有耗传输线的TLM模型法

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汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析

汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析

汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析王振龙;刘世勋【摘要】随着新能源汽车的发展,车厂越来越重视汽车零部件的电磁兼容测试.大电流注入(BCI)测试作为汽车零部件电磁兼容抗扰度实验中的一项重要测试项目,也逐渐受到重视.采用传输线矩阵的方法(TLM)对被测试样品的线束进行建模和研究,并对骚扰源集总的表面电流、骚扰特性进行了仿真,全面了解和掌握该试验的传导特性,为企业设计和制造汽车零部件产品提供了有力的理论基础.【期刊名称】《电气开关》【年(卷),期】2018(056)006【总页数】3页(P43-44,47)【关键词】大电流注入;电磁兼容;汽车零部件【作者】王振龙;刘世勋【作者单位】中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141;中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141【正文语种】中文【中图分类】TM131 引言随着全球经济和科技的高速发展,人们对汽油煤炭等传统能源的需求日益增加,导致传统能源的损耗速度过快,对环境的影响日趋严重,其中最受人们关注的问题之一就是二氧化碳的排放。

出于对经济、环境等多方面的因素,各国开始大力发展新能源汽车。

随着汽车工业的高速发展,汽车电子零部件的可靠性问题就显得举足轻重,这影响汽车行驶的安全性能。

但机动车电子部件的可靠性,特别是如何保证整车所集成的各种功能能够在恶劣的电磁干扰中维持正常工作,满足电磁兼容就成为了至关重要的问题,这就凸现了机动车零部件电磁兼容试验的重要性。

在对机动车零部件进行EMC抗干扰测试中,大电流注入(BCI)抗干扰测试作为一个比较经典的测试方法,一直被各大汽车企业作为规范广泛采用。

其优点在于良好的测试重复性,在能够达到较严酷的测试强度的同时,无需破坏线束结构等。

2 大电流注入(BCI) [2]大电流注入为零部件国际标准ISO 11452-4中所规定的电磁抗扰度试验项目,目前标准中规定了“替代法”和“闭环法”两种试验方法。

ctlm传输线模型 接触电阻

ctlm传输线模型 接触电阻

ctlm传输线模型接触电阻ctlm传输线模型是一种用于分析传输线上电信号传输过程的模型。

在这个模型中,接触电阻是一个重要的参数,它对传输线的性能和信号质量起着关键的影响。

接触电阻是指传输线两端连接器的接触部分的电阻。

在实际的传输线中,由于连接器的制造精度和使用环境等因素的影响,连接器的接触电阻往往不为零。

接触电阻会引起能量的损耗和信号的衰减,从而影响传输线上的信号传输质量。

接触电阻的大小取决于连接器的材料、制造工艺和连接质量等因素。

一般来说,好的连接器应具有低接触电阻,以减小能量损耗和信号衰减。

常见的连接器有BNC、SMA、N型等,它们在接触电阻方面的性能各有差异。

接触电阻的影响主要表现在两个方面。

首先,接触电阻会引起传输线上信号的反射和衰减。

当信号从源端进入传输线时,部分信号会因为接触电阻的存在而反射回源端,导致信号的幅度和相位发生变化。

同时,接触电阻还会使信号在传输过程中发生衰减,降低信号的功率和质量。

接触电阻还会对传输线的阻抗匹配产生影响。

传输线的阻抗匹配是指传输线的特性阻抗与信号源和负载的阻抗之间的匹配程度。

接触电阻的存在会导致传输线的实际阻抗与特性阻抗之间存在差异,降低阻抗匹配的质量,引起信号的反射和衰减。

为了减小接触电阻的影响,可以采取一些措施。

首先,选择质量好、接触电阻小的连接器。

其次,加强连接器的维护和保养,定期清洁和检查连接器的接触部分,确保连接的稳定性和良好的接触质量。

此外,还可以采用一些补偿和校准技术,如使用补偿电路和校准仪器等,来消除接触电阻的影响。

接触电阻是ctlm传输线模型中一个重要的参数,它对传输线的性能和信号质量有着关键的影响。

了解和控制接触电阻的大小和影响,对提高传输线的性能和信号质量具有重要意义。

通过选择合适的连接器、加强连接器的维护和保养,并采用补偿和校准技术等措施,可以有效减小接触电阻的影响,提高传输线的性能和信号质量。

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。

使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃~460℃快速退火温度和40s~80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。

结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5?赘·cm2。

标签:p-GaAs基;欧姆接触;快速退火引言随着半导体材料器件在生活中的广泛应用,以提高对半导体器件制作工艺的要求,针对欧姆接触的低阻性也随之提高。

因此,我们采用以p型GaAs为衬底材料制作欧姆接触,对工艺中快速热退火(RTP)的时间及温度进行了优化。

1 测量方法实验采用的测量方法是矩形传输线模型(Rectangular transimission line model,TLM)法,如图1所示。

将一个宽度为W’的长方形测量样品,分别做成6不等距(距离分别为2um、3um、4um、8um、16um、32um)的,长度为W=100um的长方形金属化接触电极(与台面边缘间隔为?啄=5um)。

图1 矩形传输线模型通电流前把测量样品进行台面腐蚀处理,以使它和周围不实现电流流通。

测量时,分别在不同距离之间的长方形电极上通恒定电流I,并测量得到一一对应的电压V,最后得出总电阻Rtot。

测量的电阻由两个欧姆接触电阻与接触之间的导电层串联电阻构成。

根据该模型的等效电路和推算可得(1)式中,RC为总接触电阻,RS为欧姆接触之间的半导体薄层电阻。

理论上Rtot-ln曲线为一条直线,因此可用作图法求得接触电阻率。

根据实验数据用拟合法作出Rtot-ln曲线,如图2所示,从直线中可以得到RS、RC,最后再代入公式?籽c=(R■■·W2)/Rs得到?籽c[1-2]。

常用接触电阻的测试方法

常用接触电阻的测试方法

常用接触电阻的测试方法
接触电阻的测试方法主要有以下几种:
电桥法:利用电桥平衡原理,通过调节电桥的电阻值,使得电桥两端电压为零,从而得到接触电阻的值。

这种方法适用于小电阻值的测量,具有测量精度高的优点。

电流法:利用一定大小的电流通过被测接触电阻,通过测量电压和电流值,计算出接触电阻的大小。

这种方法适用于大电阻值的测量,具有测量范围广的优点。

矩形传输线模型(TLM):这是一种应用广泛的接触电阻率测量方法,通过实验方法来测量
出接触电阻后再求得接触电阻率。

兆欧表、万用表、数字式欧姆表及伏安法、电压比较法等:在测量精度要求不高时,常采用
这些方法来测量接触电阻。

请注意,每种方法都有其适用的范围和限制,在实际应用中应根据具体情况选择合适的方法。

同时,为了获得更精准的测量结果,应遵循相关注意事项,例如使指针指示值尽可能
落到刻度的中段位置等。

GaN材料的欧姆接触研究进展

GaN材料的欧姆接触研究进展

GaN 材料的欧姆接触研究进展摘要:III-V 族GaN 基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。

低阻欧姆接触是提高GaN 基器件光电性能的关键。

金属/GaN 界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能和可靠性的一个问题。

对于各种应用来说,GaN 的欧姆接触需要得到改进。

通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN 和p-GaN 工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。

关键词:GaN;欧姆接触0 引 言近年来,氮化镓(GaN )因其在紫外探测器、发光二极管(LED )、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用前景而备受关注。

实现金属与GaN 间的欧姆接触是器件制备工艺中的一个重要问题。

作为宽带隙材料代表的GaN 具有优异的物理和化学性质,如击穿场强高,热导率大,电子饱和漂移速度快,化学稳定性好等,在蓝绿光LEDs,蓝光LDs,紫外探测器及高温、微波大功率器件领域具有诱人的应用前景。

近年来GaN 基器件的研究取得了巨大进展,但仍面临许多难题,其中获得良好欧姆接触是制备高性能GaN 基器件的关键之一,特别是大工作电流密度的半导体激光器及高温大功率器件更需要良好的欧姆接触。

欧姆接触是接触电阻很低的结,它不产生明显的附加阻抗,结的两边都能形成电流,也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。

本文主要介绍了2006年以来部分期刊文献中有关n-GaN 和p-GaN 器件欧姆接触研究的进展。

1 欧姆接触原理及评价方法低阻的欧姆接触是实现高质量器件的基础。

根据金属-半导体接触理论,对于低掺杂浓度的金属-半导体接触,电流输运由热离子发射决定,比接触电阻为:KTq T qA K Bn c Φ•=ex p *ρ式中:K 为玻尔兹曼常数,q 为电子电荷,A*为有效里查逊常数,ΦBn 为势垒高度,T 为温度。

对于较高掺杂的接触,此时耗尽层很薄,电流输运由载流子的隧穿决定,比接触电阻为⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛Φoo Bn E q exp ∝c ρ,m N qh s d επ4E oo =,式中s ε为半导体介电常数,m 为电子有效质量,d N 为掺杂浓度,h 为普朗克常量。

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中的"hexahedral tlm" 和 "hexahedral" 都是用于建模和求解电磁问题的技术,但具体存在以下区别:1. 定义和模型类型:CST中的"hexahedral tlm"是指六面体时域局部模型(TL – Transmission Line Matrix),它使用基于时域电磁传输线理论的局部电路模型进行求解。

而"hexahedral"则是指六面体有限元模型,它使用基于有限元分析的方法进行求解。

2. 求解方法:"hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解,通过对相邻网格元素之间的电流和电压进行建模,从而获得全局的电磁场分布。

而"hexahedral"使用有限元分析方法,通过离散化整个模型并建立节点和单元之间的关系来求解电磁场。

3. 精度和适用范围:由于"hexahedral tlm"使用时域电路模型求解,其精度通常相较于有限元方法较低。

但"hexahedral tlm"适用于一些对快速求解和大规模问题的模拟,例如高频电磁场分析和脉冲响应分析等。

4. 计算效率:由于"hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解,它通常要比有限元方法快速得多。

这使得它在一些大规模问题的模拟中具有更高的计算效率。

综上所述,"hexahedral tlm"和"hexahedral"在求解电磁问题时采用不同的数值方法和模型类型,分别适用于不同的精度和计算效率要求。

选择哪种方法取决于具体的应用需求和模型特点。

波干涉和波衍射的传输线矩阵(TLM)法模拟

波干涉和波衍射的传输线矩阵(TLM)法模拟

现象 关 键词
TLM

,
数值 模拟
,
干涉
,
衍射
.
在 研究光的干 涉和 衍 射 现 象 中采 用 标量波的近似具有 广泛 的 代表意 义
,
.
标量波近似
,
就是把 光 波当作标量波处理 只考虑光波电磁场 的一个横 向分量 随着研究的深入 人们 发现 干 涉 和 衍射 现象是所有波 动 过程 (从 电磁波 到 声波 ) 都具有 的属 性 对 于波 的 干涉
e
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合理 的计算结构 对 于 各种边界 的模 拟 (包括反射边界 能 够反 映实 际 情 况 合适 的 激励模 型
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,

吸 收 边界
,
,
[ ] 以及 黑体 边界等 l)
.
,
本文研 究 了如何 用

tlm接触电阻率

tlm接触电阻率

tlm接触电阻率
TLM接触电阻率是指使用TLM测试方法测量得到的接触电阻率。

TLM是传输线模型法的缩写,是一种用于测量晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的方法。

TLM接触电阻率测试仪是一款紧凑型仪器,可以测量成品太阳能电池的接触电阻率、手指线电阻、手指宽度和手指高度,或者测试结构。

通过在所有轴上电动化,可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。

此外,TLM测试仪还具有以下功能:
- 自动位置校正以获得最佳接触质量。

- 盖子关闭时自动启动。

- 自动采样编号。

- 软件探头识别。

- 精确的导航与欢乐棒和显微镜相机。

- 通过点击图像来探测定位和重新测量单点。

- 一个样品上多个TLM测试图案的批处理模式。

- 序列模式,通过按一个按钮来测量接触电阻率和手指几何图形的映射。

TLM接触电阻率测试方法具有快速、高质量、低成本等优点,在晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试中得到了广泛应用。

微带天线的基本理论和分析方法概述

微带天线的基本理论和分析方法概述

目录摘要 (2)Abstract (3)1 绪论 (4)1.1研究背景及意义 (4)1.2国内外发展概况 (5)1.3本文的主要工作 (6)2 微带天线的基本理论和分析方法 (7)2.1 微带天线的辐射机理 (7)2.2微带天线的分析方法 (8)2.2.1传输线模型理论 (9)2.2.2 全波分析理论 (11)2.3微带天线的馈电方式 (12)2.3.1微带线馈电 (12)2.3.2同轴线馈电 (12)2.3.3口径(缝隙)耦合馈电 (13)2.4本章小结 (13)3宽带双频双极化微带天线单元的设计 (14)3.1天线单元的结构 (14)3.2天线单元的设计 (15)3.2.1介质基片的选择 (16)3.2.2天线单元各参数的确定 (16)3.3天线单元的仿真结果 (17)3.4本章小结 (18)4 结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (22)ku波段双频微带天线的设计摘要本文的主要工作是Ku波段宽带双频双极化微带天线研究。

在微带天线的基本理论和分析方法的基础上,对微带天线的技术进行了深入的研究,设计了3种不同结构的Ku波段宽带双频微带天线单元,并完成了实验验证。

依据传输线模型理论并结合软件仿真分析了3种不同结构的天线单元在天线的带宽、隔离度和增益等性能方面的差异,并作了比较,得出了性能最佳的一种天线单元结构形式。

最后,对全文的研究工作加以总结,并提出本文进一步的研究设想。

关键词:Ku波段;双频;传输线模型;微带天线AbstractIn this paper, broadband dual-frequency and dual-polarized microstrip antenna at Ku band is described. Three kind s o f wideband dual-frequency and dual-polarized microstrip antenna element are proposed and their experimental verifications are completed which based o n the classical theory and a deeper stud y on broadband, dual-frequency and dual-polarization technique of microstrip antenna. From the transmission-line mode theory and simulative results, he bandwidth, isolation and gain characteristics of a microstrip patch element with various structures are analyzed in detail and compared, and an antenna element with the best performance is adopted. Based on the element described, four-element linear array and planar array is designed which adopted anti-phase feeding and dislocation anti-phase feeding technique, respectively. In addition, the technique of anti-phase feeding which suppresscross-polarized is further studied by using the even/odd theoretical analysis. Finally, we summarize the research of the paper with an outlook for the further researches. Key words: Ku band; dual-frequency; dual-polarized; microstrip antenna1 绪论1.1研究背景及意义近年来,随着卫星通信技术的发展和卫星通信业务及卫星移动通信的迅猛增长,以往的微波较低频段(300MHz-10GHz)已经变得拥挤不堪,因此卫星通信中开始使用Ku波段甚至Ka波段的通信以满足大信息量的需求。

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中Hexahedral TLM与Hexahedral方法的区别在电磁场仿真软件CST中,有两种常用的三维网格建模方法,分别是Hexahedral TLM和Hexahedral方法。

虽然它们都是用来进行三维电磁场仿真和计算的,但在实际使用中有一些区别。

本文将介绍CST中Hexahedral TLM与Hexahedral方法的区别。

首先,Hexahedral TLM(Transmission Line Matrix)是一种用于电磁场的传输线矩阵方法。

它主要适用于计算电磁波在电磁结构中的传输和传播过程。

它采用了传输线矩阵的概念,将结构分成若干个Lumped结点,并通过传输线模型模拟电磁波的传输过程。

这种方法适用于较大规模的电磁结构,可以快速计算电磁波的传播特性。

与其他方法相比,Hexahedral TLM更适合计算稳态的问题。

而Hexahedral方法则是一种传统的有限元方法。

它将结构分成一系列的小单元(六面体单元),通过求解有限元方程组来计算电场和磁场的分布。

Hexahedral方法具有很高的精度和灵活性,适用于计算各种复杂结构中的电磁场分布和耦合问题。

它可以处理各种频率范围内的问题,从低频到高频都可以有效计算。

然而,由于Hexahedral方法需要构建完整的有限元网格,所以在处理大型电磁结构时计算速度可能会慢一些。

此外,Hexahedral TLM和Hexahedral方法在网格划分上也有不同。

Hexahedral TLM使用的是规则网格,即网格单元的形状和尺寸都是一样的。

这使得计算过程更加简单和高效。

而Hexahedral方法则可以使用非结构的网格,对不同形状和尺寸的结构都可以进行建模。

这使得Hexahedral方法在处理复杂结构时更加灵活,能够更好地适应实际需求。

在CST中,选择使用Hexahedral TLM还是Hexahedral方法,取决于具体的仿真需求和计算要求。

金属-半导体接触

金属-半导体接触

(a)
(b)
图 3.5I-V 测试时,电极链接方式示意图
(a)
(b)
图 3.6 I-V 测试曲线
下面介绍传输线模型法测定比接触电阻[51]-[53]的基本原理和线性拟合公式的 推导。
矩形传输线模型及其等效电路如图 3.7。在一宽为 W 的样品上制作 4~6 个 间距不相等的金属接触电极,电极尽力做到与样品等宽。
道,由于存在费米能级之差,电子将从费米能级高的一边转移到费米能级低的一 边,直到两者费米能级持平而进入热平衡态为止。 2. 金属与半导体接触的四种情况
(1)金属与 N 型半导体接触,WM>WS 时 WM>WS 意味着金属的费米能级低于半导体的费米能级。当金属与 N 型半导 体理想接触时,半导体中的电子将向金属转移,使金属带负电,但是金属作为电 子的的“海洋”,其电势变化非常小;而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形 成了由电离施主构成的正电荷空间层,这样便产生由半导体指向金属的内建电 场,该内建电场具有阻止电子进一步从半导体流向金属的作用。因此,金属与半 导体接触的内建电场所引起的电势变化主要发生在半导体的空间电荷区[2],使半 导体中近表面处的能带向上弯曲形成电子势垒;而空间电荷区外的能带则随同 EFS 一起下降,直到与 EFM 处在同一水平是达到平衡状态,不再有电子的流动, 如图 1.1.3。
体,在半导体表面区域形成负电荷空间区。由此在半导体近表面产生由半导体表 面指向体内的内建电场,导致半导体的能带自体内到表面向下弯曲,使半导体表 面的电子密度比体内高很多,增加了对电子的传导特性,因而是一个高导区域, 称之为反阻挡层。接触以后的能带结构为图 1.1.4。反阻挡层是很薄的高导层, 它对半导体和金属之间接触电阻的影响极小,因此在实验中不易觉察到其存在。

两种欧姆接触电阻率测量方法的研究

两种欧姆接触电阻率测量方法的研究

两种欧姆接触电阻率测量方法的研究崔虹云;吴云飞;张海丰;韩海生;朱雪彤;李金鑫【摘要】An ohms sample was made using low voltage chemical vapor deposition method and tested with linear transmission line model and circular dot transmission line model .In the preparation of the same process conditions, linear transmission line model can reflect the actual contact resistance rate of size from the precision .% 用低压化学气相淀积的方法制备了欧姆接触的样品,分别对退火前后的样品采用两种测量方法线性传输线模型和原点传输线模型法进行测试分析,得出在制备工艺相同的条件下,从精度上看,线性传输线模型这种测试结构更能真实地反映实际的比接触电阻率的大小。

【期刊名称】《佳木斯大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2012(000)005【总页数】3页(P746-748)【关键词】欧姆接触电阻率;线性传输线模型;原点传输线模型【作者】崔虹云;吴云飞;张海丰;韩海生;朱雪彤;李金鑫【作者单位】佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007;佳木斯大学理学院,黑龙江佳木斯 154007【正文语种】中文【中图分类】TN305.930 引言随着半导体材料和器件的迅速发展,多晶硅纳米薄膜凭借其优良的特性被广泛的应用于集成电路领域.而人们对于欧姆接触的设计、制造和测量的要求越来越高,欧姆接触是金属与半导体之间存在的一种非整流接触[1],当有电流流过时,欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降,这种接触不影响器件的电流—电压特性,或者说,电流—电压是由样品的电阻或器件的特性决定的[2-4].文中将采用两种方法对测试样品进行测试,并对其进行比较分析.1 实验将清洗干净后的厚度为400μm单晶硅片作为衬底,电阻率为2~4Ω·cm2,利用LPCVD在硅片正面淀积多晶硅纳米薄膜,厚度为90nm,利用PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition),等离子增强化学气相淀积)在硅片正面淀积一层二氧化硅层,厚度为100nm;然后通过离子注入对多晶硅纳米膜进行硼掺杂,多晶硅采用光刻,具体工艺步骤为:表面处理→预烘→涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→腐蚀→去胶,最后镀厚度约1.9μm铝层,图1为实验版图.2 测量结果与分析接触电阻率ρc是反映金属/半导体欧姆接触性质好坏的重要参数.测量ρc的方法很多,按照材料的厚度可以将其分为体材料和薄膜材料上的接触电阻率测量,这里就薄膜材料的线性传输线模型法(linear transmission line model,LTLM)和圆点传输线模型法(circular dot transmission line model,CDTLM)的测量结果进行分析和研究.图1 传输线测试版图2.1 线性传输线模型法(LTLM)线性传输线模型最早由Schockley引入,接着Berger作了改进,为了与周围环境绝缘,通电流前先将样品进行台面腐蚀.表1给出了样片所测的电阻值与间隔的数据.从表中我们可以知道除个别点外电极间隔和测得电阻之间基本满足线性关系,即随着电极间隔的增大所测的电阻值也随之增大,满足测试电阻和间隔的线性拟合,也就是满足线性传输线模型的测试曲线.表2给出了450℃退火后样片的接触电阻率和方块电阻值,实验的退火真空度在10-3~10-4 Pa,退火时间20min,从表2可得到平均比接触电阻为2.41 ×10-3Ω·cm2,比退火前的比接触电阻3.07 ×10-1Ω·cm2明显的提高了两个数量级,说明退火使欧姆接触电阻的性能有了明显的改善和提高.表1 所测的电阻值与间隔的数据间隔d(μm)30 40 50 60 70 90 100电阻(kΩ)2.0912.2732.5472.7532.9443.4543.726表2 450℃退火后样片的接触电阻率和方块电阻值样片# 接触电阻率(10-2Ω·cm2) 方块电阻(kΩ/□)1 -5 0.12041 0.7362 -3 0.08308 1.0922 -40.48278 0.7522 -5 0.30079 0.9763 -1 0.38683 1.1323 -3 0.04567281.0403 -52.87667 0.8364 -1 0.46747 0.6284 -3 0.25156 0.780图2 测得电阻与ln(rn/r0)之间的曲线2.2 圆点传输线模型法圆点传输线模型由Marlow等人提出,他们用圆形电极代替长方形电极的圆点传输线模型,版图如图1所示.其中原点传输线模型的圆环半径值如下:r0=400μm,r1=430μm,r2=470μm,r3=520μm,r4=580μm,r5=650μm,r6=720μm,r7=830μm,r8=930μm,r9=1020μm,r10=1100μm;图2给出了样片测得电阻和ln(rn/r0)的关系,满足原点传输线模型法原理中所叙述的直线关系,同时图3给出了电流对电压的I—V特性曲线,从曲线的走势来看,在未退火之前虽与圆点对称但并不成线性状态,表现出整流接触,退火前比接触电阻的值为1.36 ×10-1Ω·cm2.图3 样片的I—V特性曲线图4 不同退火时间比接触电阻的变化图5 不同退火时间I—V特性曲线从图4和图5的I-V特性曲线也可看到,在退火条件为450℃,20min时,曲线表现为非整流特性,即欧姆接触特性,不同退火时间里20min的比接触电阻最低为2.72 ×10-3Ω·cm2.通过分析我们可以知道退火前所形成的是整流接触,铝与多晶硅之间存在肖特基势垒,可能由于自然氧化层的存在对界面势垒的影响,所以并不是理想的欧姆接触,电流随电压的增大没能构成线性关系,而退火使欧姆接触的性能有了明显的改善.3 结论在制备工艺相同的条件下,通过对样品进行两种传输线模型的测试,我们可以看到线性传输线模型法测得的比接触电阻率更小一些,达到2.41×10-3Ω·cm2,精度更高,而且 LTLM 法很直观,容易理解.另外,经过450℃,20min退火后,样品的比接触电阻率都降到了10-3数量级,这说明退火可以形成稳定势垒高度和低漏电流,是形成欧姆接触的好方法,同时退火条件对接触的电学、热学和化学特性有决定性影响.参考文献:[1]孟庆忠.肖特基势垒和欧姆接触[J].烟台师范学院学报.2006,16(2):153 -156.[2]赵安邦,谭开洲,吴国增.欧姆接触电阻率测量方法的研究[J].重庆邮电学院学报.2006,6:238-241.[3]陈刚,柏松.4H-SiC欧姆接触与测试方法研究[J].固体电子学研究与进展.2008,28(1):38 -41.[4]崔虹云,张海丰,吴云飞.AL金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作[J].佳木斯大学学报.2009,27(5):711-714.。

自-各种计算电磁学方法比较

自-各种计算电磁学方法比较

微波EDA仿真软件与电磁场的数值算法密切相关,在介绍微波EDA软件之前先简要的介绍一下微波电磁场理论的数值算法。

所有的数值算法都是建立在Maxwell方程组之上的,了解Maxwe ll方程是学习电磁场数值算法的基础。

计算电磁学中有众多不同的演法,如时域有限差分法(FDTD)、时域有限积分法(FITD)、有限元法(FE)、矩量法(MoM)、边界元法(BEM)、谱域法(SM)、传输线法(TLM)、模式匹配法(MM)、横向谐振法(TRM)、线方法(ML)和解析法等等。

在频域,数值算法有:有限元法(FEM -- FiniteElementMethod)、矩量法( MoM -- Method of Moments),差分法( FDM --Finite Difference Methods),边界元法(BEM--Boundary Element Method),和传输线法( TLM-- Transmission-Line-matrixM ethod)。

R+x在时域,数值演算法有:时域有限差分法(FDTD - FiniteDifferenceTime Domain ),和有限积分法(FIT-Finite Integration Technology)。

这些方法中有解析法、半解析法和数值方法。

数值方法中又分零阶、一阶、二阶和高阶方法。

依照解析程度由低到高排列,依次是:时域有限差分法(FDTD)、传输线法(TLM)、时域有限积分法(FITD)、有限元法(FEM)、矩量法(MoM)、线方法(ML)、边界元法(BEM)、谱域法(SM)、模式匹配法(MM)、横向谐振法(TRM)、和解析法。

依照结果的准确度由高到低,分别是:解析法、半解析法、数值方法。

在数值方法中,按照结果的准确度有高到低,分别是:高阶、二阶、一阶和零阶。

时域有限差分法(FDTD)、时域有限积分法(FITD)、有限元法(FEM)、矩量法(MoM)、传输线法(TLM)、线方法(ML)是纯粹的数值方法;边界元法(BEM)、谱域法(SM)、模式匹配法(MM)、横向谐振法(TRM)则均具有较高的解析度。

有耗传输线的TLM模型法

有耗传输线的TLM模型法
L 0C 0 L 0 ∃t = ; 同理, 对一个值为 L 的电感如图 3 (a ) , 其 C0 C
( 3)
( 4)
传输线的 “link ” 模型如图 3 ( b ) 。其中 L = L 0 ∃ l, 沿传 ∃l 1 输线的波速为 u = = , 传输线的特性阻抗 ∃t
L 0C 0
为 Z c=
( 5)
transmissionlinemodelingmethod问题的提出在实际电工技术中当我们分析长距离输电线路数百公里以上长距离有线通信线路以及在高频超高频下工作的传输线时考虑到这些传输线电路的参数电感电容都是分布式的而且这些线路长度远远大于波长所以对这些传输线的工作情况都应当采用分布参数电路的理论去分析
( 8) 5 2u 5 2u = L 0C 0 2 5x 2 5t 211 集总元件的传输线模型 传 输 线 模 型 法 ( T he T ran sm is2 sion L ine M odeling M ethod ) 简 称 TLM 法。 其基本原理是根据被研究
212 有耗传输线 TLM 法
图 5 为剖分为十小节的传输线模型, 首端接以 电源 ( u s , R s ) , 终端接以负载 (R l , L l ) 。 现在我们用 TLM 法来求解传输线上每一点的 电流与电压。为计算方便, 每节前标以节点号。如图 所示。n = 1 点与电源相接, n = 11 点接于负载。根据 传输线理论, 电压波在传输上传波时, 将产生反射电 压 kV r 与透射电压 kV i , 由戴维南定理可得到它的 等效电路, 即每段传输线都包含一个电压源 2kV i 和 一 个特性阻抗 Z c。 对节点 n 来说, 设节点电压为
∃x
L
, C 0=
C , 则可得 ∃x

tlm接触电阻_太阳能电池_概述及解释说明

tlm接触电阻_太阳能电池_概述及解释说明

tlm接触电阻太阳能电池概述及解释说明1. 引言1.1 概述本文旨在介绍和解释TLM接触电阻在太阳能电池中的应用以及其重要性。

通过对TLM接触电阻的定义、原理和测量方法进行探讨,我们将了解它如何影响太阳能电池的效率,并通过优化接触电阻来改善太阳能电池的性能。

1.2 文章结构本文分为五个主要部分。

首先是引言部分,对文章进行概述并介绍文章结构。

接下来是TLM接触电阻的定义、原理和测量方法的详细说明。

然后是太阳能电池的概述,包括其原理和组成以及不同类型和特点。

紧接着,我们将重点探讨TLM 接触电阻在太阳能电池中的重要性,并解释如何改善太阳能电池性能。

最后,我们将进行总结并展望未来发展方向和意义。

1.3 目的本文旨在提供关于TLM接触电阻和太阳能电池的基础知识,并讨论TLM在测量和优化接触电阻过程中所扮演的重要角色。

通过深入研究TLM接触电阻对太阳能电池效率的影响,我们将为改善太阳能电池的性能提供有力的理论和实践指导。

同时,本文还将展望未来对TLM接触电阻研究的发展方向,以期为太阳能电池领域的进一步创新与进步做出贡献。

2. TLM接触电阻:2.1 定义和原理:TLM (Transmisson Line Model)接触电阻指的是在半导体器件中,用于测量两个材料或结构之间的接触电阻时采用的一种模型和方法。

TLM接触电阻可以检测到不同材料之间接触的质量,对于太阳能电池来说具有重要意义。

TLM接触电阻的原理是基于传输线模型。

该模型假设半导体中存在一条传输线,通过测量传输线上信号的变化来计算出接触位置处的电阻。

2.2 TLM测量方法:TLM测量方法主要包括以下几个步骤:- 在待测样品表面制备金属电极。

- 绘制一组平行排列、间距固定的线条,称为测试结构。

- 通过测试结构,在待测样品中建立一组重复的传输线。

- 测试过程中,将直流或交流信号输入到传输线上,并记录经过测试结构后信号的变化。

- 根据信号变化情况计算出接触位置处的电阻值。

传输线矩阵法

传输线矩阵法
பைடு நூலகம்
3.12.6 稳定性

因为TLM是麦克斯韦方程组的无源网络模型,所以TLM算法要在稳定的状况下进 行。事实上,由于在连接线上脉冲的传播速度已知,时间间隔Δt 会小于或者 等于3.57公式中所定义的。
传输线矩阵法
谭小龙 2015.12.12
3.12.4 非均匀材料和损耗

电介质或磁性材料可以通过在材料内部设置一些合适的有归一化特征根的长为 Δl/2的短截线来建模。一种开路并联短截线可以在截点处增加额外的电容, 相对而言另一种开路系列的短截线能够产生更大的感应系数。在这种结构中反 应能量的不足会减小相速度,并且改变固有阻抗。在不同材料的交界面上边界 条件会自动满足。每个单元都有不同系列的短截线(三个介电常数和三个磁导 率的短截线),因此就能够建立一种电导率和磁导率为对角线张量的非均匀各 向异性材料。这六个短截线能够添加到六个端口的节点上,从而 S 就变成了 18*18的矩阵。损耗可以通过连接节点上所谓的有损耗的短截线来建模。有损 耗的短截线可以匹配传输线区域,这个区域在每个时间间隔每个节点处提取散 射能量的一小部分。因为在这些截线上没有脉冲返回节点处,因此它们仅仅改 变了S的元素,而没有改变S的大小,从而我们就需要更多的方法来用于弥散的 非线性材料和装置的建模和植入。

边界条件的确定不仅可以通过在节点的中心确定,也可以在边缘确定。在后来 的情况下,边界是通过各种脉冲的反射系数来表征的。电壁对脉冲的反射系数 为-1,而磁壁对脉冲的反射系数为 1。有损耗的非均匀的边界对脉冲的反射系 数在量级上就要小一些像带宽吸收壁和频散边界等一样的更复杂的边界条件将 与FDTD边界一样处理,不同点在于前面的边界算子作用于输入脉冲,而后面的 作用于边界的场量。可以直截了当的运用非递归的或者递归的卷积方法来用于 频散边界,且可以用时域分裂法来分隔大的计算域。

TLM

TLM

TLM e ho nd t e ho ofCo t u tng t M t d a he M t d ns r c i he TLM
M o l fO ne D i e so des o . m n inalPr blm s o e
W AN G n —a Li g t o , LIN in s e g a —h n 2
J OURNAL OF ELECTRI P C o
(u 5 ) S m.8
TL 法 及 其 一 维 模 型 的 构 造 方 法 M
王玲 桃 李念 生2 ’ ,
(. 1 山西大学工程 学院 , 西 太原 山 0 0 1 ;. 3 0 3 2 山西电力科 学研 究院 , 山西 太原 000 ) 30 1
个 物理 量 之 间 存 在 着 一 一 对 应 的 关 系 。这 样 就 可
的 方 法及 过 程 , 出 TL 法 具 有 概 念 上 的优 势 和 指 M 计 算 的稳 定 性 等优 点 。
关键词 : 传输线模型 法 ; M 模型 ; TL 电路 模 型
以 把 一 些 分 析 波 、 的 问题 转 化 为 分 析 实 际 的 电路 场 模 型 。 由于 数 学 家 熟 悉 微 分 方 程 , 却 不 了解 微 分 但 方程所对应 的实 际情 况 , 程 师 了解 实 际情 况 , 工 却 不 熟悉 微 分 方 程 的 最 简 便 解 法 , 此 TL 法 给 工 因 M 程 师 提 供 了一 个 自己 熟 悉 的 实 际 模 型 , 有 利 于 工 更 程师分析解决 实际问题 。
2 TL 法 建 立 一 维 模 型 技 术 的 过 程 M
2 1 建 立模 型技 术 的 简单概 括 .
工程 中经 常 遇 到 的 电磁 场 、 电磁 波 、 场 等 问 热

tlm法测电阻率原理

tlm法测电阻率原理

tlm法测电阻率原理
TLM法(Transmission Line Method)是一种用于测量电子器件接触电阻的方法,其基本原理是利用传输线理论和电阻计算公式,通过测量器件引脚上的电压和电流来计算接触电阻。

在TLM测试中,需要在测试样品上制备一系列具有已知间距的电极,这些电极通常采用金属或者其他导电材料制成。

然后,通过这些电极施加电压或电流,并测量在各个电极之间的电压和电流值。

根据这些测量值,可以利用传输线理论中的电阻计算公式来计算出接触电阻的数值。

TLM测试的原理基于传输线模型,该模型假设电流在材料中传播时受到电阻的影响,电阻的大小与材料的电阻率和电极间距有关。

通过测量不同电极间距下的电阻值,并利用传输线理论中的电阻计算公式,可以得到接触电阻的数值。

在TLM测试中,还需要考虑电极之间的电场分布、电流密度分布以及电阻分布等因素。

通过分析这些因素,可以更准确地计算出接触电阻的数值。

此外,TLM测试还可以通过改变电极间距、形状和材料等参数,来研究接触电阻与这些参数之间的关系,从而优化器件的设计和制备工艺。

总的来说,TLM法测电阻率的原理是利用传输线理论和电阻计算公式,通过测量器件引脚上的电压和电流来计算接触电阻的一种方法。

该方法可以提供准确的接触电阻数值,并为器件的设计和制备工艺提供参考和优化方向。

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中Hexahedral TLM与Hexahedral的区别在计算机仿真领域中,CST(Computer Simulation Technology)是一种常用的工具,它可以用来模拟电磁场、无线电和微波设备等的行为。

而在CST中,有两种常见的网格类型,即Hexahedral TLM (Transmission Line Matrix)和Hexahedral。

本文将探讨这两种网格类型的区别。

1. Hexahedral TLMHexahedral TLM是一种基于传输线矩阵方法的网格类型。

该方法通常用于电磁波在传输线上的传播和相互作用的仿真。

Hexahedral TLM 网格由六面体单元构成,每个单元都有六个面。

这些单元之间通过节点连接在一起,形成一个网格。

Hexahedral TLM具有以下特点:a) 网格结构简单:Hexahedral TLM网格由六面体单元组成,易于划分和处理。

b) 精确度高:采用传输线矩阵方法,可以准确地模拟电磁波在传输线上的传播和相互作用。

c) 计算效率高:相比其他复杂的网格类型,Hexahedral TLM网格计算速度较快。

2. HexahedralHexahedral网格是一种基于六面体单元构建的网格类型。

在电磁场仿真中,Hexahedral网格常常用于对复杂结构进行建模,包括天线、微波器件等。

Hexahedral网格的构建需要对物体进行网格划分,以六面体单元为基本单元。

Hexahedral具有以下特点:a) 适用于复杂几何结构:Hexahedral网格适用于对不规则、复杂形状进行建模和仿真。

b) 精确度高:采用六面体单元构建,可以保证模型的几何精度。

c) 计算效率相对较低:相比其他简单的网格类型(如四面体网格),Hexahedral网格的计算速度较慢。

3. 区别与应用领域Hexahedral TLM和Hexahedral这两种网格类型在应用领域和特点上有一些区别。

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Abstract: F rom the po in t of view of the t ran sm ission line theo ry, th is p ap er in t roduces a new m ethod (TLM ) to so lve the lo ssy t ran sm ission line p rob lem. Keywords: t ran sm ission 2line; t ran sm ission 2line m odeling m ethod
r 2k nR Zc Z c+ R kV n = 1 1 + +G Z c Z c+ R i 2k nL
+
( 9)
( a ) (b )
k I n=
kV n - kV Z c+ R
i nR
左、 右端的电压关系为 kV nL = kV n
kV kV kV
nR
图 8 传输线负载端的模型
= 2kV = kV = kV
右端电压、 电流的关系为
kV
图 6 节点 n 左右所见等效电路
1R 1R 1R
i r
= 2kV = kV
1R
i
+ k I 1Z c
1R
i
kV kV
1R
- kV
( 14)
1) 分析中间节点 n ( n = 2- 10) 的情况
= ( k - 1) V
r 2L
站在节点 n 向左右看到的等效电路如图 6。 由 弥尔曼定理得出第 k 步该节点电压和电流:
L 0C 0 L 0 ∃t = ; 同理, 对一个值为 L 的电感如图 3 (a ) , 其 C0 C
( 3)
( 4)
传输线的 “link ” 模型如图 3 ( b ) 。其中 L = L 0 ∃ l, 沿传 ∃l 1 输线的波速为 u = = , 传输线的特性阻抗 ∃t
L 0C 0
为 Z c=
( 5)
( 8) 5 2u 5 2u = L 0C 0 2 5x 2 5t 211 集总元件的传输线模型 传 输 线 模 型 法 ( T he T ran sm is2 sion L ine M odeling M ethod ) 简 称 TLM 法。 其基本原理是根据被研究
212 有耗传输线 TLM 法
图 5 为剖分为十小节的传输线模型, 首端接以 电源 ( u s , R s ) , 终端接以负载 (R l , L l ) 。 现在我们用 TLM 法来求解传输线上每一点的 电流与电压。为计算方便, 每节前标以节点号。如图 所示。n = 1 点与电源相接, n = 11 点接于负载。根据 传输线理论, 电压波在传输上传波时, 将产生反射电 压 kV r 与透射电压 kV i , 由戴维南定理可得到它的 等效电路, 即每段传输线都包含一个电压源 2kV i 和 一 个特性阻抗 Z c。 对节点 n 来说, 设节点电压为
V
r
( n - nL i nR
r nR r
亦应是前一步上 n + 1 点 。即
( 12)
图 9 传输线 “stub ” 模型与 “link ” 模型 “同步”
的左反射电压波 (k - 1) V
kV kV
( n + 1) L
根据弥尔曼定理, 第 k 步的电压和负载电流为
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电气电子教学学报 2002 年 4 月 40
摘 要 本文从传输线理论出发, 介绍了一种解决传输线问题的新方法——TLM 法。 关键词 传输线 传输线模型法
TLM M odel of the L ossy Tran sm iss ion L ine
L i Fengx ia
(Co llege of E lectrical & Pow er Eng ineering of TU T , T aiyuan 030024, Ch ina)
( 1) ( 2)
5u 5i 和 , 则根 5x 5x
的传输线模型。 由传输线模型法可知, 一个集总元件 (L , C ) 可用一个离散的无耗传输线模型代替。 传输 线每单位的长度、 电容、 电感和传输时间分别为 ∃ l、 C 0、 L 0、 ∃ t。 一个值为 C 的电容如图 4 (a ) , 它的传输 线 “link ” 模型如图 4 ( b ) 。其中 C = C 0 ∃ l, 沿传输线的 ∃l 1 波速为 u = = , 传输线的特性阻抗为 Z c = ∃t
最后分析 (n = 11) 负载端的情况: 把负载中的电 感 L 用其 TLM 模型代替, 如图 8 所示, 且为 “stub ” 模型。 需注意的是: 在 “stub ” 模型上的传播时间 ∃ t 应和 “link ” 模型保持同步, 即同时到达、 同时反射, 2L 则 Z cL = 。 最后用其等效电路代替, 如图 9。 ∃t
图 3 集中电容的传输线模型
( a ) (b )
图 4 集中电感的传输线模型
2 有耗传输线的 TLM 法
任何一条传输线的一端与电源突然接通瞬间, 线上任何一点的电压电流是时间的函数, 这是传输 线的瞬态响应, 它要求在时间领域建立一个传输线 的模型。 在式 ( 6) 、 式 ( 7) 中将代表损耗的参数 R 、 G 忽略, 方程中 R = G = 0。 因L 0 = 波动方程为
第 24 卷第 2 期 电气电子教学学报 Vol . 24 N o. 2 2002年4月 JOU RNAL O F EEE Ap r. 2 0 0 2
有耗传输线的 TLM 模型法
李凤霞
( 太原理工大学电气与动力工程学院 太原: 030024) α
i nL
r nL
2) 分析电源节点 ( n = 1) 的情况 电路如图 7 所示。 根据弥尔曼定理可得节点电 压和电流为
kV 1 = kV s 2kV 1R + R s R + Zc
i
左下标, R 为右下标, i 表示透射, r 表示反射) 。
1
Rs
+
1
R + Zc
1R
i
( 13)
k I 1=
kV 1 - 2kV R + Zc
下面来推导传输线的基本方程: 设电压、 电流随 X 轴的变化率为 据 KVL 和 KCL 可得 5u 5i = u′ - u= - L + iR 5x 5t 5i 5u - i= - G u + C ∃ x = i′ 5x 5t 对式 ( 2) 求偏导可得 ∃x 5 2i 1 5u 5 2u G +C 2= ∃x 5x 5t5x 5x 5u 将式 ( 1) 中 代入式 ( 3) 可得 5x 5 2i R G 1 5i 1 5 2u + C 2= 2 i+ 2GL 5t ∃x 5t5x 5x ∃x ∃x 5u 可得 5t 2 5 u 1 5 2i 5i = L +R 5t5x ∃x 5t 5t2 将式 ( 5) 代入式 ( 4) 得 对式 ( 1) 求 5 2i 1 5 2i ( 5i + GL + R C ) + R G i 2= 2 L C 5t 5x ∃x 5t2 以同样方法还可推导得
2kV i Zc R L + Z cL kV 11 = 1 1 + G+ Zc R L + Z cL 2kV
11L
i
= ( k - 1) V = ( k - 1) V
r
( n - 1) R ( n + 1) L
r
+
( 15)
k I 11 =
kV 11 - 2kV R L + Z cL
i
( 下转第 45 页)
第 24 卷第 2 期 李凤霞: 有耗传输线的 TLM 模型法 41
kV n , 节点入端电流为 k I n; 节点 n 左侧过来的入射波
电压为 kV , 反射回去的电压波为 kV ; 节点 n 右
i 侧过来的入射波电压为 kV nR , 反射回去的电压波为 r kV nR ( 各符号中下标 n 为节点号, k 为计算次数, L 为
即 α = uC
iL
α
-
0 1
C
1
L iL
0 + 1
R iC ui
-
1
RC
uC
图 3 选频网络
为便于计算, 令 0 1 A= - 1 - 1 解 A T P + PA = - I , 得 P1 P2 0 - 1 P 1 P 2 0 1 - 1 0 + = 1 0 P 2 P 3 P2 P3 - 1 0 0 - 1 - 2P 2 = - 1
L0 L = 。这样图 2 的有损传输线用传输线 C0 ∃t
模型代替得到图 5。
( 6)
( a ) (b )
5 2u 1 5 2u ( 5u + GL + R C ) + R G u ( 7) 2 = 2 L C 5t 5x ∃x 5x 2 上面是一组偏微分方程, 传输线上的某一点工 作情况就对应于这组方程的特解。 一般情况下这组 方程的解析解是不易求出的。
图 7 电源节点等效电路 © 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
第 24 卷第 2 期 董 欣: 用状态空间方法分析电网络的稳定性 45
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