2
04
02022032023202055555)(a r a ba a dr a r dr r ba a r a a
r
εεεεε-++=++=Φ??∞ 2-15.半径为a ,长度为L 的圆柱介质棒均匀极化,极化方向为轴向,极化强度为
P P z
=0 (P 0为常数)。求介质中的束缚电荷以及束缚电荷在轴线上产生的电场。 解: (1)介质中的束缚电荷体密度为0'=?-?=P
ρ
(2) 介质表面的束缚电荷面密度为P n s ?=?'ρ
在圆柱介质棒的侧面上束缚电荷面密度为零;在上下端面上束缚电荷面密度分别为0'P s ±=ρ.
(3) 上下端面上束缚电荷产生的电场
由例题2.2, 圆盘形电荷产生的电场为
???????<++->+-=0
');''1(20');''1(2)'(220
2
20z a z z z a z z z E s s
z ερερ
式中a 为圆盘半径。将坐标原点放在圆柱介质棒中心。
对上式做变换,2/'L z z -=,0P s =ρ,可上端面上束缚电荷产生的电场为
???
????<+--+->+---=2
/);)2/(2/1(22/);)2/(2/1(2)(22002
20
1L z a L z L z P L z a L z L z P z E z εε
同理,做变换,2/'L z z +=,0P s -=ρ,可下端面上束缚电荷产生的电场为 ???????-<++++->+++--=2
/);)2/(2/1(22/);)2/(2/1(2)(220
02
20
2L z a L z L z P L z a L z L z P z E z εε
上下端面上束缚电荷产生的总电场为
?????
??????-<+---+++<<-+---++++->+---+++=2/);)2/(2
/)2/(2/(22/2/);)2/(2/)2/(2/2(22
/);)2/(2
/)2/(2/(222220022220
022220
0L z a L z L z a L z L z P L z L a L z L z a L z L z P
L z a L z L z a L z L z P E z εεε
2-16.半径为a 的介质球均匀极化,
P P z
=0 ,求束缚电荷分布及束缚电荷在球中心产生的电场。 解: (1)介质中的束缚电荷体密度为0'=?-?=P
ρ
(2) 介质表面的束缚电荷面密度为 θρcos ???'00P P r z P n
s =?=?= 题2-16图 (3) 介质表面的束缚电荷在球心产生的电场
在介质球表面取半径为θsin a r =宽度为θad dl =的环带,可看成
半径为θsin a r =,θcos a z -=,电荷线密度为θθρd aP l cos 0=的线电荷圆环,例2.1给出了线电荷圆环的电场,对θ积分得
0002
0002/32223003cos cos 2]
)cos ()sin [(cos sin 2εθθεθθθθθεππP d P a a d a P E z =-=+=??
2-17.无限长的线电荷位于介电常数为ε的均匀介质中,线电荷密度ρl 为常数,求介质中的电场强度。 解: 设无限长的线电荷沿 z 轴放置, 利用高斯定理,容易求得介质中的电场强度为
περ
ρρ2l
E =
ρ为场点到线电荷的距离. 2-18. 半径为a 的均匀带电球壳,电荷面密度ρs 为常数,外包一层厚度为d 、介电常数为ε的介质,求介
质内外的电场强度。
解:由于电荷与介质分布具有球对称性,取半径为 r 的球面,利用高斯定理
??=?S
q S d D
上式左右两边分别为 s r a D r ρππ2
244=
由此得 2
2r a D s
r ρ=
因为E D ε=,所 以 ???????+>+<<=d a r r a d a r a r a E s s
r ;;20
22
2ερερ
2-19.两同心导体球壳半径分别为a 、b ,两导体之间介质的介电常数为ε,求两导体球壳之间的电容。
解:设内导体带电荷为 q ,由于电荷与介质分布具有球对称性,取半径为 r 的球面,采用高斯定理,两导体球壳之间的电场为 2
4r
q
E r πε=
两导体球壳之间的电压为 )11(4b
a q dr E V b
a
r -=
=?
πε
两导体球壳之间的电容为 a
b ab
V q C -=
=
πε4
2-20. 两同心导体球壳半径分别为a 、b ,两导体之间有两层介质,介电常数为ε1、ε2,介质界面半径为c ,求两导体球壳之间的电容。
解:设内导体带电荷为 q ,由于电荷与介质分布具有球对称性,取半径为 r 的球面,采用高斯定理可得,
2
4r
q D r π=
两导体球壳之间的电场为
???
????<<<<=b r c r q c r a r
q
E r ;4;42221πεπε
两导体球壳之间的电压为
)1
1(4b a q dr E V b
a
r -=
=?πε 两导体球壳之间的电容为 a
b ab
V q C -=
=πε4 2-21. 圆柱形电容器,内外导体半径分别为a 、b ,两导体之间介质的介电常数为ε,介质的击穿场强为E b ,求此电容器的耐压。
解:设内导体带电荷为 q ,由于电荷与介质分布具有轴对称性,取半径为 r 的柱面,忽略边缘效应,采用高斯定理,两导体球壳之间的电场为 rl
q E r πε2=
内导体表面上的电场最强,设等于击穿场强b E ,则al E q b πε2=。两导体球壳之间的电场用击穿场强b E 表示为 r
aE E b
r =
两导体球壳之间的耐压为 a
b aE dr E V b
a
b r ln
max ?
== 2-22.已知电场强度为
E x
y z =+-345 ,试求点(0,0,0)与点(1,2,1)之间的电压。 解:由于0=??E ,从而?=?l
l d E 0 ,即对E
的线积分与路径无关,因此从点(0,0,0)到点(1,2,1)之间对
E
的线积分的路径可取沿如图所示的路径,点(0,0,0)与点(1,2,1)之间的电压为
题2-22图
???=?+?+?=10
20
10
6???dz z E dy y E dx x
E V
2-23.已知在球坐标中电场强度为
E
r
r
=
3
2
,试求点(,,)
aθ?
11
与点(,,)
bθ?
22
之间的电压。
解:由于0
=
?
?E
,从而?=
?
l
l d
E0
,即对E
的线积分与路径无关,因此从点(,,)
aθ?
11
到点(,,)
bθ?
22之间对E
的线积分的路径可取从(,,)
aθ?
11
沿径向到点)
,
,
(
1
1
?
θ
b,再从)
,
,
(
1
1
?
θ
b沿球面到点(,,)
bθ?
22
的路径,而第二条路径的切向与E
垂直,线积分为零,因此
??-
=
=
?
=
l
b
a
ba
a
b
dr
r
l d
E
V
)
(3
3
2
2-24.已知在圆柱坐标中电场强度为
E=
2
ρ
ρ ,试求点(,,)
a?
1
0与点(,,)
b?
2
0之间的电压。
解:由于0
=
?
?E
,从而?=
?
l
l d
E0
,即对E
的线积分与路径无关,因此从点(,,)
a?
1
0到点(,,)
b?
2
0之间对E
的线积分的路径可取从(,,)
a?
1
0沿径向到点)0,
,
(
1
?
b,再从)0,
,
(
1
?
b沿柱面到点(,,)
b?
2
0的路径,而第二条路径的切向与E
垂直,线积分为零,因此
??=
=
?
=
l
b
a
a
b
d
l d
E
V ln
2
2
ρ
ρ
2-25已知真空中一内外半径分别为a、b的介质球壳,介电常数为ε,在球心放一电量为q的点电荷,求电场强度。
解:由题意,电场具有球对称结构。利用高斯定理??=
?
S
q
S d
D
,在半径为r的球面上
2
4r
q
D
rπ
=
由E
D
ε
=得
?
?
?
??
?
?
<
<
>
<
=
b
r
a
r
q
b
r
a
r
r
q
E
r
;
4
,
;
4
2
2
πε
πε
2-26.有三层均匀介质,介电常数分别为εεε
123
,,,取坐标系使分界均平行于xy面。已知三层介质中均为匀强场,且
E x z
1
32
=+
,求
E E
23
,。
解:因为三层介质中均为匀强场,
E x z
1
32
=+
,设第二、三层介质中的电场强度分别为
z
E
y
E
x
E
E
z
y
x
?
?
?
2
2
2
2
+
+
=
;z
E
y
E
x
E
E
z
y
x
?
?
?
3
3
3
3
+
+
=
由边界条件
t
t
E
E
2
1
=可得
3
1
3
2
=
=
=
x
x
x
E
E
E,0
1
3
2
=
=
=
y
y
y
E
E
E
由边界条件
n
n
D
D
2
1
=,可得
1
1
3
2
2ε
=
=
=
z
z
z
D
D
D,即
2
1
2
/
2ε
ε
=
z
E;
3
1
3
/
2ε
ε
=
z
E
所以z
x
E?
/
2
?3
2
1
2
ε
ε
+
=
,z
x
E?
/
2
?3
3
1
3
ε
ε
+
=
题2-27图 题2-28图
2-27.半径为a 的导体球中有两个半径均为b 的球形腔,在其中一个空腔中心有一个电量为q 的点电荷,如图所示,求导体球腔中及球外的电场强度。
解:(1)在有点电荷的空腔中,由于对称性,电场强度为2
1
01
14?R R q E πε=
,1R 为从空腔中心指向该空腔中场点的位置矢量。
(2)在另一没有点电荷的空腔中,由于静电屏蔽,该空腔中的电场强度为零。
(3)在导体球外,由于导体球为等位体,除了导体球面上外,导体球外没有电荷,因此导体球外电场具有球对称性,且导体球上的电量为q,所以导体球外的电场强度为 2
04r
q E r πε=
r 为导体球心到场点的距离。
2-28.同轴圆柱形电容器内外半径分别为a 、b ,导体之间一半填充介电常数为ε1的介质,另一半填充介电常数为ε2的介质。当电压为V 时,求电容器中的电场、电容及电荷分布。 解:设内导体上的电量为q,在内外导体之间取半径为 r 的圆柱面,利用高斯定理
??=?S
q S d D
在两个半柱面上,电场强度分别相等,上式变为 q E E rl r r =+)(22211εεπ 由介质边界条件r r r E E E ==21,可得 r
l q
E r )(221εεπ+=
内外导体之间的电压为 a
b l q dr E V b
a
r ln
)
(221εεπ+=
=?
由此得a
b V
l q ln )(221εεπ+=
;从而得
a
b r V
E r ln
=
a
b l V
q C ln )(221εεπ+==
由n
D s ??=
ρ,电荷分布为
ε1介质侧????????
?=-==b r a b
b V a r a b a V s ;ln ;ln 11εερ;ε2介质侧????
?????=-==b
r a b b V a r a b
a V
s ;ln ;ln 22εερ 2-29.z>0半空间为介电常数为ε1的介质,z<0半空间为介电常数为ε2的介质,当
(1)电量为q 的点电荷放在介质分界面
(2)电荷线密度为ρl 的均匀线电荷放在介质分界面 求电场强度。
解:(1)电量为q 的点电荷放在介质分界面
以点电荷为中心作以半径为r 的球,利用高斯定理
??=?S
q S d D
设上、下半球面上的电位移矢量分别1D 、2D
,根据对称性,在上、下半球面上大小分别相等,有
(22
r π)21n n D D +=q
根据边界条件t t E E 21=,因此 2
21)(2r
q
E n εεπ+=
(2)电荷线密度为ρl 的均匀线电荷放在介质分界面
以线电荷为轴线作以半径为r 单位长度的圆柱面,利用高斯定理
??=?S
l S d D ρ
设上、下半柱面上的电位移矢量分别1D 、2D
,根据对称性,在上、下半柱面上大小分别相等,有
(r π)21n n D D +=l ρ
(r π)2211n n E E εε+=l ρ
根据边界条件n n E E 21=,因此 r
E l
n )(21εεπρ+=
2-30.面积为A ,间距为d 的平板电容器电压为V ,介电常数为ε厚度为t 的介质板分别按如图a 、b 所示的方式放置在两导电平板之间。分别计算两种情况下电容器中的电容、电场及电荷分布。
题2-30图
解:(a )设导体板之间介质与空气中的电场分别为e E 、0E ,那么e E 、0E
满足关系
V t d E t E e =-+)(0
00E E e εε= (边界条件) 求解以上两式得
)
(t d t V
E r e -+=
ε; )(0t d t V E r r -+=εε
根据导体表面上的边界条件n s D =ρ,在上、下导体表面上的电荷面密度为
)(t d t V
r s -+±=εερ
电容为 )
(t d t AS
V A C r s -+==εερ
(b) 由图可见,导体板之间介质与空气中的电场为
d V E /=
根据导体表面上的边界条件n s D =ρ,在上、下导体板与空气的界面上的电荷面密度为 d V s /00ερ±=
在上、下导体板与介质的界面上的电荷面密度为 d V es /ερ±= 电容为 ad
At
ad
t a A V
A A C e
es s εερρ+
-=
+=
)
(000
2-31.电荷分布为
??
?
??><<<=d x d x x x x ;00;0;0)(ρ
在x=0处电位为0,求电位分布。
解:由电荷分布可知,电位仅是x 的函数,电位满足的方程为
??
?><<<-=Φd
x x d
x x dx d ,0;00;/022ε 其通解为
在d x <<0 210
3
16c x c x ++-=Φε
在0 653c x c +=Φ 设0)0(==Φx ,根据边界条件
002
1==Φ=Φx ;d x =Φ=Φ3
1;
021=Φ=Φx dx d dx d ;d x dx
d dx d =Φ=
Φ3
1 当∞→x 时,电荷分布可看成薄层,薄层外电场具有对称分布,32E E
-=,即 ∞
→Φ=
-∞→Φ-
x dx d x dx d 32
得0
3
602531423;4;0εεd c d c c c c c =
=-====
即 ????
???
??>+-<<+-
<=Φ
d
x d x d d x x d x x x d x ;340;460;4)(03
020203
02
εεεεε 2-32.两块电位分别为0和V 的半无限大的导电平板构成夹角为α的角形区域,求该角形区域中的电位分
布。
解:由题意,在圆柱坐标系中,电位仅是?的函数,在导电平板之间电位方程为
012
22
=Φ
=Φ??
ρd d 其通解为 01c c +=Φ?
由边界条件V ==Φ==Φ)(;0)0(α??,得
?α
V
=Φ
φ=V c
α b
φ=0 a
题2.32A 图 题2.31图
2-33.由导电平板制作的金属盒如图所示,除盒盖的电位为V 外,其余盒壁电位为0,求盒内电位分布。 解:用分离变量法,可得电位的通解为 )(sin sin
),,(1
,z mn z m n mn e B e y c
n x a m A z y x ααππ+=Φ-∞
=∑
22)()(
c
n a m π
πα+=
利用边界条件V b z z ==Φ==Φ)(;0)0(,可求出系数 1-=mn B
)
(162
b sh mn V
A mn απ= (m 、n 为奇数) 0=mn A (m 、n 为偶数)
题2-33图 题2-34图
2-34.在
E E x
=0 的匀强电场中沿z 轴放一根半径为a 的无限长导电圆柱后,求电位及电场。 解:由分离变量法,无限长导电圆柱外的电位的通解为
∑∞
=-+++
+=Φ1
00)sin )(cos (ln ),(m m m m m m
m b m d c
d c ??ρρρ?ρ (1)
设0)0(==Φρ,当∞→ρ时的电位等于无导电圆柱的电位,即
?-=-=?=∞→Φ=∞→Φ00000cos ?)()(x
E x E dx x
E ?ρρρ
(2) 要使式(1)的电位在∞→ρ时等于式(2),可得到系数 01E c -=,01=≠m c ,0=m b ,00=d 再由导体界面的边界条件0)(==Φa ρ得
0,1021==≠m d E a d
因此,电位的特解为
?ρ
ρ?ρcos )(),(2
0a E -
-=Φ
2-35.在无限大的导电平板上方距导电平板h 处平行放置无限长的线电荷,电荷线密度为ρl ,求导电平板上方的电场。
解:用镜像法,导电平板的影响等效为镜像位置的一个电荷线密度为-ρl 的线电荷, 导电平板上方的电场为
)(222
2
1110r r r r E l -=περ
式中1r 、2r
分别为线电荷及其镜像线电荷到场点的距离矢量。