最新模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第九章
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
模拟电子技术基础(第四版)童诗白、华成英 教材9
当输入信号为正弦交流电时 微导通。 当 ui = 0 时，T1、T2 微导通。
第九章 功率放大器
当 ui ＞ 0 (↑ 至 ↓)， T1 微导通 → 充分导通 → 微导通； 充分导通 微导通； T2 微导通 → 截止 → 微导通。 微导通。 当 ui ＜ 0 (↓ 至 ↑)， T2 微导通 → 充分导通 → 微导通； 微导通； T1 微导通 → 截止 → 微导通。 微导通。 二管导通的时间都比输入信号的 半个周期更长， 半个周期更长，功放电路工作在 甲乙类状态。 甲乙类状态。
图9.1.5 OCL电路 电路
不同类型的二只晶体管交替工作， 不同类型的二只晶体管交替工作，且均组成射极输出形式的 电路称为“互补”电路； 电路称为“互补”电路；二只管子的这种交替工作方式称为 互补”工作方式。 “互补”工作方式。
五、桥式推挽功率放大电路 Balanced Transformerless（BTL电路） 电路） （ 电路
第九章 功率放大器
直流电源提供的直流功率不变 R/L(=RC//RL)上获得的最大 上获得的最大 交流功率P 交流功率 /Om为
1 ′ ′ P0′m = ( ) RL = I CQ ( I CQ RL ) 2 2
2
I CQ
即图中三角形QDE的面积 的面积 即图中三角形
图9.1.1输出功率和效率的图解分析 输出功率和效率的图解分析
希望输入信号为零时，电源不提供功率，输入信号 希望输入信号为零时，电源不提供功率， 愈大，负载获得的功率也愈大， 愈大，负载获得的功率也愈大，电源提供的功率也 随之增大，从而提高效率。 随之增大，从而提高效率。 变压器耦合乙类推挽功率放大电路 无输入信号， 无输入信号，三管截止 有输入信号， 有输入信号，三管交替 导通 同类型管子在电路中交 同类型管子在电路中交 替导通的方式称为“ 替导通的方式称为“推 工作方式。 挽”工作方式。 图9.13(a)变压器耦合乙类推挽功率放大电路 变压器耦合乙类推挽功率放大电路
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、（1）√（2）×（4）×（5）√二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1＝6VUO2＝5VUO6≈－2V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）AC（2）A（3）C（4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）IDZ=(UI−UZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第九章
第九章自测题一、选择合适的答案填入括号内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大( A )。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比；B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比；C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
(3) 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( BDE )。
A．βB．I CM C．I CBOD．U CEO E．P CM F．f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CESU，则最大输出功率P OM=( C )。
A.2()2CC CESLV UR-B.21()2CC CESLV UR-C.21()22CC CESLV UR-图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2所示，已知T l和T2的饱和管压降2CESU V=，直流功耗可忽略不计。
回答下列问题：(1)R3、R4和T3的作用是什么？(2)负载上可能获得的最大输出功率P om和电路的转换效率η各为多少？(3)设最大输入电压的有效值为1V。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？解：(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为：2()162CC CESomLV UP WR-==, 69.8%4CC CESCCV UVπη-=⋅≈(3)由题意知，电压放大倍数为：6max 116111.3221o u i R U A R U =+≥==⨯ ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
( √ )(3)当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大功耗应大于1W。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
模电答案童诗白版第九章
第九章 功率放大电路自测题一、（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C二、（1）消除交越失真。
（2）最大输出功率和效率分别为%8.694W 162)(CC CES CC L2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P πη （3），，且3.1113.11215max ≈+=≈=R R A U U A u io u R 1＝1k Ω，故R 5至少应取10.3 k Ω。
习题9.1 （1）× （2）√ （3）× （4）× × √ （5）× × √ √（6）× √ √9.2 （1）C （2）B （3）C （4）C （5）A9.3 （1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW 5.242)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）最大功耗 W 4.622.02.0L2CC oM Tmax =⨯=≈R V P P （3）输入电压 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U9.4 （1）U B1＝1.4V U B3＝－0.7V U B5＝－17.3V（2）V 3.17 mA 66.1B5I 2B1CC CQ -=≈=-≈u u R U V I （3）若静态时i B1＞i B2，则应增大R 3。
（4）采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适，也可只用三只二极管。
9.5 最大输出功率和效率分别为%8.694πW 42)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η9.6 应引入电压并联负反馈，由输出端经反馈电阻R f 接T 5管基极，图略。
R f ＝10 k Ω。
9.7 功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为W 122.0V 342A5.0L2CC Tmax CES CC max CE L CESCC max C ≈⨯≈=-==-=R V P U V U R U V I9.8 （1）最大不失真输出电压有效值V 65.82)(CES CC L 4L om ≈-⋅+=U V R R R U （2）负载电流最大值A 53.1L4CES CC Lmax ≈+-=R R U V i （3）最大输出功率和效率分别为%644πW 35.92CC 4CES CC L2om om≈--⋅=≈=V U U V R U P R η9.9 当输出短路时，功放管的最大集电极电流和功耗分别为W46πA 26422Tmax 4CES CC Cmax ≈=≈-=R V P R U V i CC 9.10 （1）W 6.10)2( V 13L2Omax om Omax ≈=≈R u P u ， （2）引入电压串联负反馈。
模电-童诗白(第四版)课后题全解
模拟电子技术（第四版）童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
tttt1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)名校考研真题(功率放大电路)
第9章功率放大电路一、选择题乙类功率放大器，在工作时一定会产生（）。
[北京科技大学2011研]A．顶部失真B．底部失真C．频率失真D．交越失真【答案】D【解析】因为乙类状态是指晶体管在信号的正半周或者负半周导通，所以只是可能出现底部失真或顶部是真。
二、填空题1．在一甲乙类功率放大电路中，一个三极管导通的角度是190度，该电路的导通角是( )。
[北京邮电大学2010研]【答案】190°【解析】晶体管工作在甲乙类状态时导通角为180°～360°，即190°能够全部导通。
2．功放电路中采用自举电路的目的是为了_______(①减小交越失真；②平衡双向输出幅度)。
[中山大学2010研]【答案】②【解析】理论上甲乙类单电源互补对称电路可以使输出电压V o达到V CC的一半，但在实际测试中，V o远达不到V CC的一半。
其中重要的原因就需要一个高于V CC的电压，所以采用自举电路来升压。
二、计算分析题1．某OCL互补对称电路如图9-1所示，已知三极管VT1、VT2的饱和压降U CES＝1V，V CC＝18V，R1＝8Ω。
(1)计算电路的最大不失真输出功率P omax；(2)求每个电路的效率；(3)求每个三极管的最大管耗P T＝?(4)为保证电路的正常工作，所选三极管的U BR(CEO)和I CM应为多大[清华大学2004研]图9-1解：(1)电路为双端供电方式，最大不失真输出电压：(2)电路效率：(3)最大管耗：(4)当一个管子处于饱和状态，另外一个管子C—E间承受的电压接近2V CC，所以，U(BR)CEO>2V CC＝36V。
三极管额定最大工作电流为2．甲乙类功率放大电路如图9-2所示，已知VT1、VT2的U CES＝3V，U BE＝0.7V，R1＝4Ω。
(1)VT1、VT2、VT3、VD1、VD2的作用如何?(2)静态时U i＝0，U O＝?(3)选取VT1和VT2的P CM，U BR(CEO)，I CM；(4)求最大不失真输出功率P om和效率η。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答40p()
第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。
GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
模电-童诗白课后题全解
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2） 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
（1）S闭合。
（2）
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
解：由于 ，所以 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
电路如图所示，晶体管β=100， =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
ID＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～Ω。
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
RL=∞时； 图
RL=3kΩ时；
输出电阻：
电路如图所示，晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和
《模拟电子技术基础教程》华成英_第九章习题解答
下载可编辑U HA浪形的发生与变换电路9. \判朗卜列说法的正、淇、在相竝的括峥内细**7"表卞证鹽’圖严><”左朋镇谀.(1>只豐満足正弦波扳躋的柯位杀幷*哂路就一定能撮荡.( )4｝正孫玻振荡电賂缭特旅荡的輛侑衆件是( )估)只罄引人了正反惯•电路就一定能产主止弦波振荡.< )(4｝只耍引人『负反馈，电路就一定不能产生正葱疲梅荡* c )<5)止弦波振殊临路需善非线性歼为的驗因込要稳定扳荡幟魄*( >(6> LCjE^SJta电爵不采用通用取集成运枚怜为族大电路的原冈臭囲北匕限截It频率太低.< >(7) LC正弦波振禹电略-股采用分直元件亀成Jft丸电路•既作为草車放大(U爲又作为樹幅环节.< )H (1) X <2) V <3)X <4) X (5) 7 (6) V <7)J9U 现<!放大电路和选擴冏堵如下'选丼止确的答案填空.A.共射放先电路氐共筆放大电路C共基故大电路CX同相比觥运母电路 E. RC^KK网皓 E LCffJK网给G.石襄晶体(])制作魏率为20Hz-20kH3的自频信号发生电路•应选用…柞为墨本放大电路、______ 作为选H刚给・(2)制作牍那揃2Mlb〜20MH世的挂收机的本机摄斑痔*应选用 ______________ 或____ 作为尊本放大电路,_______ 作为透牖网堵.(3)严生疑幸为阳OMH J!*900MHt的高極载渡信号*城选用__________ 柞为基本放大电略、______ 作为选髓网堵.(4)制作频牵为2CJMH T常稳宦的测试用信号应选用_ _ _ 柞为基卑楝丸电賂、_ _ _作为选卿网堺.解(1) D*E (2) A 或C,P (3) C,F U) C.G9,3选料瞇(1)设放大借数为人•反馈系数为A正弦波眼荡也賂产生自激撮務的条件是_・负反憬隸大电路产生目藏抿翡的乗件壘_ 。
第9章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
第9章直流稳压电源解答：9.1 电源变压器整流电路滤波电路稳压电路9.2 基准电压取样电路比较放大电路调整器件9.3 电网交流电压负载电流9.4 a9.5 b9.6 d9.7 （√）9.8 （√）9.9 （√）9.10解答：硅稳压管的稳压电路特点是属于并联型稳压电路，输出电压不能调节，能供给负载电流变化范围小，稳压精度不高，适用于固定的电压和轻负载的稳压电路。
串联型具有放大环节稳压电路特点，输出电压可调，负载电流变化范围较大，稳压精度较高，适用于电源稳压值可调，负载较大的稳压电路。
9.11解答：输入直流电压I 21.2 1.218V 21.6V U u ==⨯=，I max I 1.1 1.121.6V U U =⨯=⨯ 23.76V =；I min I 0.90.921.619.44V U U =⨯=⨯=。
由式I m in O I m ax O Z m in O m axZM O m inU U U U R I I I I -->>++19.44623.7665303810R -->>++ 得 384 Ω>R >370Ω9.12解答：（1）三极管T 组成射极跟随器电路，故O Z BE (8.20.7)V 7.5V U U U =-=-=。
（2）I I (10%)0.112 1.2V U U ∆=±=±⨯=± ，这电压通过R 1和Z r 上分压，反映跟随器的输出为Z O I1Z151.2V 0.0235V 23.5m V75015r U U R r ∆=∆=±=±=±++；O O0.02350.31%7.5U U ∆±==±。
（3）若O Z O BE B C CE U U U U I I U ↑↑↓↓↓↑→-=→→→，而趋于稳定。
O U↓9.13解答：（1）电路如图题解9.13所示。
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第9章功率放大电路自测题一、选择合适的答案填入括号内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大( A )。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比；B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比；C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
(3) 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( BDE )。
A．βB．I CM C．I CBOD．U CEO E．P CM F．f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CESU，则最大输出功率P OM=( C )。
A.2()2CC CESLV UR-B.21()2CC CESLV UR-C.21()22CC CESLV UR-图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2所示，已知T l和T2的饱和管压降2CESU V=，直流功耗可忽略不计。
回答下列问题：(1)R3、R4和T3的作用是什么？(2)负载上可能获得的最大输出功率P om和电路的转换效率η各为多少？(3)设最大输入电压的有效值为1V。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？解：(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为：2()162CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (3)由题意知，电压放大倍数为：6max 116111.3221o u i R U A R U =+≥==⨯ ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
( √ )(3)当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大功耗应大于1W。
( × )(4)功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是①都使输出电压大于输入电压；( × )②都使输出电流大于输入电流；( × )③都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
( √ )(5)功率放大电路与电压放大电路的区别是①前者比后者电源电压高；( × )②前者比后者电压放大倍数数值大；( × )③前者比后者效率高；( √ )④在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大。
( √ )(6)功率放大电路与电流放大电路的区别是①前者比后者电流放大倍数大；( × )②前者比后者效率高；( √ )③在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。
( √ )U=3V，V CC=15V，R L=8Ω，9.2已知电路如图P9.2所示，T1和T2管的饱和管压降CES选择正确答案填入空内。
(1)电路中D1和D2的作用是消除( C )。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真(2)静态时，晶体管发射极电位U EQ( B )。
A.>0B.=0C.<0(3)最大输出功率P OM( C )。
A.≈28WB.=18WC.=9W 图P9.2(4)当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压(下管可能因饱和而烧坏)。
A.为正弦波B.仅有正半波C.仅有负半波(此处供选答案应改为(5)的供选答案)(5)若D1虚焊，则T1管( A 、B )。
A.可能因功耗过大而烧坏B.始终饱和C.始终截止9.3 电路如图P9.2所示。
在出现下列故障时，分别产生什么现象？（1）R1开路；（2）D1开路；（3）R2开路；（4）T1集电极开路；（5）R1短路；（6）D1短路解：（1）R1开路：T1截止，T2可能因饱和而烧毁。
（2）D1开路：T1、T2都可能因饱和而先后被烧毁。
（3）R2开路：T2截止，T1可能因饱和而烧毁。
（4）T1集电极开路：T1不工作，u O只有负半周。
（5）R1短路：T1可能因饱和而被烧毁，负载电阻也不安全。
（6）D1短路：会出现交越失真。
9.4 在图P9.2所示电路中，已知V CC =16V ，R L =4Ω，T 1和T 2管的饱和压降CES U =2V ，输入电压足够大。
试问：(1)最大输出功率P om 和效率η各为多少？ (2)晶体管的最大功耗P Tmax 为多少？(3)为了使输出功率达到P om ，输入电压的有效值约为多少？ 解：(1)最大输出功率和效率分别为2()24.52CC CES omLV U P W R -==， 69.8%4C C C E SCC V U V πη-=⋅≈(2)晶体管的最大功耗 2max0.20.2 6.42CCT om LV P P W R ⨯≈==(3)输出功率为P om 时的输入电压有效值 9.92CC CESi om V U U U V -≈≈≈9.5 在图P9.5所示电路中，已知二极管的导通电压为U D =0.7V ，晶体管导通时的0.7BE U V =，T 2和T 3管发射极静态电位U EQ =0V 。
试问：(1)T 1、T 3和T 5管的基极静态电位各为多少？(2)设R 2=10kΩ，R 3=100Ω。
若T 1和T 3管基极的静态电流可以忽略不计，则T 5管集电极静态电流约为多少？静态时I u =？(3)若静态时i B1>i B3,则应调节哪个参数可使i B1=i B3？如何调节？(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？解：(1)T 1、T 3和T 5管的基极静态电位分别为1 1.4B U V =； 30.7B U V =-；517.3B U V =-(2)静态时T 5管集电极电流：121.66CC B CQ V U I mA R -≈=；输入电压：517.3I B u u V ≈=-。
(3)若静态时i B1>i B3，则应增大R 2（调节R 2可以改变 输出端的直流电压）。
图P9.5(4)采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适，也可只用三只二极管。
这样一方面可使输出级晶体管工作在临界导通状态，可以消除交越失真；另一方面在交流通路中，D l 和D 2管之间的动态电阻又比较小，可忽略不计，从而减小交流信号的损失。
9.6电路如图P9.5所示。
在出现下列故障时，分别产生什么现象？ （1）R 2开路； （2）D 1开路； （3）R 2短路； （4）T 1集电极开路； （5）R 3短路。
解：（1）R 2开路：T 1 、T 2截止，T 4可能因饱和而烧毁。
（2）D 1开路：T 3、T 4都可能因饱和而先后被烧毁。
（3）R 2短路：T 2可能因饱和而被烧毁，负载电阻也不安全。
（4）T 1集电极开路：T 1 、T 2构成的复合管的放大倍数β=β2，信号正半周放大不足。
（5）R 3短路：会出现交越失真。
9.7在图P9.5所示电路中，已知T 2和T 4管的饱和压降CES U =2V ，静态时电源电流可以忽略不计。
试问：（1）负载上可能获得的最大输出功率P om 和效率η各约为多少？（2）T 2和T 4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各约为多少？解：（1）最大输出功率和效率分别为：2()42CC CES omLV U P W R -==， 69.8%4C C C E SCC V U V πη-=⋅≈（2）功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为：max0.5CC CES C L V U I A R -==；max 234CE CC CES U V U V =-=；2max 0.212CC T LV P W R ≈⨯≈9.8为了稳定输出电压，减小非线性失真，请通过电阻R f 在图P9.5所示电路中引入合适的负反馈；并估算在电压放大倍数数值约为10的情况下，R f 的取值。
解：应引入电压并联负反馈， 由输出端经反馈电阻R f 接T 5管基极， 如解图P9.8所示。
在深度负反馈情况下，电压放大倍数 11F ff O uf I I i R R u A u i R R -=≈=-, ∵10uf A ≈，11R k =Ω∴10f R k ≈Ω。
解图P9.89.9在图P9.9所示电路中，已知V CC =15V ，T 1和T 2管的饱和压降CES U =2V ，输入电压足够大。
求解：(1)最大不失真输出电压的有效值； (2)负载电阻R L 上电流的最大值； (3)最大输出功率P om 和效率η。
解：(1)最大不失真输出电压的有效值 4()/28.65Lo m C C C E SL R U V UV R R =⋅-≈+ (2)负载电流的最大值m a x 41.53CC CESL L V U i A R R -=≈+ 图P9.9(3)最大输出功率和效率分别为：29.35omomLU P W R =≈； 2460.3%4C C C E SL C C L V U R V R R πη⎛⎫-=⋅⋅≈ ⎪+⎝⎭9.10在图P9.9所示电路中，R 4和R 5可起短路保护作用。
试问：当输出因故障而短路时，晶体管的最大集电极电流和功耗各为多少？解：当输出短路时，功放管的最大集电极电流和功耗分别为m a x 426CC CES C V U i A R -=≈； 2m a x 2445.6CCT V P W R π=≈。
9.11在图P9.11所示电路中，已知V CC =15V ，T 1和T 2管的饱和压降CES U =1V ，集成运放的最大输出电压幅值为±13V ，二极管的导通电压为0.7V 。
图P9.11(1)若输入电压幅值足够大，则电路的最大输出功率为多少？(2)为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入哪种组态的交流负反馈？画出图来。
(3)若U i =0.1V 时，U o =5V ，则反馈网络中电阻的取值约为多少？解：(1)输出电压幅值和 最大输出功率分别为max 13O u V ≈；2max (/2)10.6O om Lu P W R =≈。
(2)应引入电压串联负反馈，电路如解图P9.11所示。
(3)在深度负反馈条件下，电压放大倍数为 解图P9.11 1150f ou iR U A R U =+==。
∵R l = 1k Ω，∴Rf =49k Ω。
9.12 OTL 电路如图P9.12所示。
图P9.12 图P9.13(1)为了使得最大不失真输出电压幅值最大，静态时T 2和T 4管的发射极电位应为多少？若不合适，则一般应调节哪个元件参数？(2)若T 2和T 4管的饱和压降CES U =3V ，输入电压足够大，则电路的最大输出功率P om和效率η各为多少？(3)T 2和T 4管的I CM 、U (BR)CEO 和P CM 应如何选择？解：(1)射极电位U E =V CC / 2 =12V ；若不合适，则应调节R 2。