霍尔效应及其应用实验报告
霍尔效应及其应用实验报告
霍尔效应及其应用实验报告一、实验目的。
本实验旨在通过实验观察和数据分析，探究霍尔效应的基本原理及其在实际应用中的意义和作用。
二、实验原理。
霍尔效应是指当导电体中有电流通过时，放置在导电体中的磁场中，会在导电体的横向产生电动势。
这一现象被称为霍尔效应，其数学表达式为E=KBI，其中E为霍尔电动势，K为霍尔系数，B为磁感应强度，I为电流。
三、实验仪器和材料。
1. 霍尔元件。
2. 恒定电流源。
3. 磁场调节装置。
4. 数字示波器。
5. 电源。
6. 万用表。
7. 磁铁。
8. 直流电流表。
9. 直尺。
10. 实验导线。
11. 笔记本电脑。
四、实验步骤。
1. 将霍尔元件固定在实验台上，并连接好电路。
2. 通过磁场调节装置，调整磁场的强度和方向。
3. 通过数字示波器和万用表，测量霍尔元件在不同磁场下的霍尔电动势和电流。
4. 记录实验数据，并进行数据分析和处理。
5. 根据实验数据，探究霍尔效应的规律，并分析其在实际应用中的意义和作用。
五、实验结果与分析。
通过实验数据的测量和分析，我们发现在不同磁场下，霍尔电动势与电流呈线性关系，且霍尔电动势的大小与磁场的强度和电流的大小均有关。
这一结论与霍尔效应的基本原理相吻合。
六、实验应用。
霍尔效应在实际应用中有着广泛的意义和作用。
例如在传感器领域，霍尔元件可以用来测量电流、磁场和速度，广泛应用于汽车、航空航天、电子设备等领域。
另外，霍尔元件还可以用于磁场测量、磁场探测和磁场传感等方面，具有很高的实用价值。
七、实验总结。
通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的基本原理和实际应用，通过实验数据的测量和分析，验证了霍尔效应的存在，并探究了其在实际应用中的意义和作用。
同时也加深了我们对电磁学知识的理解和掌握。
八、实验心得。
通过本次实验，我对霍尔效应有了更深入的了解，实验过程中也锻炼了我的实验操作能力和数据处理能力，使我对电磁学知识有了更加直观和深刻的认识。
以上就是本次实验的全部内容，希望能对大家有所帮助。
霍尔效应及其应用实验报告数据处理
霍尔效应及其应用实验报告数据处理一、实验目的本次实验的主要目的是通过测量霍尔电压、电流等物理量，深入理解霍尔效应的原理，并探究其在实际中的应用。
同时，通过对实验数据的处理和分析，提高我们的科学研究能力和数据处理技巧。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象称为霍尔效应。
假设导体中的载流子为电子，其电荷量为 e，平均定向移动速度为v，导体宽度为 b，厚度为 d，外加磁场的磁感应强度为 B。
则电子受到的洛伦兹力为 F ＝ e v B，在洛伦兹力的作用下，电子会向导体的一侧偏转，从而在导体两侧产生电势差，即霍尔电压 UH 。
根据霍尔效应的基本公式：UH ＝ RH I B ／ d ，其中 RH 为霍尔系数。
三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、连接实验仪器，将霍尔元件放入磁场中，确保磁场方向与霍尔元件平面垂直。
2、调节直流电源，给霍尔元件通入恒定电流 I ，并记录电流值。
3、用特斯拉计测量磁场的磁感应强度 B ，并记录。
4、测量霍尔元件两端的霍尔电压 UH ，改变电流和磁场的方向，多次测量取平均值。
五、实验数据记录以下是一组实验数据示例：｜电流 I （mA) ｜磁场 B （T) ｜霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜ 500 ｜ 050 ｜ 250 ｜｜ 500 ｜ 100 ｜ 500 ｜｜ 500 ｜ 150 ｜ 750 ｜｜ 1000 ｜ 050 ｜ 500 ｜｜ 1000 ｜ 100 ｜ 1000 ｜｜ 1000 ｜ 150 ｜ 1500 ｜六、数据处理方法1、计算霍尔系数 RH根据公式 UH ＝ RH I B ／ d ，可得 RH ＝ UH d ／（I B) 。
由于 d 为霍尔元件的厚度，在实验中为已知量，因此可以通过测量不同电流和磁场下的霍尔电压，计算出霍尔系数 RH 。
实验报告霍尔效应原理及其应用范文
实验报告霍尔效应原理及其应用范文一、实验目的1.掌握霍尔效应的基本原理。
2.学习如何测量霍尔电压。
3. 理解霍尔元件在磁场中的行为。
4. 了解霍尔效应的应用。
二、实验原理当一块半导体板通过一恒定电流时，板的两端会出现电压VH，即霍尔电压，其方向垂直于板和当前通过板的电流方向。
2.霍尔电压得出公式VH = BIL/ne其中B为磁场强度，I为电流强度，L为元件长度，e为元件载流子密度，n为载流子电荷数。
当元件置于磁场中时，霍尔电压会随着磁场的改变而线性变化。
磁场的强度越强，霍尔电压也越大。
霍尔效应可以应用于测量磁场、磁场传感器、磁传动、自动控制系统等领域。
三、实验材料1.霍尔元件2.磁铁3.电压表4.电流表5.恒流源6.导线四、实验步骤1.将霍尔元件固定在导轨上，并连接电路。
2.将电压表连接到霍尔元件的输出端，并将恒流源连接到元件的输入端。
3.用绿色磁铁靠近元件，然后再用蓝色磁铁靠近元件，观察电表显示。
4.改变恒流源的电流大小，再次使用磁铁观察电表的显示。
5.多次重复步骤3和4，记录数据。
五、实验结果通过实验可得，当恒定电流增加时，霍尔电压随之增加；当磁场强度增加时，电压也会增加。
当磁场方向改变时，霍尔电压的方向也会改变。
利用这些变化，可以测量磁场的强度和方向。
本实验通过观察霍尔效应，学习了如何测量霍尔电压和了解了霍尔元件在磁场中的行为。
同时，实验还介绍了霍尔效应的应用。
通过实验得出数据，验证了霍尔电压与电流、磁场强度之间的关系，并且可以得到准确的磁场测量结果。
霍尔效应的应用实验报告
霍尔效应的应用实验报告一、实验目的本实验旨在通过对霍尔效应的研究，了解霍尔电压与外磁场、电流和材料性质的关系，掌握霍尔效应在实际应用中的基本原理和方法。
二、实验原理1. 霍尔效应简介当一定强度的电流通过一个导体时，如果该导体放置在一个垂直于电流方向的磁场中，则在导体两侧会产生一定大小的电势差，这种现象被称为“霍尔效应”。
2. 霍尔元件结构霍尔元件由一块n型半导体芯片组成，芯片上有四个电极：两个为输入端，两个为输出端。
输入端通过金属引线连接到外部电路，输出端则与示波器相连。
3. 霍尔电压计算公式根据霍尔效应的原理可得：VH = B × I × RH。
其中，VH为霍尔电压，B为外磁场强度，I为通过芯片的电流强度，RH为材料特性参数。
三、实验步骤1. 接线：将霍尔元件与示波器相连，并将输入端与稳压直流电源相连。
2. 调节：调节稳压直流电源的输出电压，使其保持在一定值。
3. 测量：记录芯片两侧的电压差，即为霍尔电压。
4. 改变磁场：通过改变外部磁场的方向和大小，测量不同条件下的霍尔电压。
四、实验结果分析1. 霍尔电压与外磁场强度的关系当外磁场强度增加时，霍尔电压也会随之增加。
这是因为外磁场会影响导体内部载流子的运动方向和速度，从而影响霍尔电势差的大小。
2. 霍尔电压与电流强度的关系当通过芯片的电流强度增加时，霍尔电压也会随之增加。
这是因为在相同外磁场条件下，通过芯片的载流子数量增多，产生的霍尔效应也会相应增大。
3. 霍尔常数测量结果根据实验数据计算得到芯片材料的霍尔常数RH约为0.05m³/C。
五、实验误差分析1. 外部磁场不均匀对实验结果产生一定影响。
2. 实验过程中可能存在接触不良或者线路松动等因素，导致测量结果产生误差。
六、实验结论通过本实验的研究，我们了解了霍尔效应的基本原理和方法，并掌握了霍尔电压与外磁场、电流和材料性质的关系。
同时，我们还成功测量得到了芯片材料的霍尔常数RH约为0.05m³/C。
霍尔效应及其应用实验报告
霍尔效应及其应用实验报告实验报告：
实验目的：
1. 了解霍尔效应的基本原理和特点。
2. 掌握霍尔系数的测定方法及其相关计算。
3. 熟悉霍尔元件的使用，实现霍尔效应的应用。
实验仪器：
霍尔元件、直流电源、稳压电源、数字万用表、模拟万用表、磁通量表、恒流源等实验仪器设备。
实验原理：
霍尔效应是指在一定条件下，当闭合电路中有外磁场作用时，导电材料中的电荷会被偏转而产生跨越电势差，这种现象被称为霍尔效应。
实验步骤：
1. 将实验仪器连接好，保证电路连接正确无误。
2. 将霍尔元件固定到直流电源的输出端，调节稳压电源电压至所需数值。
3. 将恒流源的输出端接入霍尔元件中，调节电流为所需数值。
4. 调节磁通量表与霍尔元件之间的距离，使其达到最佳感应距离。
5. 打开磁场控制开关，测量相应的电势差与电流值，计算出霍尔系数。
实验结果：
根据实验数据计算出的霍尔系数为2.36×10^-14m^3/C。
证明了实验的可靠性以及相关的计算方法的正确性。
实验结论：
霍尔效应是一种非常实用的物理现象，能够在很多方面应用到实际生活中。
通过本次实验的学习，我们掌握了基本的霍尔效应的原理和相关实验方法，可以更深入地理解和应用相关知识。
同时，我们还了解到了霍尔效应在电子工艺、能源技术和环境监测等领域的广泛应用前景，这也为我们未来的学习和研究提供了更加深入的思路和拓展空间。
霍尔效应实验报告优秀4篇
霍尔效应实验报告优秀4篇实验四霍尔效应篇一实验原理1．液晶光开关的工作原理液晶的种类很多，仅以常用的TN（扭曲向列）型液晶为例，说明其工作原理。
TN型光开关的结构：在两块玻璃板之间夹有正性向列相液晶，液晶分子的形状如同火柴一样，为棍状。
棍的长度在十几埃（1埃＝10-10米），直径为4～6埃，液晶层厚度一般为5-8微米。
玻璃板的内表面涂有透明电极，电极的表面预先作了定向处理（可用软绒布朝一个方向摩擦，也可在电极表面涂取向剂），这样，液晶分子在透明电极表面就会躺倒在摩擦所形成的微沟槽里；电极表面的液晶分子按一定方向排列，且上下电极上的定向方向相互垂直。
上下电极之间的那些液晶分子因范德瓦尔斯力的作用，趋向于平行排列。
然而由于上下电极上液晶的定向方向相互垂直，所以从俯视方向看，液晶分子的排列从上电极的沿－45度方向排列逐步地、均匀地扭曲到下电极的沿＋45度方向排列，整个扭曲了90度。
理论和实验都证明，上述均匀扭曲排列起来的结构具有光波导的性质，即偏振光从上电极表面透过扭曲排列起来的液晶传播到下电极表面时，偏振方向会旋转90度。
取两张偏振片贴在玻璃的两面，P1的透光轴与上电极的定向方向相同，P2的透光轴与下电极的定向方向相同，于是P1和P2的透光轴相互正交。
在未加驱动电压的情况下，来自光源的'自然光经过偏振片P1后只剩下平行于透光轴的线偏振光，该线偏振光到达输出面时，其偏振面旋转了90°。
这时光的偏振面与P2的透光轴平行，因而有光通过。
在施加足够电压情况下(一般为1～2伏)，在静电场的作用下，除了基片附近的液晶分子被基片“锚定”以外，其他液晶分子趋于平行于电场方向排列。
于是原来的扭曲结构被破坏，成了均匀结构。
从P1透射出来的偏振光的偏振方向在液晶中传播时不再旋转，保持原来的偏振方向到达下电极。
这时光的偏振方向与P2正交，因而光被关断。
由于上述光开关在没有电场的情况下让光透过，加上电场的时候光被关断，因此叫做常通型光开关，又叫做常白模式。
霍尔效应原理及其应用实验报告
霍尔效应原理及其应用实验报告霍尔效应是指当导体中有电流通过时，如果在导体中垂直于电流方向施加一个磁场，就会在导体的横向两侧产生电势差。
这一现象被称为霍尔效应，它是由美国物理学家爱德温·霍尔于1879年发现的。
霍尔效应在电子学和磁学领域有着重要的应用，本实验旨在通过具体的实验操作，深入理解霍尔效应的原理及其在实际中的应用。
一、实验原理。
1. 霍尔效应原理。
当导体中有电流通过时，如果在导体中垂直于电流方向施加一个磁场，就会在导体的横向两侧产生电势差。
这一现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的原理是基于洛伦兹力的作用。
当导体中有电流通过时，电子会受到磁场力的作用，从而产生横向的电势差。
2. 实验装置。
本实验采用的装置主要包括霍尔元件、直流电源、磁铁、示波器等。
霍尔元件是本实验的核心部件，它能够测量出在导体中产生的霍尔电压。
直流电源用来提供电流，磁铁用来产生磁场，示波器用来测量霍尔电压的大小。
二、实验步骤。
1. 将直流电源连接到霍尔元件的两端，调节直流电源的电流大小。
2. 将磁铁放置在霍尔元件的两侧，调节磁铁的位置和磁场强度。
3. 使用示波器来测量霍尔电压的大小，并记录下实验数据。
4. 根据实验数据，分析霍尔电压与电流、磁场强度之间的关系。
三、实验结果与分析。
通过实验数据的记录和分析，我们可以得出霍尔电压与电流、磁场强度之间的定量关系。
具体来说，霍尔电压与电流成正比，与磁场强度成正比。
这一定量关系可以用数学模型来描述，从而为霍尔效应的应用提供了理论基础。
四、应用实验。
1. 霍尔传感器。
霍尔传感器是利用霍尔效应原理制作的一种传感器，它可以测量磁场的强度。
在汽车、电子设备等领域有着广泛的应用，如测量车速、转速等。
2. 霍尔电流计。
霍尔效应还可以用来测量电流的大小。
通过将导体放置在磁场中，利用霍尔效应测量出导体中产生的霍尔电压，从而可以计算出电流的大小。
五、实验总结。
通过本实验，我们深入理解了霍尔效应的原理及其在实际中的应用。
2023年霍尔效应的应用实验报告
一、名称: 霍尔效应旳应用二、目旳：1. 霍尔效应原理及霍尔元件有关参数旳含义和作用2．测绘霍尔元件旳VH—Is, VH—IM曲线, 理解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is, 磁场应强度B及励磁电流IM之间旳关系。
三、 3. 学习运用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
四、 4. 学习用“对称互换测量法”消除负效应产生旳系统误差。
五、器材：1.试验仪:（1）电磁铁。
（2）样品和样品架。
（3）Is和I M 换向开关及V H 、Vó切换开关。
2.测试仪:（1）两组恒流源。
（2）直流数字电压表。
六、 原理：霍尔效应从本质上讲是运动旳带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起旳偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中, 这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷旳聚积, 从而形成附加旳横向电场, 即霍尔电场 。
如图15-1所示旳半导体试样, 若在X 方向通以电流 , 在Z 方向加磁场 , 则在Y 方向即试样 A-A/ 电极两侧就开始汇集异号电荷而产生对应旳附加电场。
电场旳指向取决于试样旳导电类型。
对图所示旳N 型试样, 霍尔电场逆Y 方向, （b ）旳P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)()(N 0)(型型⇒>⇒<Y E Y E H H显然, 霍尔电场 是制止载流子继续向侧面偏移, 当载流子所受旳横向电场力 与洛仑兹力相等,样品两侧电荷旳积累就到达动态平衡, 故=（1）eEBv eH其中为霍尔电场, 是载流子在电流方向上旳平均漂移速度。
设试样旳宽为b, 厚度为d, 载流子浓度为n , 则=（2）IbdnevS由（1）、（2）两式可得: (3)即霍尔电压（A 、A／电极之间旳电压）与乘积成正比与试样厚度成反比。
比例系数称为霍尔系数, 它是反应材料霍尔效应强弱旳重要参数。
只要测出（伏）以及懂得（安）、（高斯）和（厘米）可按下式计算（厘米3／库仑）：RH＝（4）上式中旳108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其他各量均采用CGS实用单位而引入。
霍尔效应的研究与应用实验报告
霍尔效应的研究与应用实验报告一、实验目的1. 了解霍尔效应的基本原理和特性；2. 掌握霍尔元件的使用方法；3. 学习如何进行霍尔效应的实验测量；4. 理解霍尔效应在电子技术中的应用。
二、实验原理1. 霍尔效应当一个电流通过一个导体时，会在导体内产生一个磁场。
如果将这个导体放置在另一个磁场中，那么这个磁场会对导体内的电荷运动产生影响，使得电荷在导体中出现偏移。
这种现象就是霍尔效应。
2. 霍尔元件为了利用霍尔效应进行测量，需要使用一种叫做霍尔元件的器件。
它通常由一块半导体材料制成，上面有三个引线：两个用于通电，另一个则是输出引脚。
当通过器件中的电流时，在垂直于器件表面方向上会产生一个横向磁场，从而使得载流子发生偏移。
3. 实验测量为了进行实验测量，需要将霍尔元件放置在磁场中，并通过元件通入一定大小的电流。
此时可以测量出输出端口处产生的电压，从而计算出霍尔系数和磁场强度等参数。
三、实验步骤1. 准备工作将实验仪器准备好，包括霍尔元件、磁铁、万用表等。
2. 实验测量将霍尔元件放置在磁场中，并通过元件通入一定大小的电流。
此时可以测量出输出端口处产生的电压，并记录下来。
重复多次实验，以得到更加准确的结果。
3. 数据处理根据实验测量结果，可以计算出霍尔系数和磁场强度等参数。
同时需要进行数据分析，以确定实验结果的可靠性和准确性。
四、实验结果与分析通过实验测量，我们得到了霍尔元件在不同磁场下的输出电压值，并计算出了相应的霍尔系数和磁场强度等参数。
同时我们还进行了数据分析，以确定实验结果的可靠性和准确性。
根据实验结果与分析，我们可以得出以下结论：1. 霍尔效应是一种非常重要的物理现象，在电子技术中有着广泛应用；2. 霍尔元件是利用霍尔效应进行测量的重要器件之一；3. 实验测量结果的准确性和可靠性取决于实验仪器和实验操作的精度，需要进行严谨的数据处理和分析。
五、实验总结通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的基本原理和特性，掌握了霍尔元件的使用方法，学习了如何进行霍尔效应的实验测量，并理解了霍尔效应在电子技术中的应用。
霍尔效应实验报告（共8篇）
霍尔效应实验报告（共8篇）篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehl ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应原理及其应用实验报告
霍尔效应原理及其应用实验报告实验目的：本实验旨在研究霍尔效应的原理及其在测量磁场强度和磁性材料特性等方面的应用。
实验仪器和材料：1. 霍尔效应实验装置（包括霍尔元件、恒流源、电压表等）2. 电磁铁3. 磁性材料（如铁、钢、铝等）4. 直流电源5. 电阻箱6. 连接线等实验原理：霍尔效应是指当电流通过具有横向磁场的半导体或金属材料时，在两侧形成电压差，这种现象称为霍尔效应。
霍尔效应的原理可由洛伦兹力和电子在材料中的运动轨迹相互作用来解释。
实验步骤：1. 将霍尔元件固定在实验装置中心位置上，并连接电路。
2. 将实验装置的电源和恒流源的开关打开，调节电源电压和恒流源电流，记录下相关数据。
3. 在没有磁场作用下，测量并记录下霍尔元件两侧的电压差。
4. 开启电磁铁，调节磁场强度，测量并记录下霍尔元件两侧的电压差。
5. 将不同磁性材料靠近霍尔元件，记录下霍尔元件两侧的电压差。
实验数据记录和处理：根据实际测量情况，记录下不同条件下的电流值、电压差、磁场强度等数据。
对实验数据进行分析和处理，绘制相关曲线和图表。
实验结果：根据实验数据处理的结果，可以得到不同条件下的电压-电流曲线、电压-磁场强度曲线等。
实验讨论：根据实验结果的分析，讨论霍尔效应在测量磁场强度和磁性材料特性方面的应用。
分析实验中可能存在的误差来源，并提出对实验的改进和完善。
结论：根据实验结果和讨论的分析，得出结论。
实验总结：通过本实验，我们深入了解了霍尔效应的原理及其在实际应用中的重要性。
实验中我们掌握了相关的实验操作技巧，提高了实验能力和科学研究的综合素质。
这对于我们日后的学习和科研工作具有重要意义。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehlib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应测磁场实验报告(共7篇)
篇一：霍尔元件测磁场实验报告用霍尔元件测磁场前言：霍耳效应是德国物理学家霍耳（a.h.hall 1855—1938）于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。
由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。
六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。
利用半导体材料制成的霍耳元件，特别是测量元件，广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。
由于霍耳元件的面积可以做得很小，所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。
此外，还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。
近年来霍耳效应得到了重要发展，冯﹒克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应，它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，会有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对今后的工作将大有益处。
教学目的：1. 了解霍尔效应产生的机理，掌握测试霍尔器件的工作特性。
2. 掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。
3. 学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。
教学重难点： 1. 霍尔效应2. 霍尔片载流子类型判定。
实验原理如右图所示，把一长方形半导体薄片放入磁场中，其平面与磁场垂直，薄片的四个侧面分别引出两对电极（m、n和p、s），径电极m、n 通以直流电流ih，则在p、s极所在侧面产生电势差，这一现象称为霍尔效应。
这电势差叫做霍尔电势差，这样的小薄片就是霍尔片。
图片已关闭显示，点此查看假设霍尔片是由n型半导体材料制成的，其载流子为电子，在电极m、n上通过的电流由m极进入，n极出来（如图），则片中载流子（电子）的运动方向与电流is的方向相反为v,运动的载流子在磁场b中要受到洛仑兹力fb的作用，fb=ev×b，电子在fb的作用下，在由n→m运动的过程中，同时要向s极所在的侧面偏转（即向下方偏转），结果使下侧面积聚电子而带负电，相应的上侧面积（p极所在侧面）带正电，在上下两侧面之间就形成电势差vh，即霍尔电势差。
霍尔效应的研究与应用实验报告
霍尔效应的研究与应用实验报告引言霍尔效应是指当导电体内部有电流流过时，在垂直于电流方向的外加磁场作用下，导体内部会产生一种电压差现象。
这一效应被广泛应用于传感器、电子元件等领域。
本实验旨在通过实验验证霍尔效应，并探讨其在实际应用中的潜力。
实验目的1.验证霍尔效应的存在。
2.测量霍尔电压与电流、磁场的关系。
3.探讨霍尔效应在传感器等领域的应用。
实验原理当导电体内部有电流流过时，导体内部的载流子会受到外加磁场的洗礼，产生洛伦兹力，从而在导体的两侧产生电压差，这就是霍尔效应。
霍尔电压与电流、磁场的关系可以用数学公式表示，具体实验过程中会进一步探讨。
实验材料1.霍尔元件2.导线3.直流电源4.磁铁5.万用表实验步骤1.将霍尔元件固定在支架上。
2.接通直流电源，通过导线将霍尔元件接入电路中。
3.在霍尔元件周围放置磁铁，调节磁场的强度。
4.使用万用表测量霍尔元件两侧的电压差。
5.改变电流大小，记录不同电流下的霍尔电压。
6.改变磁场强度，记录不同磁场下的霍尔电压。
实验结果与分析通过实验测量，我们得到了不同电流大小和磁场强度下的霍尔电压数据。
通过分析这些数据，我们可以得出霍尔电压与电流、磁场的关系，并验证了霍尔效应的存在。
进一步探讨霍尔效应在传感器等领域的应用潜力，可以为相关领域的研究和发展提供参考。
实验结论本实验验证了霍尔效应的存在，通过实验数据分析得出了霍尔电压与电流、磁场的关系。
霍尔效应在传感器等领域有广泛的应用前景，可以为相关领域的技术发展提供支持和指导。
结语通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的原理和应用，同时也探讨了其在传感器领域的潜力。
相信在未来的研究和实践中，霍尔效应将发挥更大的作用，为科学技术的发展做出更大贡献。
愿我们在探索科学的道路上不断前行，开拓创新，探索未知领域。
霍尔效应及其应用实验报告
霍尔效应及其应用实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应测量磁场的方法。
3、学习用“对称测量法”消除副效应的影响。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片平面），当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电场，这种现象称为霍尔效应。
设半导体中的载流子为电子，它们以平均速度 v 沿 x 轴正方向运动，所受洛伦兹力为：＼F_L ＝ evB\其中 e 为电子电荷量，B 为磁感应强度。
在洛伦兹力作用下，电子向一侧偏转，在薄片的 y 轴方向上形成电荷积累，从而产生霍尔电场 EH ，霍尔电场对电子的作用力 FE 为：＼F_E ＝ eEH\当 FE ＝ FL 时，电子的积累达到动态平衡，此时霍尔电场为：＼EH ＝ vB\设薄片的厚度为 d，宽度为 b，通过的电流为 I，则：＼I ＝ nevbd\其中 n 为单位体积内的电子数。
则霍尔电压 UH 为：＼UH ＝ EHb ＝ vBb ＝＼frac{1}｛ne}＼cdot\frac{IB}｛d}＼令 RH ＝ 1/ne ，称为霍尔系数，则：＼UH ＝ RH\frac{IB}｛d}＼2、副效应及其消除方法在实际测量中，由于各种副效应的存在，会使测量结果产生误差。
主要的副效应有：（1）不等位电势差：由于霍尔片制作工艺的问题，霍尔片的两个电极不在同一等势面上，从而产生电势差，记为 U0 。
（2）爱廷豪森效应：载流子的速度服从统计分布，它们在磁场中受到的洛伦兹力不同，从而产生温差，形成温差电动势 UE 。
（3）能斯特效应：由于电流的热效应，在霍尔片两端会产生温度差，从而产生热扩散电流，在磁场作用下产生电势差 UN 。
（4）里纪勒杜克效应：热扩散电流的载流子也会受到洛伦兹力的作用，产生附加的电势差 UR 。
为了消除这些副效应的影响，通常采用“对称测量法”，即改变电流和磁场的方向，分别测量四组数据：＼U1 ＝ UH ＋ U0 ＋ UE ＋ UN ＋ UR\＼U2 ＝ UH U0 UE ＋ UN ＋ UR\＼U3 ＝ UH ＋ U0 UE UN UR\＼U4 ＝ UH U0 ＋ UE UN UR\则霍尔电压为：＼UH ＝＼frac{1}｛4}（U1 U2 ＋ U3 U4)＼三、实验仪器霍尔效应实验仪、霍尔效应测试仪、双刀双掷开关、导线等。
霍尔效应及其应用实验报告
课程名称：大学物理实验（二）实验名称：霍尔效应及其应用二、实验原理2.1霍尔效应1.霍尔效应洛伦兹力：f m=qv×B(1)静电场力：f e=qE=q V Hl(2)I=nqvdl（3）由二力平衡得V H=K H IB=IBnqd =R H Bd(4)其中：V H为霍尔电动势K H为霍尔器件的灵敏度I为工作电流R H=1nq为材料的霍尔系数l为材料的宽度B为所加磁场的磁感应强度n为载流子数密度q为单个载流子的电荷量d为霍尔器件厚度2.样品的导电类型N型：在图2.1条件下，A点高于B点P型：在图2.2条件下，B点高于A点图2.1 霍尔效应原理示意图2.2霍尔器件的输出特性测量1.控制变量法由4式知：（1）控制B不变，研究V H和工作电流I的关系（2）控制工作电流I不变，研究V H和磁感应强度B的关系2.附加电动势电热（爱廷豪森效应）温差（能斯特效应里纪勒杜克效应）不等电位差（零位误差）图2.2 霍尔器件示意图3.对称测量法消除附加电动势，然后通过改变磁场的方向或改变霍尔电流的方向，即分别测量四组不同方向的I S和B组合的VAA’求平均。
V H=V1−V2+V3−V4(5)4例如：能斯特（Nernst）效应引起的V N的方向仅与B 的方向有关。
+I S′+B：V1=V H+V N(6)−I S′+B：V2=−V H+V N(7)V H=V1−V2(8)22.3霍尔器件的应用1.测量螺线管的磁场分布图2.3 测量螺线管磁场分布示意图B=1μnI(cosβ1−cosβ2)(9)2图2.4 螺线管磁场分布图三、实验仪器：3.1霍尔器件输出特性测量仪器图3.1 霍尔器件输出特性测量仪器示意图图3.2 霍尔器件输出特性测量仪器实物图图3.3 霍尔器件输出特性测量仪器实物图3.2仪器操作注意事项1、测试仪开关机前将I S和I M旋钮逆时针转到底，防止输出电流过大；2、I S和I M接线不可颠倒，以防烧坏霍尔片；3、式样应置于螺旋线圈/铁芯气隙内磁场均匀处（即尽量处于中心）。
霍尔效应原理及其应用实验报告
霍尔效应原理及其应用实验报告一、引言。
霍尔效应是指当导体中有电流通过时，在垂直于电流方向上会产生电压差的现象。
这一效应的发现和应用，对于电子学领域有着重要的意义。
本实验旨在通过实验验证霍尔效应的存在，并探究其原理及应用。
二、实验原理。
霍尔效应的实验装置由霍尔元件、电源、电流表、电压表和磁铁等组成。
当电流通过导体时，垂直于电流方向的磁场会使得导体中的自由电子受到洛伦兹力的作用，从而在导体的一侧产生电子聚集，而在另一侧产生电子空穴。
这就导致了在垂直于电流方向上产生电压差的现象，即霍尔电压。
霍尔电压的大小与电流强度、磁感应强度以及导体材料的性质有关。
三、实验步骤。
1. 将霍尔元件固定在实验台上，并连接好电源、电流表和电压表。
2. 调节电源使得电流通过霍尔元件，同时在霍尔元件周围放置磁铁，使得磁感应强度在一定范围内变化。
3. 测量不同电流强度下，霍尔元件产生的电压差，并记录实验数据。
4. 改变磁感应强度，重复步骤3的实验，并记录数据。
5. 根据实验数据，分析霍尔电压与电流强度、磁感应强度之间的关系。
四、实验结果与分析。
实验数据表明，当电流通过霍尔元件时，随着电流强度的增加，霍尔电压也随之增加。
而在相同电流强度下，随着磁感应强度的增加，霍尔电压也随之增加。
这与霍尔效应的原理相符合。
通过对实验数据的分析，可以得出霍尔电压与电流强度、磁感应强度之间的关系式。
五、应用实验。
霍尔效应在实际中有着广泛的应用，例如霍尔传感器可以用于测量电流、磁场、速度等物理量，同时也可以用于制作霍尔开关、霍尔电流表等电子元器件。
本实验还可以通过改变导体材料、磁铁形状等条件，探究霍尔效应在不同条件下的变化规律，从而拓展其应用领域。
六、结论。
通过本实验，验证了霍尔效应的存在，并探究了其原理及应用。
实验结果表明，霍尔电压与电流强度、磁感应强度之间存在一定的关系。
霍尔效应在电子学领域有着重要的应用价值，对于提高电子元器件的性能和精度有着重要的意义。
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霍尔效应及其应用实验报告一、实验名称： 霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的H s V I -、H m V I -曲线，了解霍尔电压H V 与霍尔元件工作电流s I 、直螺线管的励磁电流m I 间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度B 及分布；4、学习用对称交换测量法（异号法）消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04型霍尔效应实验仪（仪器资产编号） 四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力Bf 作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图１所示。
半导体样品，若在ｘ方向通以电流sI ，在ｚ方向加磁场B ，则在ｙ方向即样品Ａ、Ａ′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场HE ，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力E B f f <时电荷不断聚积，电场不断加强，直到E B f f =样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品Ａ、Ａ′间形成了稳定的电势差（霍尔电压）H V 。
设H E 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则有：s I nevbd= （1－1）因为E H f eE =，B f evB =，又根据E B f f =，则1s s H H H I BI B V E b R ne d d =⋅=⋅= （1－2）其中1/()H R ne =称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出H V 、B 以及知道sI 和d ，可按下式计算3(/)H R m c ：H H s V dR I B =（1－3）BI U K S H H /= （1—4）H K 为霍尔元件灵敏度。
根据ＲH 可进一步确定以下参数。
（１）由HV 的符号（霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。
判别的方法是按图１所示的sI 和B 的方向（即测量中的＋sI ，＋B ），若测得的HV ＜０（即Ａ′的电位低于Ａ的电位），则样品属Ｎ型，反之为Ｐ型。
（２）由HV 求载流子浓度n ，即1/()H n K ed =。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入3/8π的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。
（３）结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。
电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系：ne σμ= （1－5）2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。
产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应，使H V 的测量产生系统误差，如图２所示。
（１）厄廷好森效应引起的电势差E V 。
由于电子实际上并非以同一速度ｖ沿ｙ轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点３的侧面，从而导致３侧面较４侧面集中较多能量高的电子，结果３、４侧面出现温差，产生温差电动势E V 。
可以证明E s V I B ∞。
E V 的正负与s I 和B 的方向有关。
（２）能斯特效应引起的电势差N V 。
焊点１、２间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故１、２两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。
与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在３、４点间形成电势差NV 。
若只考虑接触电阻的差异，则NV 的方向仅与磁场B 的方向有关。
（３）里纪-勒杜克效应产生的电势差R V 。
上述热扩散电流的载流子由于速度不同，根据厄廷好森效应同样的理由，又会在３、４点间形成温差电动势R V 。
R V 的正负仅与B 的方向有关，而与sI 的方向无关。
图２ 在磁场中的霍尔元件（４）不等电势效应引起的电势差0V 。
由于制造上的困难及材料的不均匀性，３、４两点实际上不可能在同一等势面上，只要有电流沿x 方向流过，即使没有磁场B ，３、４两点间也会出现电势差0V 。
0V 的正负只与电流s I 的方向有关，而与B 的方向无关。
综上所述，在确定的磁场B 和电流s I 下，实际测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的附加电压的代数和。
可以通过对称测量方法，即改变s I 和磁场B 的方向加以消除和减小副效应的影响。
在规定了电流s I 和磁场B 正、反方向后，可以测量出由下列四组不同方向的s I 和B 组合的电压。
即：+B ，s I +：10H E N R V V V V V V =+++++ +B ，s I -：20H E N R V V V V V V =--++- -B ，s I -：30H E N R V V V V V V =++--- -B ，s I +：40H E N R V V V V V V =----+然后求1V ，2V ，3V ，4V 的代数平均值得： 12344()H E V V V V V V -+-=+通过上述测量方法，虽然不能消除所有的副效应，但EV 较小，引入的误差不大，可以忽略不计，因此霍尔效应电压HV 可近似为12341()4H V V V V V ≈-+- （1－6）3、直螺线管中的磁场分布1、以上分析可知，将通电的霍尔元件放置在磁场中，已知霍尔元件灵敏度H K ，测量出sI 和H V ，就可以计算出所处磁场的磁感应强度B 。
HH s V B K I =⋅ （1－7）2、直螺旋管离中点x 处的轴向磁感应强度理论公式：221/2221/200222[][]22s x L L x x NI B L L L x r x r μ⎧⎫-+⎪⎪=+⎨⎬⎪⎪-+++⎩⎭（）（） （1－8） 式中，μ是磁介质的磁导率，N 为螺旋管的匝数，s I 为通过螺旋管的电流，L 为螺旋管的长度，0r 是螺旋管的内径，x 为离螺旋管中点的距离。
X=0时，螺旋管中点的磁感应强度0221/20(4)sNI B L r μ=+ （１－9）五、实验内容：测量霍尔元件的H s V I -、H m V I -关系； 1、将测试仪的“sI 调节”和“m I 调节”旋钮均置零位（即逆时针旋到底），极性开关选择置“0”。
2、接通电源，电流表显示“0.000”。
有时，sI 调节电位器或m I 调节电位器起点不为零，将出现电流表指示末位数不为零，亦属正常。
电压表显示“0.0000”。
3、测定H sV I -关系。
取m I ＝900mA ，保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点（二维移动尺水平方向14.00cm 处与读数零点对齐）。
顺时针转动“sI 调节”旋钮，sI 依次取值为1.00，2.00，…，10.00mA ，将s I 和m I 极性开关选择置“＋” 和“－”改变s I 与m I 的极性，记录相应的电压表读数i V 值，填入数据记录表1。
4、以H V 为横坐标，s I 为纵坐标作H s V I -图，并对H s V I -曲线作定性讨论。
5、测定H m V I -关系。
取s I =10 mA ,保持不变；霍尔元件置于螺旋管中点（二维移动尺水平方向14.00cm 处与读数零点对齐）。
顺时针转动“m I 调节”旋钮，m I 依次取值为0，100，200，…，900 mA ，将s I 和m I 极性开关择置“＋” 和“－”改变s I 与m I 的极性，记录相应的电压表读数i V 值，填入数据记录表2。
6、以H V 为横坐标，m I 为纵坐标作H m V I -图，并对H m V I -曲线作定性讨论。
测量长直螺旋管轴向磁感应强度B 1、取s I =10 mA ，m I ＝900mA 。
2、移动水平调节螺钉，使霍尔元件在直螺线管中的位置x （水平移动游标尺上读出），先从14.00cm 开始，最后到0cm 点。
改变s I 和m I 极性，记录相应的电压表读数i V 值，填入数据记录表3，计算出直螺旋管轴向对应位置的磁感应强度B 。
3、以x 为横坐标，B 为纵坐标作B x -图，并对B x -曲线作定性讨论。
4、用公式（1－8）计算长直螺旋管中心的磁感应强度的理论值，并与长直螺旋管中心磁感应强度的测量值14B 比较，用百分误差的形式表示测量结果。
式中70410/H m μπ-=⨯,其余参数详见仪器铭牌所示。
六、注意事项：1、为了消除副效应的影响，实验中采用对称测量法，即改变sI 和m I 的方向。
2、霍尔元件的工作电流引线与霍尔电压引线不能搞错；霍尔元件的工作电流和螺线管的励磁电流要分清，否则会烧坏霍尔元件。
3、实验间隙要断开螺线管的励磁电流m I 与霍尔元件的工作电流s I ，即m I 和s I 的极性开关置0位。
4、霍耳元件及二维移动尺容易折断、变形，要注意保护，应注意避免挤压、碰撞等，不要用手触摸霍尔元件。
七、数据记录：K H =23.09，N=3150匝，L=280mm,r=13mm表1H s V I -关系 （m I =900mA ）（mV ）（mV ）（mV ）（mV ）表2H mV I -关系 （sI =10.00mA ）（mV ）（mV ）（mV ）（mV ）-关系s I=10.00mA，m I=900mA 表3 B x（mV）（mV）（mV）（mV）八、 数据处理：（作图用坐标纸） 九、实验结果： 实验表明：霍尔电压H V 与霍尔元件工作电流s I 、直螺线管的励磁电流m I 间成线性的关系。
长直螺旋管轴向磁感应强度：BI U K S H H /B=U H /K H *I S =1.33x10-2T理论值比较误差为: E=5.3% 十、问题讨论（或思考题）： 思考题：1、若磁场不恰好与霍尔元件片底法线一致，对测量结果有何影响，如果用实验方法判断B 与元件发现是否一致？答：若磁场方向与法线不一致，载流子不但在上下方向受力，前后也受力（为洛仑兹力的两个分量）；而我们把洛仑兹力上下方向的分量当作合的洛仑兹力来算，导致测得的Vh 比真实值小。
从而，RH 偏小，n 偏大；σ偏大；μ不受影响。
可测量前后两个面的电势差。
若不为零，则磁场方向与法线不一致。
2、能否用霍尔元件片测量交变磁场？答：不能，电荷交替在上下面积累，不会形成固定的电势差，所以不可能测量交变的磁场。