芯片封装工艺及设备
封装工艺及设备
分辨率 μm
较高
性能 精度 线宽 μm μm
较高 较窄
样品要求
切深 μm
样品材料
样品 大小
样品 厚度μm
浅
GaAs、 InP
≤4inch
≤100
钻石刀 划片机
一般
一般 较窄
浅
Sapphir e、GaN
≤3inch
≤100
激光 划片机
砂轮 划片机
高 一般
高
窄
较深
Sapphir e、GaN
≤3inch
≤100
56
JSM-6390性能参数
最大放大倍数
300，000 ×
高真空分辨率
加速电压
分辨率
30 kV
3.0nm
15 kV
8.0nm
1 kV
15nm
57
JSM-6390实拍示例
58
JSM-6390工作模式
工作模式： 模式比较：
△ 二次电子像模式 △ 背散射电子像模式
主要利用 分辨率
二次电子像 形貌衬度 高
Chip
4. 凸点光刻
solder ball after reflow
Chip
5. 电镀焊料
Chip
Chip
6. 去除光刻胶 7. 去除凸点外底金属
电镀焊料凸点工艺流程
Chip
8. 回流
25
电镀凸点工艺样品示例
PCB上不同尺寸倒装焊样品 在软质底板上倒装焊
26
实验室现有引线键合设备
WEST·BOND 747677E
2.1. 对准
Step
CCD OPTICS
重复步骤1-4 42
两种压印方式比较
fcbga封装工艺流程
FCBGA封装工艺流程1. 概述FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array）封装是一种常用的芯片封装技术，广泛应用于集成电路和微电子器件中。
本文将详细介绍FCBGA封装的工艺流程，包括准备工作、芯片加工、封装和测试等步骤。
2. 准备工作在进行FCBGA封装之前，需要进行一系列的准备工作，包括准备封装材料、制定工艺流程和准备封装设备等。
2.1 封装材料准备封装材料是进行FCBGA封装的关键，主要包括基板、芯片、球限位模板、球粘贴剂、封装胶等。
基板是封装的载体，芯片是封装的核心部件，球限位模板用于定位焊球的位置，球粘贴剂用于固定焊球，封装胶用于固定芯片和基板。
2.2 工艺流程制定制定合理的工艺流程对于保证封装质量至关重要。
工艺流程包括芯片加工、焊球粘贴、封装胶固化、后焊处理等步骤，需要根据具体的封装要求和设备条件来确定。
2.3 封装设备准备进行FCBGA封装需要一系列的设备，包括焊球粘贴机、封装机、固化炉、后焊处理设备等。
这些设备需要提前准备好，并进行调试和校准，确保其正常工作。
3. 芯片加工芯片加工是FCBGA封装的第一步，主要包括芯片前处理、金球粘贴和后处理等。
3.1 芯片前处理芯片前处理是为了准备好进行金球粘贴的芯片表面。
首先，将芯片进行去除背面金属层的处理，以便后续的焊球粘贴。
然后，进行表面清洁处理，去除芯片表面的污染物和氧化层，以提高粘贴效果。
3.2 金球粘贴金球粘贴是将焊球粘贴到芯片的关键步骤。
首先，将焊球粘贴剂均匀地涂覆在芯片的焊盘区域。
然后，使用焊球粘贴机将焊球粘贴到焊盘上。
粘贴时需要保证焊球的位置准确、数量正确，并且与球限位模板对应。
3.3 芯片后处理芯片粘贴完成后，需要进行芯片后处理。
主要包括焊球熔合和清洗。
焊球熔合是将焊球进行熔合，使其与芯片焊盘形成可靠的焊接。
清洗是为了去除焊球粘贴过程中产生的污染物和残留物，以保证封装质量。
4. 封装封装是FCBGA封装的核心步骤，主要包括芯片定位、封装胶固化和后焊处理等。
半导体封装制程及其设备介绍
半导体封装制程及其设备介绍一、概述半导体芯片是一种微型电子器件，半导体封装制程是将芯片进行外层包装，从而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。
比较常见的半导体封装方式有芯片贴装式、铅框式、无铅框式等。
本文将从半导体封装的制程入手，为大家介绍半导体封装制程及其设备。
二、半导体封装制程1. 粘结半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片（Leadframe）上面。
支撑贴片是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。
常用的粘接剂有黄胶、银胶等，其使用在制程时会加热到一定温度，使其能够黏合贴片和芯片。
2. 线缆连接芯片被粘接到支撑贴片上方后，需要进行内部连线。
通常使用铜线作为内部连线，常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。
它们的区别很大程度上取决于封装要求和芯片使用情况。
3. 包封装在连线之后，开始进行半导体封装的最后一步–包封装。
包封装是将芯片包封闭在一起，以进一步保护它。
常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。
三、半导体封装设备介绍1. 芯片粘结设备芯片粘结设备是半导体封装的第一步。
常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、银胶粘合机、重合机等。
不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。
2. 线缆连接设备目前，铜线焊接机处于主流位置。
与金线焊接机相比，铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。
因此，其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。
3. 包封装设备包封装设备是半导体封装的重要步骤。
常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。
它们能够满足不同类型的封装要求，使芯片更加可靠。
四、半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。
本文从制程和设备两个角度，为大家介绍了半导体封装制程及其设备。
不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。
因此，在选择半导体封装制程和设备时，需要根据实际情况进行选择，以确保产品达到最佳性能和质量要求。
半导体封装制程及其设备介绍——【半导体芯片】
Dual In-line Package
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
8 ~64
SIP
Single In-line Package
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic
1.27 mm (50miles) j-shape bend 4 direction
lead
18~124
Ceramic
0.5 mm
32~200
SMT (Optional)
Taping (Optional)
Grinding (Optional)
lead
3~25
Through Hole Mount
ZIP
Zigzag In-line Package
S-DIP
Shrink Dual In-line
Package
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
1.27 mm (50miles) 2 direction
lead
8 ~40
半导体封装制程及其设备介绍
Solder paste
Die Prepare(芯片预处理) To Grind the wafer to target thickness then separate to single chip
---包括来片目检(Wafer Incoming), 贴膜(Wafer Tape),磨片(Back Grind),剥膜(Detape),贴片(Wafer Mount),切割(Wafer Saw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目 检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.
B Wafer roughness Measurement 粗糙度测量仪 主要为光学反射式粗糙度测量方式；
4.Grinding 配套设备
A Taping 贴膜机 B Detaping 揭膜机 C Wafer Mounter 贴膜机
Wafer Taping -- Nitto DR300II
Alignment
1.27, 0.762 mm (50, 30miles)
Ceramic 2, 4 direction lead
20~80
Ceramic
1.27,1.016, 0.762 mm (50, 40, 30
miles)
20~40
大家应该也有点累了，稍作休息
大家有疑问的，可以询问和交流
Surface Mount
半导体设备供应商介绍-前道部分
半导体设备供应商介绍-前道部分
常用术语介绍
1. SOP-Standard Operation Procedure 标准操作手册 2. WI – Working Instruction 作业指导书 3. PM – Preventive Maintenance 预防性维护 4. FMEA- Failure Mode Effect Analysis 失效模式影响分析 5. SPC- Statistical Process Control 统计制程控制 6. DOE- Design Of Experiment 工程试验设计 7. IQC/OQC-Incoming/Outing Quality Control 来料/出货质量检验 8. MTBA/MTBF-Mean Time between assist/Failure 平均无故障工作时间 9. CPK-品质参数 10. UPH-Units Per Hour 每小时产出 11. QC 7 Tools ( Quality Control 品管七工具 ) 12. OCAP ( Out of Control Action Plan 异常改善计划 ) 13. 8D ( 问题解决八大步骤 ) 14. ECN Engineering Change Notice ( 制程变更通知 ) 15. ISO9001， 14001 – 质量管理体系
芯片封装工艺流程sop6
芯片封装工艺流程sop6芯片封装工艺流程SOP6芯片封装工艺是将裸芯片封装成成品芯片的关键环节，其中SOP6是一种常见的封装工艺流程。
下面将从人类视角出发，向您介绍SOP6的具体步骤和流程。
我们需要准备好所需材料和设备。
这些材料包括芯片、封装基板、封装胶水、引脚等。
而设备则包括焊接机、测试仪器等。
准备工作完成后，我们便可以开始封装工艺的实施了。
第一步是将芯片粘贴到封装基板上。
我们需要使用封装胶水将芯片固定在基板上，并确保其位置准确无误。
这一步骤需要仔细操作，以避免芯片在后续工艺中移位或损坏。
接下来，我们需要焊接芯片的引脚。
这一步骤需要使用焊接机进行，通过高温将引脚与基板连接起来。
焊接过程需要掌握合适的温度和时间，以确保焊接牢固可靠。
完成焊接后，我们需要对封装芯片进行测试。
这一步骤是为了确保芯片的功能正常，没有任何缺陷。
我们可以使用测试仪器对芯片进行电性能测试，以验证其性能指标是否符合要求。
我们需要封装芯片。
这一步骤是为了保护芯片免受外界环境的影响。
我们可以使用封装胶水将芯片表面覆盖，形成一层保护层。
同时，我们还需要对封装后的芯片进行质量检查，以确保封装质量符合标准。
通过以上步骤的实施，芯片封装工艺流程SOP6完成了。
这一流程不仅保证了芯片的正常工作，还保护了芯片的稳定性和可靠性。
在实际生产中，我们需要严格按照SOP6的要求进行操作，并进行质量控制，以确保封装芯片的质量和性能达到标准。
总结起来，SOP6是一种常见的芯片封装工艺流程。
通过粘贴芯片、焊接引脚、测试和封装等步骤，我们可以完成芯片封装的工作。
这一流程的实施需要仔细操作和严格控制，以确保芯片的质量和性能。
希望通过本文的介绍，您对SOP6有了更深入的了解。
COB制作工艺流程及设备应用情况
COB制作工艺流程及设备应用情况COB (Chip on Board)制作工艺流程及设备应用情况COB制作工艺是将电子芯片(IC)直接粘贴在线路板(PCB)的表面上，然后通过线缆进行电路连接的一种封装技术。
相比于传统的封装技术，如QFP、BGA等，COB制作工艺具有尺寸小、重量轻、成本低等优势。
在COB制作过程中，需要使用到一系列设备：1.IC贴装机：IC贴装机是COB制作过程中最关键的设备之一、它用于将IC芯片精确地贴在PCB上，贴装机通过引导针、真空吸附等机械手段将IC精准地定位在PCB的特定位置上，并确保IC与PCB的电路相连。
2.热压机：在IC贴装完成后，需要使用热压机将IC芯片与PCB进行牢固的黏合。
热压机通过加热和压力的双重作用，将IC芯片与PCB上的导电胶水进行固化，从而确保芯片在使用过程中不会脱落。
3.焊接设备：在COB制作工艺中，还需要进行电路的连线焊接。
这个过程通常使用焊锡丝和焊锡炉来完成。
焊锡丝在炉子中熔化，然后通过机械移动或人工操作，将焊锡丝与芯片引脚和PCB上的焊盘连接。
4.清洗设备：在COB制作完成后，需要对PCB进行清洗，以去除焊锡残留物、胶水残留物等杂质。
清洗设备通常使用喷淋式清洗机，使用喷淋喷头将清洗液均匀地喷洒在PCB上，然后通过高压水流将杂质冲走。
以上是COB制作工艺中常用的设备，下面将介绍COB制作的工艺流程：1.PCB准备：首先，需要准备好空的PCB板，并进行表面处理，以提高黏附性和贴装质量。
2.粘贴IC芯片：使用IC贴装机将IC芯片粘贴到PCB上的特定位置。
贴装机通过引导针和真空吸附等方式，确保IC芯片的正确定位和黏附。
3.热压黏合：将贴好的IC芯片和PCB放入热压机中，通过加热和压力，将芯片与PCB的导电胶水进行牢固黏合。
4.连线焊接：使用焊锡丝和焊锡炉，将IC芯片的引脚与PCB上的焊盘进行焊接，以建立电路连接。
5.清洗：使用清洗设备对PCB进行清洗，以去除焊锡残留物、胶水残留物等杂质。
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿
半导体封装制程及其设备介绍详解演示文稿一、引言二、半导体封装制程的整体流程1.设计和制备芯片：在封装过程开始之前，需要进行半导体芯片的设计和制备。
这包括设计电路、选择材料、制造芯片等步骤。
2.选型和设计封装方案：根据芯片功能和其他要求，选择合适的封装方案。
封装方案的选择包括外形尺寸、引脚数量和布局、散热设计等。
3.制备基板：选择合适的基板材料，并进行加工和制备。
基板的制备是封装制程中的核心环节之一，目的是为芯片提供支撑和连接。
4.芯片连接：将芯片连接到基板上，通常使用焊接技术或金线键合技术。
焊接是将芯片的引脚与基板的焊盘连接起来，金线键合则是用金线将芯片与基板进行连接。
5.包封：将芯片和连接线封装进封装材料中，形成最终的封装产品。
常见的封装材料有环氧树脂和塑料，也有针对特殊应用的金属封装。
6.测试和质量检验：对封装后的产品进行测试和质量检验，确保其符合设计要求和标准。
测试主要包括电性能测试、可靠性测试和环境适应性测试等。
7.封装后处理：包括喷涂标识、气密性测试、老化测试等。
这些步骤都是为了保证封装产品的质量和性能稳定。
三、半导体封装制程的关键步骤及设备介绍1.基板制备基板制备是封装制程中的核心步骤，主要包括以下设备：(1)切割机：用于将硅片切割成芯片，常见的切割机有钻石切割机和线切割机。
(2)干法清洗机：用于清洗芯片表面的杂质。
清洗机主要有氧气等离子体清洗机和干气流清洗机等。
(3)晶圆胶切割机：用于将芯片粘贴在基板上。
2.连接技术连接技术是将芯片与基板连接起来的关键步骤，常见的设备有：(1)焊接机：用于焊接芯片和基板之间的引脚和焊盘。
常见的焊接机有波峰焊机和回流焊机。
(2)金线键合机：用于将芯片与基板之间进行金线键合连接。
常见的金线键合机有球焊键合机和激光键合机等。
3.封装工艺封装工艺是将芯片和连接线封装进封装材料中的步骤，主要设备有：(1)半导体封装设备：用于将封装材料和连接线封装成最终产品。
芯片封装sbm工艺流程
芯片封装sbm工艺流程芯片封装是集成电路生产过程中的重要环节之一。
SBM（Solder Ball Mounting）工艺是一种常用的芯片封装工艺，本文将详细介绍SBM工艺的流程。
一、背景介绍芯片封装是将集成电路芯片与封装基板相连接的过程，它能够保护芯片、提供电气连接和散热功能。
SBM工艺是一种球焊封装工艺，通过在芯片与封装基板之间放置焊球来实现电气连接，并使用热压力将焊球与芯片、封装基板固定在一起。
二、SBM工艺流程1. 准备工作：在进行SBM工艺之前，需要准备好以下材料和设备：- 集成电路芯片- 封装基板- 焊球- 焊膏- 焊接设备（如焊接机器人、热压力机等）2. 焊球分配：首先，需要将焊球按照预定的布局分配到芯片上。
通常，焊球会通过自动化设备进行精确的分配，确保每个焊球都能准确连接到芯片的引脚上。
3. 焊球熔化：焊球熔化是SBM工艺的核心步骤。
在这一步骤中，焊膏会被加热至熔化状态，使焊球与芯片引脚和封装基板之间形成电气连接。
焊球的熔化温度通常在150°C至250°C之间，具体取决于焊球和焊膏的材料。
4. 焊接固化：焊接固化是为了保证焊点的可靠性和稳定性。
在焊球熔化后，通过施加一定的热压力，使焊球与芯片引脚和封装基板之间建立牢固的连接。
同时，焊膏也会在高温高压下固化，确保焊点的牢固性。
5. 清洗和测试：完成焊接后，需要对芯片进行清洗和测试。
清洗可以去除焊接过程中产生的污染物和残留物，确保芯片表面的干净。
测试则是为了验证焊接质量和芯片功能是否正常。
三、SBM工艺的优势1. 高可靠性：SBM工艺采用焊球连接芯片和封装基板，焊点可靠性高，能够满足高可靠性应用领域的需求。
2. 封装密度高：焊球的尺寸较小，可以实现较高的封装密度，提高芯片的集成度和性能。
3. 芯片散热效果好：由于焊球与封装基板之间存在间隙，可以提供良好的散热通道，有利于芯片的散热，提高芯片的可靠性和寿命。
4. 生产成本低：SBM工艺采用自动化设备，能够实现高效的生产，降低生产成本。
芯片封装设备有哪些 芯片封装工艺流程
芯片封装设备有哪些芯片封装工艺流程减薄机：由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。
因此在几百道工艺流程中只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。
通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。
这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机。
减薄机是通过减薄／研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果，减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
关于“芯片封装设备有哪些芯片封装工艺流程”的详细说明。
1.芯片封装设备有哪些减薄机由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。
因此在几百道工艺流程中只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。
通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。
这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机。
减薄机是通过减薄／研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果，减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
划片机划片机包括砂轮划片机和激光划片机两类。
其中，砂轮划片机是综合了水气电、空气静压高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备。
主要用于硅集成电路，发光二极管，铌酸锂，压电陶瓷，砷化镓，蓝宝石，氧化铝，氧化铁，石英，玻璃，陶瓷，太阳能电池片等材料的划切加工。
国内也将砂轮划片机称为精密砂轮切割机。
激光划片机是利用高能激光束照射在工件表面，使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。
因激光是经专用光学系统聚焦后成为一个非常小的光点，能量密度高，因其加工是非接触式的，对工件本身无机械冲压力，工件不易变形。
热影响极小，划精度高，广泛应用于太阳能电池板、薄金属片的切割和划片。
2.芯片封装工艺流程1、封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作2、芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3、硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等4、先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。
芯片制造工艺流程及所用设备
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半导体封装设备与工艺
工艺类型
设备
基本工艺步骤
晶圆级封装（WLCSP）
掩模对准曝光机、步进式光刻机、电镀设备、刻蚀设备等
1. 制作绝缘层；2. 曝光、显影以绘制图案；3. 溅射涂覆金属层；4. 电镀形成金属层；5. 去除光刻胶和多余金属层；6. 在晶圆上形成导线和锡球（扇入型）或重新排列芯片焊盘并引接，通常需要钻孔、电镀等步骤。
引线框架封装
引线框架制造设备、模塑设备等
1. 制作引线框架；2. 将芯片固定到引线框架上；3. 用环氧树脂模塑料等塑料材料覆盖芯片；4. 进行固化等后续处理。
基板封装
基板制造设备、自动贴片设备、回流焊设备等
1. 制作基板；2. 自动贴片将芯片、元件等固定到基板上；3. 通过回流焊等方式进行电气连接；4. 进行后续测试和封装处理。
重新分配层（RDL）封装
重分配层加工设备（如光刻机、电镀机等）
使用晶圆级工艺重新排列芯片上的焊盘位置，并与外部采取电气连接方式。
倒片（Flip Chip）封装
倒片键合设备、电镀设备等
在晶圆上形成焊接凸点，然后通过倒片键合将芯片连接到基板或其他媒介上。
硅通孔（TSV）封装
TSV加工设备（如钻孔机、电镀机等）
电子行业电子封装工艺设备
电子行业电子封装工艺设备1. 简介电子行业是现代社会不可缺少的一个重要产业，而电子封装工艺设备是电子行业中用于封装电子元件和组装电子产品的关键设备。
本文将介绍电子封装工艺设备的原理、分类以及其在电子行业中的应用。
2. 工艺设备原理电子封装工艺设备主要包括封装设备和组装设备。
封装设备用于将微小的电子元件封装在外壳内，以保护电子元件并实现引脚的连接。
组装设备用于将多个已封装的电子元件组装在一起，形成成品电子产品。
封装设备主要原理如下： - 晶圆封装：晶圆封装是指将芯片上的电子元器件连接到高密度、高可靠性的封装结构上的过程。
主要包括球密封、芯片材料蚀刻、铜/金互连、引线焊接等步骤。
- 半导体封装：半导体封装是指将芯片封装在塑胶外壳中的工艺。
常用的半导体封装方法有无引线封装、QFN封装等。
- 贴片封装：贴片封装是指将电子器件通过表面贴装技术贴在PCB板上的工艺。
常见的贴片封装有BGA、QFP等。
- 倒装封装：倒装封装是指将芯片倒装在PCB板上，并通过晶圆封装技术完成封装过程。
组装设备主要原理如下： - 插件组装：插件组装是指通过人工或机器将插件式电子元件插入到插座或孔位中，完成电子产品的组装。
- 表面贴装技术（SMT）：表面贴装技术是指将贴片式电子元件通过焊接工艺贴在印刷电路板（PCB）的表面上，完成电子产品的组装。
3. 工艺设备分类根据不同的应用场景和工艺要求，电子封装工艺设备可以分为以下几类：3.1 自动贴片机自动贴片机是贴片封装中最重要的设备之一。
它能够自动将电子元件从料盘中取出，精确地贴附在PCB板上。
自动贴片机具有高精度、高速度、高效率的特点，因此被广泛应用于电子产品的生产中。
3.2 焊接设备焊接设备是电子封装工艺中必不可少的设备之一。
它用于将电子元件与PCB板之间进行焊接连接，以实现电路的连通性。
常见的焊接设备有波峰焊接机、回流焊接机、点焊机等。
3.3 半导体封装设备半导体封装设备用于将芯片封装在外壳中，以保护芯片并实现引脚的连接。
半导体后封装工艺及设备_图文
Vintage : 2000
Load Lock : Narrow Body and Tilt Out
Robots (standard, HP, HP+, VHP, etc)
12寸的Endura
Varian 3290 STQ Sputtering System
SDIP24、54、64、56、QFP48 SOP、SSOP、QFP、TSOP、SSOP DIP、HDIP、
SDIP、HSOP、LQFP DIP、SOIC、MSO、TSO、PLCC、TO、SOT SD2P、SDIP、SKDIP、SIP、ZIP、FSIP、FDIP、QFP
、SOP、PLCC
AMAT
endura 5500
TSV参数 最小TSV直径 最小TSV间距 TSV深宽比
焊凸间距
芯片间距
芯片厚度
参数值 1m 2 m >20 25 m
5 m（微凸点180℃） 15 m （无铅铜焊柱260℃）
15-60 m
铜通孔中, TiN粘附/阻挡层和铜种子层都通过溅射来沉
积。然而,要实现高深宽比(AR > 4∶1)的台阶覆盖,传
Quantum Sources DC Biasable SST Heaters Digital Eurotherm Heater Controllers Recipe Controlled Heaters RF Etch Station with Heat Low Voltage Ignitor Vips Option with V250 Turbo Pump Load Lock Turbo Option with V70 Turbo Pump ECS Control System 17 Inch Touchscreen Monitor Ferro-Fluidic Coaxial Feedthru 12KW Gen II Power Supplies (Switchable to 3 or 6KW) CTi On-Board Cryo Pump with Compressor Optional CTi Water Pump ( Available upon request )
简述芯片封装技术的基本工艺流程
简述芯片封装技术的基本工艺流程一、芯片封装技术的起始：晶圆切割。
1.1 晶圆可是芯片制造的基础啊，一大片晶圆上有好多芯片呢。
首先得把这晶圆切割开，就像把一大块蛋糕切成小块一样。
这可不能随便切，得用专门的设备，精确得很。
要是切歪了或者切坏了，那芯片可就报废了，这就好比做饭的时候切菜切坏了，整道菜都受影响。
1.2 切割的时候，设备的参数得设置得恰到好处。
就像调收音机的频率一样，差一点都不行。
这是个细致活，操作人员得全神贯注，稍有不慎就会前功尽弃。
二、芯片粘贴：固定芯片的关键步骤。
2.1 切割好的芯片得粘到封装基板上。
这就像盖房子打地基一样重要。
胶水的选择可讲究了，不能太稀，不然芯片粘不牢；也不能太稠，否则会影响芯片的性能。
这就跟做菜放盐似的，多了少了都不行。
2.2 粘贴的时候还得保证芯片的位置准确无误。
这可不像把贴纸随便一贴就行，那得精确到微米级别的。
这就好比射击，差之毫厘，谬以千里。
一旦位置不对，后续的工序都会受到影响，整个芯片封装就可能失败。
三、引线键合：连接芯片与外部的桥梁。
3.1 接下来就是引线键合啦。
这一步是用金属丝把芯片上的电极和封装基板上的引脚连接起来。
这金属丝就像桥梁一样，把芯片和外界连接起来。
这过程就像绣花一样，得小心翼翼。
3.2 键合的时候，要控制好键合的力度和温度。
力度大了，可能会把芯片或者引脚弄坏；温度不合适，键合就不牢固。
这就像打铁，火候得掌握好，不然打出来的铁制品就不合格。
四、封装成型：给芯片穿上保护衣。
4.1 然后就是封装成型啦。
用塑料或者陶瓷等材料把芯片包裹起来，这就像是给芯片穿上了一件保护衣。
这不仅能保护芯片不受外界环境的影响，还能让芯片便于安装和使用。
4.2 封装的形状和大小也有很多种，得根据不同的需求来确定。
这就像做衣服，不同的人要穿不同款式和尺码的衣服一样。
五、最后的检测：确保芯片封装质量。
5.1 封装好之后，可不能就这么完事了。
还得进行检测呢。
这检测就像考试一样，看看芯片封装有没有问题。
芯片封装设备有哪些芯片封装工艺流程
芯片封装设备有哪些芯片封装工艺流程1.锡膏喷涂设备：通过喷涂锡膏将焊盘涂覆在芯片上，用于后续的焊接连接。
2.进料机器人：用于将原材料芯片送入封装设备，并确保供料的准确和高效。
3.精密半自动贴片机：用于将芯片精确地贴片到PCB（印刷电路板）上，实现芯片和电路板的连接。
4.焊接机：在芯片贴片后，通过焊接技术将芯片与电路板进行连接，完成芯片的外部电气连接。
5.装配机器人：用于将其他元器件（如电阻、电容等）精确地安装到电路板上，以完成电路的组装。
6.封装机：将电路板和芯片封装在外壳内，以便保护芯片不受外界环境的干扰。
7.检测设备：用于对封装的芯片进行测试和检测，以确保其质量和可靠性，包括外观检测、电性能测试等。
8.标识设备：用于在封装完成的芯片上标识产品型号、批次号等信息。
以上是一些常见的芯片封装设备。
这些设备通常会在芯片封装工艺流程中使用。
芯片封装工艺流程主要包括以下几个步骤：1.设计封装方案：根据芯片的功能和尺寸要求，选择合适的封装方式，设计封装方案。
2.制作封装模具：根据封装方案，制作适用于芯片封装的模具。
3.准备封装材料：准备封装所需的材料，包括芯片、封装胶、封装材料等。
4.芯片贴片：利用贴片机将芯片精确地贴片到PCB上，并与电路板焊接连接。
5.焊接连接：通过焊接技术将芯片与电路板进行电气连接，一般采用焊膏和热风或回流炉进行焊接。
6.粘贴封装胶：在芯片周围涂覆封装胶，保护芯片并固定其位置。
7.清洗和烘干：清洁封装后的芯片以去除封装胶和焊接残留物，并通过烘干过程确保芯片干燥。
8.封装测试：对封装后的芯片进行各项测试，包括外观检测、电性能测试等。
9.封装包装：将封装完成的芯片进行包装，标记型号、批次号等信息。
以上是芯片封装设备及其封装工艺流程的介绍，芯片封装的流程和设备的选择会因芯片的要求和封装方式的不同而有所差异，但大致步骤都是相似的。
芯片封装工艺的良好执行对于芯片的性能和可靠性有着重要的影响。
芯片封装工艺流程
芯片封装工艺流程
芯片封装工艺是集成电路生产中至关重要的一环，其质量和效率直接影响着整个芯片的性能和成本。
本文将介绍芯片封装工艺的基本流程，希望能够为相关领域的从业者提供一些帮助和参考。
首先，芯片封装工艺的第一步是准备工作。
在这一阶段，需要准备好封装材料、设备和人员。
封装材料包括封装基板、导线、封装胶等，而设备则包括封装机、焊接设备等。
人员方面需要有经验丰富的操作人员和质量控制人员，他们将负责整个封装过程的监控和调整。
接下来是芯片封装的具体操作。
首先，将芯片放置在封装基板上，并通过焊接设备将芯片与基板焊接在一起。
接着，将导线连接到芯片的引脚上，这一步需要非常小心和精细的操作，以确保连接的可靠性和稳定性。
最后，将封装胶涂抹在芯片和基板之间，以保护芯片并固定导线的位置。
在封装工艺的最后阶段，需要进行封装的测试和检验。
这一步是非常关键的，通过测试和检验可以确保封装的质量和稳定性。
在测试中，需要对封装后的芯片进行电气性能测试、外观检查等，以
确保其符合设计要求。
同时，还需要进行环境适应性测试，以确保封装后的芯片能够在各种环境条件下正常工作。
总的来说，芯片封装工艺是一个复杂而又关键的环节，它直接影响着整个芯片产品的质量和性能。
在实际操作中，需要严格按照工艺流程进行操作，同时不断进行质量控制和检验，以确保封装的质量和稳定性。
希望本文介绍的内容能够为相关领域的从业者提供一些帮助和启发，促进芯片封装工艺的不断改进和提高。
半导体工艺流程所需设备及材料
半导体工艺流程所需设备及材料1. 芯片设计：芯片设计软件是用来设计芯片电路的主要工具。
常用的芯片设计软件有Cadence和Synopsys等。
这些软件由相应的厂家提供。
2.晶圆制备：晶圆制备是将单晶硅材料生长成具有特定晶面方向的圆片。
晶圆切割机是用来将单晶硅棒切割成固定尺寸的圆片的设备。
较常见的晶圆切割机厂家有DISCO和ADE等。
3. 清洗和薄膜沉积：清洗是为了去除晶圆表面的杂质和污染物，常用的清洗设备有湿法清洗设备和干法清洗设备。
薄膜沉积是为了在晶圆表面上形成一层薄膜，在半导体工艺中常用的薄膜沉积设备有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）设备。
较常见的薄膜沉积设备厂家有Applied Materials、Tokyo Electron和Lam Research等。
4. 光刻图案制作：光刻是在晶圆表面上通过光学曝光形成特定图案的过程。
光刻设备使用的是光刻胶和光刻胶图案制作设备。
常见的设备厂家有ASML和Nikon等。
而常用的光刻胶厂家有东京欢迎(Tokyo Ohka Kogyo, TOK)和JSR等。
5. 离子注入：离子注入是将特定的掺杂原子注入到晶圆表面的过程，以改变晶圆的电学性质。
离子注入设备由AMAT（Applied Materials）、Axcelis和DEU等厂家提供。
6. 局部导电：局部导电是为了在晶圆上形成导电通路。
常用的局部导电设备有离子束刻蚀机和激光刻蚀机。
设备厂家有Carl Zeiss、Lasertec和KLA-Tencor等。
7. 成像和固化：成像是为了检查已形成的芯片图案的质量，并进行修复。
而固化是为了在芯片上形成可靠的电器连接。
常用的成像和固化设备有显微镜、电子束曝光机和高温热处理设备等。
设备厂家有ASML、JEOL和Canon等。
8. 封装：封装是将芯片封装到合适的封装材料中，以保护芯片并提供外部引脚。
封装设备厂家主要有胜达(Shuntong)、ASE和Amkor等。
LED芯片制造设备及其工艺介绍
LED芯片制造设备及其工艺介绍一、LED芯片制造设备1.MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备：MOCVD设备是制造LED芯片的关键设备之一，它是将金属有机化合物和气态反应物在高温条件下进行气相沉积，将所需的材料沉积在载体上，形成LED芯片的晶体结构。
2.分子束外延设备：分子束外延设备利用分子束的准直性和高能量束流，将材料以原子或分子的形式沉积到基片表面，实现LED芯片的生长。
3.激光剥离设备：在LED芯片制造的过程中，激光剥离设备用来剥离有缺陷的芯片表面材料，以提高芯片的质量和性能。
4.清洗设备：清洗设备用来清洗LED芯片的基片和表面材料，以去除表面的污染物和杂质，提供良好的生长环境。
5.切片设备：切片设备用来将生长好的LED芯片切成一定厚度的小块，以便后续的加工和封装。
6.粘接设备：粘接设备用来将切片好的LED芯片粘接到适当的载体上，形成成品芯片。
7.封装设备：封装设备用来将LED芯片封装到具有导电、散热和保护功能的封装体中，用来保护芯片，提供电路连接和散热功能。
二、LED芯片制造工艺1.取得基片：首先需要取得一块适用的基片，常用的材料包括蓝宝石、碳化硅等。
2.生长生长：基片通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法，将所需的材料结晶生长在基片表面上。
3.制作PN结：经过生长后的基片表面形成的薄膜结晶较粗糙，需要进行电流扩散和光电掺杂等步骤，使得薄膜具有PN结的功能。
4.金属电极制作：在PN结的两侧制作金属电极，以便注入电流和收集电流。
5.切割和打磨：将制作好的芯片进行切割和打磨，以获得所需的尺寸和形状。
6.封装：将芯片放入封装体中，连接外部电路并加上适当的散热结构。
7.检测和测试：对成品芯片进行质量检测和性能测试，确保其符合要求。
8.分选和分类：根据芯片的性能和质量，进行分选和分类，以满足不同的应用需求。
以上就是LED芯片制造设备及其工艺的大致介绍，LED芯片的制造过程是一个复杂且精细的工艺，需要使用多种设备和技术来实现。
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《微电子封装技术》复习提纲第一章绪论●微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、P9）特点：微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展微电子封装向表面安装式封装（SMP）发展，以适合表面安装技术（SMT）从陶瓷封装向塑料封装发展从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移发展趋势：微电子封装具有的I/O引脚数更多微电子封装应具有更高的电性能和热性能微电子封装将更轻，更薄，更小微电子封装将便于安装、使用和返修微电子安装的可靠性会更高微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉●微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。
（P7）用封装外壳将芯片封装成单芯片组件和多芯片组件的一级封装，将一级封装和其他元器件一同组装到印刷电路板上的二级封装以及再将二级封装插装到母版上的三级封装硅圆片和芯片虽然不作为一个封装层次，但却是微电子封装的出发点和核心。
在IC芯片与各级封装之间，必须通过互连技术将IC芯片焊区与各级封装的焊区连接起来形成功能，也有的将这种芯片互连级称为芯片的零级封装●微电子封装有哪些功能？（P19）电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑、环境保护●芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？（P12）Au-Si合金共熔法(共晶型)Pb-Sn合金片焊接法(点锡型)导电胶粘接法(点浆型)；环氧树脂有机树脂基粘接法(点胶型)；高分子化合物●简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。
1 机械传动系统2 运动控制系统3 图像识别（PR）系统4 气动/真空系统5 温控系统机械系统•目标：芯片+框架•组成部分：• 1 框架供送部分进料（框架分离）、送料、出料• 2 芯片供送部分•目标：组成部分：1 送晶装置：晶粒供送2 焊头装置3 顶针装置4 其他：温控、 气动/真空等• 3 点锡/点浆/点胶部分● 和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？点浆工序，进烤箱● 名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶取晶：以化学腐蚀的方法将晶粒从封装中取出，以利下一步拍照评估，层次去除或其他分析的进行固晶：将芯片固定在外壳底座中心，常用Au-Sb 合金（对PNP 管）共熔或者导电胶粘接固化法使晶体管的接地极与底座间形成良好的欧姆接触；对IC 芯片，还可以采用环氧树脂粘接固化法；（引脚与金属壳的隔离：玻璃）焊线：在芯片的焊区与接线柱间用热压焊机或超声焊机用Au 丝或Al 丝连接起来；接着将焊好内引线的底座移至干燥箱中操作，并通以惰性气体或N2保护芯片； 封装：最后将管帽套在底座周围的凸缘上，利用电阻熔焊法或环形平行缝焊法将管帽与底座边缘焊牢，达到密封要求。
第二章 芯片互连技术● 芯片互连的方法主要分为哪几类？各有什么特点？（P13、P27） 分类：WB 引线键合；TAB 载带自动焊；FCB 倒装焊特点：最传统，最常用的，也是最成熟的芯片互连技术，焊接灵活方便，焊点强度高，通常引线框架 供送分 片 进 料 装 置送 料 装 置 收 料 装 置 晶粒供送 装 置 焊 头 装 置 顶 针 装 置银浆供送 装 置机器视觉 装 置晶 圆 芯 片 图 像 识 别 装 置 引 线 框 架 图 像 识 别 装 置电气控制 系 统系 统 控 制 软 件 运 动 控 制 硬 件晶 圆 工 作 台点 浆 量 控 制 装 置 银 浆 头 位 控 装 置载带焊：封装薄，节距小，引脚多，电性好，可测性，导热好，机械强度高，成本高，耗时多，修理要求苛刻(1)封装薄:结构轻、薄、短、小，封装高度不足1mm。
(2)节距小:电极尺寸、电极与焊区节距均比WB大为减小。
电极宽度通常为50um，可达到20∽30um，节距常为80um，根据要求可做得更小。
(3)引脚多:可容纳更高的I/O引脚数。
如10mm见方的芯片，WB最多容纳300个I/O引脚，而TAB可达500个以上。
(4)电性好：引线电阻、电容和电感均比WB的小得多。
WB这几项的值分别为：100mΩ、25pF和3nH，而TAB分别为：20mΩ、10pF和2nH。
因此具有更优良的高速、高频电性能。
(5)可测试：对芯片进行筛选和测试,确保器件是优质芯片。
(6)采用Cu箔引线，导热和导电性能好，机械强度高。
(7)键合牢：拉力可提高3∽10倍，达到0.3∽0.5N/点，提高芯片互连的可靠性。
(8)使用标准化卷轴长带（长100m），便于自动化生产。
倒装焊：连线短，安装密度高，适用于大批量生产，但检测困难，成本高，材料之间的应力问题。
1）芯片面朝下，连线短，互连产生的杂散电容、互连电阻和电感均比WB和TAB小得多，因此适于高频、高速的电子产品应用。
2）FCB芯片安装互连占的基板面积小，因而芯片安装密度高。
FCB的芯片焊区可面阵布局,更适于高I/O数的芯片使用3）芯片的安装、互连同时完成，大各各简化了安装互连工艺,快速、省时，适于使用先进的SMT进行工业化大批量生产。
不足之处：芯片面朝下安装，给工艺操作带来一定的难度，焊点检查困难（只能使用红外线和X光检查）。
芯片焊区一般要制作凸点，增加了芯片的制作工艺流程和成本。
倒装焊同各种材料间的匹配所产生的应力问题也需要解决等。
●WB的分类及特点如何？（P23）按焊接方式:1、热压焊：易氧化，易压伤，键合力小2、超声键合(压）焊：与热压焊相比，可提高焊接质量，接头强度也较高；无加热，所以对芯片无影响；可根据不同需求调节能量，焊不同粗细的Al丝；不产生任何化合物。
3、金丝球焊：压点面积大，又无方向性,可实现微机控制下的高速自动化焊接，往往带超声功能,具有超声焊优点按键合点形状：1、楔形键合；2、球形键合●说明金丝球焊的主要工艺过程及其工作原理。
（P24、PPT）工艺步骤：1、打火烧球（EFO负电子烧球）；2、一焊（热压超声球焊）3、拉弧（焊头XYZ协调动作）；4、二焊（热压超声焊）5、留尾丝；6、回打火位、送丝等，开始下一个循环工艺过程：劈刀下降，焊球被固定在焊盘中央在压力，超声，温度的作用下形成连接劈刀上升到弧形最高度在压力，超声，温度的作用下形成第二点连接劈刀上升至一定位置，送出尾丝夹住引线，拉断尾丝引燃电弧，形成焊球，进入下一键合循环将键合引线垂直插入毛细管劈刀的工具中，引线在电火花作用下受热成液态，由于表面张力作用而形成球状,在摄像和精密控制下,劈刀下降使球接触晶片键合区,对球加压,使球和焊盘金属形成冶金结合完成第一点焊接过程,然后劈刀提起,沿着预定的轨道移动，称作弧形走线,到达第二个键合点时，利用压力和超声能量形成月牙式第二个焊点,劈刀垂直运动截断丝尾部。
这样完成两次焊接和一个弧线循环。
●说明铝丝焊的主要工艺过程及其工作原理。
1、一焊（热压超声球焊）2、拉弧（焊头XYZ协调动作）3、二焊（热压超声焊）4、留尾丝5、回打火位、送丝等，开始下一个循环其穿丝是通过楔形劈刀背面的一个小孔来实现的，金属丝与晶片键合区平面呈30~60的角度，当楔形劈刀下降到焊盘键合区时，劈刀将金属丝按在其表面，采用超声或者热声焊而完成键合。
●TAB技术的关键材料包括哪三部分材料？（P29）基带材料、TAB的金属材料、芯片凸点的金属材料●TAB的关键技术包括哪三部分技术？（P30）芯片凸点的制作技术、TAB载带的制作技术、载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和载带外引线的焊接技术●ILB或OLB的方法主要有哪两种？热压焊法或热压再流焊法●说明倒装焊的特点和优点（P44）特点：芯片面朝下，芯片上的焊区直接与基板上的焊区互连优点：1、FCB的互联线非常短，互连产生的杂散电容、互连电阻和互连电感均比WB和TA 小得多，从而更适于高频、高速的电子产品应用。
2、FCB芯片安装互连占得基板面积小，因而芯片安装密度高。
3、FCB的芯片焊区可面阵布局，更适于高I/O数的LSI、VLSI芯片使用。
4、芯片的安装互连是同时完成的，因而大大简化了安装互连工艺，快速省时，适于使用现金的SMT进行工业化大批量生产。
连线短，安装密度高，适用于大批量生产，但检测困难，成本高，材料之间的应力问题。
●芯片凸点的多层金属化系统有哪三层，各层的主要作用是什么？（P46、P30）1、粘附层：使Al膜和芯片钝化层粘附牢固2、阻挡层：防止上面的凸点金属越过薄薄的粘附层与Al焊区形成脆性的中间金属化合物3、导电层：具有一定高度要求以使导电防止短路，提高导电和导热的性能●芯片凸点的制作方法主要有哪些？（P46、P59）蒸发/溅射法、电镀法、化学镀法、打球法、置球/模板印刷法、激光凸点法、移置凸点法、柔性凸点法、叠层法、喷射法●说明各向异性导电胶的焊区互连原理，并画图示意。
（P64）玻璃上芯片（COG）技术的原理为：先在基板上涂覆各向异性导电胶薄膜（ACAF），将带有凸点的IC芯片与基板上的金属焊区对位后，在芯片上加压并进行ACA固化，导电粒子挤压在凸点与焊区之间，上下接触而导电。
●解释C4的含义及主要优点。
（P61）含义：专对各类Pb—Sn喊叫凸点进行再流焊接，俗称再流焊接法，又称C4，即可控塌陷芯片连接C4：专对各类Pb-Sn焊料凸点进行再流焊接①C4除具有一般凸点芯片FCB的优点外，它的凸点还可整个面阵分布，再流时能够弥补基板的凹凸不平或扭曲等②C4的芯片凸点使用高熔点的焊料（如90%Pb-10Sn），而PWB上的焊区使用低熔点的常规37%Pb-65Sn焊料，倒装再流时，C4凸点不变形，只有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补PWB基板上的缺陷（如凹凸、扭曲等）产生的焊接不均匀问题。
③倒装焊时Pb-Sn焊料熔化再流时较高的表面张力会产生“自对准”效果，这就使对C4芯片倒焊时的对准精度大为宽松。
第三章插装元器件的封装技术●插装元器件按封装材料分为哪些类？（P80）金属封装、陶瓷封装、塑料封装等●插装元器件按外形结构分为哪些类？（P80）圆柱形外壳封装（TO）、矩形单列直插式封装（SIP）、双列直插式封装（DIP）和针栅阵列封装（PGA）等●画框图表示PDIP的制造和封装工艺流程（P85）●说明陶瓷熔封CDIP的主要工艺过程（P83）●比较PGA和BGA的关键不同点（P86）PGA的引脚是针状的，而BGA是球状的。
●金属外壳封装的常用封帽工艺有哪两种？（P92）熔焊封接法：平行焊缝、激光焊、点焊；焊料封接法●画框图表示LED的制造和封装工艺流程，并说明所采用的主要设备划片－扩晶—粘片－焊线－塑封－测试—上锡－冲筋成型－成品分选主要设备：光刻机，固晶机，焊线机。
第四章表面安装元器件的封装技术●与通孔安装（THT）元器件相比，表面安装元器件（SMD）有何优缺点？（P97）优点：SMD的体积小，重量轻，所占基板的面积小，因而组装密度高SOP、PLCC与DIP相比，具有优异的电性能适合自动化生产；降低生产成本；能提高可靠性；更有利于环境保护缺点：元器件安装密度高，PWB上功率密度高，散热问题显得重要引起的裂纹和开裂问题塑料件的吸潮问题●比较SOT、SOP、QFP、PLCC的引脚布局的差别？（P102）SOT:翼型引脚，是用厚、薄膜的方法制作连接的SOP将DIP的直插式引脚向外弯曲成90度，有“L”的翼型引脚（SOP）和“J”形的引脚(SOJ)QFP封装体引脚四边引出，有翼型引脚和“J”形引脚（QFJ）PLCC四边引脚呈“J”形，向封装体下面弯曲。