制绒段常见不良及常规解决方法

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PE色差(制绒整改)实验报告

PE色差(制绒整改)实验报告

PE色差(制绒整改)实验报告PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜的过程,所以PECVD可以看做是一个微小固体颗粒在基板上淀积的过程。

色差:以下3点是引起色差的最主要原因:1.原硅片:原硅片的切割导致制绒面不平整,原生产的硅锭本体构成不均匀,导致切割后硅片有色差存在。

2.制绒段:槽式制绒设备有自身的缺陷性。

在槽中,存在上下层温度差异,反应的浓度差异(进槽时加液存在差异,反应中槽中循环不良造成的上下层浓度的差异),这涉及到设备改造的问题。

现有工艺中反应时间很短(120S),本身制绒工艺是一个反应非常剧烈的反应,因此,之前设备的所引起的差异被加剧,造成绒面不均匀,引起色差。

3.PE段:由于气流量、舟、管的一些限制,工艺上的调整问题,引起一系列的色差。

对于以上1,3点的建议:(1)在购买原硅片要确定原硅片质量,对过期,黑心,以及其他一切不良的硅片需要有一个合理的检验标准,把好原材料关。

(2)PE段,由PE段工艺员配合负责。

以下详细对第2点进行阐述:调节绒面的均匀性由下面几项进行说明:(1)减少整体溶液的浓度,使反应的速率降低,适当的加大缓冲剂水的量,降低反应时的速度。

(2)延长反应的时间,让反应的绒面尽量处于饱和状态。

(3)原工艺和现在有工艺对比:原工艺:HNO3:HF:H20=360:70:170 制绒时间:120s-140s实验工艺:HNO3:HF:H20=260:40:150 制绒时间180s-220s原精补:HF:H2O:HNO3=0.8:0:1.0现在精补:HF:H2O:HNO3=0.6:0.05:0.9原制绒温度:8°-10°实验制绒温度:6.5°-7°(4)两个工艺制绒后各项数据对比:原工艺减重:0.35g-0.45g实验工艺减重:0.3g-0.5g 较大一点原工艺外观:有不均匀的部分,主要表现在边缘部分,无网纹实验工艺外观:基本没有不均匀部分,无网纹原工艺显微镜下绒面:大小并不均匀实验工艺显微镜下绒面;大小均匀,但是较正常绒面大一些(5)实验工艺对各段工艺的影响:A.制绒段:绒面均匀,外观块会比以前好很多,但是绒面偏大,减重比之前大一些,工艺的调试窗口比之前大很多,影响很大。

多、单晶(制绒、刻蚀)工序异常汇总

多、单晶(制绒、刻蚀)工序异常汇总
多晶制绒工序异常处理汇总
序号
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29
异常现象
硅片表面有黑道滚轮印 片子表面发暗呈现深褐色 片子表面有一条一条的线痕印 片子流到扩散后表面发蓝 片子表面有白色的小雨点 片子表面有过穿的小洞 片子表面颜色不均匀 片子上下表面绒面相差很大 硅片表面较亮 硅片表面暗纹较多 硅片表面出现黄斑 硅片表面未洗干净 硅片表面吹不干 腐蚀深度过小 腐蚀深度过大 制绒绒面偏小 片子表面颜色不均匀 片子流到扩散后,表面发蓝 片子上下表面绒面相差很大 片子表面有水痕印 片子表面有过穿的小洞 片子表面有白色的小雨点
异常分析处理
应该是滚轮比较脏,用沾有酒精的无尘布擦拭滚轮 溶液浓度过高,片子绒面过大。需及时降低片子减薄量 滚轮留下的虚影,冲洗不充分导致 烘干效果不理想 可能是H2、NO等气体粘附在片子表面导致 片子杂质过多引起 一般是溶液不均匀导致,需要将各槽溶液充分循环 制绒槽液位没有达到理想状态,调整液位 一般是溶液浓度过高或HNO3比例过高,可补加适量的DI水来 降低溶液浓度或补加HF来改变HNO3的比例 一般是溶液浓度过高或HF比例过高,可手动补加适量的DI水 来降低溶液浓度或补加HNO3来改变HF的比例 查看碱槽的流量或溶液浓度是否正常。可以加大KOH的溶度或 加大碱槽的循环流量。 看是否是手指印,造成。若是及时更换手套看情况,若硅片 表面出现一些胶之类的。看是否是来料时,硅片本身存在脏 物。 看是否为风刀压力太小或角度不正当造成。或查看酸槽的HF 溶度是否正常。 不能去掉损伤层,可以适当加大制绒的溶液浓度,或暂时降 低带速或提高制绒的温度(但一般不希望采取) 绒面过大,可以适当减少自动补液量,或降低制绒槽的温度 或提高带速(设置的温度、带速一定要在设定范围内) 制绒时间不够或溶液的浓度偏稀 一般是溶液不均匀导致,需要将各槽溶液充分循环 烘干效果不理想,表面留有水迹导致 制绒槽液位没有达到理想状态,调整液位 烘干效果不理想 片子杂质过多引起 可能是H2,NO等气体沾附在片子表面导致

清洗制绒设备操作规程

清洗制绒设备操作规程

RENA制绒设备操作规程v09.10.01序言为更好地加强制绒设备生产与维修,保障设备开机效率以及设备完好状态,结合制绒使用说明书及车间使用经验,特制订编制本手册,以达到操作标准化为目的,同时为设备队伍的培训提供教材参考。

凡操作人员必须经过培训,且熟练掌握设备操作规程,方可对设备进行操作!目录一、目的二、适用范围三、主要技术性能四、结构特征五、使用前的准备六、设备的操作七、更换化学药品时的安全操作规范八、安全操作规范九、设备常见故障及简单解决方法十、操作和维护注意事项及维护表十一、常用化学药品特性及处理预案十二、安全标识一、目的:硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚的损伤层,这一层因为与硅片基体的状态已经不同,基本上已经剥离于集体,会严重影响半导体器件(太阳电池)的性能。

清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层,通过硝酸对其氧化制绒,形成高低不平的表面,大大增加电池片表面的受光面积,减少反射,从而提高太阳电池的转换效率。

二、适用范围:RENA Inline Texture Etching060309------CSC05(100MW车间制绒北侧设备) RENA Inline Texture Etching060308------CSC06(100MW车间制绒中部设备) RENA Inline Texture Etching060310------CSC07(100MW车间制绒南侧设备) 三、主要技术性能:1、使用环境条件a) 环境温度:0 ℃~40 ℃ b) 相对湿度:<85%、无凝露 c )周围环境:无腐蚀性气体 2、附属设施消耗电池车间 100MWp 制绒工序基础设施消耗设备名称 数量 连接功率kW 额定功率kW 纯水L/M冷却水L/M 压缩空气L/M废水排放L/M 废气排放m3/h 电压V 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计 单台 合计单台 合计5道硅片清洗机 2 380五线 19.539 19.5 39 20 40 43 86 3683 7366 DN50DN40 DN20 4670 93408道硅片清洗机1 380五线32 32 32 32 30 30 43 86 5883 5883 DN50DN40 DN207140 7140四、结构特征:上图为RENA Inline Texture Etching060309设备外形Station1: 腐蚀槽 Station5:HF/HCL 润洗Station2:冲洗1槽 Station6: 冲洗3槽Station3:KOH润洗 Station7: 气刀风干Station4:冲洗2槽RENA Inline Texture Etching包括上料→HNO3及HF腐蚀→冲洗1→KOH 润洗→冲洗2→HF/HCl润洗→冲洗3→气刀风干→下料。

制绒工艺培训

制绒工艺培训
制绒槽 水洗槽 碱洗槽 酸制绒机 水洗槽 酸洗槽 水洗槽 传递过程 吹干槽
仓库来料接收
上片
下片
制绒设备
速度1.0速度1.0-1.5 m/min 1.0


水1
KOH bath
水 2
HF/HCl
水 3
吹干
bath
3.1 RENA制绒原理 制绒原理
RENA是通过化学反应来进行硅腐蚀的,其反应体系很复杂。 以下是其中的几个反应方程式: Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2
主管工程师: 主管工程师: 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数,对于出现的外观不良或是效率低下等异常,及时 安排排查。 根据工作需要,负责与其他职能部门进行沟通,共同解决问题。 对于汇报的异常,视情况到场解决或是电话给出解决方案。 根据实验结果,安排实施新的工艺方案,若新方案中涉及到更改化学品厂家、型号或是改变 工艺流程的,需向上级请示后决定是否实施。 定期总结制绒工序的工作情况,并向工艺经理汇报。 负责制绒工序人员的管理,分配领导安排的任务,定期组织会议,对本工段工作进行总结。 对工艺文件、作业指导书等进行审核。 完成领导安排的其他任务
工程师: 工程师: 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数,对于出现的外观不良或是效率低下等异常,及时 联系其余工序的工程师进行排查。 对于日常工作中,根据需要,与其他职能部门(如设备、生产等部门)进行沟通,共同寻找 解决问题的方案。 对于助理工程师汇报的异常情况,视情况到场解决或是电话给出解决方案,若不能解决的, 及时通知工艺主管。 负责制绒化学品选用以及使用情况(控制的合理的单耗),选择工艺方案(最低的反射率, 换液周期)及工艺控制参数(减薄量、腐蚀深度),设备的维护周期,上报工程师。 定期进行优化实验或是腐蚀量异常时安排排查实验,根据实验结果提出改进措施。 负责编写制绒工段的工艺文件、作业指导书,并组织相关人员进行学习。 完成安排的其他工作。

制绒段常见不良及常规解决方法

制绒段常见不良及常规解决方法
历史黑名单:芯能、顺大 当前黑名单:阳光硅谷 (出现比例极少,上面第四幅图)
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8
片源异常及解决方法
4、线痕
线痕片大幅存在,线痕片存在的隐患为:深线痕可能导致更高碎片率,多线 线痕可能影响外观并对效率有轻微影响。
线痕表现形式:线痕可从外观直接看出,一般为一根或数根直且细的沟壑(缺照 片)。
对单晶而言,线痕分为单线线痕及多线线痕,单线线痕一般因切割断线引起,多 线线痕一般为切割浆料异常引起(如回收液的大量使用)。
黑名单:当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关,线痕片出现极
少。
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设备异常及解决办法
设备引起的制绒异常主要有如下几个特征:
1、独立性。由于设备的损坏,尤其是制绒设备的损坏,并不会同时产生,因此,因 设备引起的异常往往仅表现为某一个槽或某一条线;
2、异常硅片的规律性。设备异常,如鼓泡管堵塞,加热器损坏,其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征,并且在位置方面也有规律性。
制绒段常见异常及常规解 决方法
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1
制绒不良树状结构图
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2
片源异常及解决方法
1、指纹及划痕
指纹区
划伤区
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指纹片源于:硅片厂家在硅片清洗过程时进 行裸手插片,或者插片时所穿戴的手套 不能满足隔汗要求(自身来料检有时也 会引入);
划痕源于:硅片厂家在插片过程的摩擦,同 时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我 们公司自身的来料检验。
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工艺异常及常规解决办法
制绒异常及解决办法:
1、小雨点 小雨点因制绒过程IPA不足引起,IPA不足除引起小雨点外,也使跳片的概率上升, 因此,需予以及时解决。

制绒不良现象、原因分析及改进

制绒不良现象、原因分析及改进

无绒面
现象:表面有流星雨现象 发生
原因:来料
解决方法:加大碱液用量
Trina Solar Energy Co,Ltd
绒面不均
现象:部分区域绒面良好 ,部分绒面表现为较难 刻蚀
原因:来料原因
解决方法:加大碱液与 IPA的用量通常可以解 决,具体加入量依据实 际情况而定
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:在同一批片子中 相同位置有类似于油污 的污渍
原因:来料问题,可能 在硅片包装时引入
解决方法:与硅片车间 协商解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:表面有污渍 原因:在制绒后反应残留物 解决方法:重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发白
现象:表面发白
原因:刻蚀时间不够
解决方法:通常延长刻蚀 时间可以解决
Trina Solar Energy Co,Ltd
硅片表面发亮
现象:表面发沙
原因:KOH过量或者是 Solar Energy Co,Ltd
表面刻蚀不均
表面污染
现象:表面有指纹残留
原因:在包装时人为的接触 硅片
解决方法:IPA可以起到一 定效果,但是不能杜绝,需 要硅片车间配合
Trina Solar Energy Co,Ltd
表面污染
现象:硅片表面有大量的药 液残留
原因:IPA加入过多
解决方法:重新清洗
Trina Solar Energy Co,Ltd
现象:硅片表面部分区 域发白,有慧星现象发 生
原因:IPA偏少
解决方法:适当增加IPA 的用量

制绒原理及相应问题的解决资料

制绒原理及相应问题的解决资料
设备张力控制不当
张力控制是制绒过程中的重要环节,张力过大或过小都会对制品质量产生不良影响。张力 过大可能导致制品断裂、强度降低等问题;张力过小则可能使制品出现松弛、起皱等现象 。
设备温度控制不准确
温度控制对于制绒过程至关重要,温度波动会影响纤维的润湿效果和制品的结构性能。温 度过高可能导致纤维受损、制品发黄等问题;温度过低则可能使润湿剂效果不佳,影响制 绒质量。
纤维束过松
纤维束过松可能是由于原料质量差、处理工艺不当或设备调试不准确等原因引起 的。过松的纤维束会使制品结构松散,强度降低,耐磨性差,严重影响产品质量 。
润湿剂选择不当导致效果不佳
润湿剂种类选择不当
不同原料和工艺需要选择不同类型的润湿剂。选择不当可能导致润湿效果不佳,使得纤维束难以充分润湿,进而 影响制绒效果和产品质量。
问题解决方案制定
针对制绒过程中出现的各种问题,制定了相应的解决方案,并通过 实验验证了其有效性。
制绒效率提升
通过优化制绒工艺参数,提高了制绒效率,降低了生产成本。
未来发展趋势预测
制绒技术持续改进
随着科技的不断进步,制绒技术将不 断改进和完善,提高生产效率和产品 质量。
智能化制绒设备研发
结合人工智能、大数据等先进技术, 研发智能化制绒设备,实现自动化、 智能化生产。
完善设备参数设置确保稳定运行
01
设备参数对制绒的 影响
设备参数的设置直接影响到制绒 的稳定性和效果,包括温度、压 力、速度等参数。
02
设备参数的调整方 法
根据制绒需求和设备性能,通过 试验和调整,找到最佳的参数组 合。
03
参数调整后的效果
合理的设备参数设置可以提高制 绒的稳定性和效率,减少故障和 停机时间,降低生产成本。 Nhomakorabea温度控制

清洗和制绒工艺

清洗和制绒工艺
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关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了 硅片表面织构的几何特征。气泡的大小以及 在硅片表面停留的时间,与溶液的粘度、表 面张力有关系。所以需要乙醇或异丙醇来调 节溶液的粘滞特性。 乙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范围内变化 时,制绒反应的变化不大,都可以得到比较 理想的绒面,而5 vol%至10 vol%的环境最佳。
3
硅片表面的机械损伤层
(一)硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
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硅片表面的机械损伤层
(二)多线切割
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硅片表面的机械损伤层
(三)机械损伤层
硅片
机械损伤层(10微米)
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硅片表面的机械损伤层
(三)切割损伤层的腐蚀(初抛) 切割损伤层的腐蚀(初抛) 线切割损伤层厚度可达10微米左右。 一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5~1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6~10um/min 。 初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减 短,以防硅片被腐蚀过薄。 对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速 度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际 浓度关系不大。
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绒面不良分析及改进
8、绒面不均 现象: 硅片表面出现规 则的绒面不良 原因:可能是来料问题 解决方法:适当延长时间 可以一定程度上减轻该现 象
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绒面不良分析及改进
9、无绒面 现象:表面有流星雨 现象发生 原因:来料 解决方法:加大碱液 用量
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绒面不良分析及改进
10、绒面不均 现象:部分区域绒面良好 ,部分绒面表现为较难 刻蚀 原因:来料原因 解决方法:加大碱液与 IPA的用量通常可以解 决,具体加入量依据实 际情况而定

制绒段常见不良及常规解决方法-文档资料29页

制绒段常见不良及常规解决方法-文档资料29页
脱胶不良的表现形式:脱胶不良的硅片经制绒后,在硅片有机物残留区,硅片出绒不全或出绒较小导致该 区域较其他区域发白。脱胶不良产生时,位置固定且一般整体连续出现。
片源异常及解决方法
脱胶不良解决方法: 脱胶不良在轻微时,脱胶不良区域硅片仍可正常出绒,但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白,
仅对B1类有所贡献,不会造成B2片。对该情况,可维持正常生产,同时,做好不良硅片数目的大致统 计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时,脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时,脱胶不良将对B2片产生贡献。 对该种情况,对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理;对后续待制绒硅片,可以通过适当增 加氢氧化钠浓度的方式来加快硅片的腐蚀速率,从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况,也同 样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。
设备异常及解决办法
设备引起的制绒异常主要有如下几个特征:
1、独立性。由于设备的损坏,尤其是制绒设备的损坏,并不会同时产生,因此,因 设备引起的异常往往仅表现为某一个槽或某一条线;
2、异常硅片的规律性。设备异常,如鼓泡管堵塞,加热器损坏,其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征,并且在位置方面也有规律性。
解决方法:当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留(有机洗剂残留)时,硅片的制绒将难 以持续。正常解决流程为:先申请停线,同时,开始进行在线调整,制绒:可通过加大氢氧化钠浓 度,提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率;预清洗:采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗;若上述方向的调整没有明显改善,可直接停线等待,并与供应商进行积极沟通。
表现形式:指纹或划伤经制绒后均清晰显现, 制绒后,指纹或划伤区的颜色较正常区 域浅,从而显得该区域略显发白;

工艺故障排除指南(单晶制绒)

工艺故障排除指南(单晶制绒)
硅片表面的有机物等污染物粘附于硅片表面,阻止硅片制绒。
只使用柠檬酸进行超声,中间对超声槽溶液进行更换。
硅片过腐,表现为绒面角锥体过大,减薄量过大
碱浓度过大或反应温度过大,导致在<100>面上反应速率远大于<111>面上反应速率。
测试温度,确定是否为80度;稀释溶液浓度,同时保证溶液的均匀性;降低下次碱配制的浓度。
采声时间。
4、溶液状态不够均匀。
1、对溶液进行充分搅拌,补加溶液必须先溶解,加入之后必须进行溶液充分搅拌,使用烧杯或竿进行“8”字形状搅拌溶液。
2、查看电源控制柜相应的加热开关是否都在正常工作。
硅片表面有白斑,部分白斑区域出现在不同硅片同一位置,白斑区域明显表现为被覆盖没有出绒现象
单晶硅片四边都有白边
仍有白边部份硅片反应不够充分,这部份对中间无白边部份偏厚。换言之,整个硅片化学反应不够均匀,中间部份反应放热不易,导致反应激烈。
保证溶液均匀,控制硅片中心速度,增加缓冲剂。硅酸钠溶液可视为缓冲剂。
硅片两侧出现“花蓝印”的白边
由于溶液中硅酸钠的浓度过大,粘稠度增加,使得承片盒与硅片接触的地方得不到充分反应。
制绒时槽内硅片区域性发白
溶液不均匀或硅片本身原因导致。
长时间制绒未见效果,对相应区域进行少许NaOH补充,撒在相应槽区域即可;下次制绒之前需要对溶液搅拌均匀。
制绒时硅片漂浮
制绒IPA量不足,导致氢气粘附于硅片表面,没有及时被带走。
补加相应IPA量即可。
工艺故障排除指南
单晶硅太阳能电池
工序
故障表现
诊断
措施
制绒
硅片表面大部分发白,发白区域未出绒面
1、NaOH与IPA比例失调。NaOH含量偏低,不能充分进行反应,或者IPA含量过高,抑止反应进行。

教你处理日常毛织后整生产问题处理

教你处理日常毛织后整生产问题处理

教你处理日常毛织后整生产问题处理
在毛织生产过程中日常出现的问题是每个管理人员都必须懂得怎么解决,关于解决问题的方法大家仁者见仁智者见智,各有不同但又是围绕一个目标而来,就是把质量和生产效率提上来,再次我将自己的经验写出来,希望起到抛砖引玉的'效果。

1 在毛衫出现过溶时,可以查看是因为染过时间还是洗水过时,在这方面可以快速解决问题。

2 削身问题,染色或者洗水时间不够,衫片字码过疏,应当延长洗水时间和烘干时间,这样会好些。

3 起毛粒,洗过时或者返底洗起球,应改用浸衫而不用机洗。

4 缩水,洗水时间过长或者温度过高引起的衫片变厚尺寸变细,应减少时间和降低温度烘干。

5 起镜,烫衣气温过高,烘干超时,没有返底干,衣服摩擦起镜,在我自己处理起镜问题上是用毛料做台布,这样减少了毛料摩擦力度,同时烫衣气压不能过高可以达到不起镜的效果。

6 衣服裂纹,由于某些细致的毛料在洗水烘干中出现问题,烫衣时衣服裂纹,在这件问题上管理者需要亲自做实验,看看改用其它方法来烫衣,或者用钢丝架代替木板。

制绒异常工艺排除指南

制绒异常工艺排除指南

加大初始配液量
发白处绒面:很小,类似原始硅片
继续生产,约五篮后会正常
确认添加剂/NaOH批号,如果确认为添 加剂/NaOH问题,则立即换液,使用另 5、制绒添加剂或NaOH异常 一批号添加剂/NaOH,问题化学试剂待 白班工程师确认 6、制绒溶液不均匀 开启循环泵,对制绒液进行搅拌
单晶制绒后脏污
图示
制 绒 异 常
减薄量异常
异常描述 原因分析
1、减薄量称量错误:通常表现为三片减薄量正 常,剩下一片明显偏大,可能为员工在转篮过程 中将预先称量的硅片弄混。常出现在交接班在 制品中
减薄量偏大 2、初始配液浓度过大,可能员工为减少制绒时 间提升产能而人为的在初始配液时将配液量超 过SOP规定范围。 3、制绒槽温度偏高 4、制绒时间过长 1、减薄量称量错误:通常表现为三片减薄量正 常,剩下一片明显偏小,可能为员工在转篮过程 中将预先称量的硅片弄混。常出现在交接班在 制品中 减薄量偏小
解决方案
花篮印
1、及时换液,如果情况严 重则提前换液。 2、不良片重新制绒
水纹印
单晶制绒后“雨点”与制绒时硅片漂浮
原因分析
1、“雨点”:制绒过程中 IPA的主要作用除了缓和溶 液对硅片的腐蚀外,一个重 要的作用就是通过改善硅片 表面活化能来促进附着于硅 片表面的氢气气泡的释放。 如果反应温度过高,IPA可 能会大量挥发,造成小气泡 无法充分释放,附着于硅片 表面的小气泡会阻止反应溶 液对硅片的腐蚀,造成类似 于“雨点”的发白区域
2、硅片漂浮:附着于硅片 表面的小气泡无法及时释放 ,小气泡将硅片漂浮。 注:目前这种情况已经很少 见
解决方案
1、补加IPA 2、轻微“雨点”片在镀膜 时可以被遮挡,但严重不 良片必须重新制绒

制绒工艺问题

制绒工艺问题

制绒工艺分析报告报告主要内容:针对目前制绒工艺存在的问题进行分析,通过减重量,反射率和绒面形貌的分析,找出原因,进一步完善工艺。

1. 制绒配液比例表1-1 制绒配液补液表NaOH (g) IPA(ml) 添加剂(ml)初配2000 5000 400补液(每批)175g 500 302.减重量及反射率测试结果对目前制绒产线数据分析发现,制绒初配药液在正常工艺下减重量在0.5-0.6g之间,反射率在12.5%左右(最低出现过11.9%),但随着生产批次的增加,减重量逐渐增加,反射率逐渐增大,生产5-8批以后反射率会增大到13%以上,每槽生产4500片后减重维持在0.65-0.72之间,反射率在13.5%-13.7%之间。

选取19号制绒测试数据如表2-1:表2-1减重及反射率测试结果批号槽号减重(g)反射率M6-M20130319A-001 4# 0.44 12.36%M6-M20130319A-023 4# 0.62 13.36%M6-M20130319A-041 4# 0.64 13.40%M6-M20130319A-002 7# 0.52 12.57%M6-M20130319A-024 7# 0.70 13.24%M6-M20130319A-042 7# 0.67 13.46%3.绒面形貌表征为了对绒面制绒效果有更加直观的认识,选取21号4#第1批(减重0.56g,反射率12.54%),4#第12批(减重0.7,反射率13.5%),以及微设备带来的实验片(反射率12.08%)进行SEM分析对比如图3.1、3.2。

4#-14#-12S Y图3.14#第1批,第12批,微设备实验片1000倍SEM图4#-14#-12S Y图3.2 4#第1批,第12批,微设备实验片5000倍SEM图从上图的对比可以发现,目前的药液配比情况下,在药液使用初期,表面绒面结构均匀覆盖率高,在大金字塔中间有较多小金字塔,但是随着药液使用次数增加到12次,金字塔尺寸变化不大,但是金字塔的覆盖程度下降。

光伏行业常见的异常处理

光伏行业常见的异常处理

光伏行业常见的异常处理1制绒常见异常处理白斑适当提高氢氧化钠的浓度(手动补加100-20 0g的氢氧化钠)发白适当提高氢氧化钠的浓度(手动补加100-20 0g的氢氧化钠)小雨点在制绒槽中手动补加一定量的IPA(1L-2L)水纹1.可以将制绒温度适当降低1-2度。

2.在制绒槽中手动补加一定量的IPA(1L-2L)发亮适当减小NaOH的补液量(可以尝试降低50 g左右)太阳能PECVD 石墨舟异常情况处理和日常维护等1,批次与批次之间不满舟如何?不满舟会有什么结果?上一批不满一舟用下一批次填满,并分别记录区分开来。

不满舟进行工艺,没有硅片的舟片上会沉积SIN膜,石墨舟物理性质下降,会产生红片,色差片等。

2,一区二区流程卡如何对接,数量如何确认?刻蚀通过传送箱流入的合格品,当场清点数量即可。

3,石墨舟工艺要求的清洗周期、刻蚀周期?预处理的方式有几种不同?预处理不合格返工片多如何处理?石墨舟运行120-150次需刻蚀,刻蚀满6次需清洗预处理方式预处理方式:NEW BOAT PRZ 新舟插上硅片预处理AFTETCH PRZ 舟刻蚀后没插硅片预处理AFTETCH PRZ 舟刻蚀后插硅片预处理预处理后返工片多,加工艺时间,若还不行,需进行拆洗。

4,刻蚀、清洗、预处理的整个流程?当石墨舟运行120-150次:满6次刻蚀-拆洗-烘干-预处理不满6次刻蚀-刻蚀-预处理5,色差片产生的几种原因?清洗、刻蚀工序减薄量不稳定石墨舟物理性质下降(SIN沉积过多)镀膜时间不同微波峰值不稳定(设备原因)6,色斑批片产生的原因?硅片表面清洗不干净扩散间偏磷酸滴漏清洗、刻蚀、风刀没吹干或堵塞7,检验标准?(色差、色斑片的判定标准)以QC为准8,每台机的石墨舟配置标准?小车的配置是怎样的?每台机石墨舟标准配置7个,为正常轮转生产,小车配置4个。

9,为什么会出现舟浆分离?石墨舟电极放反,SLS浆在炉管中较长时间未出,导致变形,检查要到位,及时观察。

光伏电池制备工艺项目二清洗制绒(000002)

光伏电池制备工艺项目二清洗制绒(000002)

第一讲:
任务一 制绒工艺的目的与原理 1)制绒目的 2)制绒原理
任务一 :制绒工艺的目的与原理
制绒目的: ① 去除硅片表面的机械损伤层;
② 并清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质 ③减少光的反射率,提高短路电流,最终提高电池的光电转 换效率。
制绒的原理
晶硅电池分为单晶硅电池、多晶硅电池, 在电池片的制备工艺中,由于单晶、多晶的 晶颗排列不同,制绒工艺的原理也不同,单 晶主要采用各向异性碱腐蚀、多晶主要采用 各向同性酸腐蚀。
3)对绒面质量合格的硅片,收片员详细填写“工 艺流程卡”,并装在小花篮内(每200片为一批, 每个小花篮装25片硅片),每一批硅片有一张流程 卡,流入到扩散工序;
4)操作员在设备自动运行过程中,不能离开,需 时刻监视设备运行情况;
生产
5)收片

收片员在小花篮下垫
海绵垫片,双手轻轻拿硅
片两端,将硅片轻轻插入
理? 4、作业指导书P26
出现的原因是IPA添加 过多;或者出制绒槽后, 没有立即放入漂洗槽,导 致药液残留在硅片表面反 应
解决的方法:重新进行清 洗
表面污染
c图出现的是在同一批 片子中相同位置有类似于 油污的污渍;出现的原因 主要是来料问题,可能在 硅片包装时引入;
解决的方法:与硅片车 间协商解决
表面污染
5、生产 1)放片 放片员从硅片盒中一次性拿起一叠硅片(最多不能超过
100片),用右手将硅片旋开; 捏住硅片的中间(不能拿硅片的角,容易产生碎片)一
片一片放到轨道上面
轨道共5道,每一道前后2片硅片的距离应大于5cm
2)工序长每隔1000片抽测5片减重情况,并将相关 数据记录在“一次清洗减薄量记录表”中,控制在 0.4~0.5g之间,确定绒面质量合格后,硅片方可流 入下道工序;

制绒

制绒

硅 氧化 成二 氧化 硅( 主要 是亚 硝酸 将硅 氧化 ) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢
反应 ) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反 应) 二氧 化氮、 一氧化 氮与水 反应 ,
生成 亚硝酸 ,亚硝 酸很快 地将硅 氧化成 二氧化 硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反
多晶酸制绒
原 理 常 规 条 件 下 , 硅 与 单 纯 的 HF 、 HNO3( 硅 表 面 会 被 钝 化 , 二 氧 化 硅 与
HNO3不 反应) 认为是 不反应 的。但 在两种 混合酸 的体系 中,硅 则可以 与溶液 进行持
续的 反应, 主要反 应原理 及步骤 如下: 1.硅的 氧化 硝酸 /亚硝 酸( HNO2)将
制绒工序:
粗抛——漂洗——碱腐蚀——盐酸清洗——HF 清洗 粗抛的原理:
各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具备有各向异性腐蚀特征。 粗抛目的:去除表面的机械损伤层及其杂质。 清洗目的:去除在硅片表面上粘附的杂质。
碱腐蚀原理:
利用低浓度碱溶液对晶体硅各个晶面腐蚀速率的不同,在硅表面腐蚀的形成角锥密布的 表面形貌,就称为表面织构化,俗称制绒。 角锥体四面全是由,<1 1 1>面包围形成。
硅来料的控制:
由于位错将对制绒效果有影响(标 A、B 的晶棒分别代表无位错与位错的晶棒)因此需要与 硅片车间协商,在包装时,不能将 ABC 的晶棒混合在一起(100 片小包装)将相同硅片尽量 放在一起。同时将标号相同放在同一箱内。 KOH、HCL、HF 都是强腐蚀的化学药品,其溶液蒸气会伤害人的皮肤、眼睛、呼吸道及操作 人员需要按照规定的穿戴防护服,防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套=一旦伤及身体 30 分钟清洗(纯净水)后进医院治疗。

制绒常见问题

制绒常见问题

片源
制绒不良品
设备
槽体清洁 温度均匀 溶液均匀
预清洗 工艺
制绒
制绒后,硅片表面较大面积发亮、 发白、水纹印;溶液内脏污或搅 拌不均匀导致硅片表面局部白点, IPA不足引起小白点甚至跳片。
片源异常及解决方法
1、指纹及划痕
指纹片源于:硅片厂家在硅片清洗过程时进 行裸手插片,或者插片时所穿戴的手套 不能满足隔汗要求(自身来料检有时也 会引入); 划痕源于:硅片厂家在插片过程的摩擦,同 时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我 们公司自身的来料检验。
脱胶不良解决方法: 脱胶不良在轻微时,脱胶不良区域硅片仍可正常出绒,但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白,仅对B1类有所 贡献,不会造成B2片。对该情况,可维持正常生产,同时,做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时,脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时,脱胶不良将对B2片产生贡献。对该种情况, 对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理;对后续待制绒硅片,可以通过适当增加氢氧化钠浓度的方式来加快 硅片的腐蚀速率,从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况,也同样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照 片的拍摄。
历史黑名单:脱胶不良出现概率极低,但仍需保持警惕,已发生过脱胶不良的厂家有两家:LDK(125M),比例较高, KMDK(156M),比例较小。
制绒不良品分类
脏污、指纹、线 痕、划伤 脏污、指纹来源:脱胶不良、切 割后未及时清洗,清洗剂残留、 包装过程胶带、裸手触片等;线 痕源于切割:单晶、多线、硬点 (尽多晶有);划伤;硅片间摩 擦、擦片摩擦等。 槽体清洁:久未洗槽,维修后引 入脏污未及时清除;温度均匀: 鼓泡不均匀,加热器加热故障, 探温热电偶损坏;溶液均匀:搅 拌不充分,鼓泡或加热故障。 清洗本身导致表面产生差异;硅 酸钠残留、挂碱印,硅片清洗后 未及时清洗,风干导致局部脏污。

常见织疵形成的原因及预防措施

常见织疵形成的原因及预防措施

泡泡布形成原因:1.氨纶丝未经导丝辊,从侧面进入。

2.导丝轮不转或不灵活。

3.无芯纱流入下工序未卡住。

4.氨纶丝位置不当,导致包覆不良。

预防措施:1.定期检查芯丝位置,确保芯丝在须条中间偏左位置。

2.精心挑拣已落下的纱,避免无芯纱流入下工序。

3.加强巡回,丝轮不转及时发现,将纱卡下并维修丝轮。

条干布形成原因:1.牵伸部件运转不良,如皮辊损伤、偏心、跳动,罗拉粘棉结、杂物,罗拉轴承座磨损,无下皮圈纺纱,上下皮圈损伤,罗拉偏心、弯曲、上肖失效等。

2.一头缠花严重,另一头继续纺纱(失压)。

3.导纱动程跑偏。

4.罗拉加压不良(并条、粗纱等)。

5.纱条通道不光洁,造成挂花。

竹节纱(灰竹节)形成原因:1.清梳工序漏底花堆积太多,带入棉层。

2.各工序通道粘、缠、挂、堵带入(三角区、龙头,并粗、细纱牵伸通道)3.绒板、绒套、绒辊花带入(并条、粗纱、精梳、细纱)。

4.高空清洁积花掉入半成品或正在纺纱机内。

5.各工序清洁方法不当。

6.卡疵把关不严,疵点流入下工序。

7.清洁不彻底(例如粗纱斜坡、车面清洁不及时,巡回吹吸风吹入,打擦板时的飞花卷入纱条等)。

8.各工序揩车不良,油飞花粘附纱条,半成品棉条、粗纱掉地,造成污染。

三丝疵布形成原因:1.拣花间未拣净,后工序未卡住。

2.个别员工在工作场所梳头,清洁工具破损掉毛仍在使用。

应对措施:1.加强员工拣色杂责任心教育,后续工序严格执行卡疵把关制度。

2.加强管理,严格要求,杜绝在工作场所梳头现象;同时,车间定期对清洁工具检查,发现掉毛立即停止使用。

粗经、粗纬形成原因:1.粗纱断头、烂纱后未及时停车,飘入邻纱未处理干净。

2.条子粘连,机后换条子破条或机后双条喂入。

3.接头不符合操作法要求(并条、粗纱、细纱等工序)。

4.细纱断头飘入邻纱(主要是混纺纱)5.细纱续粗纱或粗纱纱尾飘入邻纱,细纱机车顶板的粗纱尾巴下垂,被卷入上排粗纱。

疵点条子形成原因:粗细条:生条:1、棉卷片段重量差异大或粘卷、破洞、头码过厚、双层卷。

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制绒段常见异常及常规解 决方法
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制绒不良树状结构图
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片源异常及解决方法
1、指纹及划痕
指纹区
划伤区
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指纹片源于:硅片厂家在硅片清洗过程时进 行裸手插片,或者插片时所穿戴的手套 不能满足隔汗要求(自身来料检有时也 会引入);
划痕源于:硅片厂家在插片过程的摩擦,同 时也来源于硅片厂家的硅片检验以及我 们公司自身的来料检验。
历史黑名单:脱胶不良出现概率极低,但仍需保持警惕,已发生过脱胶不良的厂家有两家:LDK (125M),比例较高,KMDK(156M),比例较小。
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片源异常及解决方法
3、切割后未及时清洗,清洗剂残留(清洗不良, 硅片表面油污未得以完全去除)
硅片切割后未及时清洗(图1);清洗剂残留(或清洗过程未彻底去除硅片表面油污)(图2、3)
脱胶不良的表现形式:脱胶不良的硅片经制绒后,在硅片有机物残留区,硅片出绒不全或出绒较小导致该区 域较其他区域发白。脱胶不良产生时,位置固定且一般整体连续出现。
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片源异常及解决方法
脱胶不良解决方法: 脱胶不良在轻微时,脱胶不良区域硅片仍可正常出绒,但其绒面相对较小而较其余区域颜色浅而显发白,
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片源异常及解决方法
更多照片:
通过问题反馈及供应商自 身改善,指纹及划伤出 现的概率较之前大幅下 降,但仍有部分厂家硅 片存在较多指纹及划伤。
历史黑名单:晶科、天元、 聚能、东泰、芯能、顺 大
当前:合格供应商中,天 元硅片指纹及划伤出现 的概率仍相对较高
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片源异常及解决方法
2、脱胶不良
脱胶不良产生原因:硅片厂家在进行硅片脱胶处理时,硅片粘棒一侧的粘胶(一般为AB胶)没有去除完全, 未去除完全的胶带在后续清洗过程中部分溶解并附于硅片表面。
表现形式:指纹或划伤经制绒后均清晰显现, 制绒后,指纹或划伤区的颜色较正常区 域浅,从而显得该区域略显发白;
解决方法:指纹与划伤在制绒良好时,均不 会导致B2片产生,对B1片贡献也相对较 小。在上述问题产生时,可维持正常生 产时,同时,收集好指纹及划伤片的实 例照片,并进行指纹及划伤片数目大致 汇总。
解决方法:当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留(有机洗剂残留)时,硅片的制绒将难 以持续。正常解决流程为:先申请停线,同时,开始进行在线调整,制绒:可通过加大氢氧化钠浓 度,提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率;预清洗:采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗;若上述方向的调整没有明显改善,可直接停线等待,并与供应商进行积极沟通。
仅对B1类有所贡献,不会造成B2片。对该情况,可维持正常生产,同时,做好不良硅片数目的大致统 计及实例照片的拍摄。 脱胶不良在严重时,脱胶不良区将难以出绒而导致该区域明显发白。此时,脱胶不良将对B2片产生贡献。 对该种情况,对制绒后的硅片可按正常返工工艺进行返工处理;对后续待制绒硅片,可以通过适当增 加氢氧化钠浓度的方式来加快硅片的腐蚀速率,从而减小脱胶不良带来的负面影响。对该情况,也同 样需要做好不良硅片数目的大致统计及实例照片的拍摄。
1、槽体洁净度
槽体洁净度考察:可采取亲自跟踪的方式,现场要求员工按作业指导书进行正常 的槽体清洁,在有需要的时候,可以要求员工取出槽体底部多孔板,以进行更细 致的槽体清洁;
2、鼓泡的考察
鼓泡的考察:由于我们线上多个槽体气体流量计的标准并不统一,因此,对鼓泡 的考察必须通过肉眼观察予以实现。鼓泡均匀性:鼓泡管上小孔的排布在槽体内 均匀,且占有很大面积比,鼓泡正常时,槽体各处均有大小较为一致的鼓泡;鼓 泡大小的确定:鼓泡大小可由流量计的调节予以实现,具体大小的判定可以要求 线上工段长一起予以确认;
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片源异常及解决方法
硅片切割后未及时清洗的表现形式:硅片切割后未及时清洗,硅片四周会因风干而导致表面脏污难以 去除,经制绒,表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白产生。其重要特征为:周边一 圈发白,且具有良好的重复性。
硅片表面脏污未得以完全去除(或硅片表面有机无残留):硅片表面油污的存在导致硅片在制绒过程 根本难以出绒,硅片的腐蚀变得缓慢,相同条件下的硅片去重较正常情况明显减少。
对多晶而言,线痕除上述单线线痕及多线线痕外,还存在一种与单线线痕类似的 硬点线痕,硬点线痕产生的方式为多晶铸锭过程,涂层破损或其他因素引起碳原 子扩散进入硅熔体而形成局部碳化硅杂质,碳化硅的存在导致硅片切割时产生断 线,引起硬点线痕。
对于线痕片,其引起的影响相对较小,但由于其更属于隐性干扰,难以估量。因 此,在制绒段发现线痕片时,除非有质量部门的明确标识:线痕片,让步接收, 才可正常进行统一生产。否则,在有线痕片存在时,一律先搁置一边,待得到采 购、质量确认后,才统一进行正常生产。
历史黑名单:芯能、顺大 当前黑名单:阳光硅谷 (出现比例极少,上面第四幅图)
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片源异常及解决方法
4、线痕
线痕片大幅存在,线痕片存在的隐患为:深线痕可能导致更高碎片率,多线 线痕可能影响外观并对效率有轻微影响。
线痕表现形式:线痕可从外观直接看出,一般为一根或数根直且细的沟壑(缺照 片)。
对单晶而言,线痕分为单线线痕及多线线痕,单线线痕一般因切割断线引起,多 线线痕一般为切割浆料异常引起(如回收液的大量使用)。
根据以上两条,可以将制绒异常怀疑点引致设备方面。
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设备异常及解决办法
鼓泡管堵塞引起制绒异常:
一厂因鼓泡管堵塞引起的制绒异常(发生时段:2009年5月)
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设备异常及解决办法
设备异常常规解决流程:
当将问题引致设备异常方面,对设备异常的考证其实相对简单,当前设备异 常主要为含以下四个方面:
黑名单:当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关,线痕片出现极
少。
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设备异常及解决办法
设备引起的制绒异常主要有如下几个特征:
1、独立性。由于设备的损坏,尤其是制绒设备的损坏,并不会同时产生,因此,因 设备引起的异常往往仅表现为某一个槽或某一条线;
2、异常硅片的规律性。设备异常,如鼓泡管堵塞,加热器损坏,其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征,并且在位置方面也有规律性。
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