半导体专业术语英语
半导体行业英文术语
半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。
半导体专业术语英语教材
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体行业专业英语名词解释
194
WELL/TANK
井区
195
WLRC RELIABILITY (WAFER LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）可靠度控制
196
QUALITY WAFER WLQC（LEVEL
CONTROL）
晶圆层次（厂内）品质控制
197
X-RAY LITHOGRAPHY
X光微影技术
198
YELLOW ROOM
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2
ACTONE
丙酮
1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3.在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉粘膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
184
TOX
氧化层厚度
185
TROUBLE SHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均匀度
188
VACUUM
真空
189
VACUUM PUMP
真空帮浦
190
VERNIER
游标尺
191
VIA CONTACT
连接窗
192
VISCOSITY
黏度
193
VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW）
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体制造专业英语术语
球栅阵列舞厅式布局，超净间的布局 圆桶型反应室 阻挡层金属势垒电压backing film 背膜baffle vt ・ 困惑，阻碍，为难（挡片）baffle assembly n. 集合，装配，集会，集结，汇 编 （挡片块）丨 基极，基区 batch 批 bay and chase beam blow-up离子束膨胀 beam deceleration 束流减速分类代码号双极双极技术(工艺) bird ' s beak effect 鸟嘴效应blanket deposition 均厚淀积blower增压泵boat 舟BOE 氧化层刻蚀缓冲剂Bon voyage ［法］再见，一路顺风［平安］bonding pads 压点bonding wire 焊线，引线boron(B) 硼boron trichloride(BCL3) 三氯化硼boron trifluoride (B F3)三氟化硼borophosphosilicate glass(BPSG)硼磷硅玻璃borosilicate glass(BSG) 硼硅玻璃bottom antireflective coating(BARC)下减反射涂层boule单晶锭bracket n.墙上凸出的托架，括弧，支架v.括在一起breakthrough step 突破步骤，起始的干法刻蚀步骤brightfield detection 亮场检查brush scrubbing 涮洗bubbler 带鼓泡槽buffered oxide etch(BOE) 氧化层腐蚀缓冲液bulk chemical distribution 批量化学材料配送bulk gases 大批气体bulkhead equipment layout 穿壁式设备布局bumped chip 凸点式芯片buried layer 埋层burn-box 燃烧室(或盒) burn-in 老化CCA 化学放大(胶) cantilever n. 建］悬臂cantilever paddle 悬臂桨cap oxide 掩蔽氧化层capacitance 电容capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体capacitor 电容器carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳caro ' s acid3 号液carrier 载流子carrier-depletion region 载流子耗尽层carrier gas 携带气体cassette (承)片架cation 阳离子caustic 腐蚀性的cavitation 超声波能CD 关键尺寸CD- SEM 线宽扫描电镜Celsius adj.摄氏的center of focus(COF) 焦点焦平面center slow 中心慢速central processing unit(CPU) 中央处理器ceramic substrate 陶瓷圭寸装CERDIP 陶瓷双列直插封装Channel 沟道channel length 沟道长度channeling 沟道效应charge carrier 载流子chase技术夹层chelating agent 螯合齐ijchemical amplification(CA) 化学放大胶chemical etch mechanism 化学刻蚀机理chemical mechanical planarization(CMP) 化学机械平坦化chemical solution 化学溶液chemical vapor deposition(CVD) 化学气相淀积chip 芯片chip on board(COB)板上芯片chip scale package(CSP)芯片尺寸圭寸装circuit geometries 电路几何尺寸class number 净化级另卩cleanroom 净化间cleanroom protocol 净化间操作规程Clearfield mask 亮场掩膜板Cluster tool 多腔集成设备CMOS 互补金属氧化物半导体CMP 化学机械平坦化Coater/developer track 涂胶/显影轨道Cobalt silicide 钻硅化合物coefficient n. ［数］系数Coefficient of thermal expansion（CTE）热涨系数Coherence probe microscope 相干探测显微镜Coherent light 相干光coil v. 盘绕，卷Cold wall 冷壁Collector 集电极Collimated light 平行光Collimated sputtering 准直溅射Compensate v.偿还，补偿，付报酬Compound semiconductor 化合物半导体Concentration 浓度Condensation 浓缩Conductor 导体constantly adv・不变地，经常地，坚持不懈地Confocal microscope 共聚焦显微镜Conformal step coverage 共型台阶覆盖Contact 接触（孔）Contact alignment 接触式对准（光刻）Contact angle meter 接触角度仪Contamination 沾污、污染conti boat 连柱舟conticaster ［冶］连铸机Continuous spray develop 连续喷雾显影Contour maps 包络图、等位图、等值图Contrast 对比度、反差contribution n.捐献，贡献，投稿Conventional-line photoresist 常规I 线光刻胶Cook' s theory库克理论Copper CVD 铜CVD Copper interconnect 铜互连Cost of ownership(COO) 业主总成本Covalent bond 共价键Critical dimension 关键尺寸Cryogenic aerosol cleaning 冷凝浮质清洗Cryogenic pump(cryopump) 冷凝泵Crystal 晶体Crystal activation 晶体激活Crystal defect 晶体缺陷Crystal growth 晶体生长Crystal lattice 晶格Crystal orientation 晶向CTE 热涨系数Current-driven current amplifier 电流驱动电流放大器CVD 化学气相淀积Cycle time 周期CZ crystal puller CZ 拉单晶设备Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法Ddamascene 大马士革工艺darkfiled detection 暗场检测darkfiled mask 暗场掩膜版DC bias 直流偏压decompose v. 分解,(使)腐烂deep UV(DUV) 深紫外光default n.默认(值)，缺省(值),食言，不履行责任，［律］缺席v.疏怠职责，缺席，拖欠，默认defects density 缺陷密度defect 缺陷deglaze 漂氧化层degree of planarity(DP) 平整度dehydration bake 去湿烘培，脱水烘培density 密度deplention mode 耗尽型degree of focus 焦深deposit n.堆积物，沉淀物，存款，押金，保证金，存放物vt ・存放,堆积vi.沉淀deposition 淀积deposited oxide layer 淀积氧化层depth of focus 焦深descum 扫底膜design for test(DFT)可测试设计desorption 解吸附作用develop inspect 显影检查development 显影developer 显影液deviation n.背离device isolation 器件隔离device technology 器件工艺DI water 去离子水Diameter n.直径diameter grinding 磨边diborane ( B2H6 )乙硼烷dichlorosilane(H2SiCL2) 二氯甲硅烷die 芯片die array 芯片阵列die attach 粘片die-by-die alignment 逐个芯片对准dielectric 介质dielectric constant 介电常数die matrix 芯片阵列die separation 分片diffraction 衍射diffraction-limited optics 限制衍射镜片diffusion 扩散diffusion controlled 受控扩散digital/analog数字/模拟digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality discrete dishing dislocation dissolution ratedissolution rate monitor(DRM) 溶解率监测DNQ-novolak 重氮柰醌一酚醛树脂Donor 施主dopant profile 掺杂刨面) doped虚拟的， region 掺杂区 doping 掺杂 dose monitor剂量检测仪 dose,Q 剂量 downstream reactor 顺流法反应 drain 漏 drive-in推进 dry etch 干法刻蚀 dry mechanical pump干式机械泵 dry oxidation 干法氧化dummy n.哑巴，傀儡，假人，假货 adj. 假的，虚构的 n.［计］哑元 dynamic adj. 动力的，动力学的，动态的 E economies of scale 规模经济 edge bead removal 边缘去胶 edge die 边缘芯片edge exclusion 无效边缘区域 electrically erasable PROM 电可擦除 EPROM electrode 电极 electromigration 电迁徙 electron beam lithography 电子束光刻electron cyclotron resonance 电子共振回旋加速器 electron shower 电子簇射，电子喷淋 electron stopping 电子阻止 electronic wafer map 硅片上电性能分布图 electroplating 电镀 electropolishing 电解拋光electrostatic chuck 静电吸盘 electrostatic discharge(ESD)静电放电 ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪emitter 发射极 endpoint detection 终点检测 engineering n.工程(学) electrostatic discharge(EDX)能量弥散谱仪 enhancement mode 增强型 epi 夕卜延epitaxial layer 夕卜延层epoxy underfill 环氧树脂填充不足erasable PROM 可擦除可编程只读存储器erosion腐蚀，浸蚀establish vt・建立，设立，安置，使定居，使人民接受，确定v.建立etch 刻蚀etch bias刻蚀涨缩量etch profile 刻蚀刨面etch rate 刻蚀速率etch residue 刻蚀残渣etch uniformity 刻蚀均匀性etchant 刻蚀剂etchback planarization 返刻平坦化eutectic attach 共晶焊接eutectic temperature 共晶温度evaporation 蒸发even adj.平的，平滑的，偶数的，一致的，平静的，恰好的，平均的，连贯的adv.［加强语气］甚至（・・・也）, 连…都，即使，恰好，正当vt.使平坦，使相等vi. 变平，相等n.偶数，偶校验exceed vt. 超越，胜过vi.超过其他excimer laser 准分之激光exposal n. 曝光,显露exposure 曝光exposure dose 曝光量extraction electrode 吸极extreme UV 极紫外线extrinsic silicon 掺杂硅F Fables无制造厂公司fabrication 制造facilities 设施factor n.因素，要素，因数，代理人fast ramp furnaces 快速升降温炉fault model 失效模式FCC diamond 面心立方金刚石feature size 特征尺寸FEOL 前工序Fick ' s lawsFICK 定律field-effect transistor 场效应晶体管field oxide 场氧化field-by-field alignment 逐场对准field-programmable PROM 现场可编程只读存储器film 膜film stress 膜应力final assembly and packaging 最终装配和圭寸装final test 终测first interlayer dielectric(ILD-1)第一层层间介质fixed oxide charge 固定氧化物电荷flats 定位边flip chip 倒装芯片float zone 区熔法fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃focal length 焦距focal plane 焦平面focal point 焦点focus聚焦focus ion beam(FIB) 聚焦离子束footprint 占地面积formula n.公式，规则，客套语forward bias 正偏压four-point probe 四探针frenkel defect Frenkel 缺陷front-opening unified pod(FOUP)前开口盒functional test 功能测试furnace flat zone 恒温区G g-line G 线gallium(Ga)镓gallium arsenide(GaAs)砷化镓gap fill间隙填充gas 气体gas cabinet 气柜gas manifold 气瓶集装gas phase nucleation 气相成核gas purge 气体冲洗gas throughput 气体产量gate 栅gate oxide 栅氧化硅gate oxide integrity 栅氧完整性germanium(Ge) 错getter 俘获glass玻璃glazing 光滑表面global alignment 全局对准global planarization 全局平坦化glow discharge 起辉放电gray area 灰区，技术夹层gross defect 层错grove n. 小树林grown oxide layer 热氧化生长氧化层HHalogen 卤素hardbake 坚膜hardware n.五金器具，(电脑的)硬件，(电子仪器的)部件HEPA filter 高效过滤器hermetic sealing 密圭寸heteroepitaxy 异质外延heterogeneous reaction 异质反应hexamethyldisilazane(HMDS)六甲基二硅氨烷high-density plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积高温扩散炉 high-density plasma etch 高密度等离子刻蚀 high-pressure oxidation 高压氧化high-temperature diffusion furnace high vacuum 高真空 high vacuum pumps 高真空泵 hillock 小丘(铝)尖刺 homoepitaxy 同质外延 homogeneous reaction 同质反应 horizontal adj.地平线的，水平的 horizontal furnace 臣卜式炉 hot electron 热电子 hot wall 热壁 hydrochloric acid(HCL)盐酸 hydrofluoric acid(HF)氢氟酸 hydrogen(H2)氢气 hydrogen chloride(HCL)氯化氢 hydrogen peroxide(H2O2)双氧水 hydeophilic 亲水性 hydrophobic 憎水性，疏水性 hyperfiltration 超过滤Ii-line I 线IC packaging 集成电路封装IC reliability 集成电路可靠性 Iddq testing 静态漏电流测试 image resolution 图象清晰度 图象分解力implant v.灌输（注入） impurity 杂质 increment n.增力口,增量 initial adj.最初的，词首的，初始的 n.词首大写 字母 in situ measurements 在线测量 index of refraction 折射率 indium 铟 inductively coupled plasma （ICP ）电感耦合等离子体 inert gas惰性气体infrared interference 红外干涉ingot 锭ink mark墨水标识in-line parametric test 在线参数测试input/output（I/O）pin 输入/ 输出管脚institute n. 学会，学院，协会vt.创立，开始，制定，开始（调查）,提起（诉讼） insulator 绝缘体integrate vt.使成整体，使一体化，求…的积分v.结合integrated circuit(IC)集成电路integrated measurement tool 集成电路测量仪interval n.间隔，距离，幕间休息n.时间间隔interconnect 互连interconnect delay 互连连线延迟interface-trapped charge 界面陷阱电荷interferometer 干涉仪interlayer dielectric(ILD) 层间介质interstitial 间隙(原子) intrinsic silicon 本征硅invoke v.调用ion 离子ion analyzer 离子分析仪ion beam milling or ion beam etching(IBE) 离子铣或离子束刻蚀ion implantation 离子注入ion implantation damage 离子注入损伤ion implantation doping 离子注入掺杂ion implanter离子注入机ion projection lithography(IPL) 离子投影机PVD ionization 离子化ionized metal plasma PVD 离子化金属等离子IPA vapor dry 异丙醇气相干燥isolation regions 隔离区isotropic etch profile各向同性刻蚀刨面JJEFT结型场效应管junction(pn) PN 结junction depth 结深junction spiking 结尖刺KKelvin绝对温度killer defect致命缺陷kinetically controlled reaction 功能控制效应L laminar air flow 层状空气流，层流式lapping 拋光latchup闩锁效应lateral diffusion 横向扩散law of reflection 反射定律LDD轻掺杂漏Leadframe 引线框架leakage cuttent 漏电流len透镜lens compaction 透镜收缩light 光light intensity 光强light scattering 光散射lightly doped drain(LDD) 轻掺杂漏linear 线性linear accelerator 线性加速器linear stage 线宽阶段，线性区linewidth 线宽liquid 液体lithography 光刻loaded brush沾污的毛刷loaded effect 负载效应loadlock真空锁local interconnect(LI)局部互连local planarization 局部平坦化local oxidation of silicon(LOCOS)硅局部氧化隔离法logic逻辑lot批low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) 低压化学气相淀积LSI大规模集成电路Mmagnetic CZ( MCZ )磁性切克劳斯基晶体生长法magnetically enhanced RIE(MERIE)磁增强反应离子刻蚀magnetron sputtering 磁控溅射Magnification n. 扩大，放大倍率magnificent adj. 华丽的，高尚的，宏伟的majority carrier 多子make-up loop补偿循环mask掩膜版n.面具，掩饰，石膏面像vt.戴面具,掩饰，使模糊vi.化装，戴面具，掩饰，参加化装舞会mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵歹Umass flow controller(MFC) 质量流量计mass spectrometer 质谱仪mass-transport limited reaction 质量传输限制效应mathematical adj.数学的，精确的mean free path(MFP) 平均自由程medium vacuum 中真空adj. megasonic cleaning 超声清洗melt熔融membrane contactor薄膜接触器，隔膜接触器membrane filter薄膜过滤器，隔膜过滤器merchant n. 商人，批发商，贸易商，店主商业的，商人的mercury arc lamp 汞灯MESFET用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅metal contact 金属接触孔metal impurities 金属杂质metal stack复合金属，金属堆叠metallization 金属化metalorganic CVD金属有机化学气相淀积metrology 度量衡学microchip微芯片microdefect 微缺陷microlithography 微光刻microloading微负载，与刻蚀相关的深宽比micron微米microprocessor n.［计］微处理器microprocessor unit 微处理器microroughness 微粗糙度Miller indices 密勒指数minienvironment 微环境minimum geometry 最小尺寸minority carrier 少子mix and match 混合与匹配mobile ionic contaminants(MIC)可动离子沾污mobile oxide charge 可动氧化层电荷module n.模数，模块,登月舱，指令舱modify vt・更改，修改v.修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore's law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint 电机电流终点检测(法) MSI中规模集成电路Multiplier n.增加者，繁殖者,乘数，增效器，乘法器multichip module(MCM) 多芯片模式multilenel metallization 多重金属化Murphy's model 墨菲模型N nanometer(nm)纳米native oxide 自然氧化层n-channel MOSFET n 沟道MOSFET negatine resist 负性光刻胶negative n.否定，负数，底片adj.否定的，消极的，负的，阴性的vt.否定，拒绝(接受) negatine resist development 负性光刻胶显影neutral beam trap 中性束陷阱next-generation lithography 下一代光刻技术nitric acid(HNO3)硝酸nitrogen(N2)氮气nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气nMOS n沟道MOS场效应晶体管noncritical layer 非关键层nonvolatile memory 非挥发性存储器normality 归一化notch 定位槽novolak苯酚甲醛聚树脂材料npn npn 型(三极管) n-type silicon n 型硅nuclear stopping 离子终止nucleation 成核现象，晶核形成nuclei coalescence 核合并numericalaperture(NA) 数值孑L径n-well n 阱Oobjective (显微镜的)物镜off-axis illumination(OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光ohmic contact 欧姆接触op amp 运算放大器optical interferometry endpoint 光学干涉法终点检测optical lithography 光学光刻optical microscope(light microscope) 光学显微镜optical proximity correction(OPC)光学临近修正optical pyrometer 光学高温计optics 光学organic compound 有机化合物氧化诱生层积 vi.划桨，戏 out-diffusion 反扩散 outgassing 除气作用 overdrive 过压力 overetch step 过刻蚀 overflow rinser 溢流清洗 overlay accuracy 套准精度 overlay budget 套准偏差 overlay registration 套刻对准 oxidation 氧化 oxidation-induced stacking faults(OISF) 缺陷，氧化诱生堆垛层错 oxide 氧化物、氧化层、氧化膜 oxidezer 氧化齐ij oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷 ozone(O3)臭氧Ppackage 封装管壳 pad conditioning 垫修整 pad oxide 垫氧化膜 paddle 悬臂 n.短桨，划桨，明轮翼 水，涉水 vt ・用桨划，搅，拌parabolic stage 拋物线阶段parallel-plate(planar)reactor 平板反应parallel testing 并行测试 parameter 参数parametric test 参数测试 parasitic 寄生parasitic capacitance 寄生电容 parasiticresistance 寄生电阻 parasitic transistor 寄生电阻器 partial pressure 分压 particledensity 颗粒密度 particle per wafer perpass(PWP)每步每片上的颗粒 数passivation 钝化 passivation layer 钝化层passive components 无源元件pattern sensitivity 图形灵敏性patterned etching 图形刻蚀pattern wafer 带图形硅片patterning 图形转移，图形成型，刻印pc board 印刷电路版完成任务 p-channel MOSFETp 沟道 MOSFET PCM 工艺控制监测 PEB 曝光后烘焙 PECVD 等离子体增强化学气相淀积PEL 允许曝露极限值pellicle 贴膜 pentavalent 五价元素 perform vt ・ 履行,执行，表演，演出 v. performing adj. 表演的，履行的 perimete array 周边阵列式(圭寸装) pH scale pH 值 phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术 phosphine(PH3) 磷化氢 phosphoric acid(H3PO4)磷酸 phosphorus(P)磷 phosphorus oxychloride(POCL3)三氯氧磷 phosphosilicate glass(PSG)磷硅玻璃 photoacid generator(PAG)光酸产生剂 photoacoustics 光声的 photoactive compound(PAC)感光化合物 photography n.摄影，摄影术 光刻photolithography 光刻(技术) photomask 光掩膜 photoresist 光刻胶 photoresist stripping 去胶、光刻胶去除 physical etch mechanism 物理刻蚀机理 physical vapor deposition(PVD)物理气相淀积 pigtail 引出头 pin grid array(PGA) 针栅阵列式(封装)pinhole 针孑 L piranha 3 号液 pitch 间距 planar 平面 planar capacitor 平面电容 planar process 平面工艺 planarization 平坦化 plasma 等离子体 n.［解］血浆，乳浆，［物］等离子体，plasma-induced damage 等离子体诱导损伤plasma potential distribution 等离子体势分布plastic dual in-line package(DIP) 双列直插塑料圭寸装plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体plastic packaging 塑料圭寸装plug塞，填充vt.堵，塞，插上，插栓n塞子，插头, 插销pMOS(p-channel) p 沟道MOSpn junction diode pn 结型二极管pnp pnp型三极管point defect 点缺陷Poisson's model 泊松模型polarization 极化，偏振polarized light 极化光，偏振光polish拋光polish rate 拋光速率polished wafer edge(edge grind) 倒角polishing loop 磨拋循环polishing pad 拋光(衬)垫polycide 多晶硅化物光刻胶显影post-develop inspection 显影后检查post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙ppb 十亿分之几ppm 百万分之几ppt 万亿分之几preamorphization 预非晶化precursor 先驱物predeposition 预淀积premetaldielectric(PMD) 金属前介质preston equation Preston 方程primary orientation flat 主定位边print bias光刻涨缩量printed circuit boade(PCB) 印刷电路板probe探针probe card 探针卡prober探针台process 工艺process chamber工艺腔，工艺反应室process chemical 工艺化学process control monitor(PCM)工艺控制监测(图形) process latitude工艺水平，工艺能力process recipe 工艺菜单programmable arraylogic(PLA) 可编程阵列逻辑programmable logic device 可编程逻辑器件programmable read-only memory 可编程只读存储器projected range 投影射程prompt n.提示，付款期限vt・提示，鼓动，促使, (给演员)提白adj.敏捷的，迅速的，即时的adv.准时地n. DOS命令：改变DOS系统提示符的风格proportion n.比例，均衡，面积，部分vt.使成比例，使均衡，分摊proportional adj. 比例的，成比例的，相称的，均衡的proportional band 比例区，比例带，比例尺范围proximityaligner 接近式光刻机p-type silicon P 型硅puddle develop搅拌式显影pump speed 抽气速率punchthrough 穿通purge （冲气）清洗purge cycle （冲气抽气）清洗循环PVD物理气相淀积p-well P 阱pyrogenic steam 热流pyrogen 热原（质）pyrolytic 热解pyrophoric 自燃的Qquad flatpack（QFP）方型管壳封装quadrupole mass analyzer （QMA）四极质量分析仪quality measure 质量测量quarz石英quarz tube 石英管quarz wafer boat 石英舟queue time排队时间R radiation damage 辐射损伤radical 激发random access memory(RAM) 随机存储器range射程rapid thremal anneal(RTA) 快速热退火rapid thermal processor(RTP)快速热处理RCA clean RCA 清洗reaction rate limited 反应速率限制reactive ion etch(RIE)反应离子刻蚀reactivity 反应性reactor反应室，反应腔read-only memory(ROM)只读存储器recombination 复合redistribution 再分布reflection spectroscopy 反射光谱仪reflective notching 反射开槽reflow回流refraction 折身寸refractory metal 难融金属regeneration 再生regeneration套准精度relative index of refraction,n removal n. 移动，免职,切除repeat n.重复，反复vt・重做，复述，向他人转述，复制，使再现vi.重复，留有味道representation n. 表示法,表现,陈述,请求，扮演，画像，继承，代表reset v.重新安排residual gas analyzer(RGA)残余气体分析器resist光刻胶resist development 光刻胶显影resistance 电阻resistivity 电阻率resolution 分辨率reticle掩膜版retrograde well 倒掺杂阱reverse bias 反偏reverse osmosis(RO)反向渗透RF射频RF sputtering射频溅射rinse v嗽口，(用清水)刷，冲洗掉，漂净n.清洗嗽洗，漂洗，漂清，冲洗RO反向渗透Roots blower罗茨(机械增压)泵roughing pump 低真空泵，机械泵RTA快速热退火RTP快速热处理Ssatisfy vt.满足，使满意，说服，使相信v.满意，确保Scaling按比例缩小SCALPEL具有角度限制分散投影电子束光刻Scanner扫描仪scanning electron microscope(SEM)扫描电子显微镜scanning projection aligner 扫描投影光刻机schottky diode 肖特基二极管screen oxide layer 掩蔽氧化层scribe line 戈H 片道scribe line monitor(SLM)戈J片线监测scumming 底膜secondary electron 二次电子secondary electron flood 二次电子流secondary ion mass spectrometry(SIMS)二次离子质谱 (法) seed' s model SEE 模型selective etching 选择性刻蚀selective oxidation 选择性氧化selectivity 选择性semiconductor grade silicon 半导体极硅semiconductor 半导体sensitivity 灵敏度shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离sheet resistance,RS 方块电阻sheet resistivity,方块电阻率shot size胶(点)尺寸shrinking 缩小SI units 公制Sidewall spacer 侧墙Silane(siH4)硅烷Silicide硅化合物silicon 硅silicon dioxide(SIO2)二氧化硅silicon nitride(SI3N4)氮化硅silicon on sapphire 蓝宝石伤硅silicon on insulator(SOI)绝缘体上硅silicontetrachloride(SIC4) 碳化硅silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅single crystal silicon 单晶硅silylation硅烷化(作用)SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料single crystal 单晶slip滑移slurry磨料SMIF标准机械接口Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠soft bake 前烘solid固体solvent 溶齐ijSOS蓝宝石上硅Source 源source drain implants 源漏注入spacer n.取间隔的装置，逆电流器spatial coherence 空间相干spatial signature analysis 空间信号分析specialty gase 特种气体species 种类specific gravity 比重specific heat 比热speckle 斑点spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪spin coating光刻胶旋涂spin dryer 旋转式甩干桶spin-on-dielectric（SOD）旋转介质法spin-on-glass（SOG）旋转玻璃法spray cleaning 喷雾清洗spray rinser喷雾清洗槽spreading resistance probe 扩散电阻探测sputter n・喷溅声，劈啪声，急语，咕哝vi.唾沫飞溅，发劈啪声，急忙地讲vt.喷出，飞溅出，气急败坏地说sputtering 溅射sputter etch溅射刻蚀sputtered aluminum 溅射铝sputtering yield 溅射产额SSI小规模集成电路stacking fault层积缺陷，堆垛层错standard clean 1(SC-1) 1 号清洗液standard clean 2(SC-2) 2 号清洗液standard mechanical interface(SMIF)机械标准接口standing wave 驻波static RAM静态存储器statistical process control ( SPC)统计过程控制step coverage台阶覆盖step height台阶高度step-and-repeat aligner 分步重复光刻机step-and-scan system步进扫描光刻机stepper步进光刻机stepping motor driver步进电机驱动器电路stepper步进光刻机stoichiometry化学计量(配比) staggle投射标准偏差stress应力striation 条纹strip vt・剥，剥去n. 条，带stripping 去胶structure 结构subatmospheric CVD亚大气压化学气相淀积submicron 亚微米sub-quarter micron 亚0・25微米substrate 衬底sublimation 升华substitutional atom 替位原子subtract v (〜from)减去,减subwaverlength lithography 亚波长光刻sulfur hexafluoride(SF6)六氟化硫sulfuric acid (H2SO4 )硫酸surface profiler 表面形貌surface tension 表面张力susceptor 基座Ttarget chamber 靶室target 靶temperature ramp rate 温度斜率temperature 温度TEOS正硅酸乙脂test algorithm 测试算法test coverage 测试覆盖test structure 测试结构test vector测试向量thermal budget 热预算thermal oxide 热氧化thermocompression bonding 热压键合thermocouple 热电偶thermogravimetric analysis (TGA) 热重量分析thermosonic bonding 热超声键合thin film 薄膜thin small outline package(TSOP)薄小型圭寸装川-V compound 三/五族化合物thorough adj.十分的，彻底的Threshold 域值threshold voitage 域值电压threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入throughput 产量tilt [tilt] v.(使)倾斜，(使)翘起，以言词或文字抨击time of flight SIMS(TOF -SIMS) 飞行时间二次离子质谱titanium silicide 钛硅化合物TLV极限域值top surface imaging 上表面图形topography 形貌torr 托toxic有毒track system(also track) 轨道系统transient enhanced diffusion(TED)瞬时增强扩散transistor 晶体管trench 槽trench capacitor 槽电容trichlorosilane(TCS or SiHCL3)三氯氢硅triode planar reactor三真空管平面反应室triple well 三阱trivalent 三价tungsten(W)钨tungsten stch back 钨反刻tungsten hexafluoride(WF6)六氟化钨tungstenplug钨塞，钨填充turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵twin planes(twinning) 双平面twin-well(twin-tub)双阱UULSI甚大规模集成电路ultralow penetration air(ULPA)超低穿透空气ultrafiltration 超过滤ultrafine particle 超细颗粒ultrahigh purity 超高纯度ultrahigh vacuum 超高真空ultrashallow junction 超浅结ultrashallow junction 超声键合(压焊) ultraviolet 紫外线undercut 钻蚀uniformity 均匀性unit cell元包，晶胞unpatterned etching(spripping)无图形刻蚀(剥离) unpatterned wafer 无图形硅片unplug v.拔去(塞子，插头等),去掉…的障碍物UV紫外线VVacancy 空位vacuum 真空vacuum wand真空吸片棒，真空镊子van der pauw method 范德堡法vapor phase epotaxy(VPE)气相外延vapor pressure 气压vapor prime气相熏增粘剂，气相成底膜vaporization 气化variable n.［数］变数，可变物，变量adj. 可变的，不定的，。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1。
acceptance testing (W AT: wafer acceptance testing)2. acceptor：受主，如B，掺入Si中需要接受电子3。
ACCESS：一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大)6. Align mark(key）：对位标记7. Alloy：合金8。
Aluminum：铝9。
Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11。
Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si,非晶硅（不是多晶硅）13. Analog:模拟的14。
Angstrom：A（1E-10m）埃15。
Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH)16。
AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC（Antireflective coating）：抗反射层(用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19。
Argon（Ar）氩20。
Arsenic（As）砷21. Arsenic trioxide(As2O3）三氧化二砷22。
Arsine(AsH3）23。
Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30。
Boat:扩散用（石英）舟31. CD：(Critical Dimension）临界（关键)尺寸。
半导体专业英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业术语英语
1、aｃceptance teｓting （ＷAT: wａfｅr acceptance tｅstｉng）2、acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3、AＣＣESS：一个ＥDＡ（Eｎｇｉneeriｎg Dａta Ａnaｌｙsｉs)系统4、Ａcid：酸5、Acｔiｖｅdeｖiｃe:有源器件,如ＭOS FＥT(非线性,可以对信号放大)6、Ａlign mark(ｋeｙ):对位标记7、Allｏy：合金８、Ａluminｕｍ:铝9、Ammｏｎｉａ:氨水10、Aｍｍｏniｕm fluorｉde：NＨ4F１１、Ammoniｕmｈydroxide:NH4OH１2、Ａｍorphous siｌicon:α-Sｉ，非晶硅(不就是多晶硅)13、Aｎａlog:模拟得14、Angstｒom：Ａ(1E-１0ｍ)埃15、Aniｓotropic：各向异性(如ＰOLY ETCH)1６、AＱL(Aｃcｅptanｃe Quality Leveｌ):接受质量标准,在一定采样下,可以９5%置信度通过质量标准（不同于可靠性,可靠性要求一定时间后得失效率)１7、ARC(Ａｎtｉｒefleｃtivｅｃoaｔiｎg):抗反射层(用于ＭEＴAＬ等层得光刻)18、Ａnｔｉmoｎy(Sb）锑19、Arｇon(Ar）氩２０、Arｓｅniｃ(As）砷２1、Aｒｓｅnic trioxide（Ａｓ2O3)三氧化二砷2２、Aｒsine(AsH３)２3、Asher:去胶机24、Ａspecｔration:形貌比(ETCＨ中得深度、宽度比)25、Autodｏping：自搀杂（外延时ＳUB得浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层）26、Back eｎd:后段(ＣONTACT以后、PCM测试前)27、Basｅline:标准流程２８、Beｎcｈｍａｒｋ:基准2９、Bipolar：双极30、Boat：扩散用(石英)舟３1、CＤ: (ＣriticaｌDimenｓｉoｎ)临界(关键）尺寸。
半导体相关英语术语
半导体相关英语术语半导体领域是电子学和电路设计的重要组成部分。
本文将介绍半导体领域中一些常见的英语术语。
1. Semiconductor（半导体）Semiconductors are materials that have electrical conductivity between conductors and insulators. They have a property of conductivity that lies between that of a conductor and an insulator. Common semiconducting materials include silicon, germanium, and gallium arsenide.2. Integrated Circuit (IC)（集成电路）An integrated circuit, or IC, is a miniaturized electronic circuit consisting of semiconductor devices, such as transistors, diodes, and resistors, as well as passive components, such as capacitors and inductors, interconnected on a single semiconductor substrate or chip.3. Transistor（晶体管）A transistor is a semiconductor device that controls the flow of current or amplifies signals. It is made up of three layers of semiconductor material, typically doped with impurities to create either N-type or P-type regions. Transistors are the building blocks of modern electronic devices and can be found in almost all electronic circuits.4. Diode（二极管）A diode is a two-terminal electronic component that allows current to flow in only one direction. It has a P-N junction formed by connecting a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. Diodes are commonly used in rectifying circuits, voltage regulators, and signal demodulation.5. Field-Effect Transistor (FET)（场效应晶体管）A field-effect transistor, or FET, is a type of transistor that uses an electric field to control the flow of current. It has three terminals: the source, the gate, and the drain. FETs are widely used in digital circuits, as well as in analog applications such as amplifiers.6. Analog-to-Digital Converter (ADC)（模数转换器）An analog-to-digital converter, or ADC, is a device that converts analog signals into digital signals. It is commonly used in communication systems, measurement instruments, and digital audio applications to convert continuous analog signals into discrete digital representations.7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金属氧化物半导体场效应晶体管）A metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, or MOSFET, is a type of transistor that uses a metal gate electrode to control the flow of current. It is widely used in digital integrated circuits and offers advantages such as low power consumption and high switching speeds.8. Bandgap（能隙）Bandgap is the energy range in a solid material where no electron states can exist. It represents the minimum energy required to excite an electron from the valence band to the conduction band. The bandgap determines the electrical and optical properties of a semiconductor material.9. Photovoltaic (PV) Cell（光伏电池）A photovoltaic cell, or PV cell, is a device that converts sunlight directly into electricity by the photovoltaic effect. It is made up of semiconductor materials that absorb photons and generate a voltage difference across its terminals. PV cells are used in solar panels to generate renewable energy.10. Electromigration（电迁移）Electromigration is the phenomenon in which metal atoms in a conductor migrate under the influence of high current density. This can lead to the formation of voids and eventual failure of the conductor. Electromigration is a significant reliability issue in integrated circuits and is mitigated through proper design and fabrication techniques.以上是一些常见的半导体领域英语术语，了解这些术语有助于更好地学习和理解半导体电子学和电路设计的知识。
半导体专业术语(中英对照)
Semiconductor：半导体 MFG (Manufacture)：制造部 Wafer ：晶片 Boule：晶锭 Ingot：晶棒 As cut wafer：毛片 Particle：含尘量/微尘粒子 Pod ：晶盒 Cassette： 晶片夹 Clean Room：洁净室（Class 100000 以上） MO（ Miss Operation）：误操作 Process Engineering：制程工程师，简称为P.E.简单称为制程。 Equipment Engineering：设备工程师，简称为E.E.简单称为设备。 Recipe： 程式 PM（Prevention Maintenance）： 预防保养 Alarm ：警讯 OI (Operation Instruction) :规定的标准的正确操作机台的方法的文2
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半导体专业术语(中英对照)
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半导体专业词汇汇总
2023最新整理收集 do something
Semiconductor：半导体
MFG (Manufacture)：制造部
Wafer ：晶片
Boule：晶锭
Ingot：晶棒
As cut wafer：毛片
Particle：含尘量/微尘粒子 Pod ：晶盒 Cassette： 晶片夹 Clean Room：洁净室（Class 100000 以上） MO（ Miss Operation）：误操作 Process Engineering：制程工程师，简称为P.E.简单称为制程。 Equipment Engineering：设备工程师，简称为E.E.简单称为设备。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业术语英语综述
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业英语词汇
半导体专业词汇1. acceptance testing (WA T: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
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1. (: )2. : 受主，如B，掺入中需要接受电子3. ：一个（）系统4. ：酸5. ：有源器件，如（非线性，可以对信号放大）6. ()：对位标记7. ：合金8. ：铝9. ：氨水10. ：4F11. ：412. ：α，非晶硅（不是多晶硅）13. ：模拟的14. ：A（1E-10m）埃15. ：各向异性（如）16. ( )：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ( )：抗反射层（用于等层的光刻）18. ()锑19. ()氩20. ()砷21. (2O3)三氧化二砷22. (3)23. ：去胶机24. ：形貌比（中的深度、宽度比）25. ：自搀杂（外延时的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. ：后段（以后、测试前）27. ：标准流程28. ：基准29. ：双极30. ：扩散用（石英）舟31. ：（）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如为多晶条宽。
32. ：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. （）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. （）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. ：碎片或芯片。
36. ：的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. ：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. ：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. ：的缩写。
一种将和在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. （）：计算机辅助设计。
42. ：传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. ：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. ：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. ：相关性。
46. ：工艺能力，详见。
47. ：工艺能力指数，详见。
48. ：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
49. ：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. ：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
51. ：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）52. ：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. ：耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. ：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. （）：焦深。
56. ()：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. ：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）58. ：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液59. (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源60. (22)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. ()：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. ：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. ：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. ：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. (2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。
在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. ：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. ：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. ：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. ：，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. ：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. ：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. ：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. ：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. ：常指半导体生产的制造工厂。
75. ：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. （）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. ：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. ：平边79. ：平带电容80. ：平带电压81. ：流动系数82. ：流速计83. ：流量计84. ：单位时间内流过给定面积的颗粒数85. ：禁带86. ：四点探针台87. ：功能区88. ：栅氧89. ：玻璃态转换温度90. ：净化服91. ：灰区92. ：切线入射干涉仪93. ：后烘94. ：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95. ：束电流大于3的注入方式，用于批量生产96. () ：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3的颗粒97. ：主机98. ：热载流子99. ：亲水性100. ：疏水性101. ：杂质102. ()：感应等离子体103. ：惰性气体104. ：一氧105. ：绝缘106. ：隔离线107. : 注入108. n : 掺杂109. : 结110. n :铝穿刺111. :划片槽112. n113. n 制版114. , : 设备产能115. n :保养116. n :多数载流子117. , n : 一成套光刻版118. n :原料119. n 1 :矩阵120. n : 平均值121. n :测得漏率122. n :中间值123. n : 记忆体124. n :金属125. () n ：纳米126. () n ：纳秒127. n ：氮化物刻蚀128. (N2 ) n：氮气，一种双原子气体129. ：n型130. n：欧姆每平方: 方块电阻131. n：晶向，一组晶列所指的方向132. n ：交迭区133. n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134. (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素135. n ：光刻版，用于光刻的版136. , n：反刻137. ：去掉图形区域的版138. , n：正刻139. n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140. n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. () n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺142. n：淀积，淀积的一种工艺143. n：结144. n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146. n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147. () n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149. n :探针。
在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. n :过程控制。
半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. n : 纯水。
半导体生产中所用之水。
153. n :量子设备。
一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. n :石英舟。
155. () n :随机存储器。
156. n :随机逻辑器件。
157. () n :快速热处理()。
158. () n : 反应离子刻蚀()。
159. n :反应腔。
反应进行的密封隔离腔。
160. n :菜单。
生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. n :光刻胶。
162. () n :电子显微镜()。
163. n : (设备)预定停工时间。
164. n :肖特基二极管。
165. n :划片槽。
166. n :牺牲腐蚀。
167. n :半导体。
电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. () ( ) n :薄层电阻。
一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. : 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. () :外延是蓝宝石衬底硅的原片171. ():小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. :原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. : 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. : 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. : 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. :堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. :蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. :瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. : 步进光刻机（按来曝光）180. : 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. :表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
182. :征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. :间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
184. :泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. :温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. :易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. :热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. :超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. (): 钛。
190. (C6H53): 甲苯。
有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1()(33): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。
这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. (W): 钨。
193. (6): 氟化钨。
无色无味的气体或者是淡黄色液体。
在中6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. : 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. (): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度()、氧化层俘获的电荷的密度()、界面负获得电荷密度()。