各种晶体管
常用各种晶体管型号及参数
电流Icm 电流Icm
0.05A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.03A 10A 10A 8A 8A 8A 6A 6A 25A 25A
功率Pcm 功率Pcm
0.4W 0.4W 0.4W 0.6W 0.6W 0.4W 125W 125W 65W 65W 2W 65W 65W 125W 125W
电流Icm 电流Icm
6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A
功率Pcm 功率Pcm
40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W
放大系数
* * * * * * * * * * * * 200 * 45
反压Vbe Vbe0 晶体管型号 反压Vbe0
9018 9015 9014 9013 9012 9011 TIP147 TIP142 TIP127 TIP122 TIP102 TIP42C TIP41C TIP36C TIP35C 30V 50V 50V 50V 50V 50V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V
电流Icm 电流Icm
15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A
功率Pcm 功率Pcm
42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W
放大系数
* * * * * * * * * * * * * *
10W 150W 100W 200W 30W 200W
晶体管分类
晶体管分类晶体管，也称为晶体管管或半导体三极管，是一种电子元件，用于放大和开关电信号。
晶体管的发明使得电子设备的制造和使用变得更加方便和高效。
晶体管可以按照不同的标准进行分类。
下面将根据不同的分类标准对晶体管进行详细的介绍。
一、按照结构分类1. 点接触型晶体管点接触型晶体管是最早的一种晶体管结构，它由金属探针和半导体材料组成。
当探针与半导体材料相接触时，就形成了一个二极管结构。
点接触型晶体管具有简单的结构和易于制造等优点，但是其性能较差。
2. 普通增强型晶体管普通增强型晶体管是由三个掺杂不同类型半导体材料组成。
其中中间一层为基底层，两侧为掺杂不同类型的外层。
这种结构能够实现放大信号，并且具有较高的输入阻抗。
3. 压控型双极性转移器（VCCS）压控型双极性转移器是一种特殊的晶体管结构，它由四个层次组成。
其中两个层次为掺杂不同类型的外层，中间两个层次为掺杂相同类型的基底层。
这种结构能够实现电流放大和电压放大。
4. 域效应晶体管（FET）域效应晶体管是一种特殊的晶体管结构，它由三个掺杂不同类型半导体材料组成。
其中中间一层为基底层，两侧为掺杂不同类型的外层。
这种结构能够实现电流放大和电压放大，并且具有较高的输入阻抗。
二、按照作用方式分类1. 放大型晶体管放大型晶体管是最常见的一种晶体管，它能够将输入信号进行放大，并输出到输出端口。
这种晶体管在各种电子设备中广泛使用，如收音机、电视机、计算机等。
2. 开关型晶体管开关型晶体管能够将输入信号转换成数字信号，并通过开关操作控制输出端口的开关状态。
这种晶体管在数字逻辑电路中广泛使用，如计算机内存、CPU等。
3. 比较型晶体管比较型晶体管能够将两个输入信号进行比较，并输出比较结果。
这种晶体管在各种电子设备中广泛使用，如计算器、电子秤等。
三、按照材料分类1. 硅基晶体管硅基晶体管是最常见的一种晶体管，它由硅半导体材料制成。
这种晶体管具有高可靠性、低噪声和高温度稳定性等优点。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。
晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。
下面将介绍几个常用的晶体管参数。
1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。
这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。
2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。
3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。
这个参数对于功率放大应用非常重要。
4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。
这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。
5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。
这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。
6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。
这个参数对于放大应用非常重要。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。
这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。
这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。
9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。
这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。
10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。
这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。
各种晶体管的检测方法大全
B、在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。
5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测
(b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
C、判别高频管与低频管
高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。
高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。
B、测量正、反向电阻来判断其好坏
具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。
晶体管的分类
晶体管的分类晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中的开关、放大、稳压等功能。
根据晶体管的结构和性质，可以将其分为多种不同的类型。
本文将从几个方面详细介绍晶体管的分类。
一、按材料分类1.硅晶体管硅晶体管是最常见的一种晶体管，其材料主要由硅元素制成。
它具有高稳定性、可靠性和低噪声等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
2.锗晶体管锗晶体管是硅晶体管之前使用的一种材料。
它具有较高的导电率和热稳定性，但容易受到氧化影响而失效。
3.砷化镓晶体管砷化镓晶体管是一种新型半导体材料，具有高速、高频、低噪声等优点。
它被广泛应用于高频率放大器和微波电路中。
二、按结构分类1.结型晶体管结型晶体管又称为JFET（Junction Field Effect Transistor），它是通过控制PN结上空间电荷区域内场效应来控制电流的。
它具有低噪声、高输入阻抗等特点，被广泛应用于放大器和开关电路中。
2.双极型晶体管双极型晶体管又称为BJT（Bipolar Junction Transistor），它是由两个PN结组成的三层结构。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
3.场效应晶体管场效应晶体管又称为FET（Field Effect Transistor），它是由金属栅极、绝缘层和半导体构成的。
它具有高输入阻抗、低噪声等特点，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
三、按工作方式分类1.增强型晶体管增强型晶体管是一种需要外加正向偏压才能工作的晶体管。
当栅极与源极之间施加正向偏压时，会形成导通通道，从而使得漏极之间产生电流。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗。
2.耗尽型晶体管耗尽型晶体管是一种不需要外加偏压就能工作的晶体管。
当栅极与源极之间没有施加偏压时，会形成一个耗尽区，从而使得漏极之间无法产生电流。
当施加负向偏压时，会增加耗尽区的宽度，从而减小漏极之间的电流。
3.复合型晶体管复合型晶体管是一种同时具有增强型和耗尽型特点的晶体管。
aax (mmbta42)晶体管 技术参数
AAX (MMBTA42) 晶体管技术参数摘要：AAX (MMBTA42) 是一种常用的 NPN 型晶体管，它具有优良的性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。
本文将对 AAX (MMBTA42) 晶体管的技术参数进行详细介绍，包括其主要特性、电气参数、尺寸和封装形式等方面的内容。
通过对这些技术参数的了解，可以更好地应用和选用 AAX (MMBTA42) 晶体管，为电子设备的设计和制造提供可靠的技术支持。
一、主要特性AAX (MMBTA42) 晶体管具有以下主要特性：1. 高频率响应：AAX (MMBTA42) 晶体管具有出色的高频率响应特性，适用于高频放大和振荡电路。
2. 低噪声系数：AAX (MMBTA42) 晶体管的噪声系数较低，可以有效减小信号的干扰和失真。
3. 高电流增益：AAX (MMBTA42) 晶体管具有较高的电流增益，适用于需要较大信号放大的电路设计。
4. 低饱和电压：AAX (MMBTA42) 晶体管的饱和电压较低，可以减小功耗和提高电路效率。
二、电气参数AAX (MMBTA42) 晶体管的典型电气参数如下：1. 最大耐压：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大耐压为 75V，可以满足大多数电子设备的工作电压要求。
2. 最大电流：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大连续电流为 500mA，最大脉冲电流为 1A，能够满足电路的大电流要求。
3. 最大功率：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大功率为 625mW，在一定的散热条件下可以实现可靠的工作。
4. 管脚电阻：AAX (MMBTA42) 晶体管的管脚电阻较小，有利于降低传输线的损耗和提高电路的稳定性。
三、尺寸和封装形式AAX (MMBTA42) 晶体管的尺寸和封装形式如下：1. 封装类型：AAX (MMBTA42) 晶体管常见的封装类型为 SOT-23，便于在电路板上进行焊接和安装。
2. 外形尺寸：AAX (MMBTA42) 晶体管的外形尺寸为 2.9mm x1.3mm x 1.1mm，适合于紧凑型电子设备的设计和布局。
各种晶体管漏极至源极曲线
各种晶体管漏极至源极曲线
晶体管的漏极至源极曲线通常被称为I-V 特性曲线，表示漏极电流与源极电压之间的关系。
对于不同类型的晶体管，如MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管，如NPN和PNP），其I-V 特性曲线有所不同。
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):
对于N 沟道（N-Channel）MOSFET：
当源极电压（Vds）增加时，漏极电流（Ids）呈线性增加，最终趋于饱和。
漏极电流与栅极电压（Vgs）之间存在阈值电压，即使Vgs小于阈值电压，也会有漏极电流。
通常，Ids随着Vgs的增加而增加，形成特定的I-V 曲线。
对于P 沟道（P-Channel）MOSFET：
P 沟道MOSFET的特性曲线与N 沟道MOSFET相似，但电流方向相反。
BJT (Bipolar Junction Transistor):
对于NPN BJT：
漏极电流（Ic）与集电极电压（Vce）之间的关系通常表现为一条呈饱和特性的曲线。
当Vce 达到一定值时，Ic基本保持恒定。
对于PNP BJT：
PNP BJT的特性曲线与NPN BJT相似，但电流方向相反。
这些特性曲线通常在器件手册或数据表中提供，并且通过实验测量可以得到。
I-V 特性曲线对于设计和分析电路中的晶体管行为非常重要。
在实际应用中，工程师会根据这些曲线来优化电路的性能。
场效应晶体管的分类
场效应晶体管的分类
1. 结型场效应晶体管啊，这可就像电路中的小卫士！比如在一些音频放大器里就能看到它的身影呢。
2. 绝缘栅型场效应晶体管，那可是厉害角色，就如同精确的指挥官，在各种电子设备中掌控着电流，像电脑里就有它在默默工作哟。
3. 增强型场效应晶体管呀，简直是给电路注入活力的魔法棒！想想那些快速运行的电子玩具，可不就有它的功劳。
4. 耗尽型场效应晶体管呢，就好像沉稳的老大哥，在很多地方都发挥着独特作用，比如一些仪器仪表里就有它哦。
5. N 沟道场效应晶体管，不就如同勇敢的战士在电流的战场上冲锋陷阵嘛，好多电子产品可都靠它啦。
6. P 沟道场效应晶体管，像是默默奉献的幕后工作者呢，在特定的电路环境里发挥关键作用，一些智能设备中可少不了它。
7. 高压场效应晶体管，那就是应对大场面的强者呀！难道不是在高压环境下展现出强大的力量吗？
8. 低噪声场效应晶体管哇，就如同一个安静的守护者，悄悄地让设备安静而高效地运行，像一些精密仪器里它可重要了呢。
总之，场效应晶体管的分类丰富多样，每一种都在电子世界里有着不可替代的地位呀！。
常用的npn管型号
常用的npn管型号常用的npn管型号概述NPN晶体管是一种三极管，由三个掺杂不同材料的半导体层组成，其中两个外层为P型半导体，中间为N型半导体。
它是最常见的晶体管之一，广泛应用于各种电路中。
本文将介绍几种常用的NPN晶体管型号及其特点。
1. 2N39042N3904是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为200mA。
2. BC547BC547是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为45V，最大集电极电流为100mA。
3. BC548BC548是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为100mA。
4. 2N22222N2222是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为800mA。
5. BD139BD139是一种低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
6. BD140BD140是一种低功耗PNP晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
7. TIP31TIP31是一种通用的NPN晶体管，具有高功率和高频率特性。
它适用于各种放大器、开关、稳压等场合中。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为3A。
8. TIP32TIP32是一种通用的PNP晶体管，具有高功率和高频率特性。
晶体管参数大全范文
晶体管参数大全范文晶体管是现代电子设备中不可或缺的重要元件之一，它广泛用于各种电子电路中，从小型的家用电器到大型的计算机系统都离不开晶体管的应用。
在设计和选择晶体管时，我们需要了解一些重要的参数，以便正确地使用它们。
下面是一些常见的晶体管参数的详细介绍。
1.最大工作电压（VCEO）：晶体管能够承受的最大工作电压。
超过这个电压，晶体管可能会损坏。
2.最大连续电流（IC）：晶体管能够连续通过的最大电流。
当电流超过这个值时，晶体管可能会饱和或烧坏。
3.最大功率（P）：晶体管能够承受的最大功率。
功率计算公式为P=VCE×IC，其中VCE为晶体管的电压降，IC为电流。
4.放大因子（β）：晶体管输入电流与输出电流之间的比率。
即β=IC/IB，其中IB为输入基极电流。
5.漏电流（ICBO）：当晶体管处于关闭状态时，流过集电极的电流。
这个参数应该尽可能小，以确保晶体管关闭时能达到较高的电阻。
6. 饱和电压（VCEsat）：当晶体管处于饱和状态时的集电极和发射极之间的电压降。
这个参数应该尽可能小，以确保晶体管在饱和状态时提供最低的电压降。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管的输入端电阻。
这个参数应该尽量大，以减小输入信号对电路的影响。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管的输出端电阻。
这个参数应该尽量小，以提高输出信号的驱动能力。
9. 转移电导（gm）：晶体管输出电流对输入电压的变化率。
转移电导越大，晶体管越容易放大信号。
10. 频率响应（ft）：晶体管的最大工作频率。
超过这个频率，晶体管可能会出现频率衰减或信号失真的问题。
11.温度稳定性：晶体管在不同温度下的性能变化情况。
稳定性越好，晶体管的性能越可靠。
12.封装类型：晶体管的外壳类型。
常见的封装类型有TO-92、SOT-23、SOT-223等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景。
总结：晶体管参数非常重要，它们直接影响到晶体管的性能和应用范围。
因此，在选择和使用晶体管时，我们应该仔细研究和理解这些参数，并根据具体的应用需求进行选择。
各种MOSFET参数大全
各种MOSFET参数大全MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）是一种常用的功率晶体管，用于控制电流流动和电压增益。
MOSFET具有许多参数，每个参数都对其性能和应用起着重要作用。
以下是一些重要的MOSFET参数的详细描述。
1. 导通电阻（Rds(on)）：这是MOSFET在导通状态时的电阻。
较低的导通电阻意味着MOSFET在导通状态下可以通过更多的电流，从而减小功耗和发热。
2. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开启的电压。
Vth的高低决定了控制MOSFET导通状态所需的控制电压。
低阈值电压可以实现更有效的控制。
3.最大耗散功率（Pd）：这是MOSFET可以处理的最大功率。
超过这个值会导致MOSFET的过热和损坏。
4. 最大漏极电压（Vds）：这是MOSFET可以承受的最大电压。
超过这个值会导致击穿和损坏。
5.最大漏源电流（Id）：这是MOSFET可以承受的最大电流。
超过这个值会导致过载和烧毁。
6. 开启时间（ton）和关断时间（toff）：这是MOSFET从导通到关断状态或从关断到导通状态所需的时间。
较低的开启和关断时间意味着MOSFET可以更快地切换，从而提高开关效率和响应时间。
7.耗散电导（Gd）：这是MOSFET关断状态时的内部导纳。
较高的耗散电导会导致电源功耗的增加。
8. 输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）：这些是MOSFET的输入和输出电容。
输入电容对输入信号的响应时间产生影响，而输出电容对输出信号的响应时间和失真率产生影响。
9.热阻（θJA和θJC）：这些是MOSFET的热阻值。
它们表示MOSFET散热的能力，较低的热阻值意味着更好的散热性能。
10. 反向转导（gm）：这是MOSFET的转导增益，表示输入信号和输出信号之间的关系。
较高的反向转导意味着MOSFET具有更好的放大性能。
11.温度系数：这是MOSFET参数随温度变化的程度。
温度系数对MOSFET的稳定性和性能起着重要作用。
各种晶体管的导通条件及特性
阴极kathode
关断条件：晶闸管阳极电流 小于维持电流(保持晶闸管导 通的最小电流)
门极可关断晶闸管(GTO)
G-Gate 门极
阳极Anode 阴极kathode
电力晶体管(GTR)
基极base
C- collect 集电极
e- emitter 发射极
导通：在基极b施 加驱动信号
关断中只工作在饱和区 和截止区
电力场效应晶体管(MOSFET)
箭头往里为N沟道， 虚线为增强型，实 线为耗尽型
D-Drain 漏极
G-Gate 门极
S-Source 源极
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
各种晶体管的导通条件及特性
SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT
晶闸管(SCR)
G-Gate 门极
阳极Anode
导通条件：A-K之间加正向电 压，G-K之间加正向电压(门 极G上加触发脉冲)； 特性：当阳极电流上升到擎 住电流(使晶闸管由关断到导 通的最小电流)，即使门极G
电压信号消失，晶闸管仍可 继续导通
各种三极管放大倍数
各种三极管放大倍数三极管是一种电路元器件，经常被用来放大电信号和控制电流。
在实际应用中，三极管的放大倍数是很重要的参数，它决定了电路的放大效果和性能。
不同种类的三极管放大倍数也不同，接下来我们就来了解一下常见三极管的放大倍数。
一、NPN型晶体管放大倍数NPN型晶体管是常用的三极管之一。
在放大作用中，NPN晶体管被用来放大小电荷变化以产生更大的电流。
NPN晶体管的放大倍数也称为其电流放大系数。
它通常等于型号后面带的数字。
例如，BC547B型号的三极管的放大倍数为200，而2N3904型号的放大倍数则为100。
为了计算NPN晶体管的放大倍数，可以使用以下公式：β = Ic / Ib其中，β是NPN晶体管的放大倍数，Ic是晶体管的输出电流，Ib是晶体管的输入电流。
一般来说，Ib的数值应该要小于Ic的数值。
如果Ib大于Ic，晶体管将失去其放大作用。
PNP型晶体管是另一种常用的三极管。
PNP晶体管的结构与NPN晶体管相似，但输入信号的极性相反。
在使用PNP晶体管放大电流或控制电流时，电流流向就是从正极到负极。
PNP晶体管的放大倍数也称为其共射放大系数。
三、JFET放大倍数JFET（结型场效应晶体管）是一种非常常见的三极管，其放大倍数基于JFET管的特性曲线和输入-输出电阻之间的关系。
JFET的放大倍数通常被称为转移电导（gm）。
其公式如下：gm = ΔId / ΔVgs其中，gm是JFET的转移电导，ΔId是JFET的源-漏电流变化量，ΔVgs是JFET的门电压变化量。
JFET放大倍数的计算非常有用，因为它可以帮助设计者预测电路的放大效果和性能。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种具有很高输入阻抗和低输出阻抗的晶体管。
在放大电流或控制电流方面，MOSFET的放大倍数也是转移电导。
MOSFET的转移电导计算公式如下：综上所述，常见的三极管放大倍数包括了NPN型晶体管、PNP型晶体管、JFET和MOSFET。
如何选择合适的晶体管类型
如何选择合适的晶体管类型在现代电子技术中，晶体管是一种重要的元件，广泛应用于各种电子设备中。
选择合适的晶体管类型对于设计和制造高性能电子设备至关重要。
本文将介绍如何选择合适的晶体管类型。
一、了解不同晶体管类型在选择合适的晶体管类型之前，首先需要了解不同种类的晶体管。
常见的晶体管类型包括：BJT (双极型晶体管)、MOSFET (金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)、JFET (结型场效应晶体管)和IGBT (绝缘栅双极型晶体管)等。
1. BJT：双极型晶体管是最早被广泛应用的一种晶体管类型，常用于低功率和中功率应用。
它具有较高的放大倍数和较低的输入电阻，适用于放大和开关电路。
2. MOSFET：金属-绝缘体-半导体场效应晶体管是基于金属氧化物半导体结构的一种晶体管类型。
它具有高输入电阻、低功耗和快速开关速度，适用于高频和功率应用。
3. JFET：结型场效应晶体管是一种基于pn结构的一种晶体管类型。
它具有低噪声、高输入电阻和低失真的特点，适用于低噪声放大和开关电路。
4. IGBT：绝缘栅双极型晶体管是一种结合了MOSFET和BJT的特性的晶体管类型。
它具有高电压耐受能力和低开关损耗，适用于高功率应用。
二、根据应用需求选择晶体管类型在选择合适的晶体管类型时，需要根据具体的应用需求进行判断。
1. 功率需求：如果需要高功率应用，MOSFET和IGBT常常是首选，因为它们具有较高的电流和电压耐受能力。
2. 噪声要求：如果需要低噪声应用，JFET是一个较好的选择，因为它具有较低的噪声系数。
3. 高频应用：对于高频应用，MOSFET通常是首选，因为它具有较快的开关速度。
4. 成本因素：BJT是一种普遍易得且成本较低的晶体管类型，适合对成本要求较高的应用。
三、考虑参数和性能选择合适的晶体管类型还需要考虑一些参数和性能指标。
1. 最大耐压：根据需求选择适当的最大电压耐受能力。
2. 最大电流：根据电路需求选择适当的最大电流能力。
晶体管按用途分为几种型号
晶体管按用途分为几种型号晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。
根据不同的用途，晶体管可以分为很多不同的型号。
下面我将介绍几种常见的晶体管型号。
1.普通型晶体管：这种型号的晶体管广泛应用于各种电子设备中，如收音机、电视机、计算机等。
它们具有较高的电流放大倍数、较低的电流漏电流和较低的接入电压。
2.功放型晶体管：功放型晶体管是一种专门用于音频功放的晶体管，常用于音响设备、放大器等。
它们具有较高的电流放大倍数和大功率输出能力，可以使音频信号得以放大，并驱动扬声器等设备。
3.开关型晶体管：开关型晶体管主要用于高频开关电路中，如逆变器、开关电源、变频器等。
它们具有快速的开关速度、较低的开关损耗和较高的开关频率，适用于高效率和高频率的开关应用。
4.场效应晶体管：场效应晶体管是一种常用于放大和开关电路的晶体管，广泛应用于电视机、电脑、手机等电子设备中。
它们具有高输入电阻、低噪声、大功率输出能力和较低的漏电流。
5.光电晶体管：光电晶体管是一种特殊的晶体管，用于通过光信号控制电信号。
它们广泛应用于光电开关、光电隔离、光耦合器等领域。
6.双极性晶体管：双极晶体管是一种用于放大和开关电路的常见晶体管，广泛应用于模拟电子设备中。
它们具有高电流放大倍数、低漏电流和较低的接入电压。
7.高压晶体管：高压晶体管是一种特殊的晶体管，适用于高压应用。
它们具有较高的击穿电压、较低的漏电流和较高的功率输出。
8.双极可控晶体管：双极可控晶体管是一种用于控制电流的双极性晶体管，通常用于交流电路中的开关和调光控制。
它们具有较高的控制灵敏度、较低的通过压降和较高的可控能力。
总之，不同的晶体管型号适用于不同的应用场景。
了解不同型号的晶体管特性和应用范围，有助于选择合适的晶体管并设计出更高性能的电子电路。
candence ic 617的晶体管符号
candence ic 617的晶体管符号Cadence IC 617是一款集成电路设计软件，它可以用于绘制和模拟各种电子电路，包括晶体管电路。
在Cadence IC 617中，可以使用各种符号来表示晶体管。
以下是一些常见的晶体管符号：1．双极晶体管（BJT）：在Cadence IC 617中，可以使用类似于电子管符号的符号来表示双极晶体管。
它由两个交叉的箭头表示，分别指向两个电极，箭头之间连接着一个水平线表示基极（base）。
2．场效应晶体管（FET）：场效应晶体管在Cadence IC 617中通常使用类似于字母"Y"或"V"的符号表示。
其中，"Y"表示N沟道场效应管，"V"表示P沟道场效应管。
3．金属氧化物半导体晶体管（MOSFET）：在Cadence IC 617中，可以使用类似于字母"U"或"V"的符号来表示金属氧化物半导体晶体管。
其中，"U"表示N沟道MOSFET，"V"表示P沟道MOSFET。
4．晶体闸流管（Thyristor）：在Cadence IC 617中，可以使用类似于字母"A"或"T"的符号来表示晶体闸流管。
其中，"A"表示NPN 晶体闸流管，"T"表示PNP晶体闸流管。
npn双极型晶体管
npn双极型晶体管
NPN双极型晶体管是一种常见的电子器件，由三个半导体层组成：两个N型和一个P型。
这种晶体管具有电流放大能力，常用于各种电子电路中，如放大器、开关、振荡器等。
NPN双极型晶体管的三个半导体层分别是：
1. 发射极（Emitter）：通常为N型半导体，负责发射电子。
2. 基极（Base）：通常为P型半导体，是晶体管的控制极，用于控制晶体管的开关状态。
3. 集电极（Collector）：通常为N型半导体，负责收集从发射极发射出的电子。
NPN双极型晶体管的工作原理是：当基极电压升高时，基极电流增加，导致发射极电流增加，进而在集电极形成较大的电流。
这种电流放大作用使得NPN双极型晶体管能够有效地放大输入信号。
在应用方面，NPN双极型晶体管常用于各种电子电路中，如音频放大器、开关电源、振荡器等。
在音频放大器中，NPN双极型晶体管可以作为放大器使用，
将微弱的音频信号放大为较大的电流，驱动扬声器发出声音。
在开关电源中，NPN双极型晶体管可以作为开关使用，控制电源的通断。
在振荡器中，NPN双极型晶体管可以产生振荡信号，用于各种电子设备中。
NPN双极型晶体管是一种重要的电子器件，具有广泛的应用前景。
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SCR
TRIAC
IGBT
RCT
光控晶闸管
可关断晶闸管GTO 1.结构及等效电路和普通晶闸管相同,门极加负压时GTO能自行关断 2.保留了SCR耐压高大电流优点且能自关断, 工作频率比功率BJT低 3.同SCR由正反馈迅速实现导通;导通电流小于擎住电流时,去掉IG,不能维持导通 4.dv/dt、Tj、光照等因素会引起GTO误触发,应用中加以防止 5.逆阻GTO：可承受正反向电压,但正向导通压降高,快速性能差 阳极短路GTO：不能承受反向电压,但正向导通压降低,快速性能好 6.参数说明 IATO：最大可关断阳极电流 dv/dt：结温和阳极电压越高,GTO关闭时能承受的最大电压上升率dv/dt越低 di/dt：GTO开通时阳极电流上升率,di/dt过大会引起局部过热而损坏GTO 擎住电流 断态不重复峰值电压/维持电流/阳极尖峰电压VP… 绝缘栅双极型晶体管IGBT 1.由BJT和MOS复合而成,MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降 2.IGBT栅极加正电压,IGBT导通;加负电压,IGBT关断 3.IGBT输出曲线和转移曲线同BJT类似,反向电压VEC也较小几十伏 4.关断时间较导通时间长,VDS较大时,功耗较大 5.IGBT的锁定效应：栅极失去控制作用 a)IGBT开通时应保证电流IC不超过IDM值; b)IGBT关断时加大门极电阻RG延长关断时间,以减小dVDS/dt 快速晶闸管FST 在SCR基础上改善而来 开通时间为4～8微秒,关断时间为10～60微秒 使用频率可至几千赫芝的斩波或逆变电路中 逆导晶闸管RCT 在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管 正向特性与SCR相同,反向特性与二极管正向相同 耐高压/高温、关断时间短、通态电压低; 关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管 光控晶闸管
压敏电阻符号及使用 单向TVS
双向瞬变抑制二极管 双向TVS
TVS实物图
压敏电阻 漏电流小;吸收浪涌能力强;固有电容大(几百～几千皮法);电压范围广 I-V对称;主成份氧化锌;体积越小,压敏电压越高,电容越小 1.压敏电压UN 以一直流电流通入压敏电阻器,其两端的压降; 瓷片直径7mm以上直流电流选用1mA,压降记为U1mA; 直径5mm选用0.1mA,压降记为U0.1mA 2.最大连续工作电压UC 能长期承受的最大直流电压UDC或最大交流电压有效值URMS 一般Uac≈0.64U1mA,Udc≈0.83U1mA 3.限制电压Up 特定波形的浪涌电流流入压敏电阻时,它两端电压的峰值 4.漏电流：两端加Udc=0.83U1mA的电压时测得漏电流 5.通流量Im 能够承受的波形为8/20μ s的最大浪涌电流峰值,称为通流量Im 6.最大能量Em 压敏电阻能够耗散的规定波形的浪涌电流的最大能量 7.额定功率P0 指在8/20μ s电流脉冲群作用下,压敏电阻能承受的最大平均功率 压敏电阻的选用： 一般选择标称压敏电压U1mA和通流容量两个参数 一般选用U1mA=1.5Vp=2.2VAC Vp和VAC为工作电压峰值和有效值 压敏电阻的使用： 通常把压敏电压从正常值下降10%作为压敏电阻失效的判据 压敏电阻可以并联使用; 压敏电阻失效通常是短路,通常要串联一个保险丝; 瞬态抑制二极管TVS TVS基于稳压管,单向I-V曲线及符号同稳压管;分为单极性和双极性 耐压数千伏;瞬时电流数安培～数百安培,箝位时间10ˉ12秒级 1.击穿电压VBR 2.最大反向脉冲峰值电流IPP 3.最大反向工作电压VRWM 通常VRWM=(0.8～0.9)VBR,VRWM应不低于线路的工作电压 4.最大箝位电压VC(max) 电流IPP下器件两端的最大电压值;定义箝位系数=VC(max)/VBR≈1.3 5.反向脉冲峰值功率PPR 取决于电流IPP和电压VC(max),还和脉冲波形/时间/温度有关 6.电容CPP CPP由二极管面积和偏置电压决定,偏置电压增加,容值下降;CPP影响响应时间 7.漏电流IR TVS施加VRWM时的漏电流
普通二极管的I-V
恒流二极管I-V
硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 肖特基二极管 普通二极管 稳压二极管ZD
管
双向触发二极管
隧道二极管
恒流二极管
双向瞬变
双基极二极管
双向触发二极管DIAC/DB3 DIAC正反向伏安特性几乎完全对称 转折电压级别：20-60V 100-150V 200-250V Pc：功耗 150mW ITRM ：反向重复峰值电流 2.0A VBO ：转折电压或击穿电压 32V △VBO：转折电压的对称性3V Vo ：输出电压 最小5V IBO ：转折点电流 最大100μ A DIAC Tr ：上升时间 典型1.5μ S IB ：泄漏电流 最大10μ A TSTG/TJ：存储和工作结温 +125度 单向可控硅SCR 1.电流容量大(4500A),耐压高(8000V),用于低频(200Hz以下) 2.G极开路时：无论正反偏,都有反偏PN结,SCR截止 3.G极有触发电压时,管子正反馈迅速导通;去掉UG,正反馈会维持导通 4.SCR从导通到关闭：G极开路或Vg<UG时,阳极电位<=阴极电位或电流小于IH GTO 5.SCR非正常导通：正向电压高于转折电压/高温导通/阳极电压上升率导通 UDSM：断态不重复峰值电压;UGK越大,则UDSM越小;UGK足够大时,正向特性类似二极管 URSM：反向不重复峰值电压 UDRM：断态重复峰值电压,SCR耐压值;一般取UDRM=80%UDSM,UDRM约为100V-3000V URRM：反向重复峰值电压;一般取URRM=80%URSM,URRM约为100V-3000V ITAV：通态平均电流;TA=40度时,晶闸管允许的工频通态平均电流,ITAV约为1A-1000A UTAV：通态平均电压;导通工频电流时,一般为1V左右 IH：最小维持电流,一般为几十到一百多毫安 UG/IG：控制极触发电压和电流,一般UG为1~5V,IG为几十到几百毫安 dV/dt：断态电压换向变化率;门极断路条件下,过大的断态电压上升率会使晶闸管误导通 dIT/dt：通态电流换向变化率; 晶闸管开通时,若电流上升过快,会使门极电流密度过大,造成局部过热使晶闸管损坏 双向可控硅TRIAC 1.五层NPNPN结构,相当于两个SCR反并联 2.四种触发方式：Ⅰ+：T1正T2负,G正T1负 Ⅰ-：T1正T2负,G负T1正 Ⅲ+：T1负T2正,G正T1负 Ⅲ-：T1负T2正,G负T1正 即：当TRIAC两端有AC电压时,只要G相对T1有触发电压就可导通 3.Ⅲ+灵敏度最低,尽量别使用;Ⅰ+灵敏度最高 常采用Ⅰ+ 和Ⅲ-,即：工频交流加在TRIAC两端时,门极与T2(基本上)短接,TRIAC导通; 门极与T2断开(或与T1短接),TRIAC断开 4.TRIAC的G与T1间阻值较小几十欧姆;导通时有0.8V左右压降 5.两种控制方式：移相控制方式,过零点控制方式 6.TRIAC的选用 a)Vdrm=电源电压的2-3倍,如AC=220V,则Vdrm>=600V b)允许电流：至少>=1.3~1.5倍的负载电流(无浪涌电流) c)感性负载时,需RC吸收电路;如AC=220V,可选C=0.01～0.47uF,R=47～100Ω 7.参数说明 IT(AV)-通态平均电流 VRRM-反向反复峰值电压 IDRM-断态重复峰值电流 ITSM-通态一个周波不反复浪涌电流 VTM-通态峰值电压
0.普通二极管的I-V I=IS[e^(Ui/UT)-1] Ui为PN结正向电压; UT=KT/q室温下约为26mV IS为PN结的反向饱和电流;T上升,IS增加,I增加 1.整流二极管 把交流整流成直流,有较大工作电流; 要求正向导通压降低,高反向电压,小反向漏电流 整流二极管比如FRD和SRD和SBD 2.稳压二极管ZD 又名齐纳二极管ZD,工作于反向击穿区;反向击穿曲线陡 3.开关二极管 工作电流小 4.变容二极管 3端口器件 5.检波二极管 工作频率高 6.隧道二极管 采用GaAs和GaSb等材料制成;正向电流-电压具有负阻特性 开关速度达皮秒,频率达100GHz;小功耗和低噪声;但热稳定性较差 8.光电/光敏二极管 无光照时,反向电流极弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大称为光电流 9.发光二极管 由镓砷磷等化合物制成的二极管 4.双向触发二极管DIAC/DB3 DIAC正反IV曲线对称 转折电压等级：20-60V,100-150V,200-250V 5.双向瞬变抑制二极管TVS 保护器件 3.肖特基二极管SBD SBD为金属半导体接触二极管 反向恢复时间极短(几纳秒,比SRD还要快); 正向导通压降0.4V左右;反向击穿电压低(一般小于60V～100V);反向漏电流偏大 6.快恢复二极管FRD/超快速恢复二极管SRD P型硅与N型硅间增加了薄基区I,构成PIN结构; 反向恢复时间较短(几百纳秒);正向压降较低 ,反向击穿电压较高; 超快速恢复二极管SRD基于FRD,反向恢复时间更小(几十纳秒) 10.恒流二极管CRD CRD正向击穿电压通常为30～100V,见图所示 结电容会导致高频率恒流特性变差 12.双基极二极管 又称单极晶体管 13.精密二极管PD 具有稳定电压和稳定电流功能的高精度二极管,作为恒流源或恒压源 14.磁敏二极管 一种磁–电转换半导体器件,磁场方向变化时同步输出变化的正负电压 15.补偿二极管 根据温度变化自动调整内部动态电阻,可补偿相关温升引起的参数变化 注：二极管的开关速度 FRD<SRD<SBD<隧道二极管