大连理工大学模拟电子技术考研真题／考研试卷／笔记讲义／下载
大连理工工大学模电试题
i V
-
R1 5M
R2 10k
+
R6 100 R4 10k R7 330
RL 5.1k C4
O V
-
O1 V
-
Ri R1 5M
RO R5 750
V i
ib 2
VGS
R1 R2
gmVGS
1 IC1 IC 2 IE 3 1mA 2
AVD2
RC 2 // RL
2( RS rbe 2)
49
KCMR
ro
RS rbe 2
61500
Rid 2( RS rbe1) 3.252k
两级电压放大电路如下图所示。 1．在T1 位置上画出合适的FET； 2．若T1的源极电位VS= 8V，其gm = 1ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 3．若T2的β = 99，VBE = 0.7 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ o V 4．画出微变等效电路，并求 A 、 、Ri 、Ro？ v1 Vo1 Av 2 o1 i V V 1．可以采用N沟道结型FET或者耗尽型FET 2．
R3 R4
rbe 2
ib2
R5
V O
RL
R6
RiRi 2Fra bibliotekRoR7 vo3 R6 A3
+ -
1. 1) 2) 3)
VO
R2 VO1 R1
R 4 R5 R6 R3 R 4 R5
VO 3 VO
R5
Vi VO 3
R8 R 7 R8
代入 2）
Vi VO
大连理工大学2005年模拟电子技术基础期末试卷1
班级：姓名：学号： . O…………O…………O…………O装………O订………O线…………O…………O…………O…………《模拟电子技术基础》期末试卷1、P型半导体中掺入的杂质是____价元素，多数载流子是____，少数载流子是____。
2、半导体三极管工作在放大区发射结应加____电压；集电结应加____电压；工作在饱和区U CES≈____I CS≈____；工作在截止区U CE≈____；I C≈____。
3、PNP型三极管处于放大状态时，3个电极电位以____极电位最高，____极电位最低。
4、在放大电路中的____通路中存在反馈通路，则电路必引入直流反馈，在放大电路的____通路中存在反馈通路，则电路必引入交流反馈；反馈结果使净输入量增大，则说明引入了________反馈，反之，则引入了____反馈。
5、实现U0=5(U i1-U i2)应选用____运算电路，实现U0=-10U i1-U i2应选用____运算电路，将幅值为+- U im 的三角波转换成矩形波应选用____电路。
6、三极管电流源电路与三极管基极分压式共射放大电路，在电路结构是的差别是：前者为____网络，后者为____网络二、选择题1 P型半导体是在本征半导体中加入微量（）价元素构成的。
(1) 五价（2）三价（3）四价（4）六价2、46．三极管开关应用时，相当于开关断开时，该三极管处于（）。
（1）放大区（2）饱和区（3）截止区（4）击穿区3、某一放大电路，希望输出电压不受负载变化影响，又要减轻输入信号源的负载和稳定景泰工作点，这时应施加（）（1）电压交流串联负反馈（２）直流电压串联负反馈（３）交直流电压并联负反馈（４）交直流电压串联负反馈4、运算放大倍数器电路如图2.18所示,则电路的输出电压为( ).(1)-2U i (2)-U i (3)3Ui (4)U I5、将幅值为+-U M的矩形波变换成三角波,应选用( )(1)反相比列运算电路 (2) 同相比列运算电路 (3) 同相求和运算电路 (4) 积分运算电路三、分析题1．1、二极管电路如图所示，判断图中二极管理是导通还是截止，并确定各电路的输出电压Uo。
[大连理工大学]20春《模拟电子技术》在线作业1-复习资料答案
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科目名称：大工20春《模拟电子技术》在线作业1
学校名称：奥鹏-大连理工大学
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A.发射极
B.集电极
C.基极
D.无法确定
提示：本题为必答题，请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案：B
2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
提示：本题为必答题，请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案：C
3.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
提示：本题为必答题，请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案：B
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
提示：本题为必答题，请认真阅读题目后再作答
--本题参考答案：B
5.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
提示：本题为必答题，请认真阅读题目后再作答。
2021年大连理工大学电子信息与电气工程学部0数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题
2021年大连理工大学电子信息与电气工程学部0数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题目录____年大连理工大学电子信息与电气工程学部810数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题（一） ............................................................... ..................................................... 2 ____年大连理工大学电子信息与电气工程学部810数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题（二） ............................................................... ................................................... 14 ____年大连理工大学电子信息与电气工程学部810数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题（三） ............................................................... ................................................... 24 ____年大连理工大学电子信息与电气工程学部810数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题（四） ............................................................... ................................................... 35 ____年大连理工大学电子信息与电气工程学部810数据结构和计算机组成原理之数据结构考研仿真模拟题（五） ............................................................... (46)。
大连理工大学20秋《模拟电子技术》在线作业2附参考答案
大连理工大学20秋《模拟电子技术》在线作业2附参考答案
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。
A.增强型
B.耗尽型
C.增强型和耗尽型
D.以上均不对
答案:C
2.乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于()时,管子的功耗最小。
A.0
B.电源电压
C.0.64倍的电源电压
D.2倍的电源电压
答案:A
更多加微boge30619
3.通用型集成运放的输入级大多采用()。
A.共射极放大电路
B.射极输出器
C.差分放大电路
D.互补推挽电路
答案:C
4.对功率放大电路的主要要求不包括()。
A.输出功率大
B.效率高
C.功率增益高
D.电压增益高
答案:D
5.结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压
B.反向电流
C.正偏电压
D.正向电流
答案:A。
大连理工大学,机械工程学院,机械电子学第二章模拟电子
2.3.4 电压传输特性
运放工作在线性区时，Uo＝Aod ( UP－UN)，由于开环 电压放大倍数Aod很高，输入很小的信号也足以使输出电压 饱和，另外干扰信号也会使输出难于稳定。所以，要使运算 放大器稳定工作在线性区，必须引入深度负反馈。
2.4 电路中的负反馈
若引回的信号削弱了输入信号，就称为负反馈。若引 回的信号增强了输入信号，就称为正反馈。
大连理工大学,机械工程 学院,机械电子学第二章
模拟电子
2020/11/15
大连理工大学,机械工程学院,机械电 子学第二章模拟电子
2.1 基本半导体元件
2.1.1 半导体的基本知识
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 最多的半导体是硅和锗。
➢ 受外界热和光的作用
➢ 往纯净的半导体中掺 入某些杂质
2.5.7 单运放的加减运算电路
R1
R5
ui1
ui2
R2
ui3
R3
_
uo
+
+
ui4
R4
R6
虚开路 虚短路 虚开路
单运放的加减运算电路的特例：差动放大器
R2
ui1 R1
ui2 R1
_ +
+
R2
uo 解出：
2.5.8 双运放的加减运算电路
ui1 R1
RF1
ui2
R2
+ +
R3
-
uo1
R4
RF2
ui3
G（控制极）
N2
K（阴极）
A G
K 符号
A
A
P1
N1 G
P2 N2
K
P
NN G
新版大连理工大学电子科学与技术考研经验考研参考书考研真题
新版⼤连理⼯⼤学电⼦科学与技术考研经验考研参考书考研真题考研是我⼀直都有的想法，从上⼤学第⼀天开始就更加坚定了我的这个决定。
我是从⼤三寒假学习开始备考的。
当时也在⽹上看了很多经验贴，可是也许是学习⽅法的问题，⾃⼰的学习效率⼀直不⾼，后来学姐告诉我要给⾃⼰制定完善的复习计划，并且按照计划复习。
于是回到学校以后，制定了第⼀轮复习计划，那个时候已经是5⽉了。
开始基础复习的时候，是在⽹上找了⼀下教程视频，然后跟着教材进⾏学习，先是对基础知识进⾏了了解，在5⽉-7⽉的时候在基础上加深了理解，对于第⼆轮的复习，⾃⼰还根据课本讲义画了知识构架图，是⾃⼰更能⼀⽬了然的掌握知识点。
8⽉⼀直到临近考试的时候，开始认真的刷真题，并且对那些⾃⼰不熟悉的知识点反复的加深印象，这也是⼀个⾃我提升的过程。
其实很庆幸⾃⼰坚持了下来，⾝边还是有⼀些朋友没有⾛到最后，做了⾃⼰的逃兵，所以希望每个⼈都坚持⾃⼰的梦想。
本⽂字数有点长，希望⼤家耐⼼看完。
⽂章结尾有我当时整理的详细资料，可⾃⾏下载，⼤家请看到最后。
⼀、⼤连理⼯⼤学电⼦科学与技术的初试科⽬为：（101）思想政治理论、（201）英语⼀、（301）数学⼀、(805)半导体物理或(851)电⼦技术⼆、(805)半导体物理参考书⽬为：《《半导体物理学》，编者：孟宪章、康昌鹤，吉林⼤学出版社或《半导体物理学讲义》(第六稿)，编者：胡礼中，⼤连理⼯⼤学教育书店出售三、(851)电⼦技术参考书⽬为：《电⼦技术基础—模拟部分》（第五版），编者：康华光，陈⼤钦，张林，⾼等教育出版社，2006年。
《数字电路与系统》，编者：戚⾦清、王兢，电⼦⼯业出版社，2016第3版关于英语其实我的英语基础还是⽐较差的，起码在考研之前，这让我在英语学习中有⼀个⾮常⼤的坎要过，不过好在只要过了这个坎，英语成绩⼀定会有⼀个⼤幅度的提升，为了度过这个坎，我⽤了整整两个⽉的时间去看英语，⽤到的资料就是⽊糖英语的真题和单词，什么娱乐活动都没有，就只是看英语不停的坎，付出了读⽂章读到恶⼼的代价，虽然当时觉得真的很痛苦，但是实际上现在想来还是值得的，毕竟英语的分数已经超乎我的想象。
大连理工电子技术考前习题(精选)PPT共138页
大连理工电子技术考前习题（精选）
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前，莽撞的 人只能 引为烧 身，只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
大连理工大学851电子技术考研试题(回忆版)
2010年大连理工大学851电子技术考研试题（回忆版）
851电子技术（模拟电子技术，数字电子技术）
模拟电子技术
第一题是一道问答题，共有三问，第一问问的是三极管的几种组态，各有什么作用，第二题是模电中的高频响应，是不是频带越宽越好，第三问?，
第二题是三级放大，27分，问各部分的作用。
第一问是差分放大电路，第二级是共射，第二是共集
第二问，写各静态工作点表达式
第三问，?
有一个稳压电源那的问题有一个画甲已类互补放大电路
有一个方波三角波发生电路，分析功能，画电路图
数字电子技术
第一题1数制2 3扇出系数 4 5给一个电路图，写出图中的的表达式
第二题 74138 看图写表达式画简
第三题画简公式，两道公式法，两道卡诺图法用到最大项的那个
第四题给一时序电路图，D触发器，画出输出图形，好像是书上的一道题
第五题RAM扩展，即有字扩展，也有位扩展。
写出地址范围。
看书，很简单
第六题逻辑电路设计题设计ABC三个按键，没按下，则不报警，不开锁，若有一个按下，报警不开锁，若有两个按下，开锁不报警，三个按下，开锁，报警。
画真值表，写表达式，画电路图
第七题（555）多谐震荡，计数器，R-2R.倒梯形DA转换器综合，各部分弄清楚，比较简单，
好像还有一道是74121，画图形，算公式。