激光调Q技术.ppt
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激光技术PPT模板讲义
PTM运转方式: 1. 优点:脉冲宽度窄,峰值功率高 2. 缺点:能量释放时刻难以控制,脉冲噪声大,光束质量难控制
5.3.4 调Q技术的其它功能
调Q的基本功能是获得窄脉宽、高峰值功率的巨脉冲,Q开关不 仅能有效的控制激光能量和功率特性,还可以控制激光的空间和 频率特性
1. 选横模的功能:在临界激光 预激光 状态产生基横模种子,接着Q 开关完全打开,使种子放大,得到功率足够高的基横模激光,
5.4.2 调Q晶体的电极结构
1. KDP类晶体大多采用纵向应用,采用环状电极结构, 2. LN类晶体采用横向应用,采用平板电极结构,
5.4.3 对激光工作物质的要求
1. 储能密度高,上能级寿命长, 2. 抗损伤阈值高,
5.4.4 对光泵浦灯的要求
1. 效率高,与激光工作物质光谱匹配好, 2. 寿命长,可靠性高,
2. 选单纵模的功能 3. 开始时,Q开关处于不完全关闭的状态,在靠近中心频率附近
形成单纵模振荡,而后Q开关完全打开,以之为种子获得单纵模脉 冲激光输出,
第四节 设计电光调Q激光器应考虑的问题
5.4.1 调Q晶体材料的选择
1. 消光比高,晶体折射率的均匀性好 2. 透过率高, 3. 半波电压低,驱动功率低, 4. 抗破坏阈值高, 5. 晶体防潮,KDP类晶体易潮解,LN晶体不潮解
实现方式一:
1. 储能过程 首先电光晶体上不加电压,积累反转粒子数,而后在电光晶体上加 上半波电压,Q值突增,激光振荡迅速形成,
2. 释放过程 当腔内激光振荡的光子密度达到最大值时,迅速撤去晶体上的电 压,腔内存储的最大光能量瞬间透过棱镜P2而耦合输出,
实现方式二:
1. 储能过程 首先电光晶体上加/4电压,Q开关处于关闭状态,积累反转粒子 数,而后瞬间撤去电压,Q值突增,激光振荡迅速形成,
新激光ppt课件第八章 调Q技术与锁模技术
nL tc
式中tc
nL
c
为光子在腔内的寿命
d (G c 1 )
dt
n tc
d (G c 1 )
dt
n tc
当增益=损耗时,即为阈值条件
令 t tc
Gt
n ct c
则 d d (tcG n c1) (G G t 1)
GN
d
d
dN
N (
Nt 2
1) N
d
Nt
2.速率方程的解
1.工作物质储能调Q(PRM) 也叫脉冲反射式调Q.它是将能量以激活离子的
形式储存在工作物质中,能量储存的时间取决于激 光上能级的寿命.
(1).工作过程
(2).Q脉冲形成的三个时刻 (3).特点
Hale Waihona Puke 2.谐振腔储能调Q(PTM) 也叫脉冲透射式调Q.它是将能量以光子的
形式储存在谐振腔中,当腔内光子数密度达到最大 值时瞬间将腔内能量全部输出,因而也叫腔倒空法。
和选择合适的谐振腔,以降低Nt.
六、调Q方法
1. 电光调Q
电光调Q装置如图, 激光腔中插入起偏振片 及作为Q开关的KD*P晶 体。
原理:
电光调Q装置示意图
电光调Q激光器如图。未加电场前晶 体的折射率主轴为x、y、z。沿晶体光轴 方向z施加一外电场E ,由于普克尔效应, 主轴变为 x 、y 、z 。令光束沿z轴方向传 播,经偏振器后变为平行于Z轴的线偏振光, 入射到晶体表面时分解为等幅的 x 和 y 方 向的偏振光,在晶体中二者具有不同的折 射率 X 和 y 。经过晶体长度d距离后,二 偏振分量产生了相位差δ
由于一级衍射光偏离谐振腔而导致损耗增加,从而 使激光振荡难以形成,激光高能级大量积累粒子。若 这时突然撤除超声场,则衍射效应即刻消失,谐振腔损 耗突然下降,激光巨脉冲遂即形成。
调Q技术PPT课件
2、加 U : 相当于四分之一波片,使入射线偏振光变 为椭圆偏2 振光
若=45,则出射椭圆偏振光变为圆偏振光
31
7、常用电光晶体工作模式
(1)磷酸氢钾(KDP) 电场与光传播方向都沿z轴(纵) 两本征偏振光方向分别沿x、y
(2)铌酸锂(LN) a)电场沿x轴,光传播方向沿z轴(横) 两本征偏振光方向分别沿x、y b)电场沿y轴,光传播方向沿z轴(横) 两本征偏振光方向分别沿x、y
tr
tp dt
tr
c
nt nr
n(n0
dn lnn0
n)
nt n nt
te
te dt
tp
c
ne nt
n(n0
dn lnn0
n)
nt n nt
14
3、脉冲宽度的特点
te
c
(
n0 nt
)1
<
(
n0 nt
)
2
tr
1
c
n0
2
nt
t
(比1)后增沿大减 小nn 0t ,的脉更冲显的著前、后沿均减小,其中前沿
二、调Q基本概念
泵浦时令腔损耗很大(Q很小),突然减小损耗(增大 Q),使积蓄的反转粒子数在短时间内完成受激辐射, 形成光脉冲
2
三、工作原理 1、腔损耗 (1)t<0(Q开关打开前):
(2)t>0(Q开关打开后): (>> )
2、阈值反转粒子数
(1)t<0: nt
( nt>>nt) 3、泵浦速率
n0 lnn0 nf 0
nt
nf nt
n0lnn0 nf n0 0 nt nf n0 nt
激光调q技术》ppt课件模板
通常的激光器谐振腔的损耗是不变的,一旦光泵浦使反转粒
6 子数达到或略超过阈值时,激光器便开始振荡,于是激光上能级
的粒子数因受激辐射而减少,致使上能级不能积累很多的反转粒
子数,只能被限制在阈值反转数附近。这是普通激光器峰值功率
(一般为几十千瓦数量级)。不能提高的原因。
既然激光上能级最大粒子反转数受到激光器阈值的限制,那
图(a)表示泵浦速率Wp随时间 的变化;
图(b)表示腔的Q值是时间的阶 跃函数(蓝虚线);
图(c)表示粒子反转数△n的变 化;
图(d)表示腔内光子数Φ随时间 的变化。
On the evening of July 24, 2021
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2
0 2
在泵浦过程的大部分时间里谐振
内转变为受激辐射场的能量, 结果产生了一个峰值功率很 高的窄脉冲。
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On the evening of July 24, 2021
2 0
(2) 两阶段
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2 ①储能阶段(延迟时间)反转粒子数达最大值 。
1
/
7 调Q脉冲的建立有个过程,当Q值阶跃上升时开始振荡,在t=t0振荡开始建立 /2至以后一个较长的时间过程中,光子数Φ增长十分缓慢,如图3所示,其值始终
1
/ 7
一、电光晶体调Q原理
/ 2
▪ 1. 电光Q开关原理。
6
利用晶体的电光效应,在晶体上加一阶跃式电压,调
节腔内光子的反射损耗。
图4-27 电光调Q装置示意图
(1)第一阶段:积累阶段
电光调Q激光器如图所示。未加电场前晶体的折射率主轴为z、y、z。沿晶体
4.6 激光调Q技术
单击此处编辑母版文本样式 • •单击此处编辑母版文本样式 如图所示的一群宽度只有几微秒量级、间隔是几微秒到几十微 • 单击此处编辑母版文本样式 秒、强度随机不等的小尖蜂脉冲序列,有时称为尖峰序列。那 第二级 • •第二级 • 第二级 么改善脉冲性能? 第三级 • •第三级 • 第三级 单击此处编辑母版标题样 第四级 • •第四级 • 第四级 式 第五级 • •第五级 • 第五级 调Q技术可以产生脉宽为(10-7~10-9)秒量级、峰值功率高达千 单击此处编辑母版副标题样式 -12 -15
控制吸收损耗 ------可饱和吸收染料调Q技术 控制衍射损耗 ------声光调Q技术
5 5 5 5 5
单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 4.6.3 电光调Q 单击此处编辑母版标题样式
电光调Q装置如图4-27, 单击此处编辑母版文本样式 • •单击此处编辑母版文本样式 • 激光腔中插入起偏振 单击此处编辑母版文本样式 第二级 • •第二级 • 片及作为Q开关的 第二级 第三级 • •第三级 KD*P晶体。 • 第三级 图4-27 电光调Q装置示意图 单击此处编辑母版标题样 第四级 • •第四级 • 原理:晶体在z轴方向加电压后,产生感应双折射,进 第四级 式 第五级 • •第五级 • 入晶体的x方向振动的线偏振光分解为x’和y’振动 第五级 的二线偏振光。 单击此处编辑母版副标题样式
声光调Q与电光调Q相比,后者电压较高(103~104V),前者 电压较低(102V)。
声光调Q技术是应用较广泛的一种技术。
7
7 7 7 7
单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 4.6.5 染料调Q 单击此处编辑母版标题样式
转镜、电光或声光调Q技术,Q开关开启的延迟时间都是 •单击此处编辑母版文本样式 • 单击此处编辑母版文本样式 • 可控的,因此,习惯上通称这一类技术为主动调Q技术。 单击此处编辑母版文本样式 第二级 • •第二级 还有另一种调Q技术,它是利用某种材料(通常是用有机染 • 第二级 料)对光的吸收系数会随光强变化的特性来达到调Q的目的。 第三级 • •第三级 • 由于这种方式中Q开关的延迟时间是由材料本身特性决定 第三级 单击此处编辑母版标题样 第四级 • •第四级 • 的,不直接受人控制,所以又称之为被动调Q技术。 第四级 固体激光器的腔内插入一染料盒。式 第五级 • •第五级 • 染料盒内装有可饱和染料,这种染 第五级 单击此处编辑母版副标题样式 料对该激光器发出的光有强烈吸收 作用,而且随入射光的增强吸收系 数减小。其吸收系数可以由下式表 1 示: 0
控制吸收损耗 ------可饱和吸收染料调Q技术 控制衍射损耗 ------声光调Q技术
5 5 5 5 5
单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 4.6.3 电光调Q 单击此处编辑母版标题样式
电光调Q装置如图4-27, 单击此处编辑母版文本样式 • •单击此处编辑母版文本样式 • 激光腔中插入起偏振 单击此处编辑母版文本样式 第二级 • •第二级 • 片及作为Q开关的 第二级 第三级 • •第三级 KD*P晶体。 • 第三级 图4-27 电光调Q装置示意图 单击此处编辑母版标题样 第四级 • •第四级 • 原理:晶体在z轴方向加电压后,产生感应双折射,进 第四级 式 第五级 • •第五级 • 入晶体的x方向振动的线偏振光分解为x’和y’振动 第五级 的二线偏振光。 单击此处编辑母版副标题样式
声光调Q与电光调Q相比,后者电压较高(103~104V),前者 电压较低(102V)。
声光调Q技术是应用较广泛的一种技术。
7
7 7 7 7
单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 4.6.5 染料调Q 单击此处编辑母版标题样式
转镜、电光或声光调Q技术,Q开关开启的延迟时间都是 •单击此处编辑母版文本样式 • 单击此处编辑母版文本样式 • 可控的,因此,习惯上通称这一类技术为主动调Q技术。 单击此处编辑母版文本样式 第二级 • •第二级 还有另一种调Q技术,它是利用某种材料(通常是用有机染 • 第二级 料)对光的吸收系数会随光强变化的特性来达到调Q的目的。 第三级 • •第三级 • 由于这种方式中Q开关的延迟时间是由材料本身特性决定 第三级 单击此处编辑母版标题样 第四级 • •第四级 • 的,不直接受人控制,所以又称之为被动调Q技术。 第四级 固体激光器的腔内插入一染料盒。式 第五级 • •第五级 • 染料盒内装有可饱和染料,这种染 第五级 单击此处编辑母版副标题样式 料对该激光器发出的光有强烈吸收 作用,而且随入射光的增强吸收系 数减小。其吸收系数可以由下式表 1 示: 0
电光调Qppt课件
e'光
➢施加半波电压情况Vx V 2
E
o e
C
n0 sin 45 ne sino o 450 2012 ne sin 45 n0 sine 450 e 205
o 47 012
4028 o'光
z e 42055 x 4039
F
y
B
D
e
A
xo
A n0
B B 450 450
4. o、e光走的路程不同,因此当 Vx V 时,o、e光并非完
全旋转90度。
2
12
2.3.2 单块双450电光调Q器件
双450 Q开关的特点 优点:
比较成熟,激光 能量达200mJ,
脉宽6~10ns
1. 双 450 电光Q开关可以省去偏振器,适用于产生自然光 的YAG、钕玻璃等。一块晶体相当于三个元件。
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§2.4 设计电光调Q激光器应考虑的问题
一、调制晶体材料的选择
选择电光晶体材料应注意的几个技术指标: ✓半波电压要低
KD*P晶体的半波电压为6000伏,远比KDP低 ;LiNbO3 晶体的半波电压~9000(d/L),一般在2000~3000伏。
✓抗破坏阈值要高
KDP类晶体可达500MW/cm2(极限);大都数普克尔盒Q开
两点结论
✓单块双45度LiNbO3晶体,第一个45度反射面的前段相当 于一个起偏器,它能产生o光和e光两束线偏光,第二个45 度反射面的后段相当于一个检偏器,所以双45度LN晶体等 效于在两个偏振器之间夹一块调制晶体。
✓当在晶体上加有半波电压时,通过晶体的o光和e光都偏 离原入射光的传播方向,这时Q开关处于“关闭”状态, 当光泵激励工作物质,上能级反转粒子数积累到最大值时, 瞬间撤去半波电压,则o光和e光经晶体后的出射光平行于 入射光,Q开关打开,激光振荡得以形成得到巨脉冲。11
激光调Q原理与技术PowerPoint演示文稿
氙灯
U 2
x y z 45
LN 全反镜
45
12
13
• 当 =/2 时,所需电压称作四分之一波电压 ,记作V/4;电光晶体上施以电压 V/4 时, 从偏振器出射的线偏振光经电光晶体后,沿 x′和 x′方向的偏振分量产生了 /2 位相延迟 ,经全反射镜反射后再次通过电光晶体后又 将产生 =/2 延迟,合成后虽仍是线偏振光 ,但偏振方向垂直于偏振器的偏振方向,因 此不能通过偏振器。
• 这种情况下谐振腔的损耗很大,处于低Q值状态,激光器不 能振荡,激光上能级不断积累粒子;
• 如果在某一时刻,突然撤去电光晶体两端的电压,则谐振 腔突变至低损耗、高Q值状态,于是形成巨脉冲激光。
14
电光Q开关原理及技术
电光Q开关原理
15
5
电光调Q装置示意图
6
3、折射率差
加电场后两个正交的本征偏振光折射率之差
n no3E
no:晶体o光主折射率 E:直流电场ห้องสมุดไป่ตู้度
:晶体有效电光系数
4、相移
入射线偏振光通过晶体后两本征模产生的相位差
2Ln2L3 on E
L:晶体沿通光方向长度 :真空中光波长
7
5、半波电压 使相移等于所须电压
纵向电光效应 横向电光效应
若=45,则出射椭圆偏振光变为圆偏振光
9
7、常用电光晶体工作模式
(1)磷酸氢钾(KDP) 电场与光传播方向都沿z轴(纵) 两本征偏振光方向分别沿x、y
(2)铌酸锂(LN) a)电场沿x轴,光传播方向沿z轴(横) 两本征偏振光方向分别沿x、y b)电场沿y轴,光传播方向沿z轴(横) 两本征偏振光方向分别沿x、y
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二、电光调Q工作原理
激光调Q原理与技术
Ln 3oE
L:晶体沿通光方向长度 :真空中光波长
5、半波电压 使相移等于所须电压
纵向电光效应 横向电光效应
U
2no3
U
2no3
H L
H:晶体沿电场方 向的长度
6、电光晶体的作用
1、加U : 相当于半波片,使入射线偏振光的偏振方
向绕任一本征偏振光的偏振方向转过2角(为入
射线偏振光与该本征偏振光的夹角)
若 =45 ,则入、出射线偏振光方 向互相垂直
2、加 U: 相当于四分之一波片,使入射线偏振光变 为椭圆偏2 振光
若 =45 ,<1>磷酸氢钾<KDP>
电场与光传播方向都沿z轴<纵> 两本征偏振光方向分别沿x 、 <2y>铌酸锂<LN>
a>电场沿x轴,光传播方向沿z轴<横> 两本征偏振光方向分别沿x 、y b>电场沿y轴,光传播方向沿z轴<横> 两本征偏振光方向分别沿x、y
二、电光调Q工作原理
1、Q开关开启
激光
电光器件 全反镜
输出镜
激光介质 起偏镜
检偏镜
2、Q开关关闭
电光器件 + 全反镜
输出镜
激光介质 起偏镜 - 检偏镜
三、电光调Q激光器装置
1、带偏振器的KDP电光调Q激光器
激光
YAG
KDP
全反镜
输出镜
氙灯
偏振器
2、双45LN电光调Q激光器
激光
YAG
输出镜
氙灯
U 2
x y z 45
LN 全反镜
45
当 = /2 时,所需电压称作四分之一波电压, 记作V /4;电光晶体上施以电压 V /4 时, 从偏振器出射的线偏振光经电光晶体后,沿 x′ 和 x′方向的偏振分量产生了 /2 位相延迟, 经全反射镜反射后再次通过电光晶体后又将 产生 = /2 延迟,合成后虽仍是线偏振光,但 偏振方向垂直于偏振器的偏振方向,因此不能 通过偏振器.
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一、激光谐振腔的品质因数Q
Q值是评定激光器中光学谐振腔质量好坏的指标——品质因数。
1.Q值定义:
Q
?
2?
谐振腔内储存的能量 每振荡周期损耗的能量
2. 品质因子Q与谐振腔的单程总损耗的关系
光强I0在谐振腔传播z距离后会减弱为 I
而 I (t) ? N(t)h?
?
0
I0 c
?
exp(? a总z)
?
I0
产生弛豫振荡的主要原因:当激光器的工作物质被泵浦,上能级的粒子反 转数超过阈值条件时,即产生激光振荡,使腔内光子数密度增加,而发射激光。 随着激光的发射,上能级粒子数大量被消耗,导致粒子反转数降低,当低于阀 值时,激光振荡就停止。这时,由于光泵的继续抽运,上能级粒子反转数重新 积累,
当超过阈值时,又产生第二个脉冲,
如此不断重复上述过程,直到泵浦停
止才结束。每个尖峰脉冲都是在阈值
附近产生的,因此脉冲的峰值功率水
平较低。增大泵浦能量也无助于峰值
功率的提高,而只会使小尖峰的个数 增加。
E2
E1
弛豫振荡产生的物理过程,可以用图2来描述。它示出了在弛豫振 荡过程中粒子反转数△n 和腔内光子数Φ的变化,每个尖峰可以分 为四个阶段 (在t1时刻之前,由于泵浦作用,粒子反转数△n增长, 但尚未到达阈值△n阈因而不能形成激光振荡。)
图2 腔内光子数和粒子反刚开始时,△n= △n阈, Φ =0;由于 光泵作用, △n继续增加,与此同时,腔内光子数密度Φ也开始增 加,由于Φ的增长而使△n减小的速率小于泵浦使△n 增加的速率, 因此△n一直增加到最大值。
第二阶段(t2一t3) : △n 到达最大值后开始下降, 但仍然大于△n阈 ,因此 Φ 继续增长,而且增长 非常迅速,达到最大值。
5.4 激光调 Q 技术
调Q技术的出现和发展,是激光发展史上的一个重要突破,它 是将激光能量压缩到宽度极窄的脉冲中发射,从而使光源的峰值 功率可提高几个数量级的一种技术。
调Q技术的目的: 压缩脉冲宽度,提高峰值功率。
普通的脉冲激光器,光脉冲的宽度约在ms级,峰值功率 也只有几十kW.
调 Q 激光器,光脉冲的宽度可以压到ns级,峰值功率也已达 到MW.
调节Q值的途径
一般采取改变腔内损耗的办法来调节腔内的Q值。
二、调 Q原理
1. 脉冲固体激光器的输出特性
将普通脉冲固体激光器输出的脉冲,用示波器进行观察、记录,发现其波 形并非一个平滑的光脉冲,而是由许多振幅、脉宽和间隔作随机变化的尖峰脉 冲组成的,如图(a)所示。每个尖峰的宽度约为0.1~1μs,间隔为数微秒,脉冲 序列的长度大致与闪光灯泵浦持续时间相等。图 (b)所示为观察到的红宝石激 光器输出的尖峰。这种现象称为 激光器弛豫振荡。
(1) 通过改变Q值——改变阈 值,控制激光产生的时间。
调Q激光脉冲的建立过程, 各参量随时间的变化情况,如 右图所示。
图(a)表示泵浦速率Wp随时间的 变化;
图(b)表示腔的Q值是时间的阶 跃函数(蓝虚线);
图(c)表示粒子反转数△n的变 化;
图(d)表示腔内光子数Φ随时间 的变化。
在泵浦过程的大部分时间里谐振 腔处于低Q值状态,故阈值很高 不能起振,从而激光上能级的粒 子数不断积累,直至 t0时刻,粒 子数反转达到最大值△ni,在这 一时刻,Q值突然升高(损耗下 降),振荡阈值随之降低,于是 激光振荡开始建立。由于此△ni >>△nt(阈值粒子反转数),因此 受激辐射增强非常迅速,激光介 质存储的能量在极短的时间
(一般为几十千瓦数量级)。不能提高的原因。 既然激光上能级最大粒子反转数受到激光器阈值的限制,那
么,要使上能级积累大量的粒子,可以设法通过改变(增加)激 光器的阈值来实现,就是当激光器开始泵浦初期,设法将激光器 的振荡阈值调得很高,抑制激光振荡的产生,这样激光上能级的 反转粒子数便可积累得很多。
当反转粒子数积累到最大时,再突然把阈值调到很低,此时,积累 在上能级的大量粒子便雪崩式的跃迁到低能级,于是在极短的时间 内将能量释放出来,就获得峰值功率极高的巨脉冲激光输出。
改变激光器的阈值是提高激光上能级粒子数积累的有效方法。
Q ? 2? W ? 2? P ?a总
Q值与谐振腔的损耗成反比,要改变激光器的阈值,可以通过突 变谐振腔的Q值(或损耗a总)来实现。
调Q技术就是通过某种方法使腔的Q值随时间按一定程序变化
的技术。或者说使腔的损耗随时间按一定程序变化的技术。
3.Q开关激光器的特点
2.调Q的基本原理
? n阈
?
g ?2? v
A21 Q
Q ? 2? W ? 2? P ?a总
通常的激光器谐振腔的损耗是不变的,一旦光泵浦使反转粒 子数达到或略超过阈值时,激光器便开始振荡,于是激光上能级 的粒子数因受激辐射而减少,致使上能级不能积累很多的反转粒 子数,只能被限制在阈值反转数附近。这是普通激光器峰值功率
图2 腔内光子数和粒子反转数随时间的变化
第三阶段(t3一t4): △n < △n阈 ,增益小 于损耗,光子数密度Φ 减少并急剧下降。
第四阶段(t4一t5):光子数减少到一定程度,泵浦又起主要作用, 于是△n又开始回升,到t5时刻△n又达到阈值△n阈 ,于是又开始产 生第二个尖峰脉冲。因为泵浦的抽运过程的持续时间要比每个尖峰 脉冲宽度大得多,于是上述过程周而复始,产生一系列尖峰脉冲。 泵浦功率越大,尖峰脉冲形成越快,因而尖峰的时间间隔越小
内转变为受激辐射场的能量, 结果产生了一个峰值功率很 高的窄脉冲。
(2) 两阶段 ①储能阶段(延迟时间)反转粒子数达最大值 。
调Q脉冲的建立有个过程,当Q值阶跃上升时开始振荡,在t=t0振荡开始建立 至以后一个较长的时间过程中,光子数 Φ增长十分缓慢,如图3所示,其值始终 很小,受激辐射几率很小,此时仍是自发辐射占优势。
exp ?? ? ?
a总c
?
t
? ? ?
上式可以改写为光子数密度的形式
N(t)
?
N0
exp??? ?
a总c ?
t
? ?
?
?
N0
exp
??? ?
t ?c
? ? ?
体积为V的腔内存储的能量为: W ? N(t)Vhν0
每振荡周期损耗的能量为: P ? W ? N(t)Vh a总c
? c ν0
?
Q ? 2? W ? 2? P ?a总