(完整版)半导体器件基础测试题
第1章测试题第1章半导体基础
第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。
（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。
（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。
（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。
（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。
（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。
（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。
（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。
（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
半导体器件试题
半导体器件试题第一章半导体器件一、是非题1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（） 4．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。
（） 5．当外加电压为0时，PN结的电容最小。
（）6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。
（）7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。
（）8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（）9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。
（）10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。
（） 11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（） 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。
（） 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为19.4V，则二极管处于零偏。
（） 15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。
（）16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。
（）17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。
（）18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（）19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。
（） 20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 22、三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
半导体材料性质与器件制造基础考核试卷
1.在N型半导体中，主要载流子是空穴。（）
2. PN结在反向偏压下，扩散层会变宽。（）
3.三极管的放大作用主要发生在基区。（）
4.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的控制方式相同。（）
5.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻胶的曝光量越多。（）
6.半导体器件的掺杂工艺是为了改变其电阻率。（）
7.集成电路的制造过程中，每一层都需要进行光刻。（）
8.硅太阳能电池的工作原理基于热电效应。（）
9.在集成电路设计中，布线是设计过程中的最后一步。（）
10.半导体器件的失效通常是由于过电压引起的。（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体材料的基本性质，并说明这些性质如何影响半导体器件的性能。
D.制备金属电极
15.以下哪种材料常用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.氧化硅
C.硼
D.砷化镓
16.在半导体器件中，金属化的作用是（）
A.提供载流子
B.提供电接触
C.提高热导率
D.提高机械强度
17.以下哪种器件主要用于放大信号？（）
A.二极管
B.三极管
C.电阻
D.电容
18.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要区别在于（）
12.光刻工艺中，光源波长对光刻分辨率的影响是（）
A.波长越短，分辨率越高
B.波长越长，分辨率越高
C.波长与分辨率无关
D.波长取决于分辨率
13.以下哪种掺杂元素主要用于制作N型半导体器件？（）
A.硼
B.磷
C.砷
D.锗
(完整版)半导体器件物理试题库.docx
西安邮电大学微电子学系商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为n i = 1.510×10/cm3电荷的电量 q= 1.6 ×10-19Cn2/V sp2/V s μ=1350 cmμ=500 cmε0×10-12F/m=8.854一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。
晶向：晶面：（二）填空题1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。
2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。
3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。
4．线缺陷，也称位错，包括、两种。
5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。
6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。
7．对于 N 型半导体，根据导带低E C和 E F的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。
8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。
9．在 Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷 4 种基本形式的电荷或能态。
10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。
（三）简答题1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？2．说明元素半导体Si 、 Ge中主要掺杂杂质及其作用？3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a，计算晶面（ 100）、（ 110）的面间距和原子面密度。
第一章 半导体基础知识题库
1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。
（错）2．晶体管可以把小电流放大成大电流。
（对）3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
（对）4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。
（错）5．晶体管可以把小电压放大成大电压。
（错）6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
（错）7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。
（对）8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错）9.半导体随温度的升高,电阻会增大。
（错）10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。
（对）11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（错）12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（错）13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（错）14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（对）15.发光二极管可以接受可见光线。
（错）16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。
（错）17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。
（错）18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（错）19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。
（错）20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。
（对）21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（对）23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。
（错）24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。
（对）26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
（错）27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。
（错）28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。
（错）29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。
(完整版)常用半导体器件选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题1•半导体的特性不包括 ______________ 。
A.遗传性B.光敏性C.掺杂性D. 热敏性2. 半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为A.漂移运动B. 扩散运动C.3. ______________________________________ N型半导体中的多数载流子是____________________________________________ 。
A.自由电子B.电子C.4. P型半导体中的多数载流子是_A.空穴B.5•本征半导体中掺微量三价元素后成为A.P 型B.N6•本征半导体中掺微量五价元素后成为A. N型7.在PN结中由于浓度的差异，是有序运动空穴D.OD.同步运动光子O电子C.自由电子 D.____________ 半导体。
型 C. 复合型 D. 导电型____________ 半导体。
型 C. 复合型 D. 导电型光子B. P空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就漂移运动再封装起来，B. 三极管9.当外电场与内电场方向相同时，阻挡层A.变厚B. 变薄10 .当外电场与内电场方向相反时，阻挡层A.变薄B. 变厚11. PN结的基本特性是______________ 。
A.单向导电性B. 半导性C.电流放大性D. 绝缘性12 .晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构_A.截止区B. 发射区C. 基区D.集电区13 •稳压二极管一般要串______________ 进行工作，以限制过大的电流。
A电阻B 电容A.扩散运动&将一个PN结两端各加一条引线,A.二极管B. C.有序运动D.同步运动就成为一只C.电子管14 •下图电路中，设硅二极管管的正向压降为A. 0V B . 3VD.晶闸管电子不容易通过。
变为导流层，电子容易通过。
C. 消失D.变为导流层________________________ ?C. 消失D.电感 D 电源0V,C15 •下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V,则Y_______________ 。
常用半导体器件及应用单元测验(附答案)
8 B
9 A
10 C
1.半导体中传导电流的载流子是（ ） 。 A.电子 B.空穴 C.自由电子和空穴 D.杂质离子 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ） 。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对 4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。 A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极 D.电源和基极 5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ） 。 A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大 6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.微导通 7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ） 。 A. I E I B I C B. I C I B C. I B I C I E D. I C I B I E 8.晶体三极管的穿透电流 ICEO 的大小体现了三极管的（ ） A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏 9.对于 NPN 型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。 A. VC VB VE B. VC VB VE C. VC VE VB D. VC VE VB 10.已知某三极管的极限参数分别为 ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态， 三极管能正常工作？（ ） A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V
L 解： （1）V2=0.45 =
V
IL R L 0.45
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体培训测试
半导体培训测试（100分）1、姓名【填空题】________________________2、工号【填空题】________________________一、单选题3、1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。
【单选题】（3分）A.A、导体B.B、半导体C.C、绝缘体D.D、以上三项都是正确答案: D4、2、选出下列属于半导体材料的选项。
【单选题】（3分）A.A、硅B.B、锗C.C、砷化镓D.D、以上三项都是正确答案: D5、3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么？【单选题】（3分）A.A、低介电常数材料B.B、所有半导体材料C.C、光刻胶材料D.D、以上三项都是正确答案: A6、4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下？【单选题】（3分）A.A、介电常数k≤2.8B.B、介电常数k≤3.9C.C、介电常数k≤1D.D、以上三项都是正确答案: D7、5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标？【单选题】（3分）A.A、重量B.B、材料系数C.C、晶圆直径D.D、晶圆厚度正确答案: C8、6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼？【单选题】（3分）A.A、沙子B.B、植物C.C、石油D.D、海水正确答案: A9、7、晶体管实质上有哪几部分由组成？【单选题】（3分）A.A、漏极（Drain）B.B、源极（Source）C.C、栅极（Gate）D.D、以上三项都是正确答案: D10、8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好，栅极的最小宽度就是工艺制程中的X 纳米，那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料？【单选题】（3分）A.A、45nm-32nmB.B、28nm-14nm，C.C、10nm-7nmD.D、以上三项都是正确答案: D11、9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。
【单选题】（3分）A.A、冶金熔融B.B、拉直长晶C.C、晶棒切片D.D、以上三项都是正确答案: D12、10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光？【单选题】（3分）A.A、日光B.B、紫外光C.C、红外光D.D、黄光正确答案: B二、多选题13、11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些？【多选题】（5分）A.A、恒温B.B、恒湿C.C、ESD 防护D.D、防火正确答案: ABC14、12、下列不属于IC封装生产工序的是。
半导体的基础知识试题.doc
第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。
2、电了技术的核心是半导体，它的二个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流了，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流了叫做;N型半导体中多数载流了是，P型半导体中的多数载流了走。
4、PN结具有性能，即：力口电压时PN结导通，力口电压时PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有。
二极管外加正I仰电压超过死区电压以后，正向电流会,这时二极管处于状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。
导通后，硅管的管压降约为，铭管约为O7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为C10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗,对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。
二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB> 0.7V C、7VD> 14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中UZi=7V、Uz2=3V,该电路输出电压为（）A、0.7VB> 1.4VC> 3VD、7V5、 三极管的ICEO 大，说明其（）6、 用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、 3的电位各为V 1=2V, V2=6V,V3=2.7V,m 贝 U （）A> I^e2% b3^JcB> l%e2>9 C 3 为b C 、l%b2为 e3 为cD 、l%b2为 C3为eVaMVUOVZ2 土图IT4、NPN 型和PNP 型品体管的区别是（A 、由两种不同材料徒和错制成的B 、 ）掺入杂质元素不同C 、P 区和N 区的位置不同7、 晶体管共发射极输岀特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）ANiCBNUCEC 、Ib D> ie8、 P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（）。
(完整word版)《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)
第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体与电子学测试题
半导体与电子学测试题
题目一：半导体基础知识
1. 什么是半导体？它与导体和绝缘体有何不同？
2. 简述半导体材料的能带结构和载流子类型。
3. 什么是PN结？它的特性是什么？如何改变PN结的导电性？
4. 请解释PN结的正向偏置和反向偏置的区别。
5. 什么是半导体的掺杂？N型和P型半导体的掺杂元素是什么？
题目二：半导体器件
1. 请简述二极管的结构和工作原理。
2. 解释什么是整流器和稳压二极管。
3. 请说明MOSFET和BJT的主要区别，并分别描述它们的结构和工作原理。
4. 什么是集成电路？请描述它的主要类型和制作工艺。
5. 简要介绍一下光电子器件和传感器的应用领域。
题目三：数字电子学
1. 什么是布尔代数？简述布尔代数的基本运算和定理。
2. 解释逻辑门的功能和布尔代数与逻辑门的关系。
3. 简要介绍一下与门、或门、非门和异或门。
4. 请解释触发器的功能和工作原理，并描述RS触发器和D触发器的特点与应用。
5. 简述计数器和移位寄存器的作用，并解释它们的工作原理。
以上为半导体与电子学测试题，要求您针对每个问题给出详细的回答。
文章不需要额外的标题或小节，仅需按照题目给出的顺序进行回答即可。
请注意语句通顺，表达准确，格式整洁美观。
(完整版)§2.1半导体基础知识习题--2018-4-10(可编辑修改word版)
第2 章§2.1 半导体基础知识习题【课程考核内容】1、半导体类型及其导电的特点，2.1半导体基础知识2.1.1.导体、绝缘体和半导体1、自然界的物质，就其导电性能，大致分为三类：导体，绝缘体，半导体。
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如银、铜、铝、铁等金属等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。
其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
2、半导体导电性能有如下两个显著特点：（1）参杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力和内部结构发生变化。
（2）敏感性：当受外界热和光的作用时，导电能力明显变化。
2.1.2半导体类型及其导电性能1、半导体类型：半导体材料可按化学组成，可分为元素半导体（锗Ge，硅Si 等）和化合物半导体（砷化镓GaAs）；按其是否含有杂质，可分为本征半导体和杂质半导体；按其导电类型可分为N 型半导体和P 型半导体；按其载流子类型可分为电子型半导体和离子型半导体。
2、单晶体和多晶体：日常所见到的固体分为非晶体和晶体两大类，只有单晶结构的半导体才适合制作半导体器件。
3.本征半导体：不含任何杂质的单晶半导体，称为本征半导体。
在常温下，本征半导体只要得到一定的外界能量，有少数价电子就能挣脱共价键和原子核对它的束缚，从而成为自由电子，同时在原来的位置中留下一个空位，称为空穴。
本征半导体受热或得到其它能量而激发出电子-空穴对的现象称为本征激发。
本征激发后，产生一个自由电子的同时，也就产生一个空穴，在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，常称为电子-空穴对。
半导体器件测试
半导体器件测试一、单项选择题：（每题2分，共30分）1、掺杂半导体中多数载流子浓度取决于（）A 温度B 杂质浓度C 光照D 电子空穴对2、在外电压作用下，空穴与电子运动电流方向（）A 相同B 相反C 与外电压无关D 不能确定3、在PN结加反向电压时,扩散电流( )漂移电流。
A 大于B 小于C 等于4、以下对二极管说法正确的是（）A 二极管正向电阻大，反向电阻小，且相差越大越好B 二极管具有放大作用C 二极管具有单向导电性D 稳压二极管与一般二极管相互使用5、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（）A 夹断区B 恒流区C 可变电阻区D 以上区域都可以6、硅二极管开始导通电压是( )A 0.2VB 0.3VC 0.5VD 0.7V7、为了使三极管可靠的截止，电路必须满足（）A 发射结正偏B 发射结反偏C 发射结和集电结均反偏D 发射结和集电结均正偏8、用万用表测得某电路中硅三极管的正极电压为2V，负极电压为1.5V，则二极管所处的状态（）A 正偏B 反偏C 开路D 击穿9、半导体二极管导通的充分且必要条件是（）A 加正偏电压B 加反偏电压C 加大于死区电压的正向偏压D 加小于死区电压的正向电压10、面接触型晶体二极管比较适用于（）A 小信号检波B 大功率整流C 大电流开关11、3DG120A型三极管饱和导通时其集电极与发射极之间的饱和压降VCES的值为（）A 0.7V B 0.4V C 0.3V D 0.1V12、场郊应管的转移特性曲线是在VDS为固定值时（）的关系曲线。
A VGS与IGB VDS与IDC VGS与ID D VDS与VGS13、场效应管的跨导表征的是（）控制作用。
A VDS对IDB VGS对VDSC VGS对ID D IG对VDS14、结场效应管工作时应加上（）栅源电压。
A 正向B 反向C 0D 正向或反向15、光电二极管有光线照射时，反向电阻（ 0A 减少B 增大C 基本不变D 无法确定二、填空题：（每题1分，共10分）1、二极管长期运行时允许通过的最大正向电流称为（）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第一章半导体器件基础测试题（高三）
姓名班次分数
一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；
B、空穴；
C、三价元素；
D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；
B、杂质的浓度：
C、温度；
D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；
B、—6V；
C、+6V；
D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；
B、锗管使用在反向击穿区；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；
D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；
D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；
B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；
C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；
D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；
B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；
C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的
低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的
高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则
下列四种变化中正确的是。
A、U I↑→U0↑→I W↑→I R↑→U R↑→U0↓；
B、U I↑→U0↑→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓；
C、U I↑→U0↓→I W↓→I R↑→U R↑→U0↓；
D、U I↑→U0↓→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是。
A、三极管具有电压放大作用；
B、三极管具有功率放大作用；
C、三极管具有电流放大作用；
D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是。
A、二极管具有单向导电性；
B、二极管同样具有放大作用；
C、二极管具有箝位功能；
D、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。
A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系；
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系；
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系；
15、下图中两只二极管的导通状态是。
A、D1、D2导通；
B、D1、D2截止；
C、D1导通、D2截止；
D、D1截止、D2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -15V；
D、U AO= -12V。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -12V；
D、U AO= 0V。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=6V；
B、U AO= –6V；
C、U AO= -12V；
D、U AO=12V。
19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。
A、升高/升高；
B、降低/降低；
C、升高/降低；
D、降低/升高。
20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导通的是。
A、P端接+5V，N端通过一电阻接+7V；
B、N端接+2V，P端通过一电阻接+7V；
C、P端接─3V，N端通过一电阻接+7V；
D、P端接+1V，N端通过一电阻接+6V。
21、电路如图所示，R=1KΩ，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数是。
A、0.5V；
B、15V；
C、3V；
D、以上答案都不对。
22、如图所示，设输入信号u i为正弦波，幅值为1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，关于输出信号u0波形的说法，正确的是。
A、输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V之间；
B、输出电压值的范围介于-0V — +0.6V之间；
C、输出电压值的范围介于-0.6V — 0V之间；
D、输出电压值的范围介于0V — 1V之间。
23、对于3AG11C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
24、对于3DD80C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
25、对于3DG12C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
26、对于3AD30B三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。
A、电压/电流；
B、电流/电压；
C、电压/电压；
D、电流/电流
28、电路其如图所示，D为理想二极管，则u0为。
A、3V；
B、6V；
C、-3V；
D、-6V。
29、电路如下图所示，已知Rb=10KΩ，Rc=1KΩ，Ec=10V，
晶体管的β=50，Ube=0.7V，当Ui=0V时，
三极管处于。
A、截止状态；
B、放大状态；
C、饱和状态；
D、击穿状态。
二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）
三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求下图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
五、作图分析题
1、电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
2、电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。