磁控溅射技术进展及应用

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山东射频磁控溅射用途

山东射频磁控溅射用途

山东射频磁控溅射用途山东射频磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术,主要用于制备各种材料的薄膜,广泛应用于光电、化学、电子、信息、医疗等领域。

下面我将详细介绍山东射频磁控溅射的技术原理和主要用途。

一、技术原理山东射频磁控溅射技术是利用高频电场和磁场共同作用下的阴极溅射现象进行薄膜的沉积。

其主要的工作原理如下:1. 高频电场作用:通过向靶材表面施加射频电场,使靶材处于高能状态,激发靶材表面原子和离子的运动。

2. 磁场作用:通过在溅射室内产生强磁场,将靶材表面激发的离子束束缚在一个狭小的区域内,使其以较高的速度冲击到基底表面。

同时,磁场还可以有效控制离子运动方向,提高靶材利用率和沉积速率。

3. 沉积:激发的原子和离子束经过磁场束缚后,以高速撞击到基底表面,形成均匀的薄膜。

二、主要用途山东射频磁控溅射技术主要应用于以下领域:1. 光电领域:利用射频磁控溅射技术可以制备出具有优良光学性能的薄膜材料,如透明导电膜、太阳能电池、液晶显示器背板等。

其中,透明导电膜是光电领域的重要材料之一,广泛应用于触摸屏、平板电脑、智能手机等电子产品中。

2. 化学领域:射频磁控溅射技术可以用于制备各种化学材料的薄膜,如金属氧化物薄膜、二氧化硅薄膜等。

这些薄膜在化学传感、催化反应、生物医学等领域具有重要应用价值。

3. 电子领域:通过射频磁控溅射技术可以制备高纯度的金属薄膜,用于制造电子元件。

例如,磁控溅射技术可以在集成电路制造中用于制备金属线路、金属散热片等关键部件。

4. 信息领域:射频磁控溅射技术可以制备高密度的磁性材料薄膜,用于制造硬盘、磁记录头等用于存储和读取信息的设备。

5. 医疗领域:射频磁控溅射技术可以制备抗菌薄膜、生物相容薄膜等用于医疗器械和医学器件的材料。

这些薄膜具有抑制细菌生长、提高医疗器械生物相容性等特性,使其在医疗领域具有广泛应用前景。

总结起来,山东射频磁控溅射技术是一种重要的薄膜沉积技术,广泛应用于光电、化学、电子、信息、医疗等领域。

磁控溅射的原理及应用

磁控溅射的原理及应用

磁控溅射的原理及应用1. 什么是磁控溅射磁控溅射是一种常用的薄膜沉积技术,通过利用磁场将材料原子或离子从靶材表面释放出来,形成一个薄膜层,沉积在基底表面上的一种方法。

这种方法可以在真空环境中进行,可以用于各种材料包括金属、合金、氧化物等。

2. 磁控溅射的原理磁控溅射的原理基于带电粒子在磁场中的运动规律。

溅射系统通常由一个靶材和一个基底组成,它们被放置在真空室中。

磁控溅射的过程包括以下几个步骤:1.靶材表面被离子轰击,其中的原子或离子被释放出来。

2.磁场控制离子在真空室中的运动轨迹。

3.基底表面上的原子或离子吸附并形成一个薄膜层。

这个过程中,磁场是十分重要的。

磁场会引导离子沿着特定的轨迹运动,使得离子沉积在基底的特定位置上。

磁场还可以控制离子的能量和方向,从而影响薄膜的性质和微结构。

3. 磁控溅射的应用磁控溅射是一种多功能的薄膜沉积技术,广泛应用于各种领域。

3.1 表面涂层磁控溅射可以用于向基底表面沉积各种薄膜层。

这些薄膜层可以具有不同的功能,如防腐、耐磨、导电等。

它们可以用于改善材料的性能和外观。

3.2 光学薄膜磁控溅射可以制备高质量的光学薄膜。

这些薄膜可以应用于光学器件,如镜片、滤光片、反射镜等。

因为磁控溅射是在真空环境中进行的,所以这些光学薄膜可以具有良好的光学性能。

3.3 金属薄膜磁控溅射可以制备金属薄膜。

这些薄膜可以具有高导电性和优良的机械性能,可用于电子器件、导电材料等领域。

3.4 磁性材料磁控溅射还可以制备磁性材料薄膜。

这些薄膜可以具有特定的磁性性能,如高矫顽力、高饱和磁感应强度等。

它们可以应用于磁存储器件、传感器等领域。

4. 总结磁控溅射是一种重要的薄膜沉积技术,通过利用磁场控制离子运动和沉积位置,可以制备各种功能薄膜。

它在表面涂层、光学薄膜、金属薄膜和磁性材料等领域有着广泛的应用。

磁控溅射技术的发展,为材料科学和工程领域提供了新的可能性,为各种应用提供了高性能的薄膜材料。

磁控溅射技术的原理及应用

磁控溅射技术的原理及应用

磁控溅射技术的原理及应用1. 磁控溅射技术简介磁控溅射技术是一种常用的薄膜沉积技术,通过将金属靶材溅射生成粒子或原子,在表面形成均匀且致密的薄膜覆盖层。

磁控溅射技术具有高效、环保、可控厚度等特点,广泛应用于材料科学、半导体制造、光学镀膜等领域。

2. 磁控溅射技术的原理磁控溅射技术基于电离溅射原理,通过磁场控制靶材离子的行为,使其垂直击打到靶材表面,从而产生溅射现象。

主要的原理包括以下几个方面:•靶材电离:在磁控溅射设备中,将靶材通电,使其产生离子。

电离的方式包括直流电离、射频电离等,通过电离可使靶材中的金属原子或粒子脱离束缚并形成等离子体。

•磁场控制:通过磁铁或电磁铁产生磁场,使得等离子体中的离子在磁场的作用下呈现螺旋轨道运动。

磁场对离子运动的控制可改变其飞行路径,使其垂直击打到靶材表面,并增加溅射效率。

•沉积膜形成:靶材表面被离子击打后,产生大量的金属原子或粒子,它们在靶材表面扩散并沉积形成均匀的薄膜。

溅射过程中的离子能量、离子束流密度等参数的调控可以影响薄膜的组成、结构和性能。

3. 磁控溅射技术的应用磁控溅射技术具有广泛的应用领域和潜力,主要包括以下几个方面:3.1 材料科学•薄膜制备:磁控溅射技术可以制备各种材料的薄膜,如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。

这些薄膜具有良好的致密性和附着力,在材料科学领域中起着重要作用。

•合金制备:通过磁控溅射技术,可以将两种或多种材料溅射在一起,制备出各种复合材料或合金。

这些合金具有独特的力学、电磁等性能,广泛应用于航空航天、汽车制造等领域。

3.2 半导体制造•集成电路制备:磁控溅射技术可以制备半导体材料的薄膜,作为集成电路的关键材料。

薄膜的制备过程中可以调控其成分和结构,从而改变其电学、光学等性能,满足集成电路的需求。

•光罩制备:在半导体工艺中,磁控溅射技术还可以制备光罩。

光罩是半导体制造中的重要工艺设备,用于制作集成电路的图案,对半导体工艺的精度和稳定性要求非常高。

磁控溅射技术在产业用纺织品涂层中的应用进展

磁控溅射技术在产业用纺织品涂层中的应用进展

磁控溅射技术在产业用纺织品涂层中的应 用进展
文 | 王高攀 张旺笋 孙以镁
摘要:磁控溅射作为一种环保的新型低温高速溅射技术,广泛应用于织物的涂层。文章介绍了织物金属化涂层
常用的方法,综述了磁控溅射技术在安全防护、医疗卫生、环境保护和电子工业等领域的研究进展,探讨了磁
控溅射技术目前存在的问题。研究认为,磁控溅射技术能有效地在织物表面进行金属化处理,赋予织物特殊性
1 产业用纺织品金属化涂层常用方法
产业用纺织品的金属化涂层方法很多,常用的有 金属涂层整理、电化学沉积、化学镀、物理气相沉积和 热喷熔。金属涂层整理是将金属粉末添加到整理剂中, 然后涂覆在织物表面达到涂层目的,其优点是操作简 单、成本较低,但是膜基结合性和耐洗性差。电化学沉 积是在电解液中通过电流产生化学反应,促使反应物逐 渐在阴极沉积达到涂层目的,其优点是生产成本低、工 艺简单、对基体形状无要求,缺点是电沉积过程难以控 制。化学镀是在镀膜过程中采用还原剂,通过化学反应 直接在基体表面沉积薄膜达到涂层目的,其优点是工序 简单、成本低,缺点是预处理阶段较为繁琐,且适用范 围有限,反应速度不可控,难以工业化。物理气相沉积 (PVD)是一种真空过程,基础是将涂层材料从源靶中 释放出来,并转移到涂层物体表面形成薄膜,如氧化铟 锡(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜,达到涂层目的。PVD 作为一种新型绿色的镀膜技术,具备化学性能稳定、耐 热耐氧化、对基材无损伤、能形成完整的膜等特点,其 可以采用电弧法、溅射法、真空蒸发法、阴极溅射法和 磁控溅射法,在对纺织材料进行涂层时,可以制备出具 有特殊性能的新材料,如导电和导热、过滤细菌和病毒 等的织物。磁控溅射属于PVD的一种,按照溅射方式可 分为直流溅射、射频溅射、反应溅射,多用于产业用纺 织品的金属化处理,可镀膜包括银(Ag)膜、铜(Cu) 膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜等。热喷熔是将欲喷涂的 物质热熔处理后,喷涂到基层材料上或进入基层材料内 部,形成一层沉积物达到涂层目的,其可在柔软的纺织 材料表面覆盖一层陶瓷或金属材质涂层,在阻燃、疏水 整理等织物功能化领域应用较为广泛。

磁控溅射技术进展及应用

磁控溅射技术进展及应用

摘要:近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。

随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。

本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。

关键词:磁控管溅射率非平衡磁控溅射闭合场非平衡磁控溅射自溅射引言磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多方面1~8,特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。

1852年Grove首次描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。

60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和广泛的应用。

磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用的领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段,并在最近十几年,发展出一系列新的溅射技术。

一、磁控溅射镀膜原理及其特点1.1、磁控溅射沉积镀膜机理磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来,解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。

磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置100~1000Gauss强力磁铁,真空室充入011~10Pa压力的惰性气体(Ar),作为气体放电的载体。

在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子,产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞,电离出大量的Ar+离子,与没有磁控管的结构的溅射相比,离化率迅速增加10~100倍,因此该区域内等离子体密度很高。

磁控溅射在生活中的应用

磁控溅射在生活中的应用

磁控溅射在生活中的应用磁控溅射是一种常见的物理气相沉积技术,它利用磁场控制离子在溅射目标表面的运动,从而获得高质量、均匀薄膜。

该技术在生活中有广泛的应用,包括电子产品、能源领域、光学薄膜和功能材料等方面。

首先,磁控溅射在电子产品制造行业中广泛应用。

如在平板电视、显示器和电子触摸屏等设备制造中,通过通过磁控溅射技术制备薄膜层,可以大幅提高显示屏的图像质量、色彩鲜艳度和对比度。

此外,磁控溅射还用于半导体器件的制备,如制造场效应管(FET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等,以提高其导电性能和稳定性。

其次,磁控溅射在能源领域有重要的应用。

例如,太阳能光伏电池是一种重要的可再生能源,在制备太阳能电池过程中,磁控溅射技术被广泛应用于镀膜层的制备。

这些镀膜层可以提供保护、反射和增透等功能,提高太阳能电池的光吸收效率和电池的转换效率。

此外,由于磁控溅射技术可以实现高质量、高纯度的薄膜制备,因此在光学领域中也得到广泛应用。

例如,光学镀膜是制备各种光学器件的关键步骤。

通过磁控溅射技术制备的光学镀膜能够提供优秀的反射、透过和滤波等功能,用于制作光学仪器、激光设备、光学滤光片等,提高光学器件的性能和稳定性。

此外,磁控溅射技术在功能材料制备中也有广泛的应用。

例如,金属、合金和陶瓷等材料在制备过程中需要进行表面改性或涂层保护。

通过磁控溅射技术,可以在材料表面形成均匀、致密的涂层,提高材料的抗腐蚀性能、耐磨性和耐高温性能。

此外,磁控溅射技术还被应用于纳米材料的制备,如纳米粒子、纳米线和薄膜的制备,用于研究纳米材料的特性和开发新型纳米材料的应用。

综上所述,磁控溅射技术在生活中有广泛的应用。

它在电子产品、能源领域、光学薄膜和功能材料制备等方面发挥着重要作用。

通过磁控溅射技术制备的薄膜层具有高质量、均匀性好等特点,能够提高相关产品的性能和功能。

随着科技的进步和创新,磁控溅射技术将继续在各个领域中得到广泛应用,并且不断推动相关技术和产品的发展。

磁控溅射技术及其应用

磁控溅射技术及其应用




三、磁控溅射镀膜技术发展
3、反应磁控溅射技术
• 靶中毒:迟滞现象使反应气体与靶材作用生成的化合物覆盖在靶材表面,积 累大量的正电荷无法中和,在靶材表面建立越来越高的正电位,阴极位降区 的电位随之降低,最终阴极位降区电位降减小到零,放电熄灭,溅射停止, 这种现象称为靶中毒。 • 打弧:当靶材表面化合物层电位足够高时,进而发生击穿,巨大的电流流过 击穿点,形成弧光放电,导致局部靶面瞬间被加热到很高的温度,发生喷射
可以制备成靶材。磁控溅射镀膜在相互垂直的磁场和电场的双重作用
下,沉积速度快,膜层致密且与基片附着性好,非常适合于大批量且高 效率的工业化生产。
二、磁控溅射镀膜技术原理
2、磁控溅射技术
• 磁控溅射的工作原理是在辉光放电 的两极之间引入磁场,电子受电场 加速作用的同时受到磁场的束缚作 用,运动轨迹成摆线,增加了电子
三、磁控溅射镀膜技术发展
5、脉冲磁控溅射技术
• 脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源
代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲
磁控溅射技术可以有效的抑制电弧产生进而 消除由此产生的薄膜缺陷,同时可以提高溅 射沉积速率,降低沉积温度等一系列显著优
点。
• 脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。双向脉冲 在一个周期内存在正电压和负电压两个阶段 ,在负电压段,电源工作于靶材的溅射,正
射的同时,阳极靶完成表面清洁,
如此周期性地变换磁控靶极性,就 产生了“自清洁”效应。
四、磁控溅射镀膜技术的发展
6、磁控溅射新发展

高速溅射:高速溅射能够实现高速率沉积,可以缩短溅射镀膜的时间,提高 工业生产的效率;有可能替代目前对环境有污染的电镀工艺。

自溅射:当溅射率非常高,以至于在完全没有惰性气体的情况下也能维持放 电,即是仅用离化的被溅射材料的蒸汽来维持放电,这种磁控溅射被称为自 溅射。被溅射材料的离子化以及减少甚至取消惰性气体,会明显地影响薄膜 形成的机制,加强沉积薄膜过程中合金化和化合物形成中的化学反应。由此 可能制备出新的薄膜材料,发展新的溅射技术,例如在深孔底部自溅射沉积 薄膜。

磁控溅射镀膜技术的研究进展

磁控溅射镀膜技术的研究进展

磁控溅射镀膜技术的研究进展磁控溅射镀膜技术是一种常见的表面处理技术,它可以在各种基材表面制备出具有特殊性能的薄膜层。

随着技术的不断发展,在材料的选择、制备工艺、表面状态分析等方面都有所进步,使得磁控溅射镀膜技术在科学研究和实际应用中发挥着重要作用。

一、磁控溅射镀膜技术的基本原理磁控溅射镀膜技术基于靶材发射金属离子的原理,通过高能离子轰击固体靶材表面,使得金属离子从靶材表面脱离并沉积在基材表面上,从而形成具有一定厚度和化学组成的功能性膜层。

这种技术的独特之处在于可以通过控制靶材的化学成分和溅射工艺参数来调控薄膜层的结构和性能。

其中,靶材的化学成分直接影响薄膜层的组成,而溅射工艺参数如气压、功率、溅射气体种类和气体流量等则直接影响溅射速率和膜层的质量。

二、材料选择与制备工艺磁控溅射镀膜技术广泛用于各种材料的制备,包括金属、合金、氧化物、硅类材料以及半导体材料等。

对于不同的材料,其制备工艺也有所不同。

金属材料通常采用单一金属靶材或合金靶材进行制备,而合金靶材的组成比例可以通过调整靶材的制备工艺来实现。

氧化物材料则需要先将靶材还原成金属或合金形态,然后利用气氛调节技术调节气氛中氧气含量来制备氧化物膜层。

在制备工艺方面,需要进行适当的气氛调节和工艺优化。

例如,在制备合金材料时,需要考虑合金靶材的制备过程中的变形问题,找到合适的制备参数来保证靶材的均匀溅射和膜层的均匀沉积。

三、表面状态分析磁控溅射镀膜技术制备出的膜层常常需要通过表面状态分析来控制其性能,最常用的分析方法是X射线衍射和扫描电镜技术。

X射线衍射技术可以用于分析膜层的结晶性、晶格参数和晶胞结构等信息,从而定量描述膜层的结构和性能。

而扫描电镜技术则可以提供更丰富和直观的表面形貌信息,包括表面粗糙度、形貌变化和结构特征等。

此外,还有一些其他的表面分析技术如原子力显微镜、能量散射光谱和X射线光电子能谱等,可以用于全面分析膜层的属性和性能。

四、应用前景磁控溅射镀膜技术在各种领域都得到了广泛应用,在新能源、医疗、航空航天等高科技产业中有着重要的地位。

磁控溅射原理与应用

磁控溅射原理与应用

磁控溅射设备的主要用途
(1)各种功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏 光等作用的薄膜。例如,低温沉积氮化硅减反射膜,以提高 太阳能电池的光电转换效率。
(2)装饰领域的应用,如各种全反射膜及半透明膜等,如 手机外壳,鼠标等。
技术分类
技术分类 磁控溅射在技术上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁 控溅射、射频(RF)磁控溅射
原理
磁控溅射镀膜是指将涂层材料 做为靶阴极,利用氩离子轰击 靶材,产生阴极溅射,把靶材 原子溅射到工件上形成沉积层 的一种镀膜技术。
原理示意图
溅射技术------直流溅射法
直流溅射法 直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷
传递给与其紧密接触的阴极,从而该方法只能溅射导体材料, 不适于绝缘材料,因为轰击绝缘靶材时表面的离子电荷无法 中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上, 两极间的离子加速与电离的机会将变小,甚至不能电离,导 致不能连续放电甚至放电停止,溅射停止。故对于绝缘靶材 或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法(RF
溅射技术----溅射镀膜
溅射镀膜 溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击
出的粒子沉积在基片上的技术。通常,利用低压惰性气体辉 光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为 阳极,真空室中通入的氩气或其它惰性气体,在阴极(靶) 1-3KV直流负高压或的射频电压作用下产生辉光放电。电离 出的氩离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上, 形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅 射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交 流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。
实验结果
通过试验及对结果的分析得出以下结论,在其他参数不变的 情况下,沉积率先增大后减小,在某一个最佳工作气压下, 有一个最大沉积率!!!

磁控溅射技术进展及应用-下

磁控溅射技术进展及应用-下

3硅基发光研究项目得到国家自然科学基金委员会光电重大计划重点项目90201037资助磁控溅射技术进展及应用(下)3徐万劲(北京大学物理学院 北京 100871)摘 要 近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。

随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。

本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。

关键词 磁控管 溅射率 非平衡磁控溅射 闭合场非平衡磁控溅射 自溅射213 直流溅射(DC Magnetron Sputtering )、射频溅射(RF Magnetron Sputtering )、脉冲溅射(Pulsed Magnetron Sputtering )和中频溅射(Medium Fre 2quency Magnetron Sputtering )直流溅射和射频溅射(f =13156MH z )是很早就开始应用的溅射技术,在二极溅射系统中已经被采用,直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中,其工艺设备简单,有较高的溅射速率。

而对陶瓷等介质材料靶,则只能采用射频磁控溅射方法沉积薄膜,射频磁控溅射方法能对任何材料包括各种导体、半导体和绝缘介质进行溅射镀膜。

直流反应溅射则可以使用导体及高掺杂半导体材料作为靶材,沉积介质薄膜,有较高的溅射速率。

但是反应溅射沉积介质薄膜过程中,通常会出现阳极消失、阴极中毒、放电打弧问题,破坏了等离子体的稳定性,使沉积速率发生变化,导致溅射过程难以控制,限制直流反应磁控溅射技术在介质膜的应用。

近几年来发展起来的脉冲溅射和中频溅射技术可以在反应溅射绝缘介质薄膜的过程中,释放靶表面积累的电荷、防止放电打弧的现象,并具有溅射速率快、沉积速率高等优点。

脉冲磁控溅射(10~350kH z )已经成为公认的作为绝缘材料沉积的优选的工艺过程2,33,该技术使用的脉冲电源输出电压波形是非对称的双极性脉冲(见图8),脉冲电源的正向脉冲对于释放靶表面的积聚的电荷、防止打弧是有效的,脉冲工作方式在沉积中提供稳定无弧的工作状态。

磁控溅射的原理和应用

磁控溅射的原理和应用

磁控溅射的原理和应用1. 概述磁控溅射是一种常用的薄膜制备技术,通过在真空环境下利用磁控电弧放电,在靶材表面产生等离子体并溅射到基底表面,形成薄膜覆盖层。

本文将介绍磁控溅射的原理和应用。

2. 原理磁控溅射的原理基于磁控电弧放电和溅射现象。

2.1 磁控电弧放电磁控电弧放电是利用磁场将电弧限制在靶材表面的一种放电方式。

它通过施加磁场,使电子在磁场力的作用下做螺旋状的运动,从而形成长度较长的电弧,能够保持稳定的放电状态。

2.2 溅射现象溅射现象是指在电弧放电过程中,高速冲击电子将靶材表面的原子或分子击出,并以原子或离子的形式沉积在基底表面。

这种溅射现象是磁控溅射薄膜制备的基础。

3. 设备和工艺3.1 设备磁控溅射设备主要由真空腔体、靶材、基底台、磁场系统、电极和电源等组成。

真空腔体用于提供真空环境,靶材是溅射源,基底台用于支撑待溅射的基底材料。

3.2 工艺磁控溅射工艺包括电弧放电、离子热化、溅射和沉积等步骤。

首先,通过施加适当的电流和电压,在靶材上形成电弧放电;然后,通过引入反离子束进行离子热化,使靶材表面清洁;接下来,激活靶材表面的原子或离子开始溅射;最后,溅射的原子或离子在基底表面沉积,形成薄膜层。

4. 应用磁控溅射技术在各个领域都有广泛的应用,如下所示:•光学薄膜:磁控溅射技术可用于制备光学薄膜,如反射镜、透镜等。

通过控制溅射参数和靶材的选择,可以调控薄膜的光学性能。

•电子元器件:磁控溅射技术可用于制备电子元器件的金属导电层或绝缘层。

这些薄膜可以提供电子元器件的功能和保护。

•太阳能电池:磁控溅射技术可用于制备太阳能电池的薄膜层。

这些薄膜层可以提高太阳能电池的光吸收和电子传输效率。

•防护涂层:磁控溅射技术可用于制备具有防护功能的涂层。

这些涂层可以提供对外界环境的防腐、防蚀等保护。

5. 总结磁控溅射是一种重要的薄膜制备技术,其原理基于磁控电弧放电和溅射现象。

通过磁控溅射技术,可以制备具有不同性质的薄膜,并在光学、电子、能源等领域得到广泛应用。

磁控溅射技术新进展及应用

磁控溅射技术新进展及应用

吣芍‘材料导报2004年4月第18卷第4期—————————————————————————————————————————————————————一一一5·5磁控溅射技术(Ms)与其它成膜技术相结合磁控溅射技术以其设备简单、沉积速率高等特点而被广泛应用。

但是在一些应用中,如利用反应磁控溅射法制备化合物薄膜要求薄膜的覆盖性较好、原子配比接近于化学配比时,需要在低气压下得到高密度的等离子体;另外,还要求在溅射过程中,用低能离子对薄膜表面的轰击得到致密性好、应力小的薄膜。

这就要求在基体表面区域溅射出的原子和本底气体原子的碰撞频率减小,从而获得更好的方向性和较高的能量。

为此,在磁控溅射系统的基础上增加电离源,如离子束源、射频等离子体源、微波等离子体源等。

因电子回旋共振微波等离子体能在较低的气压(约为10。

Pa)下工作而受到研究者的重视。

Y.Yoshida应用该技术,在垂10cm范围内制备出的Cu薄膜均匀性为士4.5%(基底与靶的距离为5cm,工作气体为Ar,气压P一8×10。

Pa,直流溅射功率为100w,微波功率为800w)[z“”]。

徐军用类似的方法制备出了p—C。

N。

薄膜,x射线光电子能谱(xPs)的分析结果为c:N:o=44.6:54.2:1.2,C:N=3.2:4,接近于化学配比C;N=3;4[2“。

该技术也在x—Ray掩膜制作、刀具硬化和类金刚石薄膜制备等方面得到应用‘25”]。

_·I·_-一基片密封玻璃圈6微波等离子体增强磁控溅射技术示意圈4国内外利用磁控溅射技术在多层膜和混合膜制备方面的研究(举例)在核靶制备方面,我们最关心的是多层膜和混合膜,所以下面就国内外利用磁控溅射技术在多层膜和混合膜制备方面的研究做个别简介。

4.1多层膜李戈扬等采用多靶磁控溅射技术,以氩气为工作气体(P=o.4Pa),在单晶硅片上沉积出了W/SiC纳米多层膜。

TEM、xRD测量结果表明,调制周期的测量值A=11.4nm与设计值A;10.4nm比较接近,界面清晰,周期性好【2引。

磁控溅射薄膜制备技术的研究进展

磁控溅射薄膜制备技术的研究进展

磁控溅射薄膜制备技术的研究进展随着科技的不断提高和社会的发展,人们对于不同材质和物质的需求也越来越多,其中,薄膜材料制备技术的研究和应用越来越受到人们的关注。

其中,磁控溅射技术是一种非常重要的薄膜制备技术。

本文将会从磁控溅射技术的基础知识开始阐述,然后介绍其在制备薄膜材料方面的应用,包括其在光伏电池、涂层和微电子等领域的应用,同时还会介绍目前该技术的研究进展。

一、磁控溅射技术基础知识磁控溅射技术是一种常用的制备薄膜材料的方法,其工作原理是利用磁场将气体离子化,并用电极收集,在室温下制备有序、均匀和具有特殊性能的薄膜材料。

磁控溅射技术的主要设备包括:磁控溅射源、漩涡感应加热装置、真空泵、控制系统等。

在磁控溅射过程中,首先是将具体材料制成靶材,然后在真空状态下,用磁控溅射源将靶材表面击打,并利用惯性力和离子轰击将靶材表面的材料剥离,并在基底材料表面沉积。

在这个过程中,靶材和基底材料之间需要维持一定的面积距离,这个距离通常被称为工艺距离。

二、磁控溅射在制备薄膜材料中的应用1. 光伏电池磁控溅射技术在制备光伏电池方面具有很大的优势,由于制备过程简单、成本低,而且可制成高效的薄膜太阳能电池。

其中,硅薄膜太阳能电池和铜铟镓硒太阳能电池都是由磁控溅射技术制备而成。

2. 涂层利用磁控溅射技术可以制备出高质量的涂层,比如氟碳树鄂聚合物、氮化钛等,这些涂层在汽车行业、航空航天领域和建筑等重要领域中具有广泛的应用。

3. 微电子利用磁控溅射技术可以实现微电子器件的制作,比如制备磁性材料、超导材料、非晶硅等,这些材料在微电子制造领域中具有广泛的应用。

三、磁控溅射技术的研究进展1. 强化膜金属纳米颗粒的制备强化膜金属纳米颗粒是一种新型的材料,可以在催化反应、生物传感和能量转换等领域中应用。

磁控溅射技术可用于合成含有金属纳米颗粒的强化膜材料,具有控制尺寸、形状和分布的优势,对于设计高性能的材料具有很大的潜力。

2. 超薄金属的制备磁控溅射技术可以制备出超薄的金属薄膜,由于其良好的导电性和导热性能,可以应用于微电子和材料科学领域。

磁控溅射介绍

磁控溅射介绍

在玻璃上贴膜,这种膜的透光性非常高,以至于 看不出有任何改变,就能达到夏季隔热、冬季保 温、居住安全的目的。

在光学存储领域,光盘存储自推出以来技术不断更新, 磁控溅射也从镀制CD2ROM的Al及CD2R的Au或Ag 的光反射层,到CD2RW中镀制ZnS2SiO2/GeSbTe(或 AgInSbTe)/ZnS2SiO2/Al多层结构光记录媒介膜。 目前随着对光存储的需求大幅度的增加,磁控溅射在 光学存储领域将发挥更大的作用
磁控溅射镀膜技术 的发展和应用
刘永
随着材料科学的发展,近年来薄膜材料作为一种重 要的分支从过去体材料一统天下的局面脱颖而出。如 过去需要纵多体材料组合才能实现的功能,现在仅需 几块电路板或一块集成电路板就能完成。薄膜技术将 各种不同的材料灵活的复合在一起,具有异特性的复 杂材料体系,发挥每种材料各自的优势,避免优单一 材料局限性。薄膜的应用越来越广,因此薄膜的制备 研究非常重要。 薄膜的制备方法有物理、化学法。物理法指在真空 下,采用各种物理方法将固态镀膜材料转化为原子、 分子或离子的气相物质后再沉积于基体表面,从而形 成固体薄膜的一类薄膜制备方法。由于粒子发射可以 采用不同的方式,因而物理气相沉积技术可以呈现出 不同的形式,主要有 真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子 镀膜,束流沉积等几种形式。
磁控溅射::
磁控溅射的优点 :
a)
b)
c)
d)
由于电子运动路径大大延长,显著提高阴极位降区 的电子密度,所以使溅射气压降低,且降低了薄膜 污染的可能性; 电子运动路径变长,Ar原子电离率增大,溅射速率 高 电子只有能量耗尽时才运动到基片,基片温度升高 不大,可以减少衬底损伤,降低沉积温度; 易实现在塑料等衬底上的薄膜低温沉积射和自溅射技术因其具 备很大的潜力而被业界所重视。究其原因就是高速 率溅射和自溅射中,其溅射材料具有较高的离化率; 溅射材料的大量电离可以减少,甚至消除对惰性气 体的需求,从而大大改善了沉积膜层的结构:可以 大大缩短薄膜形成的时间,从而提高工业应用的效 率。 在高速率溅射系统中如果不存在惰性气体,就 称为自溅射。自溅射过程中由于没有惰性气体的参 与,在 很大程度上影响了膜层的生长过程以及其结 构成分;并且在制取合金或混 合物薄膜时,自溅射 还可以促进溅射 粒子化学反应的进行。

国外磁控溅射技术发展现状

国外磁控溅射技术发展现状

国外磁控溅射技术发展现状
磁控溅射是一种物理气相沉积(PVD)技术,主要应用在薄膜制备领域。

其发展现状如下:20世纪70年代,磁控溅射技术被开发问世,由于是一种高速、低温、低损伤镀膜技术,其应用领域快速扩大。

磁控溅射包括直流磁控溅射、射频磁控溅射两种方法,其主要特点包括:成膜速率高,膜制备速度快;衬底温度要求低,可对不耐高温衬底进行镀膜;膜附着能力强,可大面积镀膜;保持源材料成分,薄膜均匀性好、致密性高;设备简单,易于控制;对环境无污染等。

磁控溅射可用来制备具有吸收、透射、反射、折射、偏光等功能的薄膜,用于光电子器件领域;可利用金属氧化物、半导体、绝缘体等材料制备薄膜,用于微电子器件、超导体领域;可制备超硬膜、自润滑膜、功能膜等产品,用作表面涂层,应用在机械加工领域。

在全球范围内,磁控溅射镀膜设备相关生产商主要有日本JX日矿日石金属、日本东曹、日本日立金属、日本三井金属、比利时优美科Umicore等。

日本磁控溅射镀膜设备生产实力强,在全球市场中处于主导地位。

磁控溅射工艺用处

磁控溅射工艺用处

磁控溅射工艺用处
磁控溅射是一种物理气相沉积技术,它利用磁场控制等离子体中的电子运动,使其在靶材表面产生溅射效应,从而将靶材原子或分子沉积到基材表面形成薄膜。

这种工艺具有许多优点,例如:
1. 制备的薄膜具有高纯度、高密度、高附着力和良好的结晶性能。

2. 可以在低温下进行,避免了高温对基材的损伤。

3. 可以控制薄膜的厚度、组成和结构,实现对薄膜性能的精确调控。

4. 适用于制备各种材料的薄膜,如金属、合金、半导体、氧化物等。

因此,磁控溅射工艺被广泛应用于许多领域,例如:
1. 电子学:用于制备集成电路、半导体器件、太阳能电池等。

2. 光学:用于制备光学薄膜、反射镜、滤光片等。

3. 机械工程:用于制备耐磨涂层、防腐涂层、超导材料等。

4. 生物医学:用于制备生物传感器、药物释放系统等。

总的来说,磁控溅射工艺是一种非常重要的薄膜制备技术,它的应用领域非常广泛,对于现代科技的发展起到了重要的推动作用。

磁控溅射技术原理、现状、发展及应用实例

磁控溅射技术原理、现状、发展及应用实例

磁控溅射技术原理、现状、发展及应用实例(薄膜物理大作业论文)班级:1035101班学号:1101900508姓名:孙静一、前言镀膜玻璃是一种在玻璃表面上镀一层或多层金属氧化物薄膜,使其具有一种或多种功能的玻璃深加工产品。

自七十年代开始,在世界发达国家和地区,传统的单一采光材料—普通建气琳璃,已逐步为具有节能、控光、调温、改变墙体结构以及具有艺术装饰效果的多功能玻璃新产品所替代,如茶色玻璃、中空玻璃、镀膜玻璃等,其中又以镀膜玻璃尤汐引人注目,发展也颇为迅速,如欧洲共同体国家在1985年建筑玻璃总量的三分之二用的是镀膜玻璃,美国镀膜玻璃的市场在八十年代就已达5000万平方米/年,在香港、新加坡、台湾等经济崛起的东南亚国家和地区,镀膜玻璃的使用也日渐盛行。

镀膜玻璃作为一种新型的建筑装饰材料已得到了人们普遍的肯定和喜爱。

目前生产镀膜玻璃所采用的方法大体上可分为浸渍法、化学气相沉积法、真空蒸发法、磁控溅射法以及在线镀膜等五种方法。

浸渍法是将玻璃浸人盛有金属有机化合物溶液的槽中,取出后送人炉中加热,去除有机物,从而形成了金属氧化物膜层。

由于浸渍法使玻璃两边涂膜,且低边部膜层较厚,同时可供水解盐类不多,因而在国内未得到很好推广。

化学气相沉积法是将金属化合物加热成蒸汽状,然后涂到加热后的玻璃表面上。

这种方法由于受到所镀物质的限制,且在大板上也难真空蒸发法是在真空条件下,通过电加热使镀膜材料蒸发,由固相转化为气相,从而沉积在玻璃表面上,形成稳定的薄膜。

此法的不足之处是所镀膜层不太均匀、有疵点、易脱落。

只能生产单层金属镀膜玻璃,颜色也难以控制。

磁控溅射法是在真空条件下电离惰性气休,气体离子在电场的作用下,轰击金属靶材使金属原子沉积到玻璃表面上。

在线镀膜一般是在浮法玻璃生产线上进行,如电浮法、热喷涂等方法,目前我国较少使用。

在这些方法中,磁控溅射镀膜法是七十年代末期发展起来的一种先进的工艺方法,它的膜层由多层金属或金属氧化层组成,允许任意调节能量通过率、能量反射率,具有良好的外观美学效果,它克服了其它几种生产方法存在的一些缺点,因而目前国际上广泛采用这一方法。

磁控溅射技术的原理及应用

磁控溅射技术的原理及应用

磁控溅射技术的原理及应用磁控溅射技术是一种非常重要的材料加工技术,它在现代工业制造领域中被广泛应用。

磁控溅射技术的原理比较复杂,需要结合物理学知识和材料科学知识才能够深入理解。

下面,我们将从原理、应用和优缺点等方面来分析磁控溅射技术。

一、磁控溅射技术的原理磁控溅射技术的核心原理是,在高真空下,利用离子轰击的原理使靶材表面的原子或分子离开,形成高速运动的原子团,然后以高速度击打到所需要涂覆的材料表面,与另一组原子或分子相碰撞,并沉积成薄膜层。

磁控溅射技术的溅射源主要由靶材、基底和磁场组成。

当高纯度的气体在真空室内电离后,离子会在靶材表面束缚,形成一个带正电荷的等离子体潮流,进入强磁场的作用下,靶材上的非离子原子或分子就会沿用聚变的道理抛射出去,进而形成一个离子束,成为靶材的溅射。

当基底和溅射源靶材相对静止时,基底上的沉积物层就会开始形成。

因此,在磁控溅射技术中,溅射过程控制好磁场强度和靶材等离子体激发能量是非常重要的。

二、磁控溅射技术的应用磁控溅射技术的应用范围非常广泛,主要应用在金属、合金、半导体材料的表面修饰和通过涂层改善材料表面性能来达到特殊的功能和应用。

涂层厚度可从几纳米到数百纳米改变。

(1) 太阳能光伏在太阳能光伏中,磁控溅射技术被广泛应用。

可以通过沉积一层光谱选择层来增加光吸收,在应用中产生光电性能提高,并延长光电池的寿命。

此外,磁控溅射技术制备的透明导电电极,可以大幅提高太阳能电池的效率和环保性能。

(2) 光学加工磁控溅射技术用于光学加工领域。

可以制备一种极细的金属纤维单丝,这种金属纤维单丝可以做为微型光学的部件,如光纤中介面。

纤维自身具有一定的弯曲、拉伸和扭曲能力,便于融合和加工成三维微机械结构,做成微型光学元件、微型透镜和扫描电子显微镜等。

(3) 电子和半导体技术磁控溅射技术可以制备各种电子和半导体材料,例如氧化物、铜铝金属等等。

在半导体器件和电子元件中使用磁控溅射技术,可以获得高精度和超薄膜的电池、LED、CRT以及开关电源等电子元件。

磁控溅射技术及其应用.pptx

磁控溅射技术及其应用.pptx
• 在确定的工作场强下,频率越高,等离子体中正离子被加速的时间越短, 正离子从外电场吸收的能量就越少,轰击靶时的能量就越低,溅射速率 就会下降,因此为了维持较高的溅射速度,中频反应溅射电源的频率一 般为10~80HZ
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三、磁控溅射镀膜技术发展
4、中频磁控溅射技术
中频磁控溅射常同时溅射两个靶,并排配置的两个靶的尺寸与外形完全相 同,通常称为孪生靶如图所示,在溅射过程中,两个靶周期性轮流作为阴极和 阳极,既抑制了靶面打火,而且消除普通直流反应溅射是阳极消失现象,使溅 射过程得以稳定进行。
• 打弧:当靶材表面化合物层电位足够高时,进而发生击穿,巨大的电流 流过击穿点,形成弧光放电,导致局部靶面瞬间被加热到很高的温度, 发生喷射出现“打弧”现象。
• 靶中毒和打弧导致了溅射沉积的不稳定,缩短了靶材的使用寿命! • 解决办法:最为有效解决直流反应溅射靶中毒和打弧问题的方式是改变
溅射电源,如采用射频,中频脉冲电源。
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二、磁控溅射镀膜技术原理
2、磁控溅射技术
• 磁控溅射技术是为了提高成膜速率在直流二级溅射镀膜基础上发 展起来的,在靶材表面建立与电场正交的磁场,氩气电离率从 0.3%~0.5%提高到了5%~6%,解决了溅射镀膜沉积速率低的问题, 是目前工业上精密镀膜的主要方法之一。
• 磁控溅射阴极靶材的原料很广,几乎所有金属、合金以及陶瓷材料 都可以制备成靶材。磁控溅射镀膜在相互垂直的磁场和电场的双 重作用下,沉积速度快,膜层致密且与基片附着性好,非常适合于大 批量且高效率的工业化生产。
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三、磁控溅射镀膜技术发展
3、反应磁控溅射技术
•随 着 表 面 工 程 技 术 的 发 展 , 越 来 越 多 地 用 到 各 种 化 合 物 薄 膜 材 料 。 可 以 直 接使用化合物材料制作的靶材通过溅射来制备化合物薄膜,也可在溅射金 属或合金靶材时, 通入一定的反应气体,通过发生化学反应制备化合物薄 膜,后者被称为反应磁控溅射。 •一 般 来 说 纯 金 属 作 为 靶 材 和 气 体 反 应 较 容 易 得 到 高 质 量 的 化 合 物 薄 膜 , 因 而大多数化合物薄膜是用纯金属为靶材的反应溅磁控射来制备的。 •在 沉 积 介 电 材 料 或 绝 缘 材 料 化 合 物 薄 膜 的 反 应 磁 控 溅 射 时 , 容 易 出 现 迟 滞 现象。
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摘要:近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。

随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。

本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。

关键词:磁控管溅射率非平衡磁控溅射闭合场非平衡磁控溅射自溅射引言磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被普遍和成功地应用于许多方面1~8,特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。

1852年Grove首次描述溅射这种物理现象,20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展。

60年代后随着半导体工业的迅速崛起,这种技术在集成电路生产工艺中,用于沉积集成电路中晶体管的金属电极层,才真正得以普及和广泛的应用。

磁控溅射技术出现和发展,以及80年代用于制作CD的反射层之后,磁控溅射技术应用的领域得到极大地扩展,逐步成为制造许多产品的一种常用手段,并在最近十几年,发展出一系列新的溅射技术。

一、磁控溅射镀膜原理及其特点1.1、磁控溅射沉积镀膜机理磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来,解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。

磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置100~1000Gauss强力磁铁,真空室充入011~10Pa压力的惰性气体(Ar),作为气体放电的载体。

在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子,产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞,电离出大量的Ar+离子,与没有磁控管的结构的溅射相比,离化率迅速增加10~100倍,因此该区域内等离子体密度很高。

经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,最终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。

而Ar+离子在高压电场加速作用下,与靶材的撞击并释放出能量,导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动能而脱离原晶格束缚,呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片,并在基片上沉积形成薄膜。

溅射系统沉积镀膜粒子能量通常为1~10eV,溅射镀膜理论密度可达98%。

比较蒸镀011~1eV的粒子能量和95%的镀膜理论密度而言,溅镀薄膜的性质、牢固度都比热蒸发和电子束蒸发薄膜好。

磁控管中阴极和磁体的结构直接影响溅射镀膜的性能,因此根据磁控溅射应用要求,发展出各种不同结构和可变磁场的阴极磁控管,以改善和提高薄膜的质量和靶材的利用率。

1.2、磁控溅射的特点磁控溅射技术得以广泛的应用,是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的。

其特点可归纳为:可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料,包括各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质,尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜;在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜;在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;控制真空室中的气压、溅射功率,基本上可获得稳定的沉积速率,通过精确地控制溅射镀膜时间,容易获得均匀的高精度的膜厚,且重复性好;溅射粒子几乎不受重力影响,靶材与基片位置可自由安排;基片与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上,且由于溅射粒子带有高能量,在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜,同时高能量使基片只要较低的温度即可得到结晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生产厚度10nm以下的极薄连续膜。

磁控溅射的靶材利用率一直是个问题,由于靶源磁场磁力线分布呈圆周形状,在靶表面的一个环形区域内,靶材被消蚀成一个深的沟,这种靶材的非均匀消耗,造成靶材的利用率较低。

实际应用中,圆形的平面阴极靶,靶材的利用率通常小于50%。

通过磁场的优化设计可提高靶材的利用率,特定的条件下,一些厂商磁控管的靶材利用率可以超过70%。

另外,旋转靶材的利用率较高,一般可达到70%~80%以上。

二、磁控溅射技术进展2.1、传统磁控溅射或平衡磁控溅射、非平衡磁控溅射在平衡磁控溅射(Balanced Magnetron Sputtering)中,阴极磁控管有一个紧密的限制磁场,所以磁力线在靶的表面保持闭合,等离子体被强烈地限制在靶表面附近,被限制的高密度等离子体存在从靶表面向外延伸大约60mm的区域之中。

在沉积薄膜的过程中,基片放置于高密度等离子体离子轰击区域之外,电子和离子撞击基片的机会很少,粒子流的密度(ICD)<1mA/cm2,这种平衡磁控溅射基片维持较冷的状态,同时由于没有足够的离子轰击以改变沉积薄膜的微结构,因此,难以沉积出大面积结构致密、附着坚固的高质量薄膜。

对于放置于等离子体离子轰击区域中的基片,由于离子对基片的轰击,将强烈地改变最终薄膜的结构和性质,由此发展出非平衡磁控溅射技术(Un2balanced Magnetron Sputtering)。

平衡和非平衡磁控溅射的差异在于对等离子体的限制程度不同,非平衡磁控管的特点是有一个较弱的限制磁场,在真空室中磁力线从靶表面延伸出来,在靶的表面区域磁场对电子和粒子的限制相对较弱,因而粒子中的电子很容易地达到基片上,粒子流的密度(ICD)增加到2~10mA/cm2,等离子体的区域也扩展到基片的表面。

造成基片附近有较高的电子密度,撞击加热基片到较高的温度,并且提供电离的机制,上述两点对于特殊薄膜的形成有重要的作用。

非平衡磁控溅射技术的运用,使平衡磁控溅射遇到的沉积致密、成分复杂的薄膜的问题得以解决,并且由此发展出各种多靶磁控溅射系统。

多靶非平衡磁控溅射根据非平衡磁控管放置的方式,可以分成相邻磁控管磁极相反的闭合磁场非平衡磁控溅射和磁极相同的镜像磁场非平衡磁控溅射两种,显示在不同靶与基片的间距下单靶、闭合磁场和镜像磁场磁控溅射的溅射率,由于镜像磁场方式不能有效的束缚电子,因而等离子体的溅射率与单个阴极靶相当,并未得到提高。

而闭合磁场结构放置,有效的束缚电子,大幅度提高溅射率。

闭合场磁场磁控管放电的等离子体是被限制在两个靶之间,而镜像磁场磁控管放电的等离子体是分离的,并且是相斥的,这使镜像磁场磁控溅射可以沉积大面积较薄的膜层。

实验也表明在过渡模式下反应溅射透明氧化物TiO2,镜像磁场磁控溅射的溅射速率为2615 nm/min,比闭合磁场磁控溅射的速率3115 nm/min低。

由于闭合场非平衡磁控溅射系统可以产生非常理想的离子沉积环境,因此可以生产出高密度、高强度、与基片结合性能极其优秀的薄膜,这项技术的沉积镀膜系统具有两个或两个以上的非平衡场磁控管,依靠这些磁控管组合所产生的闭合场来有效的增加镀膜过程中的等离子体密度,提高溅射的速率,改进薄膜质量。

系统包括以下基本形式:两个相邻磁极相反的磁控管并排排列方式、两个相邻磁极相反的磁控管面对面排列方式、四个相邻磁极极性相反的磁控管对称排列方式等几种形式。

闭合场非平衡磁控溅射技术目前被应用在切削刀具上镀超硬膜、自润滑膜;建筑、汽车镀膜玻璃和电子工业中的透明导电玻璃的生产中。

2.2、反应溅射(Reactive Magnetron Sputtering),共溅射(Co2sputtering)沉积多元成分的合金及化合物薄膜,可以使用合金及化合物材料制作的靶材,直接进行溅射沉积。

另外常采用反应溅射和共溅射技术,沉积含有多元成分的化合物、混合物及合金材料薄膜。

相对于采用化合物靶材的溅射方法,反应溅射和共溅射技术可通过控制溅射参数,能够调节薄膜材料的组分,沉积出不同组分包括化学配比或非化学配比的材料薄膜。

反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入一定比例的反应气体,通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。

在存在反应气体的情况下,溅射靶材时,靶材料会与反应气体反应形成化合物,最后沉积在基片上。

在惰性气体溅射化合物靶材时,由于化学不稳定性往往导致薄膜较靶材少一个或更多组分,此时如果加上反应气体可以补偿所缺少的组分,这种溅射也可视为反应溅射。

介质薄膜的直流反应磁控溅射过程往往呈现高度不稳定,不稳定的原因是随反应气体流量增加,脱离了金属溅射模式,靶材和反应气体作用会在靶表面非侵蚀区覆盖绝缘介质层,溅射沉积速率会突然下降,并在介质薄膜上积累大量的电荷,因过量的电荷积累而放电,造成靶表面的毒害,称之为阴极中毒;在阴极磁控管附近的屏蔽阳极上也可能覆盖介质薄膜,导致阳极消失现象。

阴极靶电压与反应气体的流量迟滞回线压与反应气体的流量迟滞回线,通常高速率反应沉积过程工作在过渡模式(transition mode),为能够工作在这个区域,需有一个快速反应气体控制系统。

此外采用脉冲电源或中频交流电源,以克服介质薄膜溅射过程中的电荷积累和放电。

近来研究工作开始关注材料在含氢的气氛下磁控溅射沉积过程,研究溅射过程中氢对H+Ar的辉光等离子体的影响和掺H的薄膜的物理性质。

分析不同浓度的H2,对溅射过程以及沉积薄膜的一些性质产生影响的原因。

Liang2Yih Chen等用射频磁控溅射(RFMS)方法,沉积H掺杂的氧化锌(ZnO:H)透明导电薄膜,射频磁控溅射中在氩气中加入一定量氢气,掺氢的氧化锌(ZnO:H)薄膜的电阻率明显减少。

其掺氢的氧化锌薄膜电阻率最小可达2×1024Ω/cm,ZnO:H薄膜的电学性质与在Ar 气氛中H2浓度之间的关系,实验的结果表明ZnO:H是n型载流子,载流子的浓度随溅射过程中H2浓度的增加而增加。

X射线衍射结果表明d0002晶面间的间距随H2的浓度的增加而增加;在H2的浓度小于约40%时,载流子的迁移率随溅射过程中H2浓度的增加而增加,最大的载流子的迁移率为40cm2/Vs,随后载流子的迁移率随溅射过程中H2浓度的增加而减少;在沉积过程中H2的浓度在40%左右,电阻率达到最小为2×1024Ω/cm,此时载流子的迁移率和浓度分别为39cm2/Vs和3×1020cm23。

通过测量ZnO:H薄膜的透射光谱来测量从UV到可见光范围的透过率,ZnO:H薄膜在可见光范围的透过率超过80%,当沉积中H2的浓度进一步增加,透射率随之增加到100%,透射率谱线短波方向的截止波长也趋于更短。

另外研究H2在H+Ar混合等离子体中对溅射过程所起的作用,N1 Laidani等人的工作是在Ar气氛中通入H2,用射频溅射沉积C薄膜。

研究不同H2浓度下,H对溅射过程的影响和H+Ar等离子体物理性质,实验用Langmuir探针探测等离子体中的物理参数,分析氢对放电过程的影响,对阴极的过程分析显示,在低浓度H2范围(3%~20%)溅射机制基本上是物理过程,更高H2浓度范围则须考虑化学辅助作用。

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