模电单元测验题胡宴如(3版)
(完整版)《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第7章
第7章7.1 图P7.1所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，交流电压有效值U 2=15V ，f=50HZ ，试决定滤波电容C 的大小并求输出电压U O （A V ）﹑通过二极管的平均电流I D （A V ）及二极管所承受的最高反向电压U RM 。
解：C ≥F μ1000~600501502)5~3R 2T 5~3L =⨯⨯=（）（U O(A V)=1.2U 2=1.2×15=18V通过二极管的平均电流为A R U I I L AV O AV O AV D 18.0502182121)()()(=⨯=== 二极管承受最高反向电压为V U U RM 2115222=⨯==7.2 图P7.2所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，C=2200μF ，测得交流电压有效值U 2=20V ，如果用直流电压表测得输出电压U O 有下列几种情况：（1）28V;(2)24V ；（3）18V;（4）9V 。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
解：（1）R L 开路，U O =1.4×20=28V(2)正常，U O =1.2×20=24V 图P7.1 图P7.2（3）C 开路U O =0.9×20=18V（4）因二极管开路电路变为半波整流同时C 开路，U O =0.45×20=9V7.3已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻R L =20Ω，交流电源频率为50Hz ，要求输出电压U O （A V ）=12V ，试求变压器二次电压有效值U 2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为V U U AV O 102.1122.1)(2===通过二极管的平均电流 A R U I L AV O AV D 3.02021221)()(=⨯== 二极管承受的最高反向电压为 V U U RM 1410222=⨯==所以，可选择I 1≥（2-3）I D （A V ）=（0.6~0.9）A 、U RM ＞14V 的二极管，查手册知，可用4只1N4001二极管组成桥式整流电路。
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题解答-第3章
第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波,已知R S =600Ω，U S =30mV,U i =20mV ，R L =1k Ω,U o =1。
2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：(1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o to o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中,已知三极管β=80，r bb'=200Ω,U BEQ =0.7V ，试:（1)求I CQ 、I BQ 、U CEQ ;图P3.1（2)画出H 参数小信号等效电路,求A u 、R i 、R o 、A us ;(3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U m A m AI I m A m A R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路,求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β图P3.2图解P3.2（3）当β=60,说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化.因β改变时对I CQ 影响很小，可认为I CQ =1。
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch54 电子课件
10 20
30
–40 dB/ 十倍频
40
通带增益：Auf = 1 + Rf/R1
1
f / fH
问题：在 f = fH 附近，输出幅度衰减大。 改进思路：在提升 fH 附近的输出幅度。
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
2. 实用二阶 LPF
Rf R1
RR
U·i C C
特征频率：fn
n
2
8
A·u UU··oi 1
z
99.5zBiblioteka RU·iR C
C
8
U·o
Auf
1
Rf R1
1 100 171
1.585
Q = 1/(3 Auf) = 1/(3 1.585) = 0.707
Q = 0.707 时， fn = fH 上限截止频率： fH = 99.5 Hz
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
5.4.2 有源高通滤波电路(HPF—High Pass Filter)
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
5.4.3 有源带通滤波电路(BPF—Band Pass Filter)
构成思路：
Rf
8
20lg A·u / dB
R1
R
C1 = C
fH
f
U·i C
R3= 2R
U·o
R2 = R
fL
f
LPF BPF
1
中心频率：
f0 2RC
fL f0 fH f 等效品质因素： Q = 1/(3 Auf)
2. 试比较一阶和二阶有源低通滤波电路的幅频特性， 说明二阶比一阶滤波电路性能好的原因。
讨论小结1
第 5 章 集成运算放大器的应用电路
《模拟电子技术》考试大纲_13光电A
《模拟电子技术》考试大纲一、本课程的考核对象为光电子13专业的学生本课程的考核成绩为平时成绩和期末考试成绩相结合。
其中平时成绩占30％，包括考勤、作业、模拟电子技术实验等成绩合成，期末成绩占考核成绩的70％。
本课程主教材为胡宴如主编、高等教育出版社出版的《模拟电子技术》、《模拟电子技术学习指导》。
二、考核内容和考核要求考核内容：半导体元件及其特征、基本放大电路、放大电路中的负反馈、差动放大电路与集成运算放大器、功率放大器及其应用、直流稳压电源等方面的知识。
考核要求：按照课程大纲要求，掌握模拟电子技术的基本理论概念、基本定理和基本分析方法，学会应用各种方法进行电路静态和瞬态分析。
三、试题类型1．选择题（每题2分，共20分）2．填空题（每空1分，共20分）3. 判断题（每题1分，共10分）4. 综合题（共50分）四、期末复习指导（一）选择题1.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V2.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈0.5V，反向饱和电流I S≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pAB U th≈0.525V，I S≈0.2pAC U th≈0.475V，I S≈0.05pAD U th≈0.475V，I S≈0.2pA3. 指针式万用表的欧姆挡两表分别接触一个整流二极管的二端，当测得的电阻较小时，红表笔所接触的是（）A.二极管的阳极B.二极管的阴极4. 用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（）A、R*100 Ω或R*1 KΩ档B、R*1Ω档C、R*10 K档5. 某二极管反向饱和电流在25℃时是10μA，设温度每增加10℃反向电流就增大一倍，问当温度升到65℃时，反向电流为：（）A 80μAB 120μAC 160μAD 200mA6. 当稳压二极管工作在击穿状态时，其工作电流下列说法哪个是正确的（）A 只有最小值，没有最大值B 只有最大值，没有最小值C 即有最大值，也有最小值D 工作电流不存在限制范围9. 稳压二极管的反向特性曲线越陡（）。
模拟电子技术胡宴如主编习题解答-第3章
第3章放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）图若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mAmAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图的H 参数等效电路如图解所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
电子教案-《模拟电子技术》(第3版_胡宴如)电子教案-ch23 电子课件
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
2.工作原理
◎ 输入为低电平，UIU=IL0=V0V时时，，
uuGGSSPP--S VDD
++ G A UIHL = 0VVDD
VP
D
衬导截底通止B Y
uGSN = 0V < UGS(th)N ，VN 截止，uGSP uGSuPGP uGuPSP uSP0V0VVDVDDD U UGSG(Sth(t)hP)P VP 导通， uOVVDDD,为为高高电电平平。。
uDS /V
iDu/GmSA= 2 V –2 V
0V 0V –2V 2V
G
G
N 沟道S耗尽型 P 沟道S耗尽型 – 5 O
uGS /V
5O
–5V 5V
uDS /V
D
D
iD /mA
iD /mA
iD
iD UGS(off)
IDSS
uGS = 0 V 0 V –2V 2V
G
G
N 沟道S结型 P 沟道S结型 – 5 O
2. 饱和漏极电流 IDSS
耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。
3. 直流输入电阻 RGS
指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直
流电阻。
JFET：RGS > 107 MOSFET：RGS = 109 1015
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
4. 低频跨导 gm
gm
iD uGS
第 2 章 半导体三极管及其基本应用
例 2.3.2
ui = 20sint (mV)， IDO= 10 mA， UGS(th)= 5V， VGG= 6.5V，
VDD= 20V，d RD= 15kΩ，求静态工作点及交流输出 uo。
模拟电路考试题和答案
模拟电路考试题和答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 信号的整形B. 信号的滤波C. 信号的放大D. 信号的调制答案：C2. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 0B. 无穷大C. 有限值D. 负无穷大答案：B3. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号的相位关系是（）。
A. 同相B. 反相C. 无关系D. 正交答案：B4. 负反馈可以（）放大器的增益。
A. 增加B. 减少C. 不变D. 先增加后减少答案：B5. 在模拟电路中，电源去耦电容的主要作用是（）。
A. 提高电源电压B. 降低电源电压C. 滤除电源噪声D. 增加电源电流答案：C6. 差分放大器的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 降低输入阻抗D. 提高输出阻抗答案：B7. 场效应管（FET）的控制方式是（）。
A. 电压控制B. 电流控制C. 温度控制D. 光控制答案：A8. 模拟电路中的“零点漂移”通常是由（）引起的。
A. 温度变化B. 电源波动C. 负载变化D. 输入信号变化答案：A9. 在模拟电路中，二极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流信号C. 滤波信号D. 调制信号答案：B10. 模拟电路中的“带宽”是指（）。
A. 电路的频率响应范围B. 电路的最大增益C. 电路的输入阻抗D. 电路的输出阻抗答案：A二、填空题（每题2分，共20分）11. 在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。
答案：同相12. 运算放大器的开环增益通常在______以上。
答案：10^513. 理想二极管的正向导通电压降约为______伏。
答案：0.714. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系是______的。
答案：非线性15. 共模抑制比（CMRR）是衡量差分放大器对共模信号抑制能力的______。
答案：指标16. 模拟电路中的“饱和”现象是指放大器输出信号达到______或负最大值。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 第四版)习题解答 第2章
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章第2章1○2○3测得对地电位-8V，放大电路中某三极管三个管脚○-3V,-和3V、12V、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
3为基三极管工作在放大区时，UB值必介于UC和UE之间，故-对应的管脚○2脚电位与○3脚基极电位差为-，2脚为发射极，1脚为集电极，极，UB=-，○所以○则○该管为PNP锗管。
3脚电位为介于3V和12V之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚于○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN硅管。
，故○对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP管，估算其β值。
图解：因为iB 49 ①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
电流流向知是PNP管iC1mA100 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。
图解：IB?6V??51k?设三极管工作在放大状态，则IC=βIB=100×=10mA UCE=16V－10mA×1kΩ=6V于UCE=6V>UCE=，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，IB=，IC=10 mA，UCE=6V。
IB?(5?)V?56k?设三极管工作在放大状态，则得IC=βIB=100×=则UCE=-(5V－×3kΩ)=-(5V－) ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为IC?ICS?VCCRC3k?因此三极管的IB=，IC=，UCE=UCES≈发射结零偏置，故三极管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。
图所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图所示，设UBEQ=0，当RB分别为300kΩ、150kΩ时，试用图解法求IC、UCE。
解：在输出回路中作直流负载线令iC=0，则uCE=12V，得点M；令uCE=0，则iC=12V/3k Ω=4mA，得点N，连接点M、N得直流负载线，如图解所示。
(完整版)高频电子线路(胡宴如)简答题预测及部分复习讨论题答案
1.4.1 何谓通讯系统？通讯系统由哪些部分构成？各构成部分的作用是什么？解：用电信号（或光信号）传输信息的系统，称为通讯系统。
通讯系统的基本构成：信源、输入变压器、输出变压器、发送设施、接受设施和信道等构成。
信源就是信息的根源。
输入变压器的作用是将信源输入的信息变换成电信号。
发送设施用来将基带信号进行某种办理并以足够的功率送入信道，以实现信号有效的传输。
信道是信号传输的通道，又称传输媒介。
接收设施将由信道传递过来的已调信号拿出并进行办理，复原成与发送端相对应的基带信号。
输出变压器将接收设施送来的基带信号复原成本来形式的信息。
1.4.2 通讯系统为何要采纳调制技术？解：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。
采纳调制技术可使低频基带信号装载到高平载波信号上，进而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次采纳调制能够进行频分夺路通讯，实现信道的复用，提升信道利用率。
2.1.1 LC 并联谐振回路有何基本特征？说明Q 对回路特色的影响。
解：并联谐振回路拥有谐振特征。
当外加信号频次与回路谐振频次相等，即回路谐振时，回路两头输出电压为最大，且相移为0；当外加信号频次与回路谐振频次不相等，即回路失谐时，回路两头电压快速降落，相移增大。
利用回路的写真特征，经过调谐，能够从各样不一样频次信号的总和中选出实用信号、滤除无用信号，这称为谐振回路的选频作用。
谐振回路 Q 值越大，回路谐振曲线越尖利，其选频作用越好，但通频带将会变窄。
2.2.1 小信号谐振放大器有何特色？解：小信号谐振放大器用来对高频小信号进行选频和放大，所以它有以下主要特色：1、负载采纳LC 谐振回路，放大器拥有选频作用，为窄带放大器。
2、有较高的增益，合适于窄带信号的放大。
3、放大器工作在甲类线性工作状态，可采纳高频小信号等效电路进行剖析。
2.2.2 单一谐放大器有哪些主要技术指标？它们主要与哪些要素有关？为何不可以纯真追求最大的放大批？解：单一谐放大器的技术指标主要有谐振增益、通频带和选择性，此外，他还有稳固性、噪声系数等指标。
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题集解答
第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb ’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、图P3.1I BQ 、U CEQ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mA mAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
模电单元测验题胡宴如(3版)答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第7章.docx
第7 章图所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L=50Ω，交流电压有效值U2=15V，f=50HZ，试决定滤波电容C的大小并求输出电压U O（AV）﹑通过二极管的平均电流I D（AV）及二极管所承受的最高反向电压U RM。
图（3 ~ 5） T（3 ~ 5) 1600 ~ 1000 F解： C≥2R L 2 50 50U O(AV)==× 15=18V通过二极管的平均电流为I D ( AV )1 1UO ( AV )18I O ( AV )2 R L0.18 A 2 2 50二极管承受最高反向电压为U RM2U 2 2 15 21V图所示桥式整流电容滤波电路中，已知 R L=50Ω，C=2200μF，测得交流电压有效值U2=20V，如果用直流电压表测得输出电压U O有下列几种情况：（ 1） 28V;(2)24V ；（ 3） 18V; （ 4） 9V。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
图解：（ 1） R L开路， U O=× 20=28V(2)正常， U O=× 20=24V（3） C开路 U O=× 20=18V（ 4）因二极管开路电路变为半波整流同时 C 开路， U O=× 20=9V已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻 R L=20Ω，交流电源频率为 50Hz，要求输出电压U O （AV） =12V，试求变压器二次电压有效值 U2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为UO ( AV )12U 210V1.2 1.2通过二极管的平均电流ID ( AV )1UO ( AV )122 R L0.3A2 20二极管承受的最高反向电压为URM2U 2 2 10 14V所以，可选择 I 1≥（ 2-3 ）I D（AV） =（~）A、U RM＞14V 的二极管，查手册知，可用 4 只1N4001 二极管组成桥式整流电路。
由于一般要求R L C≥（ 3~5）T/2 ，现取 R L C≥ 4T/2 ，所以可得4T / 2 4 /( 2 50)C0.002F 2000 FR L20由于滤波电容 C 承受的最大电压为2U 2=14V，因此可选用2000μF、 25V 的铝电解电容器。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P<U N，所以二极管反向偏压而截止，U0＝10 V。
(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。
因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z＝5 V，I Z＝5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关S 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A1、○A2读数分别为多大?解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为Z R U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管5．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( ×) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( ×) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √)5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √)2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；U BC=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管U EB=U E—U B＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；U CB=U C—U B＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mAU CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为mA R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= 因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= mA I I CS BS 039.01009.3===β 因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-= 设晶体管工作在放大状态，则有I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mAU CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B＝0，I C＝0，U CE＝5 V3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝0(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点≤0是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u GS第3章放大电路基础3．1 填空题1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100 ，电压增益为40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。