电子科大模电期末试题2008-2009(清华出题)
电子科大数字电路期末试题半期测验
电子科大数字电路期末试题半期测验电子科大数字电路期末试题半期测验————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电子科技大学二零零七至二零零八学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期 2008年4月26日课程成绩构成:平时 20 分,期中 20 分,实验 0 分,期末60 分一二三四五六七八九十合计一、选择填空题(单选、每空2分,共30分)1-1.与十进制数(0. 4375 )10 等值的二进制数表达是( A ) A. ( 0.0111 ) 2 B. ( 0.1001 ) 2 C. ( 0.0101 ) 2 D. ( 0.01101 ) 2 1-2.与十六进制数(FD .A )16等值的八进制数是( A )8A. ( 375.5 )8B. ( 375.6 )8C. ( 275.5 )8D. ( 365.5)8 1-3.与二进制数(11010011) 2 对应的格雷码表达是( C ) GrayA. ( 11111010 ) GrayB. (00111010 ) GrayC. ( 10111010 )GrayD. (11111011 ) Gray 1-4.下列数字中与(34.42)8 相同的是( B )A.(011010.100101)2B.(1C.88)16 C.(27.56)10D.(54.28)5 1-5.已知[A]补=(10010011),下列表达式中正确的是( C )A. [–A]反=(01101100)B. [A]反=(10010100)C. [-A]原=(01101101)D. [A]原=(00010011)1-6.一个十六路数据选择器,其选择控制输入端的数量为( A )A .4个 B. 6个 C. 8个 D. 3个1-7.四个逻辑相邻的最小项合并,可以消去( B )个因子。
电子科技大学09级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
电子科技大学期末考试 09级《大学物理(下)》A 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1、边长为L 的一个导体方框上通有电流I ,则此框中心的磁感应强度 ( ) (A )与L 无关; (B )正比于2L ; (C )与L 成正比; (D )与L 成反比。
2、在感应电场中电磁感应定律可写成dtd l d E mCK Φ-=⋅⎰,式中K E 为感应电场的电场强度,此式表明 ( )(A )闭合曲线C 上K E处处相等; (B )感应电场是保守力场; (C )感应电场的电场线不是闭合曲线;(D )在感应电场中不能像静电场那样引入电势的概念。
3、一交变磁场被限制在一半径为R 的圆柱体中,在柱内、外分别有两个静止点电荷A q 和B q ,则 ( ) (A )A q 受力,B q 不受力;(B )A q 和B q 都受力;(C )A q 和B q 都不受力;(D )A q 不受力,B q 受力。
4、关于位移电流,下列哪一种说法是正确的( ) (A )位移电流的磁效应不服从安培环路定理;(B )位移电流是由变化磁场产生; (C )位移电流不可以在真空中传播; (D )位移电流是由变化电场产生。
5、根据惠更斯—菲涅尔原理,若已知光在某时刻的波阵面为S ,则S 的前方某点P 的光强决定于波阵面上所有面元发出的子波各自传到P 点的 ( ) (A )振动振幅之和; (B )相干叠加; (C )振动振幅之和的平方; (D )光强之和。
6、严格地说,空气的折射率大于1,因此在牛顿环实验中,若将玻璃夹层中的空气逐渐抽去而成为真空时,则干涉圆环将 ( ) (A )变大; (B )变小; (C )消失; (D )不变7、自然光以60。
入射角照射到某一透明介质表面时,反射光为线偏振光,则 ( ) (A )折射光为线偏振光,折射角为30。
; (B )折射光为部分偏振光,折射角为30。
;(C )折射光为线偏振光,折射角不能确定; (D )折射光为部分偏振光,折射角不能确定。
电子科大模电期末真题10~11.doc
电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷(120 分钟)考试形式:开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成:平时20 分,期中20 分,实验0 分,期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题(共30分,共 15个空格,每个空格2 分)1、共发射极放大器(NPN管),若静态工作点设置偏高,可能产生_饱和__失真,此时集电极电流会出现__上___(上、下)削峰失真。
2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW,I CM = 100 mA,U(BR)CEO = 30 V,若它的工作电压U CE为10 V,则工作电流不得超过20 mA;若工作电流I C = 1 mA,则工作电压不得超过30 V。
4、电路及直流测试结果如图1所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。
得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。
5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。
已知W7805的输出电压为5V ,I Q =10 mA ,晶体管的β=50,|U BE |=0.7 V ,电路的输入电压U I =16 V ,三极管处于放大 (放大,饱和,截止)状态, R 1上的电压为 5.7 V ,输出电压U o 为 9 V 。
图26、设图3中A 均为理想运放,请求出各电路的输出电压值。
U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。
电子科大数字电路期末试题半期测验
电子科大数字电路期末试题半期测验————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电子科技大学二零零七至二零零八学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题 期中卷(120分钟)考试形式:闭卷 考试日期 2008年4月26日课程成绩构成:平时 20 分, 期中 20 分, 实验 0 分, 期末60 分一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计一、选择填空题(单选、每空2分,共30分)1-1.与十进制数 (0. 4375 )10 等值的二进制数表达是 ( A ) A. ( 0.0111 ) 2 B. ( 0.1001 ) 2 C. ( 0.0101 ) 2 D. ( 0.01101 ) 2 1-2. 与十六进制数(FD .A )16等值的八进制数是( A )8A. ( 375.5 )8B. ( 375.6 )8C. ( 275.5 )8D. ( 365.5)8 1-3.与二进制数(11010011) 2 对应的格雷码表达是 ( C ) GrayA. ( 11111010 ) GrayB. (00111010 ) GrayC. ( 10111010 )GrayD. (11111011 ) Gray 1-4.下列数字中与(34.42)8 相同 的是( B )A.(011010.100101)2B.(1C.88)16 C.(27.56)10D.(54.28)5 1-5.已知[A]补=(10010011),下列表达式中正确的是( C )A. [–A]反=(01101100)B. [A]反=(10010100)C. [-A]原=(01101101)D. [A]原=(00010011)1-6.一个十六路数据选择器,其选择控制输入端的数量为( A )A .4个 B. 6个 C. 8个 D. 3个1-7.四个逻辑相邻的最小项合并,可以消去( B )个因子。
电子科技大学2008年电子设计自动化技术期末试卷A答案
二. 改错题(5 分×3 题,共 15 分) 以下的程序在编译时都出现了错误,请用波浪线划出错误的地方并修改错误。 1. (本题 5 分) LIBRARY ieee; USE ieee.std_logic_1164.all; ENTITY Latch IS PORT ( INP: IN STD_LOGIC_VECTOR (7 downto 0); OUTP: OUT STD_LOGIC_VECTOR (7 downto 0); CLK: IN STD_LOGIC ); END Latch; ARCHITECTURE Latch OF Latch IS BEGIN PROCESS(CLK) BEGIN IF(CLK='1') THEN OUTP<=INP; END IF; wait on INP; END PROCESS; END Latch; 【参考答案】 :
波浪线标出的部分将报错,原因是对 std_logic 类型的数据进行“+” 、 “-”运算需要声明包集合 STD_LOGIC_unsigned,将 “use IEEE.STD_LOGIC_unsigned.all;”加在程序的第三行即可。
第 3 页 共 8 页
三. 综合题(本大题有 4 小题,共计 45 分) 1.(本题 9 分) 请将下面 VHDL 示例程序中的条件信号赋值语句等价代换为进程语句 结构,要求代换前后程序是完全等价的。 LIBRARY ieee; USE ieee.std_logic_1164.all; ENTITY simp IS PORT(a, b,c : IN STD_LOGIC; y : OUT STD_LOGIC); END simp; ARCHITECTURE logic OF simp IS BEGIN y <= a WHEN c=’0’ ELSE b WHEN c=’1’ ELSE ‘X’; END logic; 【参考答案】 : 共 9 分,考核重点是敏感信号的选择,加粗部分占 5 分 LIBRARY ieee; USE ieee.std_logic_1164.all; ENTITY simp_prc IS PORT(a,b,c : IN STD_LOGIC; y : OUT STD_LOGIC); END simp_prc; ARCHITECTURE logic OF simp_prc IS BEGIN PROCESS(a, b, c) BEGIN IF c=’0’ THEN y <= a; ELSIF c=’1’ THEN y <= b; ELSE y <= ‘X’; END IF; END PROCESS; END logic; 2.(本题 13 分)请编写一个共阳极数码管的显示译码程序。din 是 4 位二进制数据输 入,其输入范围从 0000~1001,a~g 是显示译码电路的输出端,与数码管的 LED 显 示段相对应。要求: (1)请写出完整的输入输出译码表(5 分)8 分)Top-Down 设计方法中逻辑综合的作用是什么? 【参考答案】 :
电子科技大学08级《大学物理(下)》期末考试及答案A卷 (A3版)
弟1页/(共4页) 弟2页/(共4页)电子科技大学期末考试 08级《大学物理(下)》A 卷(考试时间90分钟,满分100分)一、选择题(每题2分,共20分)1、电流元Idl 是圆电流自身的一部分,则 ( ) (A )电流元受磁力为0;(B )电流元受磁力不为0,方向沿半径向外; (C )电流元受磁力不为0,方向指向圆心; (D )电流元受磁力不为0,方向垂直圆电流平面。
2、若用条形磁铁竖直插入不闭合金属圆环,则金属环中: ( ) (A )产生感应电动势,也产生感应电流; (B )产生感应电动势,不产生感应电流; (C )不产生感应电动势,也不产生感应电流;(D )不产生感应电动势,产生感应电流。
3、取自感系数的定义式为IL Φ=,当线圈的几何形状不变,周围无铁磁性物质时,若线圈中的电流强度变小,则自感系数L ( ) (A )变大,与电流成反比关系; (B )变小;(C )不变; (D )变大,但与电流不成反比关系。
4、设在真空中沿着z 轴正方向传播的平面电磁波,其磁场强度的表达式为⎪⎭⎫⎝⎛-=c z t H H y ωcos 0,则电场强度的表达式为() (A )⎪⎭⎫⎝⎛--=c z t H Ey ωεμcos 000; (B )⎪⎭⎫ ⎝⎛--=c z t H E x ωεμcos 000;(C )⎪⎭⎫ ⎝⎛-=c z t HE xωεμcos000;(D )⎪⎭⎫ ⎝⎛+=c z t H E y ωεμcos 000。
5、在迈克尔逊干涉仪的一支光路中,放入一片折射率为n 的透明介质薄膜后,测出两束光的光程差的改变量为一个波长λ,则薄膜的厚度是 ( )(A )2λ; (B )n 2λ; (C )n λ; (D ))1(2-n λ6、在双缝干涉实验中,屏幕Σ上的P 点处是明条纹。
若将缝2S 盖住,并在21S S 连线的垂直平分面处放一反射镜M ,如图1所示,则此时 ( ) (A )P 点处仍为明条纹; (B )P 点处为暗条纹;(C )不能确定P 点处是明条纹还是暗条纹; (D )无干涉条纹。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
模拟电子技术 2008 2009 思源
北京交通大学考试试题及参考答案课程名称:模拟电子技术 2008/2009学年第一学期出题教师:刘颖班级:07思源班学生姓名_________ 学号_________一、简答下列问题(24分,每题3分)1.为什么称双极型三极管称为“双极”型器件,而场效应管称为单极型器件?答:三极管有两种极性的载流子导电,而场效应管只有一种极性的载流子导电,如N沟道场效应管的导电载流子是电子,而P沟道场效应管的导电载流子是孔穴。
2.差分放大电路中射极电阻R EE的作用是什么?在集成电路中为什么通常用电流源作为有源负载替代R EE?答:差分放大电路中射极电阻R EE的作用是反馈电阻,用于抑制共模增益,而对差模增益没有影响。
R EE越大,共模增益越小,在集成电路中,用半导体材料直接制作大电阻体积大,因此常使用电流源作为有源负载替代大电阻。
3.请说明CE、CC、CB组态放大电路的特点。
答: CE、CC、CB组态放大电路的特点如表1-3所示。
表1-3类别共射放大电路共集放大电路共基放大电路电压增益较大小(≤1)较大U o与U i的反相(相差同相同相最大电流增较大较大小(≤1)输入电阻R i中等高阻低阻输出电阻R o中等低阻高阻频响特性较差较好好用途多级放大电路输入级、中间缓冲高频或宽带放4.多级放大电路的级间耦合方式有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合、光电耦合四中方式,在集成电路中,通常采用哪种耦合方式?为什么?答:(1)直接耦合。
(2)因为采用阻容耦合、变压器耦合耦合将会增大集成电路的体积。
5.乙类推挽放大电器如图1-5所示,其中的三极管在选管时需要考虑哪些参数?甲类放大电路是否可以放大信号功率?为什么通常不需要过多地考虑甲类放大电路中三极管的这些参数?u o图1-5答:(1)每只管子的最大允许功耗CM o(max)02P .P ≥ 每只管子的反向击穿电压(BR)CEO CC 2U V > 每只管子允许的最大集电极电流CCCM om LR V I I >= (2)可以(3)甲类放大器一般是进行小信号放大,通常功率都比较小,一般三极管都能满足其相关指标。
08级模电试卷
(2)求电路的输入电阻 和输出电阻 ;(6分)
(3)计算电压放大倍数 (6分)
图7
4、(本题10分)
(1)判断图8示电路的反馈极性与反馈类型。(3分)
(2)在深度负反馈条件下估算Avfs。电容CE对交流呈短路。(7分)
图8
五、画波形题(本题共10分)
图9电路,A1,A2为理想运放。稳压管正向导通电压为0。
集 美 大 学试 卷 纸
2009—2010学年 第1学期
课程名称
模拟电子线路
试卷
卷别
A
适用
学院、专业、年级
通信、电子08
考试
方式
闭卷□√
开卷□
备注
考试时间120分钟
总分
题号
一
二
三
四
五
得分
阅卷人
一、填空题(共15分,每空1分)。
1.双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.处于放大电路中的三极管三个电极电位分别是VA=10v,VB=4v,VC=9.3v,则A为_______极,B为_______极,C为_______极.
A、B、
C、D、
图4
三、是非判断题 (本题共10分,每小题2分,)(对的打√, 错的打×)
1、场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。( )
2、晶体三极管频率特性参数之间的关系为:>>T。 ( )
3、现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两极放大电路,其电压放大倍数为10000。 ( )
(本题共14分)
(1) 、 和 的值;(10分)
(2)A4构成什么电路?设电容的初始电压值为零,经过时间t=3秒,此时V0=?。(4分)
电子科大数字电路_期末试题0708_2半期考试
电子科技大学二零零七至二零零八学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题 期中卷(120分钟)考试形式:闭卷 考试日期 2008年4月26日课程成绩构成:平时 20 分, 期中 20 分, 实验 0 分, 期末60 分1-1.与十进制数 (0. 4375 )10 等值的二进制数表达是 ( A )A. ( 0.0111 ) 2B. ( 0.1001 ) 2C. ( 0.0101 ) 2D. ( 0.01101 ) 2 1-2. 与十六进制数(FD .A )16等值的八进制数是( A )8A. ( 375.5 )8B. ( 375.6 )8C. ( 275.5 )8D. ( 365.5)8 1-3.与二进制数(11010011) 2 对应的格雷码表达是 ( C ) GrayA. ( 11111010 ) GrayB. (00111010 ) GrayC. ( 10111010 )GrayD. (11111011 ) Gray 1-4.下列数字中与(34.42)8 相同 的是( B )A.(011010.100101)2B.(1C.88)16 C.(27.56)10D.(54.28)5 1-5.已知[A]补=(10010011),下列表达式中正确的是( C )A. [–A]反=(01101100)B. [A]反=(10010100)C. [-A]原=(01101101)D. [A]原=(00010011)1-6.一个十六路数据选择器,其选择控制输入端的数量为( A )A .4个 B. 6个 C. 8个 D. 3个1-7.四个逻辑相邻的最小项合并,可以消去( B )个因子。
A. ( 1 )B. ( 2 )C. ( 3 )D.( 4 )1-8.设A 补=(1001),B 补=(1110),C 补=(0010),在下列4种补码符号数的运算中,最不可能产生溢出的是 ( D )A. [A-C]补B. [B-C]补C. [A+B]补D. [B+C]补 1-9.能够实现“线与”的CMOS 门电路叫( D )A. ( 与门 )B. ( 或门 )C. (集电极开路门)D. (漏极开路门) 1-10.CMOS 三输入或非门的实现需要( C )个晶体管。
模电期末考试试题及答案汇总
放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( 电压并联)负反馈,为了稳
定交流输出电流采用( 串联 )负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F) ),对于深度负反馈放大电路
的放大倍数AF=( 1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW,其中BW=( ), ( )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( )信号,
( )等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制( )漂移,也称( )漂移,所以它广泛应用于( )
电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为( ),未被调制的高频信
2
2、已知电力如图示:Vcc=12V,RB=300KΩ,RE=RL=2KΩ,
Rs=500Ω, UBEQ≈0,C1=C2=30uF,rbe=1.5K,β=100,Us=10sinwtmV 求:① ICQ ② UCEQ ③ Au(取小数点后2位) ④ Ri
高频信号称高频( )。 13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路( ),fa=( )fβ。 14、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有( )网络。 15、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是( )。 二、选择题(每空 2 分 共 30 分) 1、三端集成稳压器 CW7812 的输出电压是( )。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V,则三
模电试题及答案(大学期末考试题)汇编
《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。
2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。
模拟集成电路-2008年B(答案)
模拟集成电路-2008年B(答案)………密………封………线………以………内………答………题………⽆………效……电⼦科技⼤学⼆零零七⾄⼆零零⼋学年第⼆学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 B 卷(120分钟)考试形式:开卷考试⽇期200 8 年⽉⽇课程成绩构成:平时10 分,期中0 分,实验10 分,期末80 分⼀.选择题(共20题,每题2分,共40分)1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( A )A.单调增加B. 单调减⼩C. 开⼝向上的抛物线D.开⼝向下的抛物线.2. 对于MOS器件,器件如果进⼊三极管区(线性区), 跨导将( B )A增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减⼩3. 在W/L相同时, 采⽤”折叠”⼏何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的漏结电容( C )A ⼤B 相同C⼩ D 不⼀定4. 关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )A 衬底PNP⼀般耐压较⾼.B 衬底PNP⼀般共射电压增益较⾼.C 衬底PNP⼀般容易实现⼤电流D 衬底PNP不能采⽤n+ 埋层.5. 对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )A 变⼩, B不变, C变⼤, D可⼤可⼩.6. 在NMOS中, 衬底上加上负电压偏置, 会使阈值电压( A )A. 增⼤ B 不变 C 减⼩ D 可⼤可⼩7. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相⽐, 它的( B )较⼤些A. 最⼤电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率………密………封………线………以………内………答………题………⽆………效……D.功耗8. 对CMOS PTAT源,器件是⼯作在( D )A.饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区9.下图⽰出的剖⾯图( C )ABA.A是纵向pnp, B是纵向pnpB.A是横向pnp, B是纵向pnpC.A是纵向pnp, B是横向pnpD.A是横向pnp, B是横向pnp10. 对于电流镜的要求, 那种说法正确( C )A. 输出阻抗⾼B输出阻抗低C交流输出阻抗⾼D直流输出阻抗⾼11.通常模拟运算放⼤器由输⼊级、中间级、输出级和( D )组成。
电子科技大学2005年模拟电路基础期末考试卷及答案2套
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷考试日期2006 年1月12 日课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分一(20分)、问答题1.(8分)试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。
2.(3分)射极跟随器为何称为电压跟随器?它具有什么特点?3.(3分)在集成电路中,为什么常用恒流源作为负载?4.(6分)什么是频率失真、非线性失真、交越失真?………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二(10分)、已知某反相比例放大器如图1所示,若图中集成运算放大器是理想的,已知电阻R1和R f,试求:1.电压增益v oA vf=v i2.输入电阻R if和输出电阻R of3.直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o,带宽为f BW。
试求:4.带宽f'BW图1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……三(10分)、电路如图2所示,已知电路参数为:12s =162k Ω,R =463k Ω,R =0.75k Ω,V=12V,R DDsi R =4k Ω;晶体管参数为:21.5,4/,12.5V V K mA V r k T ds ===Ω,试求输入电阻R i 和输出电阻o R 。
图2四(10分)、某差动放大电路如图3所示,滑动电阻器R w 的滑动片处于中间位置。
已知三极管的0.7,50,100BE bb V r V β'===Ω 稳压管的6,12,12,V V V V V V Z CC EE ==-=-b c L w R =5k Ω,R =100kΩ,R =30kΩ,R =200Ω,R=1kΩ。
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……1. 试问3cc R T R V e 、、D 、、z 构成什么电路?2. 求差模电压放大倍数12v oAvdv v i i =-图3五(10分)、反馈放大电路如图4所示。
电子科技大学模电试卷A卷(2011-12)答案
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2011-2012学年第一学期期末考试A 卷课程名称:模拟电路和脉冲电路基础考试形式:闭卷考试日期:2012年1月11日考试时长:120分钟课程成绩构成:平时20 %,期中20 %,实验0 %,期末60 %本试卷试题由三部分构成,共5 页。
一、简答题(共30分,共6题,每题5分)1、简述常用的电压放大器与功率放大器的不同点?1)任务不同:电压放大—不失真地提高输入信号的幅度,以驱动后面的功率放大级,通常工作在小信号状态。
(2分)功率放大—信号不失真或轻度失真的条件下提高输出功率,通常工作在大信号状态。
(2分)2)分析方法不同:电压放大—采用微变等效电路法和图解法;功率放大—图解法。
(1分)2、简述引入负反馈改善波形失真的原因?失真的反馈信号(1分),使净输入产生相反的失真(2分),从而弥补了放大电路本身的非线性失真。
(2分)3、什么叫脉冲电路?简述脉冲电路构成和常见脉冲电路?脉冲电路是用来产生和处理脉冲信号的电路。
(1分)脉冲电路可以用分立晶体管、场效应管作为开关和RC或RL电路构成,也可以由集成门电路或集成运算放大器和RC充、放电电路构成。
(2分)常用的有脉冲波形的产生、变换、整形等电路,如双稳态触发器、单稳态触发器、自激多谐振荡器、射极耦合双稳态触发器(施密特电路)及锯齿波电路。
(2分)………密………封………线………以………内………答………题………无………效……4、一般地,CE 、CC 和CB 晶体管基本放大电路的带宽哪个最小?哪个最大?一般地,基本的BJT 共射放大器的带宽最小(2分),共集放大器的带宽最大(3分)。
5、简述乙类互补对称电路交越失真产生的原因,如何进行克服?当输入信号vi 在0~V BE 之间变化时,不足以克服死区电压,三极管不工作。
因此在正、负半周交替过零处会出现一些非线性失真,这个失真称为交越失真。
电子科大模电期末试题-(清华出题)
一、(7分)判断下列说法是否正确,对者打“√”,错者打“×”
1、在P型半导体中,掺入高浓度的五价元素磷,可以改型为N型半导体。( ) 2、本征半导体不带电,P型半导体带正电,N型半导体带负电。( ) 3、放大电路中负载上获得的信号能量由放大管提供。( ) 4、直接耦合放大电路只能放大直流信号。( ) 5、阻容耦合放大电路只能放大一定频率范围内的交流信号。( ) 6、直接耦合放大电路采用差分放大电路是因为它可以有效地抑制温漂。( )
A1
正常工作时uo1=( )V, uo2=( )V, uo=( )V;若R1短路,则uo=( )V;若 R1开路,则uo=( )V;若R4短路,则 uo=( )V;若R4开路,则uo=( )V;
-
+
R1
R3
10k
R2 100k 100k RL
uo
R4
-
100k
-
A2
+
uo2
R5
六、(15分)已知图示电路集成运放均为理想运放。分别判断各电路是运算电 路还是电压比较器,并用恰当的方法描述输出电压和输入电压的函数关系uo =f ( uI )。设图中稳压管正向导通电压为0.7V;R3取值合适
7、只有放大电路的输出量与输入量反相,才能引入交流负反馈。( ) 二、(6分)选择填空:现有电路如下:
A、反相比例运算电路 B、积分运算电路
D、低通滤波器
E、RC正弦波振荡电路
选择合适电路填入空内。
C、微分运算电路 F、LC正弦波振荡电路
1、为得到10kHz的正弦波电压,应选用(
);
2、为将方波电压转换成三角波电压,应选用(
R2
R2
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选择合适电路填入空内。 1、为得到10kHz的正弦波电压,应选用( 2、为将方波电压转换成三角波电压,应选用(
三、(20分)放大电路的分析 1、已知图中(a)(b)(c)三个电路所用MOS管的参数相同,静态电流IDQ也相 同。比较这三个电路的性能,选择答案填入空内。
+VDD (+12V) +VDD (+12V) +VDD (+12V)
O (a) t
uo
O (b) t
-
vi
C1
-
图(a)波形说明电路出现了( )失真,减少或消除这种失真的方法是 ( );图(b)波形说明电路出现了( )失真,减少或消除这种失 真的方法是( ) 3、放大电路如图所示,设晶体管T1、T2为具有理想对称特性的两只晶体管,它们 的电流放大倍数均为β,b-e间动态电阻均为rbe;且电路中各元器件参数均为已知 +VCC 量,求解表达式。
R1 10k R3 10k +
100k uo2 - R4 100k (b)
uI2
UZ=6V
C2 C1 uI 0.2μF μ 0.1μF μ + -
R 50k
uo3
(c)
七、(14分)功率放大电路:在图示电路中,已知输入电压uI为正弦波,电容C1、C2对于 交流信号可视为短路,运算放大电路为理想运放,晶体三极管T2和T4的饱和管压降 |UCES|=2V。试问: (1)静态时,集成运放的同相输入端、反相输入端及电路的输出端电位各为多少伏? (2)负载上可能获得的最大输出功率Pom=?此时,输出级的效率η≈? (3)若输入电压最大值(有效值) Uimax =0.4V,则为使输出功率达到最大,电阻R2至少 应取多少千欧?
图片可以另 存为,可以 放大看的更 清楚一些
T1
电压放大倍数Au=△uO/ △uI =( 输入电阻Ri=( 输出电阻R0 =( ) )
)
+
uI
-
R1 -VBB R2 -VCC
T2
●
+ -
vo
四、(14分)反馈放大电路,填空: 1、电路如图所示,已知所有电容对交流信号均可视为短路。 电路引入的级间交流负反馈的组态为( 电压放大倍数的近似表达式为(
R5
六、(15分)已知图示电路集成运放均为理想运放。分别判断各电路是运算电 路还是电压比较器,并用恰当的方法描述输出电压和输入电压的函数关系uo =f ( uI )。设图中稳压管正向导通电压为0.7V;R3取值合适
R2 uI UREF
(+2V)
R2 uI1
●
R1 10k + -
10k R3 1k DZ (a) uo1
300k Rg2 C1 + vi Rg1 100k
Rd 3k
200k Rg2 C1
Rd 3k
200k Rg2 C1 Rg
1M
Rd 3k
C2 + vo + vi -
C2 + vo + vi -
C2 + vo Rs 1k Cs -
Rg1 100k
Rs 1kΒιβλιοθήκη Rg1 100k(a)
(b)
(c)
(1)静态工作点稳定性最差的电路是———— (2)输入电阻最大的电路是—————— (3)电压放大倍数数值最小的电路是————
5、阻容耦合放大电路只能放大一定频率范围内的交流信号。(
6、直接耦合放大电路采用差分放大电路是因为它可以有效地抑制温漂。( 7、只有放大电路的输出量与输入量反相,才能引入交流负反馈。( 二、(6分)选择填空:现有电路如下: A、反相比例运算电路 D、低通滤波器 B、积分运算电路 E、RC正弦波振荡电路 C、微分运算电路 F、LC正弦波振荡电路 ); )。 )
●
),在深度负反馈条件下的 )
R5
VCC
C3
●
R2
●
C2
R4
C1 T1 + uI -
●
T2 R1 R3 R6
●
RL
+ uo -
C4
+15V
+V(+15V)
2、图示电路为压控电流源,A为理想运放。
uI A T1
io
T2
-15V
R1
R2
(1)标出集成运放A的同相输入端(+)和反相输入端(-); (2)T1管应为( )结型场效应管(填写N沟道或P沟道),T2管应 为( )双极型三极管(填写NPN型或PNP型); (3)若R2=300Ω时,要求io=20mA,则输入电压uI应为( )V。 五、(14分)故障分析:电路如图所示。已知A1和A2为理想运放,其输出电压 的最大幅值为±14V;输入电压uI为1V。填空:
八、(10分)直接耦合多级放大电路的分析计算: 如图所示电路中,已知VCC=12V, VEE=6V,晶体三极管的发射结电压UBE 均约为0.7V , rbe 均约为1K Ω , β均约为100;T1和T2、T3和T4 、T5和T6的特性分别完全相同;静态时, IC1=0.2mA, IC9=1.5mA ; uI =0V时, uo =0V 。回答下列问题: (1)R1=? (2) R3=? (3) 设RL=10 K Ω ,求Au=△uO/ △uI ≈?
2、当图示放大电路分别输入正弦波电压和方波电压时,输出电压波形分别如图 (a)和图(b)所示,说明电路产生的是非线性失真(即截止失真或饱和失真) 还是频率失真,并说明通过增大或减少电路中那哪个元件的参数即可减少或消除 失真。将结论填入空内。
●
ui
ui
t O t
Rb
Rc
● ●
C2
VCC
O
+
+
vo
●
uo
uI + A1 - R1
10k
uo1 + R3
100k
正常工作时uo1=( )V, uo2=( )V, uo=( )V;若R1短路,则uo=( )V;若 R1开路,则uo=( )V;若R4短路,则 uo=( )V;若R4开路,则uo=( )V;
R2 100k - A2 +
RL
uo -
R4
100k
uo2
2008-2009年第一学期模拟电路期末试题(清华命题) 一、(7分)判断下列说法是否正确,对者打“√”,错者打“×” 1、在P型半导体中,掺入高浓度的五价元素磷,可以改型为N型半导体。( 2、本征半导体不带电,P型半导体带正电,N型半导体带负电。( 3、放大电路中负载上获得的信号能量由放大管提供。( 4、直接耦合放大电路只能放大直流信号。( ) ) ) ) ) )