多晶硅太阳能电池板规格及电性能参数表
太阳能电池组介绍
太阳能电池组介绍一、分析单晶硅电池，四个角有棱角；多晶硅电池为方形1、单个电池尺寸规格（假设光电效率20%）125*125，单个功率2.5-3.1W156*156，大多数产品，单个功率3.5-4.8W156.75*156.75158.75*158.75，少数产品2、太阳能电池组串联36/54/60/72/96片采用36片或72片多晶硅太阳能电池进行串联形成12V和24V的组件。
Voc=0.63V，Vmpp=0.52V3、性能参数（影响因素光强、温度）Voc，开路电压。
温度升高，Voc下降Isc，短路电流。
温度升高，Isc小幅升高Pm=Vmpp*Impp。
温度升高，Voc下降，Isc小幅升高，Pm下降效率=Pm/Pi=FF*Voc*Isc/Pi，其中Pi=100mW/cm2，温度升高Pm下降，效率降低。
填充系数，FF=Pm/Voc/Isc。
温度升高Pm下降，Voc*Isc下降，FF下降。
理想状况，FF=[Voc-ln(Voc+0.72)]/(Voc+1)，Voc=voc/Vt 例如：光强200W/cm2，Voc=0.5V，Isc=5.2mA/cm2光强400W/cm2，Voc=0.55V，Isc=13mA/cm2光强600W/cm2，Voc=0.57V，Isc=17mA/cm2二、太阳能电池组电压等级直流：12V、24V、48V交流：110V、220V、380V三、36片产品选购，光伏组件产品目录，/pv/panel1、125*125mmPR-105M5-36 单晶硅太阳能电池组，85-105瓦。
AS-5M18 90-105W，单晶硅，效率13.81~16.11%，功率90~105Wp。
Vmpp=18-18.6V，Impp=5-5.65A，Voc=22.2-22.8V，Isc=5.38-5.9A。
AE M5-36_90-110W（德国），单晶硅，组件效率：13.64~16.67%，功率90~110Wp。
150W太阳能电池板
（二）太阳能控制器：太阳能控制器的作用是控制整个系统的工作状态，并对蓄电池起到过充电保护、
过放电保护的作用。在温差较大的地方，合格的控制器还应具备温度补偿的功能。其他附加功能如光控开
关、时控开关都应当是控制器的可选项；
16.30%
4-9*14
580
609
110W
660*1250*35
21.6
6.83
17.5
6.1
15.07%
4-9*14
625
609
120W
660*1250*35
21.6
7.46
17.5
6.67
15.90%
4-9*14
625
609
130W
660*1460*35
21.6
8.08
17.5
7.22
15.07%
1．4、150W太阳能电池板（高效率单晶硅/多晶硅太阳能发电板规格)具体参数PV Module Performances(Test condition: 1000W/m2, AM1.5, 25℃)
6-9*14
730
609
140W
660*1460*35
21.6
8.7
17.5
7.78
16.30%
6-9*14
730
609
150W
660*1460*35
21.6
9.33
17.5
8.33
17.44%
6-9*14
高效率单晶硅/多晶硅太阳能发电板规格)基本性能：正常工作条件
（1）环境温度：－40℃-＋85℃；
常用的光伏板型号
常用的光伏板型号在光伏行业中，有许多不同类型的光伏板可以选择。
下面列举了一些常用的光伏板型号及其相关参考内容。
1. 多晶硅太阳能电池板多晶硅太阳能电池板是最常见和广泛使用的光伏板之一。
其具有良好的可靠性、稳定性和成本效益，适用于各种应用。
多晶硅太阳能电池板的一些常见型号包括：- JAM60D10 320-340/PR: 该型号具有320到340瓦特的额定功率，适用于家庭光伏系统和商业光伏系统。
该型号的光伏板使用PERC技术，确保高效能量转换。
- TP660P-255: 这款多晶硅太阳能电池板额定功率为255瓦特，广泛应用于屋顶和地面光伏系统。
它使用高品质的多晶硅片材料，并采用先进的模组封装技术，具有出色的性能和可靠性。
2. 单晶硅太阳能电池板单晶硅太阳能电池板采用单晶硅制造，具有更高的效能和较好的外观。
单晶硅太阳能电池板的一些常见型号包括：- Q.PEAK DUO G7 340-345: 该型号具有340到345瓦特的额定功率，适用于屋顶光伏系统和商业应用。
此型号采用了先进的Q.ANTUM技术，提供更高的能量产出。
- LG335N1W-V5: 这款型号具有335瓦特的额定功率，适用于家庭和商业应用。
该产品采用先进的N型单晶硅太阳能电池技术，具有更高的效率和可靠性。
3. 薄膜太阳能电池板薄膜太阳能电池板以其轻薄、灵活和可弯曲的特性而受到关注。
薄膜太阳能电池板的一些常见型号包括：- CIGS PowerFLEX BIPV: 该型号具有高达110瓦特的额定功率，适用于建筑一体化光伏系统。
由于其灵活性，该型号可应用于弯曲的表面。
- Uni-Solar PVL-136: 这款型号具有136瓦特的额定功率，适用于工业和商业建筑的屋顶安装。
它采用了无玻璃结构，具有更高的耐用性和可靠性。
4. 其他类型的太阳能电池板除了上述常见类型的光伏板外，还有一些其他类型的太阳能电池板也值得一提：- 高效单晶硅太阳能电池板: 例如，JA Solar的JAP60S01:这款型号额定功率高达325瓦特，并采用先进的PERC技术。
5v多晶硅电池板的技术参数表 解释说明
5v多晶硅电池板的技术参数表解释说明1. 引言1.1 概述多晶硅电池板作为一种广泛应用于光伏发电领域的关键组件，其技术参数表起到了至关重要的作用。
通过对多晶硅电池板的技术参数进行解读和分析，我们可以全面了解该组件在光伏系统中的性能表现和适用范围。
本文将详细探讨多晶硅电池板技术参数表所包含的关键信息，并通过解释说明这些参数在实际应用中的影响，帮助读者更好地理解和选择适合自身需求的多晶硅电池板。
1.2 文章结构本文分为五个主要部分：引言、多晶硅电池板的技术参数表、解释多晶硅电池板技术参数表的要点、多晶硅电池板技术参数对于应用的影响及应用场景选择以及结论。
接下来，我们将深入探讨每个部分内容。
1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解和运用多晶硅电池板技术参数表。
通过对技术参数表中各项指标的详细说明，读者将能够较为准确地评估不同多晶硅电池板的性能差异，更好地选择适合自己需求的产品。
此外，本文还将介绍技术参数对多晶硅电池板在不同应用场景下的影响，帮助读者在实际应用中做出恰当的选择。
以上是文章“1. 引言”部分的内容。
2. 多晶硅电池板的技术参数表：2.1 什么是多晶硅电池板：多晶硅电池板是一种常见的太阳能电池板类型，它由多晶硅材料制成。
该材料通过熔化多晶硅，并在特定条件下重新凝固形成具有结晶性的固体。
多晶硅被广泛应用于光伏系统中，可以将太阳能转化为直流电能。
2.2 技术参数的重要性：技术参数是评估太阳能电池板性能和适用场景的关键指标。
了解和比较不同多晶硅电池板的技术参数可以帮助我们选择最适合特定需求和应用环境的产品。
技术参数表提供了关于功率、效率、温度系数等重要信息，这些信息对于确定某个系统的发电量、可靠性和适用范围至关重要。
2.3 多晶硅电池板的技术参数介绍：- 输出功率：指单位面积上从多晶硅电池板输出的最大功率值。
通常以瓦特（W）为单位表示。
- 效率：反映出太阳能转化为可利用电能的比例，通常以百分比表示。
太阳能电池板全参数
太阳能电池板全参数实用标准文案太阳能电池板的一组参数最大标称功率Wp max (W)。
峰值电压Vmp(V)：峰值电压是在强光时的最高电压峰值电流Imp(A)开路电压Voc(V)：开路电压是电池板空载电压工作电压：是电池板带上负荷时测得的电压短路电流Isc(A)尺寸Size(mm)重量Weight(KGS)峰值电压最高、开路电压次之、工作电压最低）直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20年以上，衰减小于20%。
问题集锦：1、什么是太阳能电池？答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.%，也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
从二氧化硅到太阳能电池片，涉及多个生产工艺和过程，一般大致分为：二氧化硅—>冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。
2、什么是单晶硅太阳能电池板？答：单晶硅太阳能电池片主要是使用单晶硅来制造，与其他种类的太阳能电池片相比，单晶硅电池片的转换效力最高。
在初期，单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额，在1998年后才退居多晶硅之后，市场份额占据第二。
由于近几年多晶硅原料紧缺，在2004年之后，单晶硅的市场份额又略有上升，现在市面上看到的电池有单晶硅居多。
单晶硅太阳能电池片的硅结晶体十分圆满，其光学、电性能及力学性能都十分的均匀一致，电池的颜色多为玄色或深色，特别适合切割成小片制作成小型的消费产物。
多晶太阳能电池板
多晶太阳能电池板
特点
所采纳的多晶硅太阳能电池片转换效率高生产。
所采纳的铝合金边框具有高强度，抗机械冲击力量强。
功率公差范围(保证输出功率在-3~+3%的正负公差范围内)本
产品有着优秀的弱光性能。
能够承受强风和雪的荷载太阳能电池板可承受的风荷载(2400 Pascal) 和雪荷载(5400 Pascal)
材料介绍
1. 玻璃：超白布纹钢化玻璃，厚度3.2mm,在太阳电池光谱
响应的波长范围内(320-1100nm)透光率达91%以上，耐紫外光线的
辐射，透光率不下降。
钢化玻璃作成的组件可以承受直径25毫米的
冰球以23米/秒的速度撞击。
2. EVA：厚度为 0. 5mm的优质EVA膜层作为太阳电池的密
封剂和与玻璃、TPT之间的连接剂。
具有较高的透光率和抗老化力量。
太阳电池封装用的EVA胶膜固化后的性能要求：
透光率大于90%；交联度大于65-85%；剥离强度（N/cm），
玻璃/胶膜大于30；TPT/胶膜大于15；耐温性：高温85℃、低温－40℃。
，
3．TPT：太阳电池的背面，耐老化、耐腐蚀、耐紫外线辐射、不透气等基本要求。
4. 边框：所采纳的铝合金边框，抗机械冲击力量强。
温度特性
标称电池工作温度(NOCT)：452 ℃
峰值功率温度系数：-0.47%/℃
开路电压温度系数：-0.34%/℃短路电流温度系数：0.045%/℃。
光伏组件(太阳能电池板)规格表
材料
单晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 多晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 单晶 硅
峰值 功率
Pm (watt)
峰值 电压 Vmp (V)
峰值 电流 Imp (A)
开路 电压 Voc (V)
短路 电流 Isc (A)
尺寸 (mm)
5 8.75 0.57 10.5 0.66 265*265*25
单晶 硅
多晶 硅 单晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 单晶 硅
多晶 硅 单晶 硅
多晶 硅 单晶 硅
多晶 硅
单晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 多晶 硅 单晶 硅 单晶 硅 多晶 硅 多晶 硅
65 17.5 3.71 21.5 65 17.5 3.71 21.5 70 17.5 4.00 21.5 75 17.5 4.29 21.5 75 17.5 4.29 21.5 80 17.5 4.57 21.5 80 17.5 4.57 21.5 85 17.5 4.86 21.5 85 17.5 4.86 21.5 90 17.5 5.14 21.5 90 17.5 5.14 21.5 100 17.5 5.71 21.5 100 35 2.86 43 100 17.5 5.71 21.5 100 35 2.86 43 110 17.5 6.29 21.5 120 17.5 6.86 21.5 120 17.5 6.86 21.5 120 35 3.43 43
356*426*28 281*627*25 356*576*28 536*477*28 356*676*28 536*477*28 356*816*28 537*617*40 356*816*28 537*617*40 576*670*40 537*758*40 57ห้องสมุดไป่ตู้*670*40 537*758*40 510*880*40 537*758*40 510*880*40 537*899*40 670*816*40
多晶光伏组件规格表
开路电压Voc
Open circuit voltage (V)
短路电流Isc
Short circuit current (A)
峰值电压Vmp
Maximum operating voltage(V)
峰值电流Imp
Maximum
operating
current ( A )
BL125P-12
125
1482*666*35
BL120P-12
120
1320*666*35
BL115P-12
115
1320*666*35
BL110P-12
110
1150*666*35
BL105P-12
105
1150*666*35
BL100P-12
100
1150*666*35
BL95P-12
95
1050*666*35
610*666*35
BL50P-12
50
610*666*35
BL45P-12
45
535*666*25
BL40P-12
40
460*666*25
BL35P-12
35
460*666*25
BL30P-12
30
720*345*25
BL25P-12
25
610*345*25
BL20P-12
20
535*345*25
测试标准 STC: Irradiance 1000W/ m2, Temperature 25℃, AM=
产品保证 Limited Warranty: Power output not less than 90% in 10 years and 80% in 25 years
瓦克多晶硅参数
瓦克多晶硅参数瓦克多晶硅是一种用于制造太阳能电池的材料，具有优异的光电转换效率和稳定性。
下面将介绍瓦克多晶硅的一些重要参数。
1. 晶体结构：瓦克多晶硅是由多个晶体颗粒组成的，晶体结构呈现多晶形态。
它的晶粒尺寸通常在毫米到厘米级别，相比于单晶硅，瓦克多晶硅的晶粒尺寸较大。
2. 杂质含量：瓦克多晶硅中的杂质含量对电池性能有着重要影响。
常见的杂质包括铁、铜、铝等，其中铁是最主要的杂质元素。
高纯度的瓦克多晶硅要求杂质含量低于10 ppm（百万分之一），以确保电池的高效率和长寿命。
3. 晶粒取向：瓦克多晶硅中的晶粒取向对电池性能也有影响。
晶粒取向是指晶体中晶粒的排列方向。
瓦克多晶硅通常采用<100>或<111>晶向生长，其中<100>取向的晶粒具有较好的电子传输性能，而<111>取向的晶粒则具有较好的阳极反应性能。
4. 晶格缺陷：瓦克多晶硅中的晶格缺陷也会对电池性能造成影响。
晶格缺陷是指晶体中的结构缺陷，如晶界、位错等。
晶格缺陷会增加电子和光子的复合几率，降低电池的光电转换效率。
因此，降低晶格缺陷对于提高瓦克多晶硅电池的性能至关重要。
5. 光电转换效率：光电转换效率是评价太阳能电池性能的重要指标。
瓦克多晶硅电池的光电转换效率通常在15%到20%之间，具有较高的能量转换效率。
通过优化瓦克多晶硅的晶体结构、杂质含量和晶粒取向等参数，可以进一步提高光电转换效率。
6. 寿命：瓦克多晶硅电池的寿命也是一个重要参数。
寿命是指太阳能电池在使用过程中能够保持高效率工作的时间。
瓦克多晶硅电池的寿命受到晶粒取向、晶格缺陷和杂质含量等因素的影响。
提高瓦克多晶硅的纯度和晶体结构可以延长电池的寿命。
总结：瓦克多晶硅作为太阳能电池的主要材料，其参数对电池的性能影响重大。
晶体结构、杂质含量、晶粒取向、晶格缺陷、光电转换效率和寿命等参数都是评价瓦克多晶硅电池质量和性能的重要指标。
通过优化这些参数，可以提高瓦克多晶硅电池的光电转换效率和寿命，推动太阳能电池的发展和应用。
太阳能电池板全参数
太阳能电池板的一组参数最大标称功率Wp max (W)，峰值电压Vmp(V)：峰值电压是在强光时的最高电压峰值电流Imp(A)开路电压Voc(V)：开路电压是电池板空载电压工作电压：是电池板带上负荷时测得的电压短路电流Isc(A)尺寸Size(mm)重量Weight(KGS)（峰值电压最高、开路电压次之、工作电压最低）直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS 塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。
工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20 年以上，衰减小于20%。
问题集锦：1、什么是太阳能电池？答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。
现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。
晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2 个杂质原子存在。
硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。
从二氧化硅到太阳能电池片，涉及多个生产工艺和过程，一般大致分为：二氧化硅—> 冶金级硅—>高纯三氯氢硅—>高纯度多晶硅—>单晶硅棒或多晶硅锭—>硅片—>太阳能电池片。
2、什么是单晶硅太阳能电池板？答：单晶硅太阳能电池片主要是使用单晶硅来制造，与其他种类的太阳能电池片相比，单晶硅电池片的转换效率最高。
在初期，单晶硅太阳能电池片占领绝大部份市场份额，在1998 年后才退居多晶硅之后，市场份额占据第二。
由于近几年多晶硅原料紧缺，在2004 年之后，单晶硅的市场份额又略有上升，现在市面上看到的电池有单晶硅居多。
单晶硅太阳能电池片的硅结晶体非常完美，其光学、电性能及力学性能都非常的均匀一致，电池的颜色多为黑色或深色，特别适合切割成小片制作成小型的消费产品。