(完整版)磁介质中的磁场
§7.6.2 磁介质中的安培环路定理
Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
L
(
B
0
M ) dl
I0i
( L内 )
令: H
B
0
M
称作磁场强度 ( A·m-1 )
H dl L
I0i
( L内 )
即
H
的安培环路定理。
§7.6 磁介质中的安培环路定理
即沿任一闭合路径磁场
强度的环路积分等于该 闭合路径所包围的自由 电流代数和。
M ?
js M eˆ n
js ?
·9 ·
Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
§7.6 磁介质中的安培环路定理
1. H 的安培环路定理:
H L
dl
I0i
( L内 )
2. H、B、M 间的关系:
Mp
m r 0
B,
B
H,
Mp
mH
( The end ) · 10 ·
H dl H 2 r I I
L
H 0
0 I 2 R12
r
( r R1 )
I
I 2 r
(R1 r R2 )
BH
R32 r 2 R32 R22
0 2
I r
(R2 r R3)
0
(r R3)
I
磁介质内:
H
I
2
r
M
p
m H
·4 ·
Chapter 7.6. 磁场中的磁介质
5有磁介质时的磁场
B
S N
磁通势
l Rm ; s
I
磁阻
Rm ; s m m Rm Rm
l 与电阻公式( R ) 对比: s s
l
Rm的由来
磁力线沿铁走,也可以解释为: 铁的磁阻率<<空气磁阻率
线度: m m至 m 原子数:1012~1015
磁畴
(二)用磁畴理论解释铁磁质的磁化 ①未磁化前
用晶粒 结构、 磁畴体 积和磁 化方向 解释
②起始磁化:线性→非线性→饱和 ③剩磁和矫顽力
④磁滞损耗
⑤消磁方法:震动,加热,交流电
四.铁磁质的分类及其应用
(一)软磁材料
纯铁,硅钢,坡莫合金(铁78%+镍22%)等
介质分子的磁矩 pm ( L S I )
等效为分子电流 (molecular current)
pm
.
B 9.27 10 24 Am 2 e s S me
原子核磁矩数值约为电子磁矩的 千分之一,在研究介质磁性时, 可以不予考虑。
特征: 磁滞回线“瘦”;用途:交变电磁场中
(二)硬磁材料
铁、钴、镍的合金等 特征: 磁滞回线“胖”;用途:制造永磁体
(三)矩磁材料
硬磁材料中的特例. 特征: 磁滞回线“矩形状”;用途:制造存储元 件
[例1]一均匀密绕细螺绕环,n = 103 匝/米, 4 I=2安, 充满 = 5 10 - 特· 米/安 的磁介质. 求:磁介质内的 H和 B .
n ( B2 B1 ) 0 ; n ( H 2 H 1 ) j线 ;
若j 线 0, 则 : 切向分量 法向分量 B 不连续 连续 连续 H 不连续
(完整版)有磁介质时磁场的计算
三、有磁介质时磁场的计算计算步骤:[例1] 均匀密绕的细螺绕环(环截面半径<<环半径)内充满均匀的顺磁质,磁介质的相对磁导率为μr 绕环有N 匝线圈, 线圈中通电流I 。
求环内的磁场强 度和磁感应强度。
解:·在环内任取一点P ,过P 点作一环路L 如图。
由对称形性知,L 上各点H 的大小相同,方向均沿切向;·由H 的环路定理,⎰ H ⋅d l = μ0NI 有 H ⋅2πr = μ0NI 得 ·因磁介质是均匀的顺磁质,其中B 0= μ0NI /2πr 是螺绕环内部为真空时,环内部的磁感强度。
可见,此题在充介质的情况下,磁感强度增大为环内为真空时的μr 倍。
[例2]一无限长直导线半径R 1,通电为I ,导 线外包有一圆柱状磁介质壳,设磁介质 为各向同性的顺磁质,相对磁导率为μr ,H =2πrμ0NIB =μ0μr H = =μr B 02πrμ0μr NI求:(1)磁介质内外的H 和B ; (2)磁介质表面的磁化电流。
解:(1)求H 和B ·求H ,磁介质壳内: 对称性分析→H 方向如图 取环路L ,由环路定理有 ⎰L H 内⋅d l =I H 内2πr = IH 内= I 2πr(R 1≤ r ≤R 2)j '外 断面图同样可得,磁介质壳外·求B , 方向同H 磁介质壳内磁介质壳外(2)求磁化电流 ·求M , 方向同H 磁介质壳内 M = (μr -1)H 内μ0I 2πrB 外=μ0 H 外=(=B 0)M =(μr -1)I 2πr (R 1≤ r ≤R 2)H 外= I 2πr(R 2≤ r ≤∞)μ0μr I2πr B 内=μ H 内= (>B 0)B 0=μ0I2πr—传导电流的场=μr B 0·求j ' , 方向如图 磁介质外表面I '外= j '外(2πR 2) = (μr -1) I磁介质内表面I '内= j '内(2πR 1) = (μr -1) I I '内和I '外方向相反如图。
磁介质的磁化及有磁介质存在时的磁场
2013/4/17
磁化强度矢量M和B的关系
磁介质磁化达到平衡后,一般说来,磁化
强度矢量M应由总磁感应强度B确定
BB
M和B之间的关系
0
B'
磁介质的磁化规律(通常由实验确定)
磁介质种类繁多,结构性质各异,磁介质中M
和B的关系很难归纳成一个统一的形式
线性磁介质
M kmB
非线性磁介质:
km
m 0
均与介 质性质 有关
M与介M质表n 面i'或磁M化t 电i' 流的面关磁化系电流密度
证明
在介质表面取闭合回路
穿过回路的磁化电流
I' i'l
b
b
a
M t dl
c
M=0
d
a
M dl a M dl b M dl c M dl d M dl
L
bc、da<< dl
M tl i' l M t i' 得证
以“分子电流”模型取代磁荷模型,从根 本上揭示了物质极化与磁化的内在联系
其实在安培时代,对于物质的分子、原子 结构的认识还很肤浅,电子尚未发现,所 谓“分子”泛指介质的微观基本单元
继续
2013/4/17
“磁荷”模型要点
磁荷有正、负,同号相斥,异号相吸 磁荷遵循磁的库仑定律(类似于电库仑定律) 定义磁场强度 H为单位点磁荷所受的磁场力 把磁介质分子看作磁偶极子 认为磁化是大量分子磁偶极子规则取向使正、负
附加场反过来要影响原来空间的 磁场分布。
各向同性的磁介质只有介质表面 处,分子电流未被抵销,形成磁 化电流
2013/4/17
磁化电流与传导电流
传导电流
第15章磁介质
第15章磁介质一、物质的磁化1、磁介质中的磁场设真空中的磁感应强度为的磁场中,放进了某种磁介质,在磁场和磁介质的相互作用下,磁介质产生了附加磁场,这时磁场中任意一点处的磁感应强度2、磁导率由于磁介质产生了附加磁场磁介质中的磁场不再等于原来真空中的磁场,定义和的比值为相对磁导率:介质中的磁导率:式中为真空中的磁导率3、三种磁介质(1)顺磁质:顺磁质产生的与方向相同,且。
略大于1(2)抗磁质:抗磁质产生的与方向相反,且。
略小于1(3)铁磁质:铁磁质产生的与方向相同,且。
远大于1二、磁化强度1、磁化强度定义为单位体积中分子磁矩的矢量和即:2、磁化强度与分子面电流密度的关系:式中为磁介质外法线方向上的单位矢量。
3、磁化强度的环流即磁化强度对闭合回路的线积分等于通过回路所包围面积内的总分子电流三、磁介质中的安培环路定律1、安培环流定律在有磁介质条件下的应用即:2、磁场强度定义为:3、磁介质中的安培环路定律:4、应用磁介质中的安培环路定律的注意点:(1)的环流只与传导电流有关,与介质(或分子电流)无关。
(2)的本身()既有传导电流也与分子电流有关。
既描写了传导电流磁场的性质也描写了介质对磁场的影响。
(3)要应用磁介质中的安培环路定律来计算磁场强度时,传导电流和磁介质的分布都必须具有特殊的对称性。
5、磁介质中的几个参量间的关系:(1)磁化率(2)与的关系(3)与等之间的关系四、磁场的边界条件(界面上无传导电流)ေ、壁介蔨分界面伤边磁感应强度的法向分量连廭,即Ҩ2、磁介谨分界面两龹的磁场强嚦纄切向分量连续,即:Ƞ3 磃感应线的折射定律ā*怎义如图15-1所示)五、铁磁物贩q、磁畴:电子ꇪ旋磁矩取向相同的對区域。
2、磁化曲线(图55-2中曲线)ေ磁导率曲线(图15-2中??曲线)4、磁滞回线ေ图17耩3)图中乺矫끽嚛㠂5、铁磁质与非铁㳁质的主要区别:铁磁物质产生的附加磁场错误!未定义书签。
的比原来真空中的磁场大得多。
磁介质中的磁场
抗磁材料无固有磁矩,在外磁场的作用下,磁
体内任意体积元中大量分子或原子的附加磁矩的矢
量和
pm
有一定的量值,结果在磁体内激发一个和
外磁场方向相反的附加磁场,这就是抗磁性的起源。
4. 顺磁质的磁化
顺磁材料在外磁场作用下,原先方向杂乱无章 的分子磁矩转向外磁场方向,因而在宏观上呈现出 一个与外磁场同向的附加磁场,这就是顺磁性的起 源。
有磁介质时的
L H dl Ii i
安培环路定理
磁介质中的安培环路定理:磁场强度沿任
意闭合路径的线积分等于穿过该路径的所有传导电
流的代数和。
表明:磁场强度矢量的环流和传导电流I有关,而 在形式上与磁介质的磁性无关。其单位在国际单位制
中是A/m.
注意:(1)H是总磁场强度,既包括外磁场的贡献, 也包括磁化后的磁介质对磁场的贡献。
(2)对I 的求和并不包括束缚电流,因为束 缚电流对磁场的贡献已经包含在中。
6
例1、 在均匀密绕的螺绕环内充满均匀的顺磁介质,
已知螺绕环中的传导电流为 I ,单位长度内匝数n ,环
的横截面半径比环的平均半径小得多,磁介质的相对磁
导率和磁导率分别为 和r。求环内的磁场强度和磁
感应强度。
解:在环内任取一点,
电介质
D 0r E
介质中的高斯定理:
D dS s
q0
(S内)
磁介质
B 0rH
介质中的安培环路定理:
H dl L
I0
(穿过L)
(1)对称性分析, 选高斯面
(1)对称性分析,选安培环路
求解思路
(2)由
D dS
s
q0
(S内)
(2)由
有磁介质时的磁场课件
磁场强度的计算公式
磁场强度的单位和物理意义
不同类型磁介质的磁场计算实例
铁氧体的磁导率与磁场强度的关系 硅钢片的磁导率与磁场强度的关系 空气的磁导率与磁场强度的关系
磁场计算中的注意事项
磁介质的磁导率是变化的,需要 考虑不同磁介质对磁场的影响。
磁场强度与距离有关,需要考虑 不同距离对磁场的影响。
磁场强度与电流有关,需要考虑 不同电流对磁场的影响。
变压器
利用磁介质可以制造变压器,实 现电能和磁能的转换。
电机
利用磁介质可以制造电机,实现 电能和机械能的转换。
磁介质在磁场中的局限性
温度稳定性差
磁介质的磁性能容易受到温度的影响,稳定性较 差。
机械强度低
磁介质在机械强度方面较低,容易受到外力的影 响。
成本较高
一些高性能的磁介质成本较高,价格较贵。
05
磁介质的物理性质
磁化
在磁场作用下,磁介质会 发生磁化现象,即产生磁 畴和磁矩。
磁滞
磁介质在交变磁场作用下 会产生滞后现象,即磁滞 。
退磁
当磁场减弱或消失时,磁 介质会失去磁性,即发生 退磁现象。
03
有磁介质时的磁场计算方 法
磁介质的磁场计算公式
01
磁介质的磁化强度矢量
02
磁介质的磁导率
03
04
07
参考文献及致谢
参考文献
教科书
《电磁学》
期刊论文
《磁介质在磁场中的行为研究》
网络资源
各类在线教育平台关于磁场和磁介质的教学视频
致谢
对指导教师表示衷心感谢,感谢他们在 课程设计、内容讲解和答疑解惑方面给
予的大力帮助。
对参与课件制作和资料整理的同学表示 感谢,感谢他们的辛勤付出和团队协作
磁介质中的磁场
磁介质中的磁场
顺磁质和抗磁质的区别就在于它们的分子或原子的电结构不同. 研究表明,抗磁质分子在没有外磁场作用时,分子的固有磁矩为零. 而顺磁质分子在没有外磁场作用时,分子的固有磁矩却不为零,但由 于分子的热运动,各分子的磁矩取向是杂乱无章的.因此,在没有外 磁场时,不管是顺磁质还是抗磁质,宏观上对外都不呈现磁性.
磁介质中的磁场
磁介质中的磁场
前面几节主要研究了真空中运动电荷或电流所激发的 磁场.而在实际情况下,还存在着各种各样的在磁场作用下 能出现响应并能反过来影响磁场的物质,这种物质称为磁 介质.电介质在外电场中将被极化,产生附加电场,使原有 电场发生变化.同样地,磁介质在外磁场的作用下,也会产 生附加磁场,使原有磁场发生变化,这种现象称为物质的 磁化.磁化过程使原来没有磁性的物质变得具有磁性,物质 的磁学特性是物质的基本属性之一.
磁介质中的磁场
图9- 43 磁化电流
磁介质中的磁场
无论是哪一种磁介质的磁化,其宏观效果都是在 磁介质的表面出现磁化电流.磁化电流和传导电流一样 要激发磁场,顺磁质的磁化电流方向与磁介质中外磁 场的方向成右手螺旋关系,它激发的磁场与外磁场方 向相同,因而使磁介质中的磁场加强.抗磁质的磁化电 流的方向与外磁场的方向成左手螺旋关系,它激发的 磁场与外磁场方向相反,因而使磁介质中的磁场减弱.
磁介质中的磁场
自然界所有的实物物质都是磁介质,磁介质对磁场的影响通常
都是通过实验测量的.现有一长直螺线管,在导线中通以电流I,测出
管内真空条件下的磁感应强度B0;然后保持电流I不变,将管内均匀 地充满某种各向同性的磁介质,再测出管内的磁感应强度B.实验结果
表明,B和B0的方向相同,大小不同,它们之间的关系可表示为
在此只讨论弱磁介质的磁化机理.实物物质分子或原子的 微观电结构理论表明,分子或原子中的每个电子都同时参与 了两种运动:一是电子绕核的轨道运动;二是电子本身的自 旋.电子的这些运动形成了微小的圆电流,这样的圆电流对应 有相应的磁矩,把两种对应的磁矩分别称为轨道磁矩和自旋 磁矩.一个分子中所有的电子轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和称 为该分子的固有磁矩,用符号Pm表示,它可以看成是由一个 等效的圆形分子电流产生的.
有磁介质存在时的磁场
N
S
磁介质表面出现磁化电流
B dl
L
0 (
I Is)
顺磁质磁化电流的磁场与外磁场方向
一致,抗磁质则相反
第十六章 有磁介质存在时的磁场
§16-4H矢量及其环路定理
一、磁介质中的安培环路定理
N
S
充满介质磁场
B rB0 (1)
真空中磁场环路定理
B0
dr
第十六章
0I
顺磁质:m >0 抗磁质:m <0 铁磁质:m很大
----强磁性物质 ----磁化率
第十六章 有磁介质存在时的磁场
§16-2 原子的磁矩
一、原子磁矩的经典模型:
原子内,核外电子绕核运动,
同形成时磁还矩有自m旋核也IS有e自旋运动,
I表示电流,S表示园面积
第十六章 有磁介质存在时的磁场
设电子的质量为me ,运动半径为r,
有磁介质存在时的磁场
(2)
(1)(2)可得:
B
r 0
dr
I
(3)
2、定义:H
B 0
r
B/
----磁场强度
令 0r
----磁介质的磁导率
第十六章 有磁介质存在时的磁场
H dl I 传导电流 L ----磁介质中的安培环路定理 H单位为安培/米(A/m)
结论:在有介质的磁场中, 任意闭合回路磁场强度的线积 分等于闭合回路包围的自由电 流的代数和。
任一体积元中,大量分子的附加磁矩 矢量和与外磁场反向,产生与外磁场 方向相反的附加磁场
----抗磁性产生的机理 附加磁矩是产生抗磁性的唯一原因
第十六章 有磁介质存在时的磁场
4.顺磁质的微观解释 加外磁场后,固有磁矩
2 磁介质中静磁场的基本定理
设电子轨道面各取向等几率,则电子在以r为半径的球面上等几率分 布,形成一均匀球面电荷,。各种轨道取向的电子以进动的平均效应等 效于球面电荷以自转,其磁矩为(试计算之)
由式(2)和可推出 (4)
式(1)和(4)是一般磁介质中的高斯定理和安培环路定理。
二、介质的磁化规律 1、非铁磁性各向同性磁介质:
M和H之间满足线性关系 (5)
代入式(3)可得磁介质性能方程 (6)
其中为磁化率,为(Байду номын сангаас对)磁导率。 该类磁介质可分为三小类:
a)真空: 。 b)顺磁质:~。 c)抗磁质:~ 2、非铁磁性各向异性介质: 均为对称二阶张量。 3、铁磁质:很大,M与H关系同磁化历史有关。类似于铁电体的电滞回 线,铁磁质有磁滞回线。图a和b分别是硬磁材料和软磁材料的磁滞回 线。
§5-2 磁介质中静磁场的基本定理
一、高斯定理和环路定理 1、B所满足的两定理: 设由传导电流I0和磁化电流I产生的磁感应强度分别是B0和,则总磁感 应强度为。均由真空中的毕奥—萨伐尔—拉普拉斯定律确定(为什 么?),因而它们均遵守真空中的高斯定理和安培环路定理:
所以B满足 (1)
(2)
2、磁场强度: 为使安培环路定理不出现磁化电流,以方便计算,引入辅助矢量 (3)
,, ,为真空中的倍。 以上两例的结果包含了一普遍结论,即无限均匀各向同性介质中的磁感 应强度为真空中的倍,原因是出现了与传导电流同方向的磁化电流:
*附1 顺磁效应的微观机制 设诸分子具有相同大小的固有磁矩,分子数密度为,的极角处于
~,方位角任意的分子数密度为,方向角处于~,~之中的分子数密度 为。
3安培力磁介质中的磁场解读
所以电子在做轨道运动的同时又绕外磁场做
进动,这称 作拉摩进动。拉摩进动产生一附 加磁矩 Pm ,与外磁场 B0 方向相反。
3、顺、抗磁质的磁化
•顺磁质分子是有矩分子,其具有固有磁矩
Pm
外加磁场时:
Pm Pm
分子的固有磁矩是产生顺磁效应的主要因素。
r1
•抗磁质分子是无矩分子 Pm 0
外加磁场时: 由于分子中各电子的拉摩进动,使每
1. 分子电流 分子磁矩 磁偶极子
分的子矢 中量所 和有 称电 为子分的子轨的道磁磁矩矩,和用自Pm旋表磁示矩。
pm
与 Pm 对应的等效圆电流称为分子电流。
2、电子的拉摩进动
以电子的轨道运动为例
n n
轨道运动磁矩:
Pm
ISn
e 2
r
2
n
1 Pm 2 evrn
轨道运动角动量:
L rmvn rmvn
L
L
例1 在均匀磁场中放置一半径为R的半圆形导线,电流强 度为I,导线两端连线与磁感强度方向夹角=30°,求此 段圆弧电流受的磁力。
解:在电流上任取 电流元 Idl
(b)
F Idl B
场均匀
(a)
(b)
Idl
I
a
ab 2R
b
B
=30°
I dl B Iab B
(a)
F I ab B sin IBR 方向 F
v0 V
2.磁化强度与磁化电流的关系
以长直螺线管内的各向同性磁介质磁化为例
可以证明
j M n^ I M dl
L
I j
类比电介质
p
n^
q P ds
n
S
大学物理-磁场中的磁介质_图文_图文
试 求(1)磁介质中任意点
I
P 的磁感应强度的大小;
(2)圆柱体外面一点Q
I
的磁感强度.
解
I I
同理可求
三 铁磁质
1 磁畴
有 外 磁 场
无外磁场
2 磁化曲线 磁滞回线
B/10-4T
15
ห้องสมุดไป่ตู้10
B=f (H)
5
θ
0
400
600 800 1 000 H/(Am-1)
顺磁质的B-H曲线
当外磁场由 逐渐减小时,这种 B 的变化落后于H的变 化的现象,叫做磁滞 现象 ,简称磁滞.
由于磁滞, 时,磁感强度 , 叫做剩余磁感强 度(剩磁).
O
磁滞回线 矫顽力
3 铁磁性材料 不同铁磁性物质的磁滞回线形状相差很大.
O
O
O
软磁材料
硬磁材料 矩磁铁氧体材料
4 磁屏蔽
把磁导率不 同的两种磁介质 放到磁场中,在 它们的交界面上 磁场要发生突变 ,引起了磁感应 线的折射.
磁屏蔽示意图
大学物理-磁场中的磁介质_图文_图文.ppt
2 顺磁质和抗磁质的磁化 分子圆电流和磁矩
顺磁质的磁化
无外磁场
顺磁质内磁场
有外磁场
无外磁场时抗磁质分子磁矩为零
抗磁质的磁化
同向时
抗磁质内磁场
反向时
3 磁化强度
分子磁矩 的矢量和
体积元
单位:
意义 磁介质中单位体积内分子 的合磁矩.
二 磁介质中的安培环路定理
分子磁矩
C
(单位体积分子磁矩数
)
传导电流 分布电流
B
C
A
D
磁场强度
磁场中的磁介质
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
一.磁介质
v v v' B = B0 + B
真空中的 磁感强度 介质磁化后的 附加磁感强度
磁介质中的 总磁感强度 顺磁质 抗磁质 铁磁质
v v B > B0 v v B < B0
v v B >> B0
(铝、氧、锰等) 锰等) (铜、铋、氢等) 氢等) (铁、钴、镍等) 镍等)
R1 < r < R2
v v ∫ H dl = I
l
r
d
I
R2
I 2 π rH = I H= 2πr 0 r I B = H = 2πr
R1
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质 §11-2. 磁介质中的安培环路定理、磁场强度 11磁介质中的安培环路定理、
R1 < r < R 2
I
B =
0 r I
弱磁质
§11-1 磁介质的磁化 磁化强度 11分子圆电流和磁矩
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
v m
I
B = B0 + B
'
顺 磁
Is
v B0
磁
无外磁场
有外磁场
§11-1 磁介质的磁化 磁化强度 11-
磁场中的磁介质 第十一 章 磁场中的磁介质
v 无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 m = 0 v v B0 v' B0 v m 抗 ω 磁 v 质 q v v v q F 的 F v' v 磁 v' m v m v 化 v m' ω
H
O
介质中的磁场
磁介质的应用主要有:发电机、电动机、变压 器中的铁芯、计算机中的记忆元件等。
本章主要研究磁化的宏观规律,重点是 磁场强度(magnetic intensity)和介质中的环 路定理,磁化的微观机理,铁磁质的磁化 规律。
r, B
B~H S
r ~ H
O
Hc
H
铁磁质中 B 和 r 随 H 的变化曲线
铁磁质的主要特点可归纳为:(1) 相对磁导率高(几 百到一兆);(2) 磁化曲线的非线性;(3) 磁滞。
2.铁磁质的应用
(1)利用铁磁质的非线性可制作铁磁功率放大器,铁 磁稳压器,铁磁倍频器,铁磁无触点开关等。
(2) 制造永磁铁──磁滞回线宽、剩磁大、矫顽力 大的材料—硬磁性材料。
所以 I M dl
L
对比 q P dS
s
§9-2 磁介质中的磁场
( Magnetic Field in Medium)
一、磁场强度 H, 磁介质中的安培环路定理
有磁介质时,I
I0
I
(
I0
是传导电流,I 是磁化电流)
B dl 0I 0(I0 I) 0(I0 M dl )
LL
dl SB
A
C
dl (a)
(b) n
前二种 (A)(B) 对 I 无贡献,只有 (C) 对 I 有贡献。
以 S在0为边底界面线,L作上斜任圆取柱一体线,元其体d积l,为以:ddV l为S轴0 线dl。,
凡中心在圆柱体内的分子电流都被
为
nS0
dl
,贡献为
dI ImnS0
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第十二章磁介质中的磁场一、基本要求1.了解顺磁质、抗磁质和铁磁质磁化的特点及磁化机理。
2.掌握有磁介质时的安培环路定理,确切理解磁介质中的磁感应强度、磁场强度和磁化强度的物理意义及其关系。
二、磁介质的磁化所谓磁介质的磁化是指在外磁场作用下,磁介质出现磁化电流的现象。
对于各向同性的均匀磁介质而言,磁化电流只可能出现在它的表面上。
1)磁化的微观机制分子电流:把分子看作一个整体,分子内各电子对外界所产生的磁效应的总和用一个等效的圆电流表示,这个圆电流称为分子电流。
分子磁矩:分子电流的磁矩称为分子磁矩,记为P→m分子a.顺磁质顺磁质分子的固有磁矩不为零。
无外磁场时,由于热运动分子磁矩的取向杂乱无章,在每一个宏观体积元内分子磁矩的矢量和为零,因而对外界不显示磁性。
在外磁场存在时,每个分子磁矩受到一力矩的作用,此力矩总是力图使分子磁矩转到外磁场方向上去,各分子磁矩在一定程度上沿外磁场方向排列起来,这就是顺磁质的磁化。
此时,顺磁质磁化后产生的附加磁场在顺磁质内与外磁场方向相同,显示了顺磁性。
b.抗磁质抗磁质的分子磁矩为零。
在无外磁场作用时不显示磁性。
在外磁场存在时,在外磁场作用下,使抗磁质分子产生与外磁场方向相反的感生磁矩,这就是抗磁质的磁化。
此时,抗磁质磁化后产生的附加磁场在抗磁质内与外磁场方向相反,显示了抗磁性。
应该指出:抗磁性在具有固有磁矩的顺磁质分子中同样存在,只不过它们的顺磁效应比抗磁效应强得多,抗磁性被掩盖了。
近代理论表明:铁磁质的磁性主要来源于电子自旋磁矩。
无外磁场时,根据量子力学理论,电子之间存在着一种很强的交换耦合作用,使铁磁质中电子自旋磁矩在微小区域内取向一致,形成一个个自发磁化的微小区域,即磁畴。
在未磁化的铁磁质中,各磁畴的自发磁化方向是杂乱无章的,所以在宏观上不显示磁性。
在不断加大的外磁场作用下,磁畴具有并吞效应,即磁化方向(亦磁畴磁矩方向)与外磁场方向接近的磁畴吞并附近那些与外磁场方向大致相反的磁畴,直至全部吞并。
若继续加大外磁场,则使并吞后保留下的磁畴的磁矩逐渐转向外磁场方向,直至所有磁畴的磁矩取向与外磁场方向相同,此时磁化达到饱和,因而产生强的附加磁场,这就显示了很强的磁性。
2)磁化强度a.磁化强度的定义在磁介质中,单位体积内分子磁矩的矢量和,即V m m ∆∑=/分子磁化强度是描述磁介质磁化状态的物理量。
亦描述磁介质的磁化程度和磁化方向。
b.磁化强度与磁介质表面的磁化电流面密度的关系。
m ⨯=为由磁介质内指向磁介质外的法线方向单位矢量。
上式表明,磁介质表面磁化电流面密度在数值上等于m 在磁介质表面的切向分量,其方向与m 及外法线的垂直且成右手定则关系。
它是反映磁介质表面磁化电流面密度与磁化强度之间的重要公式。
磁化强度和磁化电流的普遍关系∮i mI l d P '∑=⋅即磁化强度沿任意一闭合回路的积分等于穿过此积分回路围成的面积上的磁化电流强度的代数和。
3)磁介质中的总磁感应强度'0+=式中0B 为外磁场,即传导电流产生的磁感应强度;'B 为附加磁场,即磁化电流产生的磁感应强度。
4)磁介质的磁化规律对于各向同性的非铁磁质有m m χ=式中χm 为磁介质的磁化率,它与相对磁导率μr 的关系为1+χm =μr 。
应该指出:a.上式只对各向同性的非铁磁质成立。
所谓各向同性的磁介质是指沿各方向的磁学性质相同的磁介质。
即外磁场沿不同方向作用时,磁介质的磁化状态(磁化程度相同,磁化方向均沿外磁场方向(或相同,或相反))。
在这里也指χm (或μr )不随方向而变。
b.磁场强度H →必须是所求P →m 处的总磁场强度,包括传导电流和磁化电流的磁场。
Lχm >0的介质称为顺磁质,χm <0的介质称为抗磁质。
对这两类磁介质,|χm |<<1。
c.对于铁磁质,严格说来,上式不成立,其原因在于:在铁磁质中,P →m 与H →的关系不是线性的,χm 不是常数,而是H 的函数,即χm =χm (H)。
χm 很大(102~106)。
在铁磁质中,P →m 与H →的关系不是单值的,由于磁化历史不同,一定的H →可以对应不同的P →m 。
但在实际中,对于各向同性的软磁质,在一定的磁场范围内,形式上也可以运用m m χ=关系式,但凡说到χm 的具体数值时,都是对一定的磁场而言。
2.磁介质中稳恒磁场的基本性质 1)磁介质中的高斯定理0=⋅⎰⎰Sd上式表明:磁介中的磁场是无源场。
2)磁介质中的安培环路定理∮L iId 0∑=⋅即在稳恒磁场中,磁场强度沿任意一闭合回路的积分等于穿过此回路内的传导电流的代数和。
应该指出:a 在各向同性的均匀磁介质中,当磁场分布具有一定对称性时,求磁场的分布,可无需考虑磁化电流,而直接运用磁介质中的安培环路定理先求H →,然后利用μ=求,这可使有磁介质存在时磁场的计算大为筒化。
但应注意:只有在传导电流分布具有一定对称性且各向同性的均匀介质充满磁场所在的空间或介质表面几何形状对称的条件下(亦即满足磁场分布具有一定对称性),方可用安培环路定理求磁介质中的磁感应强度。
对于各向同性的均匀软铁磁质,在己知外磁场作用下的μ(或μr )值,且满足磁场分布具有一定对称性的条件,也可以利用环路定理求。
b.在环路定理中,H →的环流只与传导电流有关,而与磁化电流无关。
但并非说明H →只与传导电流有关。
一般说来,H →不仅与传导电流有关,而且也与磁化电流有关。
c.磁介质中的安培环路定理说明磁场是非保守场,即有旋场。
3)、P →m 和H →三者之间的关系及物理意义m P H -=μ或)(0m P H H +=μ为磁场强度H →的定义式。
当然这一关系式对任何磁介质都是普遍适用的。
a. 、P →m 、H →的物理意义为磁介质中的总磁感应强度,它是由传导电流和磁化电流共同激发的,它有特定的物理意义。
确定磁场中运动电荷或电流所受的力是,而不是H →。
它是刻画磁场性质的物理量,与静电场中的场强E →相当。
P →m 表示在磁介质中,单位体积内的分子磁矩的矢量和。
它是描述磁介质磁化状态的物理量,即表示磁介质中各点磁化的程度和磁化的方向,它仅与磁化电流有关。
磁化电流所产生的磁场就是μ0P →m 。
H →无直接的物理意义,是一个辅助矢量,只是为了在磁介质中计算磁感应强度的方便而引入的物理量。
它与静电场中的D →相当。
一般说来, H →与传导电流和磁化电流有关。
但当传导电流周围无限地充满各向同性的均匀磁介质(或磁介质表面几何形状对称)时, H →仅与传导电流有关。
b. 、P →m 、H →之间的关系 普遍关系:)(0m +=μ若用0表示传导电流在真空产生的磁感应强度,表示磁介质中的总磁感应强度。
在真空中∵P →m =0 ∴00B H B ==μ 在各向同性的非铁磁质中∵P →m =χ→m H → ∴r m m μμμχμχμ==+=+=000)1()( 若各向同性的均匀的非铁磁介质充满磁场不为零的空间,此时,H B B H H B r r 0000μμμμμ==== 在各向异性的磁介质中或铁磁质中,一般地说,普遍关系式)(0m +=μ仍然成立。
但m m χμ≠≠,。
在这里需要指出的是:当外加磁场很小时,大多数未磁化过的铁磁质中,B 与H →的关系仍是线性的、即μ=。
另外,在实际中,对各向同性的软铁磁质,即μ不是常数,在形式上也可采用μ=关系。
但必须注意,凡说到μ的具体数值、都是对一定的磁场而言。
4.铁磁质的磁化规律铁磁质的磁化特点可由起始磁化曲线和磁滞回线得到。
由起始磁化曲线可知: a.铁磁质磁化时,B 与H 或P m 与H 之间的非线性性,χm 或μ不是常数;b.磁饱和性;当继续增大外磁场时,铁磁质的磁化达到饱和,此时的磁感应强度,磁化强度分别称为饱和磁感应强度、饱和磁化强度。
由磁滞回线可知:a.有磁滞现象,即B 或P m 的变化总是落后于H 的变化。
b.非单值性:即B 或P m 和H 不仅是线性的,而且也不是单值的,B 和P m 的数值除了与H 有关外,还取决于铁磁质的磁化历史。
c.有剩磁现象。
d.有磁滞损耗。
磁带回线所包围的面积代表在一个反复磁化的循环过程中,单位体积铁芯内损耗的能量。
三、解题方法本章的中心问题是围绕着求磁介质中的磁场分布,其分析问题和处理问题的方法与在电介质中求电场的分布相似。
具体说来,求磁介质中磁场分布的方法和步骤如下:1.利用毕奥——萨伐尔—拉普拉斯定律和磁场迭加原理求。
其步骤如下:1)运用公式⎰⨯=Lrd I 30004πμ计算传导电流I 0在场点所产生的磁感强度0; 2)运用公式⎰⨯=Lr l d I 30'4'πμ计算磁化电流'I 在场点所产生的磁感应强度'。
必须注意:a.在计及了磁化电流'I 后,就应将其磁介质去掉,视为在真空中求'0B B 、。
b.在求'0时,若能用第十一章中常用例题的公式可直接引用之。
磁化电流'I 是间接告诉的,如己知磁化强度m 的分布,宜应利用磁化强度与磁化电流的关系,需先求磁化电流'I 的分布,再求'B 。
C.当各向同性的均匀介质充满磁场不为零的空间时,可利用⎰=Lr x d I 304πμ求总磁感应强度B 。
3)利用磁场迭加原理、求拟求场点的总磁感应强度即:'0+=应该指出:在己知传导电流和磁化电流分布的条件下,原则上可用此种方法求任何电流的磁场。
但由于磁化电流无法测定,又若电流分布未知,或太复杂,以致使问题求解十分困难,甚至不可能。
所以实际上并非所有问题都可利用此种方法求解。
2.利用安培环路定理利用磁介质中的安培环路定理求的步聚与第十一章所述的基本相同。
即1)首先分析磁场分布的对称性是判断能否用安掊环路定理求磁感应强度B 的关键。
只有传导电流分布具有一定的对称性、且各向同性的均匀磁介质充满磁场不为零的空间、或磁介质表面几何形状对称时,方可用安培环路定理求。
2)若磁场分布具有一定的对称性,则选取适当的安培环路通过场点,使计算H 矢量的环流时,H 能从积分号内提出来。
3)计算沿所选取安培环路的矢量的环流及穿过该环路传导电流强度I 0i 的代数和,由安培环路定理求出H 。
4)利用μ=之关系,求出B 。
四、解题示例例1:如例1图所示是一根沿轴向均匀磁化的细长永磁棒,磁化强度为m 。
求图中标出各点的和。
其中4、5及6、7分别是紧靠端面的内外两点。
解:因无传导电流存在,所以传导电流所产生的磁场0=0。
由磁场迭加原理:''0=+=,即求永磁棒内外各点的磁场就变为求永磁棒的磁化电流所产生的磁场。
例1图欲求磁化电流所产生的'B ,就必须知道其磁化电流的分布。