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端面镀膜的作用: 1.增大出光功率，2.减小阈值电流 高反膜80-90%，增透膜5-10%
ηd = ΔP / ΔI
外微分量子效率并不是越大越好，如果太大，光功率输 出随注入灵敏度太高，器件容易被损坏。
35
工作特性
4. 峰值波长随温度的改变Δλb / ΔT：
• 对F-P-LD，当激光器的温度升高时，有源区的带隙 将变窄，同时波导层的有效折射率发生改变，峰值波 长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。
4
导体 绝缘体 半导体
5
能带中电子和空穴的分布
导带中绝大多数电子分布在导带底。 Ef为费米能级，它在能带中的位置直观的标志着电子占据量子态的情况。 费米能级位置高，说明有较多能量较高的量子态上有电子。
6
能带中电子和空穴的分布
N型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
7
能带中电子和空穴的分布
2-晶格常数与 衬底匹配
16
半导体激光器的工作原理
基本条件：
1有源区载流子反转分布 2谐振腔：使受激辐射多
次反馈，形成振荡 3满足阈值条件，使增益
>损耗，有足够的注入 电流。
17
双异质结激光器
18
分别限制异质结单量子阱激光器
19
横模（两个方向）
• 半导体激光器通常是单横 模（基模）工作。
• 当高温工作，或电流加大 到一定程度，会激发高阶 模，导致P-I曲线出现扭折 （Kink），增加了躁声。
• 垂直横模 • 侧横模
• 垂直横模：由异质结各层 的厚度和各层之间的折射 率差决定。
20
横模（侧横模）
折射率导引激光器（Index guide LD）
• 1.强折射率 导引的掩埋 异质结激光 器（BH-LD）
21
横模（侧横模）
折射率导引激光器（Index guide LD）
2.弱折射率导引激光器： 脊波导型激光器 （RWG-LD）
间接带隙半导体电子跃迁时：始态和终态的 波矢不同，必须有相应的声子参与吸收和发 射以保持动量守恒，所以跃迁几率低。
13
半导体异质结
• 异质结的作用：
• 异质结对载流子的限 制作用
• 异质结对光场的限制 作用
• 异质结的高注入比
14
异质结对光场的限制作用
15
半导体激光器的材料选择
1-能在所需的 波长发光
效率降低，这些都会使阈值电流密度增加
33
工作特性
2.特征温度To（表征激光器的温度稳定性）：
测试：To = Δ T / ΔLn（Ith） 影响To的因素：限制层与有源层的带隙差Δ Eg 对InGaAsP长波长激光器，To随温度升高而减小
ΔEg
34
工作特性
3.外微分量子效率ηd （斜率效率）：
可以直观的用来比较不同的激光器性能的优劣。
• 对DFB-LD，激射波长主要由光栅周期和等效折射 率决定，温度升高时光栅周期变化很小，所以Δλb / ΔT 小于0.1nm /℃ 。
36
F-P-LD与DFB-LD的频率啁啾
37
工作特性
5.光谱宽度 6边模抑制比 7上升/下降时间 8串联电阻 9热阻
38
各特性的关系
39
百度文库
DFB-LD芯片制造
10
量子跃迁
非辐射跃迁： 1. 异质结界面态的复合 2. 缺陷复合：有源区都
是本征材料 3. 俄歇复合：对长波长
激光器的量子效率、 工作稳定性和可靠性 都有不利影响
11
• 特点：
量子跃迁
12
直接带隙和间接带隙半导体
直接带隙半导体跃迁几率高， 适合做有源区发光材料 （如GaAs，InP，AlGaInAs）
P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
8
量子跃迁
• 光的自发发射 （是半导体发光的基
础）
• 光的受激吸收 （是半导体探测器工
作的基础）
9
量子跃迁
• 光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生 一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体 激光器的工作原理基础。
22
横模（侧横模）
增益导引激光器(Gain guide LD)
条形激光器
23
几种典型的折射率导引激光器
24
远场特性
• θ⊥随有源区厚度及折射 率差的减小而减小。
• θ∥ 随有源区宽度的减小 而增大。
• 减小有源区的宽度，可 以使远场更趋向于圆形 光斑。
• 减小有源区宽度可以使 高阶模截止。
25
1. 一次外延生长 2. 光栅制作 3. 二次外延生长 4. 脊波导制作 5. 欧姆接触、减薄 6. 解理成条 7. 端面镀膜 8. 解理成管芯 9. TO-CAN
40
1.全息曝光 2.干法或湿 法刻蚀
1.光栅制作
41
2.二次外延生长
生长：
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层
纵模
• F-P腔激光器： 多纵模工作
• DFB激光器 单纵模工作
26
F-P腔激光器
27
28
DFB激光器
29
DFB-LD与DBR-LD
30
F-P-LD与DFB-LD的纵模间隔
31
DFB-LD的增益与损耗
32
工作特性
1.阈值电流 Ith
影响阈值电流的因素： 1. 有源区的体积：腔长、条宽、厚度 2. 材料生长：掺杂、缺陷、均匀性 3. 解理面、镀膜 4. 电场和光场的限制水平 5. 随温度增加，损耗系数增加，漏电流增加，内量子
5. 半导体异质结
6. 半导体激光器的材料选择
3
能带理论:晶体中原子能级分裂
• 晶体中的电子作共有化 运动，所以电子不再属 于某一个原子，而是属 于整个晶体共有
• 晶体中原子间相互作用， 导致能级分裂，由于原 子数目巨大，所以分裂 的能级非常密集，认为 是准连续的，即形成能 带
• 电子总是先填充低能级， 0K时，价带中填满了电 子，而导带中没有电子
42
3.一次光刻
• 一次光刻出 双沟图形
43
4.脊波导腐蚀
选择性腐蚀到 四元停止层
44
5.套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
45
6.三次光刻：电极图形
46
7.欧姆接触
1. P面溅射TiPtAu 2. 减薄 3. N面 TiAu
47
端面镀膜
• 先解理成条 • 端面镀膜:高反膜\增透膜
半导体激光器原理与制造
Semiconductor laser diode Principle&Fabrication
1
主要内容
1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器
2
半导体物理基础知识
1. 能带理论 2. 直接带隙和间接带隙半导体 3. 能带中电子和空穴的分布 4. 量子跃迁
ηd = ΔP / ΔI
外微分量子效率并不是越大越好，如果太大，光功率输 出随注入灵敏度太高，器件容易被损坏。
35
工作特性
4. 峰值波长随温度的改变Δλb / ΔT：
• 对F-P-LD，当激光器的温度升高时，有源区的带隙 将变窄，同时波导层的有效折射率发生改变，峰值波 长将向长波长方向移动。约为0.5nm/℃ 。
4
导体 绝缘体 半导体
5
能带中电子和空穴的分布
导带中绝大多数电子分布在导带底。 Ef为费米能级，它在能带中的位置直观的标志着电子占据量子态的情况。 费米能级位置高，说明有较多能量较高的量子态上有电子。
6
能带中电子和空穴的分布
N型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
7
能带中电子和空穴的分布
2-晶格常数与 衬底匹配
16
半导体激光器的工作原理
基本条件：
1有源区载流子反转分布 2谐振腔：使受激辐射多
次反馈，形成振荡 3满足阈值条件，使增益
>损耗，有足够的注入 电流。
17
双异质结激光器
18
分别限制异质结单量子阱激光器
19
横模（两个方向）
• 半导体激光器通常是单横 模（基模）工作。
• 当高温工作，或电流加大 到一定程度，会激发高阶 模，导致P-I曲线出现扭折 （Kink），增加了躁声。
• 垂直横模 • 侧横模
• 垂直横模：由异质结各层 的厚度和各层之间的折射 率差决定。
20
横模（侧横模）
折射率导引激光器（Index guide LD）
• 1.强折射率 导引的掩埋 异质结激光 器（BH-LD）
21
横模（侧横模）
折射率导引激光器（Index guide LD）
2.弱折射率导引激光器： 脊波导型激光器 （RWG-LD）
间接带隙半导体电子跃迁时：始态和终态的 波矢不同，必须有相应的声子参与吸收和发 射以保持动量守恒，所以跃迁几率低。
13
半导体异质结
• 异质结的作用：
• 异质结对载流子的限 制作用
• 异质结对光场的限制 作用
• 异质结的高注入比
14
异质结对光场的限制作用
15
半导体激光器的材料选择
1-能在所需的 波长发光
效率降低，这些都会使阈值电流密度增加
33
工作特性
2.特征温度To（表征激光器的温度稳定性）：
测试：To = Δ T / ΔLn（Ith） 影响To的因素：限制层与有源层的带隙差Δ Eg 对InGaAsP长波长激光器，To随温度升高而减小
ΔEg
34
工作特性
3.外微分量子效率ηd （斜率效率）：
可以直观的用来比较不同的激光器性能的优劣。
• 对DFB-LD，激射波长主要由光栅周期和等效折射 率决定，温度升高时光栅周期变化很小，所以Δλb / ΔT 小于0.1nm /℃ 。
36
F-P-LD与DFB-LD的频率啁啾
37
工作特性
5.光谱宽度 6边模抑制比 7上升/下降时间 8串联电阻 9热阻
38
各特性的关系
39
百度文库
DFB-LD芯片制造
10
量子跃迁
非辐射跃迁： 1. 异质结界面态的复合 2. 缺陷复合：有源区都
是本征材料 3. 俄歇复合：对长波长
激光器的量子效率、 工作稳定性和可靠性 都有不利影响
11
• 特点：
量子跃迁
12
直接带隙和间接带隙半导体
直接带隙半导体跃迁几率高， 适合做有源区发光材料 （如GaAs，InP，AlGaInAs）
P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
8
量子跃迁
• 光的自发发射 （是半导体发光的基
础）
• 光的受激吸收 （是半导体探测器工
作的基础）
9
量子跃迁
• 光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生 一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体 激光器的工作原理基础。
22
横模（侧横模）
增益导引激光器(Gain guide LD)
条形激光器
23
几种典型的折射率导引激光器
24
远场特性
• θ⊥随有源区厚度及折射 率差的减小而减小。
• θ∥ 随有源区宽度的减小 而增大。
• 减小有源区的宽度，可 以使远场更趋向于圆形 光斑。
• 减小有源区宽度可以使 高阶模截止。
25
1. 一次外延生长 2. 光栅制作 3. 二次外延生长 4. 脊波导制作 5. 欧姆接触、减薄 6. 解理成条 7. 端面镀膜 8. 解理成管芯 9. TO-CAN
40
1.全息曝光 2.干法或湿 法刻蚀
1.光栅制作
41
2.二次外延生长
生长：
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层
纵模
• F-P腔激光器： 多纵模工作
• DFB激光器 单纵模工作
26
F-P腔激光器
27
28
DFB激光器
29
DFB-LD与DBR-LD
30
F-P-LD与DFB-LD的纵模间隔
31
DFB-LD的增益与损耗
32
工作特性
1.阈值电流 Ith
影响阈值电流的因素： 1. 有源区的体积：腔长、条宽、厚度 2. 材料生长：掺杂、缺陷、均匀性 3. 解理面、镀膜 4. 电场和光场的限制水平 5. 随温度增加，损耗系数增加，漏电流增加，内量子
5. 半导体异质结
6. 半导体激光器的材料选择
3
能带理论:晶体中原子能级分裂
• 晶体中的电子作共有化 运动，所以电子不再属 于某一个原子，而是属 于整个晶体共有
• 晶体中原子间相互作用， 导致能级分裂，由于原 子数目巨大，所以分裂 的能级非常密集，认为 是准连续的，即形成能 带
• 电子总是先填充低能级， 0K时，价带中填满了电 子，而导带中没有电子
42
3.一次光刻
• 一次光刻出 双沟图形
43
4.脊波导腐蚀
选择性腐蚀到 四元停止层
44
5.套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
45
6.三次光刻：电极图形
46
7.欧姆接触
1. P面溅射TiPtAu 2. 减薄 3. N面 TiAu
47
端面镀膜
• 先解理成条 • 端面镀膜:高反膜\增透膜
半导体激光器原理与制造
Semiconductor laser diode Principle&Fabrication
1
主要内容
1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5.面发射激光器
2
半导体物理基础知识
1. 能带理论 2. 直接带隙和间接带隙半导体 3. 能带中电子和空穴的分布 4. 量子跃迁