模拟电路复习1(主观题)只是课件
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模拟电路复习总结PPT课件
ri Rb1 // Rb2 // rbe 0.946K
r0 RC 2.5K
第29页/共61页
差分电路
1. 主要特点：放大差模信号，抑制共模信号(克服零点漂移) 2. 四种输入、输出方式比较：
输入输 出方式
双入 双出
单入 双出
双入 单出
单入 单出
差模信号
uid共模信 号uic
uid = ui uic = 0 uid = ui uic = 0 uid = ui uic = ui / 2 uid = ui u =u/2
iD
理想模型 (大信号状态采用)
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开
UD(on)
u
D
恒压降模型
正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)
否则截止，相当于二极管支路断开
硅管： UD(on) = (0.6 0.8) V 估算时取 0.7 V
锗管：
= 3.3V
1.65 40
= 12－1.65×(2+2.5)
= 41μA
= 4.575 V
第28页/共61页
ib
ui Rb2 Rb1 rbe
ic β ib
uO RC RL
26
rbe
300
(1
40) 1.65
=0.946KΩ
•
Au
RC // RL
rbe
40 2.5 // 5 0.9 4 6
70.18
晶体三极管
1. 形式与结构 NPN PNP
三区、三极、两结
2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大
放大 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 条件 外因：发射结正偏、集电结反偏
模电复习ppt课件
3.互补输出级——由PNP和NPN两种极性的三极管或复合管组
成，以获得正负两个极性的输出电压或电流 具体电路参阅功率放大器。
4.偏置电流源——可提供稳定的几乎不随温度而变 化的偏置电流，以稳定工作点。
F007所具有的高性能
• Ad较大：放大差模信号的能力较强 • Ac较小：抑制共模信号的能力较强 • rid较大：从信号源索取的电流小 • ro小：带负载能力强 • Uom大：其峰值接近电源电压 • 输入端耐压高：使输入端不至于击穿的
一、复习什么
• 以基本概念、基本电路、基本分析方法为主线 • 概念和性能指标：每个术语的物理意义，如何应用。 • 基本电路：电路结构特征、性能特点、基本功能、
适用场合，这是读图的基础。见表11.2.1
– 基本放大电路 – 集成运放 – 运算电路 – 有源滤波电路 – 正弦波振荡电路 – 电压比较器 – 非正弦波振荡电路 – 信号变换电路 – 功率放大电路 – 直流电源
UCE
UCE ECICRC
(3) 交流计算 对交流信号(输入信号ui)
RB
RC
C1
短路
+EC 置零
C2
短路
交流通道
ui
RB
RC RL uo
简单(固定, 放大电路的微变等效电路为:
ii
ib
ic
ui RB rbe
ib
RL
rce
uo
RC
a、电压放大倍数的计算：
虚短、虚断
运算电路
引入负反馈
集成运放
模拟乘法器
比例
反相
同相
加减
积分
微分
对数
指数
成，以获得正负两个极性的输出电压或电流 具体电路参阅功率放大器。
4.偏置电流源——可提供稳定的几乎不随温度而变 化的偏置电流，以稳定工作点。
F007所具有的高性能
• Ad较大：放大差模信号的能力较强 • Ac较小：抑制共模信号的能力较强 • rid较大：从信号源索取的电流小 • ro小：带负载能力强 • Uom大：其峰值接近电源电压 • 输入端耐压高：使输入端不至于击穿的
一、复习什么
• 以基本概念、基本电路、基本分析方法为主线 • 概念和性能指标：每个术语的物理意义，如何应用。 • 基本电路：电路结构特征、性能特点、基本功能、
适用场合，这是读图的基础。见表11.2.1
– 基本放大电路 – 集成运放 – 运算电路 – 有源滤波电路 – 正弦波振荡电路 – 电压比较器 – 非正弦波振荡电路 – 信号变换电路 – 功率放大电路 – 直流电源
UCE
UCE ECICRC
(3) 交流计算 对交流信号(输入信号ui)
RB
RC
C1
短路
+EC 置零
C2
短路
交流通道
ui
RB
RC RL uo
简单(固定, 放大电路的微变等效电路为:
ii
ib
ic
ui RB rbe
ib
RL
rce
uo
RC
a、电压放大倍数的计算：
虚短、虚断
运算电路
引入负反馈
集成运放
模拟乘法器
比例
反相
同相
加减
积分
微分
对数
指数
《模拟电路总复习》课件
信号干扰问题
总结词
信号干扰是模拟电路中常见的问题之一，可能导致信号失真或电路性能下降。
详细描述
信号干扰的原因可能包括电磁干扰、电源噪声、接地不良等。解决这个问题的方法是采取相应的抗干 扰措施，如增加滤波器、使用屏蔽线、优化电路板布局和接地设计等。此外，还可以通过软件算法对 信号进行去噪和补偿，提高信号的稳定性和可靠性。
详细描述
模拟电路在通信领域中用于信号的传输和处理，如调制解调器、滤波器等；在电 子领域中用于音频、视频信号的处理和放大；在电力领域中用于电源管理、电机 控制等；在控制领域中用于模拟控制系统的设计和实现。
模拟电路的发展趋势
要点一
总结词
模拟电路的发展趋势包括集成化、智能化和绿色化。
要点二
详细描述
随着集成电路技术的发展，模拟电路正朝着集成化的方向 发展，越来越多的功能被集成在一个芯片上。同时，随着 人工智能和物联网技术的发展，模拟电路正朝着智能化的 方向发展，具有自适应、自学习等功能。此外，随着环保 意识的提高，模拟电路的设计和生产也正朝着绿色化的方 向发展，注重节能减排和环保。
03 模拟电路分析方法
交流分析方法
交流分析方法定义
交流分析方法重要性
交流分析方法主要研究模拟电路在交 流信号作用下的动态特性。
交流分析方法是模拟电路分析中的重 要环节，对于理解电路的工作原理和 设计优化具有重要意义。
交流分析方法应用
通过交流分析方法，可以确定电路的 增益、输入输出阻抗、频率响应等参 数，评估电路的性能。
谢谢聆听
二极管、晶体管
二极管
二极管是一种具有单向导电性的半导 体元件，它只允许电流在一个方向上 流动。常见的二极管有硅管和锗管。
晶体管
模拟电路知识点复习总结课件
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
PPT学习交流
39
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。
此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。
截止区：iC接近零的区域，相当iB=0
的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。
IE
通常 IC >> ICBO 则有 IC
IE
IC= InC+ ICBO
为电流放大系数。它只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关，与外加电压无关。一般
= 0.90.99 。
放大状态下BJT中载流子的传输过程
PPT学习交流
35
2. 电流分配关系
又设= 1
根据 IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
－
－
vN
＋
－
＋
Avo(vp-vN)
－
vo
PPT学习交流
12
理想运算放大器的特性
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性， 这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为 了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。
(1)虚短
由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电 压是有限的，一般在10 V～14 V。因此运放的差模输入 电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短 路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接 近相等。
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
PPT学习交流
39
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。
此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。
截止区：iC接近零的区域，相当iB=0
的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。
IE
通常 IC >> ICBO 则有 IC
IE
IC= InC+ ICBO
为电流放大系数。它只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关，与外加电压无关。一般
= 0.90.99 。
放大状态下BJT中载流子的传输过程
PPT学习交流
35
2. 电流分配关系
又设= 1
根据 IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
－
－
vN
＋
－
＋
Avo(vp-vN)
－
vo
PPT学习交流
12
理想运算放大器的特性
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性， 这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为 了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。
(1)虚短
由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电 压是有限的，一般在10 V～14 V。因此运放的差模输入 电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短 路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接 近相等。
模拟电路复习1(主观题)
模拟电子技术期末复习Ⅰ
（主观题部分）
[例2-1]电路如右图所示，晶体管的＝100，UBEQ＝0.7V。（1）求电路的Q点、 Au、Ri和Ro；（2）已知UCES＝0.7V，在空载情况下，当输入信号增大时，电路 首先出现饱和失真还是截止失真？若带负载的情况下呢？ 解：（1）求静态工作点 U CC U BEQ U CC 12V I BQ 20 A Re Re 600 K
=[1.7+130]//39//11=8.06 kΩ
输出电阻
Ro Rc
=3 kΩ
[例2-4]电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb=100Ω。 （1）求解Q点、Au、Ri 和Ro；（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？ （3）若C3开路，则Ui ＝？Uo＝？
解(1)Q点、 Au、Ri和Ro的分析
解：A1为反相比例放大电路，A2 为双端输入求差放大电路，所以 （1）当ui1=1V，ui2=3V时
R1 10 K ui1 1V 1V R2 10 K R 10 K uo2 5 (ui2 uo1 ) (3V 1V ) 8V R4 5K uo1
（2）当ui1=4V，ui2=3V时
[例2-3]有一基本放大电路如图所示，已知VCC=15V、Rc=3kΩ、Rb1=39kΩ、 Rb2=11kΩ、Re =1.3 kΩ、RL =10kΩ，UBE=0.7V，β=99，耦合电容的容量足够大。 试计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 解（1）直流Q点计算 由图电路的直流通路，可以有 Rb′= Rb1∥Rb2 =39//11 =8.58 kΩ
Ui Ri 0.952 Us 10 3.2mV Rs Ri 2 0.952
U o Au U i 95 3.2mV 304mV
（主观题部分）
[例2-1]电路如右图所示，晶体管的＝100，UBEQ＝0.7V。（1）求电路的Q点、 Au、Ri和Ro；（2）已知UCES＝0.7V，在空载情况下，当输入信号增大时，电路 首先出现饱和失真还是截止失真？若带负载的情况下呢？ 解：（1）求静态工作点 U CC U BEQ U CC 12V I BQ 20 A Re Re 600 K
=[1.7+130]//39//11=8.06 kΩ
输出电阻
Ro Rc
=3 kΩ
[例2-4]电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb=100Ω。 （1）求解Q点、Au、Ri 和Ro；（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？ （3）若C3开路，则Ui ＝？Uo＝？
解(1)Q点、 Au、Ri和Ro的分析
解：A1为反相比例放大电路，A2 为双端输入求差放大电路，所以 （1）当ui1=1V，ui2=3V时
R1 10 K ui1 1V 1V R2 10 K R 10 K uo2 5 (ui2 uo1 ) (3V 1V ) 8V R4 5K uo1
（2）当ui1=4V，ui2=3V时
[例2-3]有一基本放大电路如图所示，已知VCC=15V、Rc=3kΩ、Rb1=39kΩ、 Rb2=11kΩ、Re =1.3 kΩ、RL =10kΩ，UBE=0.7V，β=99，耦合电容的容量足够大。 试计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 解（1）直流Q点计算 由图电路的直流通路，可以有 Rb′= Rb1∥Rb2 =39//11 =8.58 kΩ
Ui Ri 0.952 Us 10 3.2mV Rs Ri 2 0.952
U o Au U i 95 3.2mV 304mV
最新山东大学模拟电路第1章复习PPT课件
+
-
正偏 - + 反偏
放大Vc<Vb<Ve
放大
发截射止结和集电发结射均结饱为和和反集偏电。结均为正偏。
测得VB =4.5 V 例、V2E：= 3.8 V 、VC =8 V，试
判断三极管的工作状态。
放大
二. BJT电路的分析方法（直流）
1. 模型分析法（近似估算法）
例：共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试 求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。
饱和区
放大区——发射结正偏，
集电结反偏。 曲线基本平 行等距。此时： UBE≥0.7V ， UCE>0.3V
IC＝IB
i C(m A)
放大区
IB =1 00 uA IB =8 0u A IB =6 0u A IB =4 0u A
IB =2 0u A
截止区
IB= 0
u
CE
(V )
四. BJT的主要参数
iB≈0 iC≈0
直流模型 放大状态
IB b
UD
IC c
βIB
发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V
e
b
截止状态
c
b
饱和状态
e c
UD
UCES
e
饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V
测量三极管三个例电1极：对地电位，试判断三极管的
工作状态。
-
+
正偏 + - 反偏
放大Vc>Vb>Ve
( V)
输出特性曲线可以分为三个区域:
饱和区——发射结正偏，集电结也正偏, iC不受iB的控制，而受uCE
的影响，该区域内iC 显著增加时， uCE增加很小。此时,UBE≥0.7V， UCE <0.3V, IC<βIB
电路与模拟电子技术复习经典题库PPT课件
u C352s2i(n 31 t1 47 )V
通过计算可看出：
I
UURULUC UL
而是 U U RU LU C
U R 53
U
(3)相量图
UL UC
(4) PUcIo s22 40.4 co (5 s3 )W
580.8W
U C
或 PURII2R580.8W
..
UI(RjXC)
相位
u.i同相
相量图
.
I
.
U
平均（有功） 功率
P=UI
u超前i90。
.
U
.
I
P=0
i超前u90。
.
I
.
U
P=0
u超i θ
θ=
arctg
XL R
﹥0
.
U.
θI
P=UIcosΦ=I2R
i 超前u
θ=
-arctg
XC R
﹤0
.
.θ
I
U
P=UIcosΦ=I2R
无功功率 Q=0
Q=UI
电位 VA = 6V 。
S
(2) 当开关闭合时,电路 如图（b）
I2 A
(a)
电流 I2 = 0， 电位 VA = 0V 。
2K
+ I1
6V –
2k
I2 A
电流在闭合
(b)
路径中流通
6
例2：电路如下图所示，(1) 零电位参考点在哪里？ 画电路图表示出来。(2) 当电位器RP的滑动触点向 下滑动时，A、B两点的电位增高了还是降低了？
+
uC
()
-
3k
6 3 103 2106 63
模拟电路复习提纲.ppt
第2章 自测题（二）
1.三极管工作在饱和状态时，其偏置应为（ ） 。Βιβλιοθήκη A、发射结零偏，集电结反偏。
B、发射结正偏，集电结正偏。
C 、发射结正偏，集电结反偏。 D、发射结反偏，集电结反偏。
2.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管( )。
A、处于饱和状态
B、放大状态 C、截止状态 D、已损坏
5.对于电压放大器来说，( )越小，电路的带负载能力越强。
A、输入电阻 B、输出电阻 C、电压增益
D、电流增益
6.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是( )放大电路。
A、共射极
B、共集电极 C、共基极
D、共射-共基
第2章 自测题（三）
7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结【 】。 A、必须正偏 B、必须反偏 C、可以任意偏置 D、与漏源电压极性一致 8.某场效应管的转移特性如下图所示，则该管是【 】场效应管 。 A、增强型NMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、耗尽型PMOS
电阻最大。
5.实验中用直流电流表测量三极管的静态电流，其中流进电极的电流为3.66mA，
流出电极的电流分别为 0.06mA和3.6mA。则该管是 型三极管，其β值为 。
6.我们希望放大电路输入电阻越 越好，输出电阻越 越好，
放大电路
具备有这种条件。
7.场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
PCM,最大集电极电流ICM和极间反向击穿电压UCBO、UCEO、UEBO
第2章 三极管及其放大电路基础
放大电路：放大电路放大的本质是能量的控制与转换，是在输入信号的作用下， 通过放大电路将直流电源的能量转换成负载所获得的能量。放大的前提是不失 真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。能够控制能量的元件称为有源器 件。
电路与模拟电子复习题ppt课件.pptx
10. 正弦的相量I1 345 A, 频率f =50。则对应的正弦函数式为( B )。
A. i1 3 2 sin(50 t + 45); B. i1 3 2 sin(100 t + 45); C. i1 3 2 sin(50 t 45); D. i1 3sin(100 t + 45);
11. 正弦交流电压为u=18.28sin(314t+60) V，其中有效 值为 20V ，频率为 50 Hz ，初相位是 60 。
课堂互动
6.
C
课堂互动
7. 集成运算放大器是一种 高增益(高放大倍数) 的多 级的 直接耦合 的电压放大器。
8. 用集成运算放大器实现uo=(ui1+ui2)的运算，
应采用( D )的运算电路。
A. 同相比例
B. 反相积分
C. 差分减法
D. 反相加法
9. 判断: 线性运算电路中，集成运放一般都要引
ωCC
课堂互动
30.在电感电路中下列表示电压与电流关系正确的一组等式是( B )。
u
u
A. i , i
XL
jω L
C.
UU II
X LL,,
u
L di dt
B. I U , ωLБайду номын сангаас
UU II jjXXLL
D. U j ω L, U II jjωLL
I
课堂互动
35.
A
课堂互动
36.
37.
课堂互动
16. 角频率
17. 有效值
课堂互动
19. (B )
20. A
课堂互动
21.
B 22.
A
课堂互动
A. i1 3 2 sin(50 t + 45); B. i1 3 2 sin(100 t + 45); C. i1 3 2 sin(50 t 45); D. i1 3sin(100 t + 45);
11. 正弦交流电压为u=18.28sin(314t+60) V，其中有效 值为 20V ，频率为 50 Hz ，初相位是 60 。
课堂互动
6.
C
课堂互动
7. 集成运算放大器是一种 高增益(高放大倍数) 的多 级的 直接耦合 的电压放大器。
8. 用集成运算放大器实现uo=(ui1+ui2)的运算，
应采用( D )的运算电路。
A. 同相比例
B. 反相积分
C. 差分减法
D. 反相加法
9. 判断: 线性运算电路中，集成运放一般都要引
ωCC
课堂互动
30.在电感电路中下列表示电压与电流关系正确的一组等式是( B )。
u
u
A. i , i
XL
jω L
C.
UU II
X LL,,
u
L di dt
B. I U , ωLБайду номын сангаас
UU II jjXXLL
D. U j ω L, U II jjωLL
I
课堂互动
35.
A
课堂互动
36.
37.
课堂互动
16. 角频率
17. 有效值
课堂互动
19. (B )
20. A
课堂互动
21.
B 22.
A
课堂互动
模拟电路PPT课件
A u
1 (156) 39 31
集成运算放大电路
1 集成运算放大器的组成
通常由共发射极放大电路构成，目的 是为了获得较高的电压放大倍数。
输入级
中间级
输出级
通常由差动放 大电路构成， 目的是为了减 小放大电路的 零点漂移、提 高输入阻抗。
偏置电路
一般由各种恒流源电路构成，作 用是为上述各级电路提供稳定、 合适的偏置电流，决定各级的静
iC
iC
Q'
Q
ICQ
Q"
t
0
0
UCEQ
uCE
0
uCE
(a) 饱和失真
t
iC
iC
ICQ
0
0
t
0
(b) 截止失真 t
Q'
Q
Q"
UCEQ uCE uCE
2．微变等效电路法
（1）基本思路
把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效成一个线性 电路，就是放大电路的微变等效电路，然后用线性电路 的分析方法来分析，这种方法称为微变等效电路分析法。 等效的条件是晶体管在小信号（微变量）情况下工作。 这样就能在静态工作点附近的小范围内，用直线段近似 地代替晶体管的特性曲线。
1．估算法
直流通路：耦合电容可视为开路。
RB
RC +UCC
ICQ
IBQ
+
+
V UCEQ
UBEQ
－
－
I BQ
U CC
U BEQ RB
ICQ IBQ
U CEQ U CC ICQ RC
图解步骤：
2．图解法
（1）用估算法求出基极电流IBQ（如40μA）。 （2）根据IBQ在输出特性曲线中找到对应的曲线。 （3）作直流负载线。根据集电极电流IC与集、射间电 压UCE的关系式UCE=UCC－ICRC可画出一条直线，该直 线在纵轴上的截距为UCC/RC，在横轴上的截距为UCC， 其斜率为－1/ RC ，只与集电极负载电阻RC有关，称为 直流负载线。
模拟电路复习提纲PPT课件
5.对于电压放大器来说，( )越小，电路的带负载能力越强。
A、输入电阻 B、输出电阻 C、电压增益
D、电流增益
6.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是( )放大电路。
A、共射极
B、共集电极 C、共基极
D、共射-共基
第2章 自测题（三）
7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结【 】。 A、必须正偏 B、必须反偏 C、可以任意偏置 D、与漏源电压极性一致 8.某场效应管的转移特性如下图所示，则该管是【 】场效应管 。 A、增强型NMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、耗尽型PMOS
则电流ID约 为( )。
A、11mA
B、20mA
C、10.1mA
D、20.1mA
6.如右图所示电路中，已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时,
电流I的大小将是( )。
A、I =1mA B、I >1mA C、1mA <I <2mA D、I >2mA
7.二极管整流电路是利用（
PCM,最大集电极电流ICM和极间反向击穿电压UCBO、UCEO、UEBO
第2章 三极管及其放大电路基础
放大电路：放大电路放大的本质是能量的控制与转换，是在输入信号的作用下， 通过放大电路将直流电源的能量转换成负载所获得的能量。放大的前提是不失 真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。能够控制能量的元件称为有源器 件。
8.场效应管按结构可分
、
料可分为
、
。
；从工作性能可分 、
；从基片材
9.结型场效应管利用栅源极间所加的 (反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变 导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压UGS为 (正值、负值、零) 。
模拟电路第一章习题PPT
1-1、写出图所示各电路的输出电压值， 设二极管导通电压UD＝0.7V。
1-2、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)， 二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
1-3、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b） 所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形， 并标出幅值。
1-4、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
1-5、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V， 最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
1-6、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ （设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V）
1-7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们的管型（NPN、PNP）, 是硅管还是锗管。
管号 上 中
T1 e b
T2 C B
T3 e b
T4 b e
T5 c e
T6 b e
下
管型 材料
c
PNP Si
e
NPN Si
c
NPN Si
c
PNP Ge
b
PNP Ge
c
NPN Ge
1-8、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。 试分析VBB为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出＝50，|UBE|＝0.2V， 饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通 电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
1-2、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)， 二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
1-3、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b） 所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形， 并标出幅值。
1-4、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
1-5、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V， 最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
1-6、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ （设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V）
1-7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们的管型（NPN、PNP）, 是硅管还是锗管。
管号 上 中
T1 e b
T2 C B
T3 e b
T4 b e
T5 c e
T6 b e
下
管型 材料
c
PNP Si
e
NPN Si
c
NPN Si
c
PNP Ge
b
PNP Ge
c
NPN Ge
1-8、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。 试分析VBB为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出＝50，|UBE|＝0.2V， 饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通 电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
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100
（3）求最大不失真输出电压UOM
3K // RL 1.5K
RL 3K
如前分析，当静态时ICQ＝2mA，UCEQ＝6V，负载电阻RL＝∞时，为避免产生饱 和失真，UOM≤6V-0.6V=5.4V。 当RL＝3kΩ时，为避免产生截止失真，UOM≤ICQ×RC//RL=2mA×1.5KΩ=3V。
IBQ
VCC UBEQ Rb (1 )Re
15V 200K 81 3K
32.3μA
IEQ (1 )IBQ 81 32.3uA 2.61mA
UCEQ VCC IEQ Re 15 2.61 3K 7.17V
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
RL＝∞时
Au
(1 )Re rbe (1 )Re
U BEQ Re
UCC Re
12V 600 K
20A
ICQ IBQ 100 20A 2 mA
UCEQ VCC ICQ Rc 12V 2mA 3K 6V
（2）求电压放大倍数
rbe
rbb'
26mV I BQ
200 26mV 20 A
1.5k
（3）求输入、输出电阻
Au
( Rc∥RL rbe
V 'CC
VCC Rb2 Rb1 Rb2
15 11 3.3V 39 11
I BQ
V 'CC U BE
R'b (1 )Re
3.3 0.7
2.6(V)
8.58 (1 99) 1.3 138 .58(k)
=18.76uA
ICQ=β IBQ =99×18.76mA=1.857mA
UCEQ= VCC – ICQRc- IEQRe= VCC - ICQ(Rc+Re) =15-1.857×(3+1.3)=15-7.98=7.02V
rbe
rbb'
(1 ) 26mV
I EQ
100 61 26 1.89
0.952
Au
(Rc∥RL
rbe
)
60 (3K // 3K) 0.952
95
Ri Rb∥rbeபைடு நூலகம் 300K // 0.952K 0.952K
Ro Rc 3k
[例2-4]电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb=100Ω。
Au
rbe
R'L (1 )Re1
99 2.3 1.73 1.7 100 1.3
（2）电压放大倍数、输入电阻和输出电阻
输入电阻 输出电阻
Ri [rbe (1 )Re1 ]// Rb1 // Rb2 =[1.7+130]//39//11=8.06 kΩ
Ro Rc =3 kΩ
[例2-4]电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb=100Ω。
模拟电子技术期末复习Ⅰ
（主观题部分）
[例2-1]电路如右图所示，晶体管的＝100，UBEQ＝0.7V。（1）求电路的Q点、 Au、Ri和Ro；（2）已知UCES＝0.7V，在空载情况下，当输入信号增大时，电路 首先出现饱和失真还是截止失真？若带负载的情况下呢？
解：（1）求静态工作点
I BQ
UCC
（2）电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
由微变等效电路可得电压增益的表达式
Ui Ibrbe (1 )Ib Re Ib[rbe (1 )Re ] Uo Ib R'L
rbe rbb'
(1 ) 26(mV)
I E (mA)
300 100 26mV 1700 1.857mA
（1）求解Q点、Au、Ri 和Ro；（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？ （3）若C3开路，则Ui ＝？Uo＝？
解(1)Q点、 Au、Ri和Ro的分析
IBQ
VCC UBEQ
Rb (1 )Re
12 0.7 300 611
31 μA
ICQ IBQ 1.86mA
UCEQ VCC IEQ (Rc Re ) 4.56V
解：（1）求Rb
I BQ
I CQ
2mA 100
20A
ICQ
VCC
UCEQ RC
12V 6V 3K
2mA
Rb
VCC U BEQ I BQ
VCC I BQ
12V 600KV 20A
（2）求RL
Au
UO UI
RC // RL rbe
100 3K // RL 1.5K
100 mV 1mV
)
100
(3K // 1.5K
3K)
100
Ri Rb∥rbe rbe 1.5k
Ro Rc 3k
（4）空载时首先出现饱和失真。带负载时,与负载的大小有关，可能会同时出 现饱和截止失真 。
[例2-2]电路如右图所示，晶体管的＝100，rbe=1.5KΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和 100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ （3）设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻 RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
Ri Rb∥[rbe (1 )Re ] 51.3k
Au
Rc∥RL Re
1.5
Ui
Ri Rs Ri
Us
9.6mV
Uo Au Ui 14.4mV
[例2-5]电路如下图所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的Au和Ri；（3）求出Ro。 解：（1）求解Q点：
（1）求解Q点、Au、Ri 和Ro；（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？ 若C3开路，则 Ui ＝？Uo＝？
(2)设Us＝10mV（有效值），则
Ui
Ri Rs Ri
Us
0.952 10 2 0.952
3.2mV
Uo Au Ui 95 3.2mV 304mV
若C3开路，则
81 3K 1K 81 3K
0.996
Ri Rb∥[rbe (1 )Re ] 200K //[1K 81 3K] 110k
[例2-5]电路如下图所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；
[例2-3]有一基本放大电路如图所示，已知VCC=15V、Rc=3kΩ、Rb1=39kΩ、 Rb2=11kΩ、Re =1.3 kΩ、RL =10kΩ，UBE=0.7V，β=99，耦合电容的容量足够大。 试计算电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
解（1）直流Q点计算 由图电路的直流通路，可以有
Rb′= Rb1∥Rb2 =39//11 =8.58 kΩ