电子束曝光系统方案
电子束曝光技术
微纳光刻技术
传统光学曝光技术 X射线曝光技术 极紫外曝光技术 离子束曝光技术 电子束曝光技术
20:52
7
传统光学曝光技术
传统光学曝光是最早用于半导体集成电路的微细加工技 术，是超大规模集成电路生产的主要方法。 光学曝光是一种平面工艺，器件的三维结构是从衬底片 平面开始一层一层做上去的，而不是传统机械加工的直 接三维成型。 通常的工艺流程是通过掩模制作工艺将二维图形刻录到 掩模版上，再由光学曝光把掩模版上的图形转移到光刻 胶上。经过曝光显影之后，光刻胶上就再现了掩模版上 的图形。然后，再用光刻胶做掩模将图形转移到下一层 衬底材料上。 传统光学曝光可基本分为接触式曝光、接近式曝光和投 影式曝光。
1.226 e nm V
电子束抗蚀剂 类型 分辨率(nm) 灵敏度(uC/cm^2)
PMMA
ZEP520 HSQ
正型
正型 负型
10
10 6
100
30 100
ma-N2400
20:52
负型
80
60
24
正抗蚀剂
入射粒子将聚合物链打断
正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断，曝光的区域 变得更容易溶解，显影完毕后，曝光图形阴影部分 的胶都溶解了。
s = step size
Write field stitching→Chip Exposure
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山东大学：Raith150
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第二节：电子束抗蚀剂
20:52
23
电子束抗蚀剂
电子束曝光是利用高分子聚合物对电子敏感反应而形成曝光图 形的。电子束对抗蚀剂的曝光与光学曝光本质上是一样的，但 电子束可以获得非常高的分辨率，这主要是因为高能量的电子 具有极端的波长，如100eV的电子波长仅为0.12nm.
电子束曝光系统的调试方法与参数选择
电子束曝光系统的调试方法与参数选择随着科技的快速发展，电子束曝光系统在半导体制造和微电子领域的应用越来越广泛。
电子束曝光系统作为一种高精度的曝光技术，其准确性和稳定性对于产品质量起着决定性的影响。
在电子束曝光系统的调试过程中，正确的方法和合理的参数选择至关重要。
本文将介绍一些常用的电子束曝光系统的调试方法和参数选择策略，并深入探讨其原理与应用。
一、调试方法1. 校准电子束系统在开始调试之前，首先要确保电子束系统的准确性和稳定性。
校准电子束系统需要考虑以下几个方面的因素：i. 高精度定位系统的校准：通过确定电子束与样品表面之间的距离，并调整定位系统使其与理想位置保持一致，以确保曝光结果的准确性。
ii. 电子束均匀性的校准：通过调整电子束发射器和透镜系统，使电子束的发射均匀性达到最优状态，以避免曝光过程中的不均匀现象。
iii. 背散射电子的抑制：通过调整电子束的能量和打照时间，降低电子束与样品表面发生背散射的概率，从而提高曝光的清晰度和精度。
2. 参数选择与优化在调试电子束曝光系统时，选择和优化适当的参数对于获得高质量的曝光结果至关重要。
以下是一些常用的参数选择策略：i. 曝光时间的选择：曝光时间的选择取决于样品的材料和厚度。
通常，较薄的样品需要较短的曝光时间，较厚的样品则需要较长的曝光时间。
ii. 加速电压的选择：加速电压的选择会影响电子束的能量和穿透力。
对于较厚的样品，较高的加速电压可提供更好的穿透能力，从而实现更深入的曝光效果。
iii. 扫描速度的选择：扫描速度的选择取决于样品的尺寸和复杂度。
较小和简单的样品可以选择较快的扫描速度，而较大和复杂的样品则需要较慢的扫描速度以确保曝光的均匀性。
二、参数选择与应用1. 参数选择的理论基础在电子束曝光系统中，参数选择的基础是对电子束与样品相互作用的理解。
电子束与样品表面发生相互作用时，会发生多种物理过程，包括散射、吸收、反射和透射等。
为了获得理想的曝光结果，需要掌握这些物理过程的特性，并合理选择参数以最大程度地实现所需的曝光效果。
电子束曝光技术的使用方法
电子束曝光技术的使用方法电子束曝光技术是一种广泛应用于半导体制造和微纳加工领域的高精度曝光方法。
它利用电子束的精细控制和高能量特性，可以对微小尺寸的器件进行曝光和制造。
本文将介绍电子束曝光技术的使用方法，并探讨它在现代科技领域中的重要性和应用前景。
一、电子束曝光技术的基本原理电子束曝光技术基于电子束的特性，利用电子流的聚焦和投影能力来实现高分辨率的器件制造。
该技术主要包括电子源、聚焦系统、投影光阻和显影等关键部分。
首先，通过电子源产生高能量的电子束，然后经过聚焦系统使电子束形成细小且聚焦的束流，接着通过投影光阻对待曝光的材料表面进行覆盖，并进行显影和后续处理，最终得到所需的微小器件。
二、1. 设计和准备在使用电子束曝光技术之前，首先需要进行器件设计和准备工作。
设计包括确定器件结构、尺寸和排布等，准备则包括选择合适的光阻材料、显影剂和处理设备等。
2. 设定曝光参数在进行电子束曝光之前，需要根据器件的要求和光阻的特性以及设备参数，设定合适的曝光参数。
其中，曝光剂量、曝光时间、聚焦和曝光速度等都是需要仔细考虑和调整的因素。
3. 进行曝光一切准备就绪后，便可以进行电子束曝光操作。
将待曝光材料放置在曝光台上，确保位置准确，并根据设定的参数进行曝光。
在曝光过程中需要密切观察，确保曝光质量和精度。
4. 显影和后续处理曝光完成后，需要进行显影和后续处理步骤来得到所需的器件。
根据光阻的特性选择相应的显影剂，将曝光区域的光阻去除，然后进行清洗和校准等后续处理工作。
三、电子束曝光技术的应用前景电子束曝光技术在半导体制造和微纳加工领域具有重要的应用前景。
首先，电子束曝光技术可以实现高分辨率的制造，能够处理微米乃至纳米级别的器件。
这对于半导体行业来说尤为重要，因为微小器件的制造对于电子器件的性能和性价比起到了至关重要的作用。
其次，电子束曝光技术具有高精度和高可控性的特点，能够满足目前科技发展对于制造精度的需求。
例如，在新型材料研究和光子学领域，电子束曝光技术的高分辨率和精细控制能力被广泛应用，有助于研究人员实现更先进的材料制备和光学器件设计。
电子束曝光系统——杨凯旋
电子束曝光方式
工件台移动和曝光写场
电子束偏转范围受限
工件台移动切换曝光写场 (field)
电子束曝光方式
矢量扫描与光栅扫描
矢量扫描 （电子束为高斯 束，或圆型束）
——只在曝光图形部分扫描
分辨率高、速度慢
光栅扫描
——对整个曝光场扫描，束闸（beam blanking）只在曝光图形部分打开
速度快、分辨率较低
电子束曝光方式
高斯圆电子束与变形电子束
高斯圆束 固定成形束
可变成形束
曝光式
高斯束曝光
stage motion
beam motion
高斯圆形束：圆形束斑其电流密度呈 高斯分布，故称高斯圆形束。束斑直 径可达几个纳米，因此可以做极细的 图形线条。
工作原理：电子束在扫描场内逐个对 单元图形进行扫描，完成一个扫描场 描画后，工作台移动一个距离，再进 行第二个场的描画，这样逐场进行描 画，直到完成全部图形的描画。适用 于矢量扫描方式
图10(c) 平行于主轴的入射电子的运动轨迹
电子光学原理 （1）磁透镜聚集原理
图10(d、e) 平行于主轴的入射电子束经过磁透镜后聚焦于主轴上一点
电子光学原理 （1）磁透镜聚集原理
图12 短线圈磁场中的电子运动示意图
说明：电磁透镜具有与光学玻璃透镜相似的光学原理
电子束曝光系统
电子枪
发射电子的阴极 阴极透镜
冷阴极：将钨丝或者六硼化镧做成极细 的尖端，，使得尖端即使在很低的电压 下，也能形成很高的电场，直接将电子 从阴极表面拉出，形成发射。
冷阴极的优点：高分辨率，常作为电子 显微镜发射源，很少作为电子束曝光系 统的发射源。这是由于冷阴极表面易受 原子吸附从而产生噪声和发射漂移。， 故要求极高的真空度
电子束 曝光
提要设备的组成、性能及相关工艺设备 电子束曝光设备的操作程序 电子束曝光的关键技术曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量的比较与技术参数高分辨率的纳米曝光图形的实现 电子束光刻用户的培训设备的组成与性能德国EBL Raith150主要用途• 量子纳米器件的微结构：如纳米电子器件，AB环 • 集成光学器件：光子晶体, 光栅, 弯曲波导 • NEMS 结构 • 小尺寸的光刻板，如1×1 cm2 • 对应版图进行SEM观察主要特征• 电子枪：高分辨率的热场(Schottky)发射源 (尺寸: 20nm) • 束能量可调：200eV-30keV • 图形直写(<0.5μm) ：最小线宽分辨率20nm • 写场可调： 0.5µm-1000µm • 图形快速生成：10MHz 描写速度 • 晶片支架：1cm2 样片~ 6inch晶片 • 水平控制：三点压电接触(自动)或6”激光干涉平台(手动) • 双PC机控制系统：曝光与SEM测量 • 图形编辑：GDSII格式，剂量可调设备的组成电子束曝光及其相关工艺设备光刻衬底甩胶衬底 电子束曝光 微米工艺 + 纳米工艺电子束套刻 ICP刻蚀衬底显影等离子体衬底 图形转移金属 衬底 衬底金属蒸发去胶 SEM 观察电子束曝光设备的操作程序• 设备启动• 样品传入 • 低倍聚焦 • 定义坐标 • 高倍聚焦100nm• 写场对准 • 测束电流 • 参数设定 • 样品曝光 • 样品取出曝光精度: 10nm曝光模板的设计单层模板 套刻模板Pattern Transfer MetalSemiconductor wafer电子束光刻胶的厚度控制Spin speed vs film thickness for PMMA 950K C resist 2% in Chlorobenzene1400 1300PMMA 950K C2 (n=1.486) Spin time: 30s Sub: Si (n=3.850) Baking: 185°C, 90sResist Film Thickness (Å)1200 1100 1000 900 800 700 600 50010001500200025003000350040004500SUSS Coating SystemSpin Speed (rpm)电子束的聚焦Filament Anode Beam-blanker ApertureV0<2.5keV V0 >2.5keV V0 >20keV坐标系的建立与写场对准坐标系的建立 Global变换:样品(U,V) ⇔ 样品台(x,y)移动和倾角修正Design (u, v) U V y套刻图形坐标系的建立 Local变换: 版图 (u,v) ⇔ 样品(U,V)三点调整rotation shift xVU写场的对准 图形拼接 ⇔ 样品台移动 曝光起点(U,V) ⇔ 写场中心V缩放因子和 倾角的修正write field曝光U写场对准Self-CalibrtionSample (U,V) Beam (zoom, shift, rotation)Beam movement Stage movement by laser interferometer WF Area: 100µm(U,V) particle纳米套刻技术套刻模板图形(u,v)E-Beamv V O U u 整体坐标系克服电子束套刻的对准误差 1. 样品台移动带来的写场拼接误差； 2. 电子束偏转带来的读取误差； 使电子束准确套刻范围局限在0.04mm2套刻范围问题的解决 改变写场对准方式，局部套刻 范围提高到4mm2，增大了100 倍，对准误差小于40nm。
电子束曝光技术
18.06.2020
14
电子束曝光技术
电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术，它 集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代 高新技术于一体，是推动微电子和微细加工技术进一步发展 的关键技术之一。
18.06.2020
2
第一节：纳米加工技术概述
18.06.2020
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纳米加工技术
纳米（Nanometer）是一个长度单位，简写为nm。
1nm=10-3μm=10-9m。
纳米技术是20世纪80年代末期诞生并在蓬勃发展的一种 高新科学技术。纳米不仅是一个空间尺度上的概念，而 且是一种新的加工方式，即生产过程越来越细，以至于 在纳米尺度上直接由原子、分子的排布制造的具有特定 功能的产品。
电子束抗蚀剂
PMMA ZEP520
HSQ ma-N2400
e
1.226 V
nm
类型
分辨率(nm)
正型
10
正型
10
负型
6
负型
80
灵敏度(uC/cm^2)
100 30 100 60
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正抗蚀剂
入射粒子将聚合物链打断
正抗蚀剂：入射粒子将聚合物链打断，曝光的区域 变得更容易溶解，显影完毕后，曝光图形阴影部分 的胶都溶解了。
H
H
H
H
H
H
O CH O CH O CH O CH O CH O CH
n
H
H
常见电子束曝光和rie刻蚀工艺流程
常见电子束曝光和rie刻蚀工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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电子束曝光技术及其应用综述
1 引言在过去的几年中，微电子技术已发展到深亚微米阶段，并正在向纳米阶段推进。
在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，如图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术、离子注入技术和粘结互连技术等。
在这些加工技术中，图形曝光技术是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低[1]。
几十年来，在半导体器件和IC生产上一直占主导地位的光学曝光工艺为IC产业链的发展做出了巨大贡献。
通过一系列技术创新，采用超紫外准分子激光（193 /157nm）的光学曝光机甚至已将器件尺寸进一步推进到0.15～0.13μm，例如PAS5500/ 950B（ASML公司），NSR-203B（Nikon公司）和FPA-50 00ESI/ASI（Canon公司）。
但是，随着器件尺寸向0.1μm以下逼近，光学曝光技术将面临严峻的挑战，例如分辨率的提高使生产设备价格大幅攀升、超紫外光焦深缩短引起的材料吸收问题等，使光学曝光能否突破0.1μm成为业界普遍关注的问题[2～3]。
2 四种电子束曝光系统电子束曝光是利用电子束在涂有感光胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术，它的特点是分辨率高（极限分辨率可达到3～8μm）、图形产生与修改容易、制作周期短[4，5]。
它可分为扫描曝光和投影曝光两大类，其中扫描曝光系统是电子束在工件面上扫描直接产生图形，分辨率高，生产率低。
投影曝光系统实为电子束图形复印系统，它将掩模图形产生的电子像按原尺寸或缩小后复印到工件上，因此不仅保持了高分辨率，而且提高了生产率。
2.1 基于改进扫描电镜（SEM）的电子束曝光系统由于SEM的工作方式与电子束曝光机十分相近，最初的电子束曝光机是从SEM基础上改装发展起来的[6]。
近年来随着计算机技术的飞速发展，将SEM改装为曝光机的工作取得了重要进展。
如图1所示，主要改装工作是设计一个图形发生器和数模转换电路，并配备一台PC机。
电子束曝光系统
2.1 电子束曝光系统的结构 电子枪
0.5um
钨丝2700K
六硼化镧1800K
场发射电极 ZrO/W 电场强度:108N/C
电子束曝光的电子能量通常在10~100keV
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
邻近效应的校正
图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。
缺点：校正的动态范围小
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENG器
由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。 消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。
使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。
紫外光波长:常用200~400nm之间
根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的
波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电 子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米 结构提供了很有用的工具。
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
电子束曝光EBL培训ppt课件
4.3电子束曝光中的邻近效应
电子束入射到抗蚀剂后，与抗蚀剂材料中的原子发 生碰撞，产生散射。
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邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能 量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个 图形的边界也会由于邻近效应而扩展。
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邻近效应的校正
剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量 下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光 剂量。 将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布 （每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同 的区域分配曝光剂量。
HSQ ：负胶，极高的分辨率（<10nm），邻近效应小，灵敏度很低 ZEP-520优点：分辨率高（~20nm），灵敏度较高，耐刻蚀
缺点：去胶较难
稀释剂：ZEP-A（苯 甲醚）
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4.2电子束曝光工艺
绘制曝光图案 样品传入（样品为导体或半导体） 选择束电流 低倍聚焦 选定曝光位置 在Au颗粒处调整像散 高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位 参数设定（位置、剂量、图案数量等） 样品曝光 样品取出显影（ZEP-N50，1min） 曝光图案观察
1）稳定的工作环境：温度变化范围±0.2℃，振动2um以下，磁场 变化在0.2uT以下。
2）高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间 电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机 一般都在100keV。
3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑 。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难 。
10
3.CABL9000C电子束曝光系统及关键参数
日本CRESTEC 公司生产的 CABL9000C
最小束直径：直接影响电子束直 写的最小线宽。
电子束曝光操作概要
电子束曝光操作概要（EBL，Electron Beam Lithography）1、扫描电子束曝光系统简介Zeiss SUPRA 55 扫描电子显微镜●热场发射电子枪：ZrO/W灯丝；高分辨率：0.8nm@15kV，1.6nm@1k；●放大倍数：12~1,000,000×；加速电压：0.02 ~30kV；EBL Raith ELPHY Quantum图形发生器●样片尺寸：最大为20×20 mm；写场范围：0.5μm~1000μm；●图形编辑：GDSII CAD编辑模块，DXF、ASCII、CIF等图形格式可读；●高斯型圆形束斑，矢量扫描，剂量可调；2、EBL样品台型号1-MD195，通用样品台，如图1所示；Faraday Cup，法拉第杯，用于测定电子束流；Chessy为一精工细作的微纳加工网格，用于对写场进行精细校准；可放置样品尺寸最大为20×20mm；图1 Universal Lithography Sample Holder3、曝光图形编辑在EBL电脑上打开ELPHY Quantum软件，在右侧GDSII Database点击，新建XXX.csf数据库文件，在下方空白处右键单击，选择，新建图形文件； 从主菜单栏View处调出Toolbox，进行图形编辑，编辑工具包含点、线、面、矩形、多边形、圆形、文字等，选择所绘制图形，右键Properties进行图形坐标点编辑；编辑完成后保存图形，关闭软件。
4、样片传入及EBL系统连接将准备好的样片置于EBL专用样品台上，传入扫描电镜样品室。
注意：衬底为绝缘体或导电性差时需要先进行喷金镀膜；SEM side：确认外部控制器调到ELPHY档位，确认内部通信软件RemCon32-COM2通道正常通信；EBL side：打开ELPHY Quantum软件，确认软件右下角为OK 状态，调出曝光图形。
5、定义坐标系，高倍聚焦SEM side：●设定Z值40mm，加速电压EHT=10kV（0-30kV可选），光阑尺寸10μm（7-120μm，7孔可选），Beam Shift 归零，EHT on；●从主菜单栏View处调出Crosshairs米字格，将样片右上角定点位置聚焦、居中。
基于扫描电镜的电子束曝光系统Raith全解
图形发生器
Beam blanker
Beam blanking
Faraday圆筒——测电流
工作方式
－高斯束、矢量扫描、固定工作台
Elphy plus主控制界面
曝光图形的制作
曝光之前，必须先知道曝什么！
图形格式：.CSF或者.GDS 常用软件：elphy plus －GDSII database
Acceleration voltage:200 V 30kV Resolution:1.5nm at >10kV, 2.5nm at 1kV Electron spot ~ 1nm, Resolution ~ 1nm STEM within SEM!! + CL detector
电子发射枪
电子透镜原理
• Electron gun produces beam of monochromatic electrons. • First condenser lens forms beam and limits current ("coarse knob"). • Condenser aperture eliminates high-angle electrons. • Second condenser lens forms thinner, coherent beam ("fine knob" ). • Objective aperture (usu. userselectable) further eliminates high-angle electrons from beam.
incident e- beam secondary edetector
beam location
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
美国Vistec
日本Crestec
VB300 100
CABL9000C 30
50
1
<10
20
164um~1.2mm
60um~600um
6~9 Million
1Million
商业用，性能高，价格高 电子束曝光与电镜两用， 价格低
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
偏转器
偏转器用来实现电子束的偏转扫描。
物镜
将电子束进一步聚焦缩小，形成最后到达曝光表 面的电子束斑。
除以上部分外，电子束曝光系统还包括束流检测 系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、 图形发生器等。
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
缺点：去胶较难
稀释剂：ZEP-A（苯甲醚）
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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2.电子束曝光系统的结构与原理
离子泵 离子泵
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邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能 量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个 图形的边界也会由于邻近效应而扩展。
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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扫描场大小：扫描场大，大部分图形可在场内完成，可 避免多场拼接；扫描场小，精度高。
60~600um
拼接精度：图像较大，需要多个场拼接。 20~50nm
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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1.2 电子束曝光有什么用？
电子束曝光能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高 级的电子束曝光设备和特殊显影工艺，能够写出10nm以下 的精细结构。 纳米器件的微结构 集成光学器件，如光栅，光子晶体 NEMS结构 小尺寸光刻掩模板
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4.电子束曝光的工艺程序
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。 使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。
紫外光波长:常用200~400nm之间
根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的 波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电 子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米 结构提供了很有用的工具。
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3.CABL9000C电子束曝光系统及关键参数
日本CRESTEC 公司生产的CABL9000C
最小束直径：直接影响电子束直 写的最小线宽。
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高分辨率电子束曝光系统
CABL 9000C 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
2nm，最小尺寸20nm
加速电压：一般10~100keV，电 压越高，分辨率越高，邻近效应 越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂 层。30keV
电子束流：束流大，曝光速度快 ，但是束斑尺寸大，分辨率低。
常用：25~100pA
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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生产公司
型号 最大电子束能量/keV 扫描速度/MHz 最小曝光图案/nm 扫描场尺寸 价格/USD 评价
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邻近效应的校正
剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量 下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光 剂量。 将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布 （每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同 的区域分配曝光剂量。
4.2电子束曝光工艺
绘制曝光图案 样品传入（样品为导体或半导体） 选择束电流 低倍聚焦 选定曝光位置 在Au颗粒处调整像散 高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位 参数设定（位置、剂量、图案数量等） 样品曝光 样品取出显影（ZEP-N50，1min） 曝光图案观察
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电子枪准直系统
整个电子光柱由各部分电子光学元 件组装起来，装配高度达1m左右。 任何微小的加工或装配误差都可能 导致电子枪的阴极尖端与最后一级 的透镜膜孔不在同一轴线上。因此 需要装一个准直系统，必要时对电 子枪发出的电子束进行较直。
2.1 电子束曝光系统的结构 电子枪
0.5um
钨丝2700K
六硼化镧1800K
电子束曝光的电子能量通常在10~100keV
场发射电极 ZrO/W 电场强度:108N/C
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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消像散器
由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。 消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
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微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
SKLMS 机械制造系统工程国家重点实验室
STATE KEY LABORATORY FOR MANUFACTURING SYSTEMS ENGINEERING
1.电子束曝光概述
பைடு நூலகம்
1.1 电子束曝光是什么？
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4.3电子束曝光中的邻近效应
电子束入射到抗蚀剂后，与抗蚀剂材料中的原子发生 碰撞，产生散射。
微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Center
限制膜孔 电子探测器
工作台 分子泵
场发射电子枪
电子枪准直系统 电磁透镜 消像散器 偏转器
物镜
样品交换室
机械泵
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电子束曝光（electron beam lithography）指利用某些 高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，是光刻 技术的延伸。
紫外光
电子束
普通光刻
电子束曝光
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