安华高科技开发完整射频前端解决方案

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Avago Technologies(安华高科技)推出采用超薄ChipLED表面封装的经济型环境亮度传感器

Avago Technologies(安华高科技)推出采用超薄ChipLED表面封装的经济型环境亮度传感器

Avago Technologies(安华高科技)推出采用超薄ChipLED 表面封装的经济型环境亮度传感器传感器的封装高度仅为0.55mm,支持更薄的手机设计AvagoTechnologies(安华高科技)宣布为手机、消费电子、商用和工业产品领域推出一款外形更轻薄短小的创新型模拟输出环境亮度传感器。

AvagoTechnologies(安华高科技)APDS-9003 传感器采用微型6 针型ChipLED 无铅表面封装,产品尺寸仅为1.6mmx1.5mmx0.55mm。

AvagoTechnologies(安华高科技)的环境亮度传感器可检测周围环境亮度的状况,并将信号传送给便携式设备,以根据需要打开或关闭显示屏的背光和键盘灯,从而为手机、PDA、笔记本电脑、便携式DVD 播放机、MP3 播放机、便携式摄像机和数码相机节省电池功耗。

在大屏幕显示应用中,APDS-9003 可降低LCD 亮度,以减轻刺眼现象,并且延长显示屏的寿命。

AvagoTechnologies(安华高科技)的环境亮度传感器同样也可以用于打开或关闭室内和室外照明灯、路灯、电子标志和信号等。

AvagoTechnologies(安华高科技)中国及香港地区总经理李艇先生表示:“我们的ChipLED 亮度传感器在广泛的应用领域中实现了大幅节省电池功耗的功能,包括对价格和产品尺寸都非常敏感的手机应用。

新型超薄APDS-9003 是目前应用于更薄型手机和其它便携式设备的理想产品,它实现了许多制造商所期待的设计规格。

” APDS-9003 可在2.4V 到5.5V 扩展电压范围内工作,而与其相竞争的产品对电压的最低要求为2.7V。

它还可以在100lux 的照明度下提供135mA 的照明电流以确保驱动控制电路,其工作温度范围为-40℃到+85℃。

AvagoTechnologies(安华高科技)环境亮度传感器有一个非常匹配的亮度传感器,它不但具有接近人眼仿真响应的卓越反应能力,而且可提供高线性度的输出来调节显示屏或键盘的背光灯。

加州大学开发出全球最小的激光器元件

加州大学开发出全球最小的激光器元件
RoH S 指令的封装, 每 3, 000 片批量的预算单价为 0. 80 美元。
江 兴 摘
加 州 大学 开 发 出全 球 最小 的 激 光器 元 件
美国加州大学 (U C ) 伯克利分校开发出了全球最小的半导体激光器。 利用电 子和光在金属表面上结合的表面等离子体现象, 将发光部的尺寸降至振荡波长 的 1�20 以下。这有利于大幅扩大光通信的通信容量及电路光化。论文刊登在了 2009 年 8 月 30 日号版的 《N a tu re》 上。
这整体集成的解决方案精简便携电子产品的设计, 不需使用外部元件—— 迄今为止——设计人员需要采用外部元件来保护易受影响的便携设备, 使其免 受源于墙式适配器及附件、 不适合的修配用零件市场的交流2直流 (A C 2 DC ) 适 配器以及某些U SB 线缆中因极性反向导致问题的电气浪涌损伤。 新的N CP 370 提供高达+ 28 伏 (V ) 的正向保护和低至- 28 V 的负向保护, 显著改善便携设备的前端保护。 这颗器件采用创新的架构, 还为连接在底部连 接器以锂离子电池供电的外部附件提供O CP。 N C P 370 集成了低导通阻抗 (R o n) 的N 沟道M O SFET , 有效支持便携电子 产业最新的锂离子电池充电电平所要求的高达 1 . 3 安 (A ) 的较大直接充电流。
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此次从事开发的是加州大学伯克利分校机械工程学教授张翔的研究组。具 体是在银 (A g) 薄膜上通过厚 5 nm 的绝缘层制作载有直径约 100 nm 的硫化镉
(CdS ) 纳米线的元件。对其照射激发光, 在银层部的尺寸只有发光波长的约 1�20。 过去, 发光元件的尺寸一般最小为光波长的 1�2 左右。 不过, 当出现表面等 离子体时, 对元件尺寸的限制会减小, 很多研究者正在利用这一现象致力于激 光器元件的小型化。 但是, 受电阻等影响, 面临的课题是即使出现表面等离子 体, 也会立即逸散。 此次, 张翔的研究组通过在纳米线与银层之间的 5 nm 厚绝缘层中储存光能 量来降低逸散, 从而获得了激光器振荡需要的受激发射。不仅如此, 还成功将光 放大至激发光的 6 倍。

如何应对导致无线电灵敏度下降的诸多原因

如何应对导致无线电灵敏度下降的诸多原因

如何应对导致无线电灵敏度下降的诸多原因作者:Arnoldas Bagdona,富昌电子现场应用工程师零中频(零差)接收机在无线电接收机中日益普遍,与旧的和更复杂的架构相比,它提供了几个显著优点。

但由于各种原因的影响,零中频接收机(I F =中频)的灵敏度有所降低。

在了解其灵敏度降低的原因之后,设计工程师就能够采取对应措施,确保其电路拥有可靠的无线电接收功能和足够的范围。

在本文中,富昌电子的现场应用工程师Arnoldas Bagdonas描述了导致零中频接收机灵敏度降低的主要机制,并提出了一些建议的技术和元器件,以帮助开发人员避免受其影响。

零中频接收机:一种普遍选择由于以下三个主要原因,零中频接收机赢得了系统设计人员的支持:当在发送和接收模式之间切换时,它不需要收发器的本地振荡器(LO)改变频率。

这意味着模式之间的转换非常快速。

与传统的超外差接收机结构相比,零中频接收机的零差结构不会产生一个“镜像频率” –一个等于所需频率加上两倍中频的不期望的输入频率。

如果不进行处理,镜像频率会干扰无线电接收。

因此,超外差接收机需要镜像抑制,通常是通过在射频前端增加额外的滤波电路来实现。

而零差接收机则不需要镜像抑制。

最重要的是,信号处理发生在数字领域,这有利于降低系统成本。

当采用匹配的滤波和同步检测技术时,它还支持有效的解调操作。

有关零中频无线电系统的操作和设计的文献相当广泛。

但是,本文第一次给出了这些电路中导致灵敏度降低的机制的完整概述,如图1所示。

它表明,零中频收发机灵敏度降低有两个主要原因:接收机和发射机不匹配,以及接收机侧增加的噪声基底。

图1:显示零中频接收机灵敏度降低的原因的故障树图发射机- 接收机不匹配所发射的信号的频谱和接收机的带宽之间不匹配会导致灵敏度的降低,因为所发送的能量的某些部分不能进入接收机的通带中。

这种情况最常见于系统原型设计的早期阶段,通过分析所选调制参数和方案对运营商频谱的影响可以立即修复此问题。

Avago推出创新的WaferCap芯片级封装技术

Avago推出创新的WaferCap芯片级封装技术

Avago推出创新的WaferCap芯片级封装技术Avago Technologies(安华高科技)今日宣布取得封装技术的突破性进展,推出将无线应用芯片微型化并提升高频性能表现到更高层次的创封装技术。

Avago 创新的WaferCap 是业内第一个基于半导体的芯片级封装(CSP, Chip Scale Packaging)技术,具有让SMT 封装达到100 GHz 频率范围的潜力,WaferCap 芯片级封装拥有和0402 器件相同的尺寸,可以节省射频器件占用印刷电路板空间超过50%以上。

目前尺寸大小为1.0 mm x 0.5 mm,高度仅0.25 mm,采用WaferCap 封装的器件可以降低任何组装的厚度,超小型的产品尺寸和WaferCap 芯片级封装技术所带来的高性能表现为器件安排带来更高的灵活度,可以改变射频应用设计工程师对各种不同无线应用产品设计的视野。

Avago 是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。

Avago 的新WaferCap 芯片级封装技术让高频器件可以使用标准半导体工艺技术高性价比地进行批次封装。

通过WaferCap,器件下方和电路上方的空气间隙使得它可以达到更高的频率范围,采用贯孔方式更节省了昂贵并且会造成效能限制的打线动作。

此外,封装衬底(substrate)和射频MMIC 间的直接接触更可以通过缩短射频信号路径和提供更小阻抗,带来比传统SMT 设计更好的射频性能表现。

它并通过移除中介封装改善由器件到组装的导热效果,更好的散热条件和更少的打线连线数将可大幅度地提高器件的可靠度。

WaferCap 芯片级封装的超微型化优势可以节省器件周遭所需的器件数,大量节省射频设计占用的印刷电路板空间,并为射频器件位置安排带来新的灵活度,在封装过程中不再需要打线,带给器件可以适用多种不同射频应用架构中不同位置的高灵活度和简化能力。

由于在组装上可以使用标准的表面贴装技术,因此不需特殊工具,器件。

安华高推出整合高性能GPS前端模块和

安华高推出整合高性能GPS前端模块和

安华高推出整合高性能GPS前端模块和
安华高推出整合高性能GPS前端模块和FBAR滤波器方案
 安华高科技(Avago Technologies)宣布扩展移动GPS应用超低噪声GPS前端模块产品线,拥有最低噪声指数的GPS滤波器低噪声放大器(LNA)滤波器模块ALM-2712,整合前置与后置高拒斥能力FBAR滤波器,可实现卓越的效能表现。

 手机中使用的S-GPS以及其他适地性(locaTIon-based) GPS服务需要相当高的接收器灵敏度,ALM-2712提供有超低噪声指数以及高线性度输出,可大幅改善GPS接收器的灵敏度。

透过将低噪声放大器、前置与后置高拒斥能力FBAR滤波器以及其他RF射频匹配零组件整合在单一模块中,ALM-2712不需任何外加射频匹配组件即可运作,因此可有效帮助客户简化设计流程,节省应用的电路板空间以及使用的零件数。

 此外,ALM-2712在射频输入接脚上内建有分流电感强化ESD保护,可以在射频输入接脚承受超过3kV人体模型(HBM)的ESD放电。

Avago的ALM-2712 GPS模块采微型化3.0 x 2.5 x 1.0mm MCOB封装,不需外加射频匹配组件的微型化封装有助于节省电路板空间与所需零件数,非常适合空间受限的应用。

 在2.7V与7.5mA的典型工作条件下,这款GPS前端模块有效利用Avago。

手机设计中创新的射频和光电解决方案

手机设计中创新的射频和光电解决方案

手机设计中创新的射频和光电解决方案
魏雪松
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2007(000)007
【摘要】近年来,全球手机市场迅速增长,成为整个电子通讯市场中最受关注的行业之一。

每年各个产品供应商会推出多款手机,来应对消费者越来越多的功能需求。

手机的功能成为2G、2.5G乃至3G时代共同的问题。

目前手机的成长趋势为外观轻、薄、短、小四方面,并且功能越来越多,需要添加诸如无线局域网、蓝牙等应用。

同时带来的负面效应就是对电池和供电管理带来的要求越来越高,手机的待机时间也成为非常严格的要求。

【总页数】4页(P32-35)
【作者】魏雪松
【作者单位】安华高科技
【正文语种】中文
【相关文献】
1.ADI公司推出第二代Othello(R)射频收发器用于3G TD-SCDMA无线手机——新的CMOS射频收发器增加双频带和支持HSDPA功能,并且无需昂贵的声表面波滤波器,简化了3G射频设计 [J],
2.手机前置摄像头对射频电路的干扰以及解决方案 [J], 富瑜豪
3.安捷伦科技推出用于手机设计的DigRF V4端到端测量解决方案新的测试解决方案涵盖数字域和射频域,可加快LTE和WiMAX^(TM)无线设备的开发 [J],
4.一种新的CDMA手机射频解决方案 [J], 肖辉
5.“全球手机”前端解决方案——多模多频手机用射频模块 [J],
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目前市 场现 有的 R D AI 适配器 专 为硬盘驱 动器 ( DD 而设 H ) 计 ,H 性能比单部S D DD S 差很 多。在许 多情 况下 ,多部 企业级 HD 只能利 用 “ D 短行程 ” ,即使 用其整体存 储容量 的一 小部分 来 提高 性能 ,这 就 降低 了每部 HDD 的磁 盘利 用率 。对 提 高性
透传
略 逊 之 ;带 内 开 销 方 式 由于 需 要 升 级 大 量 单 盘 ,并 且 影 响 现 网 业 务 ,经 济
性最 差 。
标 准 支 持
组网能力


带内开销
带 ̄ osc b
() 准 支 持 4标
透 传 方 式 和带 外O c方 式 均在 S
经济性
OTN现 有 体 系 框 架 下 ,带 内 开 销 方 式 由 于 时 间 戳 需 要 插 入 OTN开 销 中 ,对
能 而言 ,这种解决 方案成本 比较 高。PMC— e r 的ma R D Sira x AI BR 2 5 8 采用 多线程 多核 架构 ,配合采用基 于I 52—0 BM的R D AI 堆
的首款产 品——专 为x 6 8 服务器 固态硬盘( S ) S D 存储而设计 的 B 5 2 — 0 R I 适配器。该适配器采 用P — ir 市场领 R 2 5 8 A D MC Se r a
Ser_界领先的存储协议控制器 系列与 IM i a_ r ̄ B 业经验证的R I AD 软件完美结合 ,共同开发突破性的R I解决方案。d A 目 AD D 项
成绩显著 。 使P — ir 能够率 先向市场推出专为出色S D MC Se r a S 存储性能而优化 的ma R I 多核 多线程R I解决方案。 xAD AD
构相对简单的小型城域 网。 虹
如 对 本 文 内 容 有 任 何 观 点 或 评 论 .请 发 E— a l m i 至
edi @tm t or t com cn
P - ira 出面 向x 6 MC S e r 推 8 服务器 的 多核 多线程
R I A D平 台
P — e r公司 日前推出其ma R l MC Slra x A D架构 以及该 系列
m x ADS rg nq r aR I ta eMaa e_ o 一
一款 基于We 的 图形 应用 , b
市场所 开发 的A a o 有5 vg特 颗芯 片系列 初期 原型 制造 ,基于市 场需 求和客户 意见 ,A a o 计 了采用表 面贴装 封装 的高性能 vg设
毫米波 产 品。
先 的多核R l(o ) A DR C控制器和多线程性能优 化型R I堆栈软 AD 件设计而成 ,¥P x rs P I).  ̄ CI pe s( C e 0连接到8 - E 2 个速 度高达
6 Gbt 的S /A A 口,可满足数据和事务处理 密集型应 i / AS T 端 s S 用所 需的最 高每秒 钟随机 读取 输入输 出操作次数 (OP 和 I S)
图 1 3 方 式 特 性 对 比 种
现 有 OT N标 准 体 系 有 较 大 影 响 。

务 口q o s g ̄ ; 超 长 跨 段 传 输 需 牺 c,l
内方式 均基于 高速 信号
具 有 类 似 的
综 合 衡 量 以 上 3 方 式 ,可 以考 虑 种 在 大 型 城 域 核 心 网采 用 带 外 oS c的 方
方案模拟 中贝 能实现3 万 l S MC— ir 的R I U 0 OP 。P Ser A D平台包含 a
A a o T c n lge ( 华高科 技) 日表 示已经 完成面 v g e h o o is安 近
向逐渐 扩展3 8~4 2 GHz 无线 基础设 施和 回程线 路点对 点无线
网能力没 有限制 ;带外oS C方 式 略 逊 于 带 内 开 销 方 式 ; 而 透 传 方 式 受 主 备
路 由 光 缆 可 能 存 在 收 发 长 度 差 异 的 限 制 ,影 [OT  ̄ N保 护方 式 的使 用 。
() 间信 息 传 输 性 能 1时
由于 采 用 低 速 TDM 信 号传 输 ,带 外 0S 方 式 性 能 最 优 ,透 传 方 式 和 带 C
匪圈
打造新型时间同步网 支撑T — C M 跨越发展 D SD A
() 济 性 3经 由 于 无 需 升 级 现 网 设 备 ,透 传 方 式 无 疑 具 备 最 优 秀 的 经 济 性 ; 由于 需
要 低 成 本 的0 S C改 造 ,带 外 0 S 方 案 C

传 Байду номын сангаас 性 能
采用 直观 的用 户界 面 ,可使 用户通 过 标准 浏览器 在公 司或 V N 的任 意控 制台 上高效管 理服务 器存储 。 Pl
P I MC— e f与旧 M达成联合开发协议 (DA) Sira J ,将PMC—
这些芯片组使用 旧 C 有的0 7 m伪形态高电子迁移率晶 g特 . 1
4o
T1 oNS TECHNo l (、/ o 10 ・ 6 、r2 o
体 管工艺技术制造 , 采用8 G z T 0 H 的F晶体管,这个工艺可以充分满
足4 H 应用的需求。- oG z  ̄ v g 高良率 、 ao 高产能 晶圆厂进行
生产,产品采用5mm X5mm表面贴装封装并以卷带式封装出货 ,
生产和测试程序完全 自动化 , 每月产能可高达数百万片。
式 传 送 1 8 v 时 间 信 息 。 该 方 式 不 仅 5 82
牲一个业务波道 。
性 能。 () 网 能 力 2组
目 3 方 式对 比 种
3 方式特性对比如图1 示 。 种 所
采 用 带 内开 销 方 式 ,对 原 OTN组
可 以 提 供 低 成 本 、高 质 量 时 间 同 步 信 息 承 载 能 力 ,而 且 不 会 对 OT N改 造 带 来 影 响 ,而 透 传 方 式 则 可 以 部 署 在 结
吞吐量。m D架构 目前在单 F D拉筛 情况下达到1 _ 黼 3 万 6
栈 ,能充分发挥S D S 存储 的全部性能优势 ,节约系统成本 ,降低
数据 中心 的功耗要求 .并能 实现存储容量利用率最大化。
lP 的性能,而在P C Se a Os M — ir的下 弋 b] S SR I 解决 r 6G i A AD t s
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