ82A
2CP11 2CZ82B
2CP12 2CZ82C
2CP14 2CZ82D
2CP16 2CZ82E
2CP18 2CZ82F
2CP19 2CZ82G
工作电流= 10 mA
表 4 发光二极管
型号发光Biblioteka 颜色发光最大工作 正向压降 一般工作
发光亮度 发光功率
波长/
电流/mA /V 电流/mA
场效应管和三极管参数
晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应2SC4582 600V 15A 75W * * NPN2SC4517 550V 3A 30W * * NPN2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN2SC4297 500V 12A 75W * * NPN2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN2SC4242 450V 7A 40W * * NPN2SC4231 800V 2A 30W * * NPN2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC4059 600V 15A 130W * * NPN2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN2SC4024 100V 10A 35W * * NPN2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN2SC3866 900V 3A 40W * * NPN2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN2SC3783 900V 5A 100W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN2SC3680 900V 7A 120W * * NPN2SC3679 900V 5A 100W * * NPN2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN2SC3320 500V 15A 80W * * NPN2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN2SC3300 100V 15A 100W * * NPN2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）2SB1429 180V 15A 150W * * PNP2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）2SB1375 60V 3A 2W * * PNP2SB1335 80V 4A 30W * * PNP2SB1317 180V 15A 150W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP2SA1302 200V 15A 150W * * PNP2SA1301 200V 10A 100W * * PNP2SA1295 230V 17A 200W * * PNP2SA1265 140V 10A 30W * * PNP2SA1216 180V 17A 200W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP2SA1009 350V 2A 15W * * PNP2N6678 650V 15A 175W * * NPN2N5685 60V 50A 300W * * NPN2N6277 180V 50A 300W * * NPN2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPNTIP147 100V 10A 125W * * PNPTIP142 100V 10A 125W * * NPNTIP127 100V 8A 65W * * PNPTIP122 100V 8A 65W * * NPNTIP102 100V 8A 2W * * NPNTIP42C 100V 6A 65W * * PNPTIP41C 100V 6A 65W * * NPNTIP36C 100V 25A 125W * * PNPTIP35C 100V 25A 125W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型TIP32C 100V 3A 40W * * PNPTIP31C 100V 3A 40W * * NPNMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPNMJE13005 400V 4A 60W * * NPNMJE13003 400V 1.5A 14W * * NPNMJE2955T 60V 10A 75W * * NPNMJE350 300V 0.5A 20W * * NPNMJE340 300V 0.5A 20W * * NPNMJ15025 400V 16A 250W * * PNPMJ15024 400V 16A 250W * * NPNMJ13333 400V 20A 175W * * NPNMJ11033 120V 50A 300W * * NPNMJ11032 120V 50A 300W * * NPNMJ10025 850V 20A 250W * * NPNMJ10016 500V 50A 200W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BUS13A 1000V 15A 175W * * NPNBUH515 1500V 10A 80W * * NPNBU2532 1500V 15A 150W * * NPNBU2527 1500V 15A 150W * * NPNBU2522 1500V 11A 150W * * NPNBU2520 800V 10A 150W * * NPNBU2508 700V 8A 125W * * NPNBU2506 1500V 7A 50W * * NPNBU932R 500V 15A 150W * * NPNBU806 400V 8A 60W * * NPNBU406 400V 7A 60W * * NPNBU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)BF458 250V 0.1A 10W * * NPNBD682 100V 4A 40W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型MJ10015 400V 50A 200W * * NPNMJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿)MJ4502 90V 30A 200W * * PNPMJ3055 60V 15A 115W * * NPNMJ2955 60V 15A 115W * * PNPMN650 1500V 6A 80W * * NPNBUX84 800V 2A 40W * * NPNBUW13A 1000V 15A 150W * * NPNBUV48A 450V 15A 150W * * NPNBUV28A 225V 10A 65W * * NPNBUV26 90V 14A 65W * * NPNBUT12A 450V 10A 125W * * NPNBUT11A 1000V 5A 100W * * NPNBUS14A 1000V 30A 250W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPNBD238 100V 2A 25W * * PNPBD237 100V 2A 25W * * NPNBD138 60V 1.5A 12.5W * * PNPBD137 60V 1.5A 12.5W * * NPNBD136 45V 1.5A 12.5W * * PNPBD135 45V 1.5A 12.5W * * NPNBC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPNBC546 80V 0.2A 0.5W * * NPNBC338 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC337 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC327 50V 0.8 0.6W * * PNPBC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SDK55 400V 4A 60W * * NPN2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)2SD2155 180V 15A 150W * * NPN2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN2SD2012 60V 3A 2W * * NPN2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN2SD1994 60V 1A 1W * * NPN2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿)2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1975 180V 15A 150W * * NPN2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿)2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN2SD1047 160V 12A 100W * * NPN2SD1037 150V 30A 180W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN2SD774 100V 1A 1W * * NPN2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿)2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿)2SD547 600V 50A 400W * * NPN2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿)2SD325 50V 3A 25W * * NPN2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿)2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC5244 1500V 15A 200W * * NPN2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN2sc5200 230V 15A 150W * * NPN2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN2sc4953 500V 2A 25W * * NPN2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN2sc4924 800V 10A 70W * * NPN2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼)晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼)2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN2SD1885 1500V 6A 60W * * NPN2SD1884 1500V 5A 60W * * NPN2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN2SD1738 1500V 5A 100W * * NPN2SD1737 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1732 1500V 7A 120W * * NPN2SD1731 1500V 6A 100W * * NPN2SD1730 1500V 5A 100W * * NPN2SD1729 1500V 3.5A 60W * * NPN2SD1711 1500V 7A 100W * * NPN2SD1710 1500V 6A 100W * * NPN2SD1656 1500V 6A 60W * * NPN2SD1655 1500V 5A 60W * * NPN2SD1654 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1653 1500V 2.5A 50W * * NPN2SD1652 1500V 6A 60W * * NPN2SD1651 1500V 5A 60W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1650 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1635 1500V 5A 100W * * NPN2SD1577 1500V 5A 80W * * NPN2SD1554 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD1548 1500V 10A 50W * * NPN2SD1547 1500V 7A 50W * * NPN2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN2SD1456 1500V 6A 50W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SD1454 1700V 4A 50W * * NPN2SD1434 1700V 5A 80W * * NPN2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1497 1500V 6A 50W * * NPN2SD1398 1500V 5A 50W * * NPN2SD1427 1500V 5A 80W * * NPN2SD1428 1500V 6A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2068 70V 0.2A 0.62W * * NPN2SC1627Y 80V 0.3A 0.6W * * NPN2SC495Y 70V 0.8A 5W * * NPN2SC388A 20V 0.02A 0.2W * * NPN2SB686 100V 6A 60W * * PNP2SA940 150V 1.5A 1.5W * * PNP2SC2120Y 30V 0.8A 0.6W * * NPN2SD1555 1500V 5A 50W * * NPN2SD8806 60V 3A 30W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2456 300V 0.1A 10W * * NPN2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN2SC3328 80V 2A 0.9W * * NPN2SC2190 450V 5A 100W * * NPN2SA968Y 160V 1.5A 25W * * PNP2SC3402 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SC2168 200V 2A 30W * * NPN2SC3198G 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SC2655Y 60V 2A 0.9W * * NPN2SC1827 80V 4A 30W * * NPN2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SD880 60V 3A 30W * * NPN2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC945 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3279 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN2SA950Y 150V 0.8A 0.6W * * PNPBC548B 30V 0.2A 0.5W * * NPN2SC3399 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SC1983R 80V 3A 30W * * NPN2SC227 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1213D 50V 0.5A 0.4W * * NPN2SA778AK 180V 0.05A 0.2W * * PNPDTC114ES 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3413C 40V 0.1A 0.5W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN2SC1514 300V 0.1A 1.25W * * NPNDTC124ES 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1078 50V 2A 20W * * NPN2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP2SD788 20V 2A 0.9W * * NPN2SD787 20V 2A 0.9W * * NPN2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN2SC2271N 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1740 50V 0.3A 0.3W * * NPN2SC1214C 50V 0.5A 0.6W * * NPN2SC458D 30V 0.1A 0.2W * * NPN2SA673 50V 0.5A 0.4W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1556 1500V 6A 50W * * NPN2SD1499 100V 5A 40W * * NPN2SD1264A 200V 2A 30W * * NPN2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SD966 60V 5A 1W * * NPN2SD601AR 60V 0.1A 0.2W * * NPN2SC3265Y 30V 0.8A 0.2W * * NPN2SC3063 300V 0.1A 1.2W * * NPN2SC1317-R 30V 0.5A 0.4W * * NPN2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP2SD1226 60V 3A 35W * * NPN2SC2636Y 30V 0.05A 0.4W * * NPN2SB940 200V 2A 30W * * PNP2SA720-Q 50V 0.5A 0.4W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1391 1500V 5A 80W * * NPN2SC2188 45V 0.05A 0.6W * * NPN2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1266 60V 3A 35W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD973 30V 1A 1W * * NPN2SC2923 300V 0.2A 15W * * NPN2SC2653H 250V 0.2A 15W * * NPN2SC2377C 30V 0.15A 0.2W * * NPN2SC1685Q 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SB642-R 60V 0.2A 0.4W * * PNP2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP2SA564A 25V 0.1A 0.25W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SC1685 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNPUN4213 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4211 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4212 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4111 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SD965 40V 5A 0.75W * * NPN2SC2839 30V 0.1A 0.1W * * NPN2SC2258 250V 0.1A 1W * * NPN2SC1846 45V 1A 1.2W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SD1544 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD802 900V 6A 50W * * NPN2SC2717 35V 0.8A 7.5W * * NPN2SC2482 150V 0.1A 0.9W * * NPN2SC2073 150V 1.5A 25W * * NPN2SC1815Y 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SB774T 30V 0.01A 0.25W * * PNP2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SA904 90V 0.05A 0.2W * * PNP2SA562T 30V 0.4A 0.3W * * PNP。
常用场效应管与三极管参数
150W
*
*
NPN
BU2522
1500V
11A
150W
*
*
NPN
BU2520
800V
10A
150W
*
*
NPN
BU2508
700V
8A
125W
*
*
NPN
BU2506
1500V
7A
50W
*
*
NPN
BU932R
500V
15A
150W
*
*
NPN
BU806
400V
8A
60W
*
*
NPN
BU406
400V
7A
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9013
50V
0.5A
0.6W
*
*
NPN
9012
50V
0.5A
0.6W
*
*
PNP
9011
50V
0.03A
0.4W
*
150MHZ
NPN
TIP147
100V
10A
125W
*
*
PNP
TIP142
100V
10A
125W
*
*
NPN
TIP127
100V
8A
65W
*
*
PNP
650V
15A
175W
*
*
NPN
2N5685
60V
50A
300W
*
*
NPN
2N6277
天津大学模电三极管特性曲线参数及场效应管
2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向
饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。
图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置
(1) 输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如
vCE< 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= <0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数
=（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性
曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。
时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。但当 IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。
图02.08 值与IC的关系
②集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE，
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
常用场效应管与三极管参数
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
3.1,三极管
mA
vi
RB
+ –
A
+ + vBE vCE +
RＬ
输入回路 输出回路 – – – + EB 共发射极放大电路
–
EC
发射极是输入回路、输出回路的公共端
3.1.3 BJT的特性曲线
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即 输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const
(3) 与的关系
1
或
1
3.1.3 BJT的特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析电路放大信号的依据。
为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的 电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
三.三极管特性曲线及工作状态(重点)
1.BJT放大电路三个 电流关系 ？
IE =IC+IB
2.BJT的输入、输出特性曲线？
3.BJT工作状态如何判断？
IC IB
I E 1 ）I B （
uCE = 0V uCE 1V
uBE /V
3.1 双极型半导体三极管
3.1.1 双极型半导体三极管的结构 3.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 3.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 3.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 3.1.5 半导体三极管的参数 3.1.6 半导体三极管的型号
截止
反偏 反偏
放大
正偏 反偏
模拟电子技术第三章 场效应三极管
d g s
源 极
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栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示：
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
12
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首页
2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子，
使uGS = 0 时，
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压，用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
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uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值， 在漏极和源极之间加正电压，且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生，
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS： MOS管的参数
三极管及场效应管原理及参数
晶体三极管一、三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图1、晶体三极管（NPN）的结构图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b 和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
场效应管与三极管
场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
第4讲晶体三极管及场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS＜ 极 SS＞ 极00， 性 ， 性uu任 D任 DS＜ S＞ 意 意 00)u)u， ， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS，恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
场效应管的符号及特性
场效应三极管的特性曲线类型比较多， 根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗 尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电
压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方 向，特性曲线就要画在不同的象限。
为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来 设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。
N 沟 道
(2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为
零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电
流）。
(3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对 应的漏极电流。
(4)直流输入电阻RGS（DC） 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型
场效应三极管 较小
较小，可有零温度系数点 几兆欧姆以上 易受静电影响
适宜大规模和超大规模集成 避免栅极悬空
最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS
(3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。
1.4.4 双极型和场效应型三极管的比较
结构
双极型三极管
NPN型 PNP型
C与E一般不可倒置使用
载Hale Waihona Puke 子 多子扩散少子漂移输入量
电流输入
控制 电流控制电流源CCCS(β)
场效应三极管
结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D与S(有的型号)可倒置使用
多子漂移 电压输入 电压控制电流源VCCS(gm)
噪声 温度特性 输入电阻 静电影响 集成工艺
双极型三极管 较大
受温度影响较大 几十到几千欧姆 不受静电影响 不易大规模集成
三 极 管 参 数
C N型，硅材料 V 微波管
W 稳压管 A 高频大功率管
B P型，锗材料
C 参量管
饱和电压（或饱和压降）
-- 晶体管有三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和导通状态。当发射结与集电结都处于反向偏置时，晶体管处于截止状态；当发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置时，晶体管处于放大状态；当发射结和集电结均处于正向偏置时，集电极与发射极之间的电阻及压降都很小，晶体管处于饱和导通状态。晶体管在饱和导通状态时，各电极（端子）之间的电压降被称为饱和电压。其值越小电压利用率越高，功率损耗越小。
Pc* 在管壳温度 Tc=25°C 条件下，集电极耗散功率的最大值，即把附加无限大散热板作为前提时的最大
值（单位 W或mW）。
VCEX：发射极接地，基极与发射极之间施加规定的反向偏压时，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
VCES：发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
hoe-- 输出导纳。共发射极电路中，交流输入开路（即交流输入电流在零状态时）条件下、交流输出电流的有效值对交流输出电压有效值的比值。
Yre-- 发射极接地，小信号输入短路时的逆传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE 及?的条件下测定的）。
Yfe-- 发射极接地，小信号输出短路时的顺传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE及?的条件下测定的）。
电气特性参数
反向饱和漏电流ICBO
--基极接地，发射极对地开路，在规定的VCBO反向电压条件下，集电极与基极之间的反向饱和漏电流，被简称为反向饱和电流，也被称为反向饱和截止电流。对于小信号锗管而言，其值为数 μA；对于锗功放管而言，其值为数mA；小信号硅管，其值为数n源自；功率放大用硅管，其值为数μA。
三极管的主要参数
三极管的主要参数
1﹑电流放大系数β= Δic/Δib CE=常数
2﹑极间反向电流I CBO 和集射反向电流Iceo﹐也叫穿透电流﹐受温度影响较大(随温度升高而增大)
3﹑集电极最大允许电流Icm﹐当Ic超过一定数值时β下降﹐β下降到正常值β的2/3时所对应的Ic值为Icm﹐当Ic>Icm时﹐长时间工作可导致三极管损坏。
4﹑反向击穿电压Ubr(ceo)基极开路﹐集射极之间最大允许电压。
当Uceo> Ubr(ceo)时三极管Ic﹑Ie剧增﹐使三极管击穿损坏。
5﹑集电极最大允许耗散功率Pcm。
6﹑Rbe基射极电阻﹐Rce集射极电阻。
场效应管主要参数
1﹑开启电压﹕当U ds为常数时﹐将沟道漏源极连接起来的最小Ugs值。
2﹑低频跨导﹕U ds定值﹐漏极电流动的变化量Δid与引起这个变化的栅一源电压U gs的变化量ΔU gs比值。
3﹑漏源击穿电压Uds指管子发生击穿时Id急剧上升时的Uds值。
4﹑最大耗散功率
5﹑最大漏极电流。
三极管、场效应管参数大全
三极管、场效应管参数大说明：三极管标有（达）字即达林顿管；（D）字即带阻尼管。
2SA.2SB是PNP管 2SC.2SD是NPN管. 2管，2S、2SD是低频管.三极管系列型号结构外形参数2N2222NPN TO-9260V 0.8A 0.5W2N2907PNP TO-9260V 0.4A 0.4W2N3055NPN TO-3100V 15A 117W2N3772NPN TO-3100V 30A 150W2N3904NPN TO-9260V 0.2A 0.3W2N3906NPN TO-9240V 0.2A 0.3W2N3907NPN TO-9260V 0.03A 60MHZ2N4126PNP TO-9225V 0.2A 0.3W2N4400NPN TO-9260V 0.6A2N4401NPN TO-9260V 0.6A2N4402PNP TO-9240V 0.6A2N4403PNP TO-9240V 0.6A2N5191NPN TO-12660V 4A 40W2N5192NPN TO-12680V 4A 40W2N5193PNP TO-12640V 4A 40W2N5194PNP TO-12660V 4A 40W2N5195PNP TO-12680V 4A 40W2N5210PNP TO-926V 0.05A2N5401PNP TO-92160V 0.6A 0.3W2N5460PNP TO-9240V 1MA2N5551NPN TO-92180V 0.6A 0.3W2N5609PNP80V 5A 25W Hfe70~1002N5684PNP TO-380V 50A 300W2N5685NPN TO-360V 50A 300W2N5686NPN TO-380V 50A 300W2N6274NPN TO-3120V 50A 250W2N6034PNP达TO-12640V 4A 40W2N6037NPN达TO-12640V 4A 40W2N6277NPN TO-3180V 50A 250W2N6284NPN达TO-3100V 20A 160W2N6286PNP达TO-380V 20A 160W2N6287PNP达TO-3100V 20A 160W2N6338NPN TO-3120V 25A 200W2N6517NPN TO-92350V 0.5A 0.6W2N6520PNP TO-92350V 0.5A 0.6W2N6547NPN TO-3850V 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62.5W BD678PNP达TO-12660V 4A 40WBD679NPN达TO-12680V 4A 40WBD680PNP达TO-12680V 4A 40WBD682PNP达TO-126100V 4A 40WBC327PNP TO-9250V 0.8A 0.6WBC328PNP TO-9230V 0.8A 0.6WBC337NPN TO-9250V 0.8A 0.6WBC338NPN TO-9230V 0.8A 0.6WBC368NPN TO-9220V 1A 0.8WBC369PNP TO-9220V 1A 0.8WBC546NPN TO-9280V 0.2A 0.5WBC547NPN TO-9250V 0.2A 0.5WBC548NPN TO-9230V 0.2A 0.5WBC549NPN TO-9230V 0.2A 0.5WBC550NPN TO-9250V 0.2A 0.5WBC556PNP TO-9280V 0.2A 0.5WBC557PNP TO-9250V 0.2A 0.5WBC558PNP TO-9230V 0.2A 0.5W 150MHZ BC559PNP TO-9230V 0.2A 0.5WBC560PNP TO-9250V 0.2A 0.5WBC635NPN TO-9245V 1A 0.8WBC636PNP TO-9245V 1A 0.8WBC638PNP TO-9260V 1A 0.8WBC640PNP TO-9280V 1A 0.8WBC879NPN达TO-126100V 1A 0.8WBF198NPN TO-9240V 25MA 0.25W BF199NPN TO-9240V 25MA 0.25W BF240NPN TO-9215V 0.1A 0.3WBF241NPN TO-9240V 25MA 0.25W BF324PNP TO-9240V 25MA 0.3WBF420NPN TO-92300V 0.1A 0.8WBF421PNP TO-92300V 0.1A 0.8WBF422NPN TO-92250V 0.1A 0.8WBF423PNP TO-92250V 0.1A 0.83W BF458NPN TO-126250V 0.1A 10WBF459NPN TO-126300V 0.1A 10WBF483NPN TO-92300V 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TOP-3E500V 16A 60W 2SC4429NPN TOP-3E1100V 8A 60W 2SC4433NPN TO-22040V 0.05A 0.3W 2SC4454NPN TO-22040V 0.2A 0.3W 2SC4482NPN TO-9260V 5A 1W2SC4493NPN TO-220800V 0.02A 1.65W 2SC4513NPN2SC4517NPN TO-220F550V 3A 30W2SC4544NPN TO-220F300V 0.1A 8W2SC4560NPN TOP-3E1500V 10A 80W 2SC4572NPN TO-220800V 10A 50W 2SC4589NPN TO-3PFM1500V 10A 50W 2SC4596NPN TO-220F100V 2A 25W2SC4621NPN TOP-3F500V 7A 70W2SC4630NPN TO-220F1500V 0.1A 2W 2SC4632NPN TO-220F1500V 0.01A 2W 2SC4634NPN TO-220F1500V 0.01A 2W 2SC4664NPN TO-220F250V 8A 30W2SC4682NPN TO-220F30V 3A 0.9W2SC4706NPN TOP-3A900V 14A 130W 2SC4742NPN TOP-3A1500V 6A 50W 2SC4744NPN TO-3PFM1500V 6A 50W 2SC4745NPN TOP-3E1500V 6A 50W 2SC4746NPN TO-3PFM1500V 8A 50W2SC4747NPN TO-3PFM1500V 10A 50W 2SC4752NPN2SC4755NPN TO-9225V 0.2A 500MHZ 2SC4758NPN TOP-3A1500V 8A 50W 2SC4760NPN TOP-3A900V 14A 130W 2SC4762NPN TOP-3A1500V 7A 50W 2SC4763NPN D TOP-3A1500V 8A 50W 2SC4766NPN D TOP-3A1700V 6A 50W 2SC4767NPN TO-9236V 0.3A 1W2SC4769NPN TOP-3A1500V 7A 60W 2SC4770NPN TOP-3A1500V 7A 60W 2SC4803NPN TO-31500V 5A 50W 2SC4804NPN TO-220F2SC4815NPN TO-220F100V 5A 1.8W2SC4824NPN TO-202120V 0.2A 3W2SC4834NPN TO-220F50V 8A 45W2SC4835NPN15V 0.08A 600MHZ 2SC4896NPN TO-3PFM1700V 15A 100W 2SC4897NPN TO-2PL800V 20A2SC4898NPN TO-220300V 5A 40W2SC4916NPN D TOP-3E1500V 7A 50W 2SC4924NPN TOP-3E800V 10A 70W 2SC4927NPN D TO-3PFM1500V 8A 50W 2SC4953NPN TO-220F2SC5002NPN TOP-3E1500V 7A 80W 2SC5047NPN TO-3PL1600V 25A 250W 2SC5048NPN TOP-3E1500V 12A 50W 2SC5124NPN TOP-3E1500V 10A 100W 2SC5129NPN TOP-3E1500V 10A 50W 2SC5132NPN D TO-3PFM1500V 10A 50W 2SC5142NPN TO-3PL1500V 20A 200W 2SC5143NPN D1700V 10A 50W 2SC5147NPN TO-220F300V 0.1A 10W 2SC5148NPN TOP-3E1500V 8A 50W 2SC5149NPN D TOP-3E1500V 8A 50W 2SC5198NPN D TOP-3A1400V 10A 100W 2SC5207NPN TO-3PFM1500V 10A 50W 2SC5250NPN D TO-3PFM1500V 8A 50W 2SC5251NPN TO-3PFM1500V 12A 50W 2SC5252NPN TO-3PFM1500V 15A 60W 2SC5243NPN TO-3PL1700V 15A 200W 2SC5244NPN TO-3PL1500V 30A 200W 2SC5270NPN TOP-3E。
模拟电子技术三极管详解
第 2 章 半导体三极管
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
DS 间的电位差使 沟 道 呈 楔 形 ， uDS ， 靠近漏极端的沟道厚
度变薄。
预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管 2.2 单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
第 2 章 半导体三极管
第 2 章 半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子
D 在 uGS = 0 时已形成沟道；
B 在 DS 间加正电压时形成 iD，
G S
uGS UGS(off) 时，全夹断。
iD /mA
2V
0V
2V
uGS = 4 V
O
uDS /V
输出特性
当 uGS UGS(off) 时，
O
iiiBBB===
00 0uCE
第 2 章 半导体三极管
2.1.3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA
1. 共发射极电流放大系数
3
— 直流电流放大系数
Q
II23CB.40NN5110II0CB63AA
IC8B2O ICBO
IC IB
2 1
— 交流电流放大系数
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图 02.07 在输出特性曲
线上决定
图02.08 值与IC的关系
2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+
②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致，右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区：①死区
②非线性区 ③线性区
图02.05 共射接法输入特性曲线
(2)输出特性曲线
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如
的增加，特性曲线进
入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2）
输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的
数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
双极型半导体三极管的特性曲线
本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即
输入特性曲线—— iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE) iB=const 这里，B表示输入电极，C表示输出电极， E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极 接法的特性曲线。
iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E 两电极之间。
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
③反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。
图02.11 三极管击穿电压的测试电路
1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。
α=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。
②特征频率fT
三极管的值不仅与工作电流有关，而且与
工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率
增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对
应的频率称为特征频率，用fT表示。
(3)极限参数
①集电极最大允许电流ICM
如图02.08所示，当集电极电流增加时， 就
(2)交流参数
①交流电流放大系数
1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
在放大区 值基本不变，可在共射接法输出
特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 IC/IB。或在图02. 08上通过求某一点的
斜率得到。具体方
法如图02.10所示。
图02.10 在输出特性曲线上求β
2.共基极交流电流放大系数α
要下降，当值下降到线性放大区值的70～30％
时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电
流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管，
不同的厂家的规定有
所差别。可见，当
IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。
②集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE，
①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数
=（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性
曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。
vCE的影响，可以用三极管的内部反馈 作用解释，即vCE对iB的影响 。
共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其
中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明
2.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。
3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。
对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示 BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。
2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向
饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。
图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置
iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E
两电极取出。
共发射极接法的供电电路和电压-电流 关系如图02.04所示。
图02Байду номын сангаас04 共发射极接法的电压-电流关系
(1) 输入特性曲线
简单地看，输入特性曲线类似于发射 结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的 函数关系。因为有集电结电压的影响，它 与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线 时，应使vCE=const(常数)。
vCE< 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= <0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。
图02.06 共发射极接法输出特性曲线
当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V
运动到集电结的电子
基本上都可以被集电
区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显
截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。
此时，发射结反偏，集电结反偏。
放大区——iC平行于vCE轴的区域，
曲线基本平行等距。 此时，发 射结正偏，集电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。
半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数
(1)直流参数