12级《模电》复习例题初稿12.24 (1)
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
C. 变宽D. 无法确定。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流①6V0V5.7V图1①3V9V2.3V图221、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模电复习题及答案
1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=u A （ ） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ） （7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
《模电》经典题目-含答案
《模电》经典题目-含答案《模电》经典题目-含答案模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
b. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC 正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差模电压增益100vd=A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c===V A V ，则输出电压oV 为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEOI 为（）。
CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。
模电课后习题复习资料
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
电子技术基础(数电、模电)复习资料
电子技术基础（数电、模电） 复习资料一 、填空题1． N 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ， P 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。
答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子2. 二级管的伏安特性可分为 、 和三部分来说明。
答案：正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 使用环路增益波特图判断是否处在自激状态： 稳定状态时 、自激状态时 、 临界状态时 。
答案： 、4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。
答案：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合5. 放大电路有 、 和三种工作状态答案：甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是 指 ，用公式表达为 ，“虚断”是指 用公式表达为 。
答案：理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入电流等于零、 。
7. 按输入电压允许的极性分类，乘法运算电路可分为 、 和 。
答案：四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。
答案：频率、振幅、稳定度9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。
答案： 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。
答案：截止区、线性区、转折区、饱和区1. 集成运算放大器通常由 、 、 和 四部分组成。
答案：输入级、中间级、输出级、偏置电路2. 放大电路的频率特性是指在输入正弦信号幅值不变的情况下，放大电路输出信号的 和 随频率变化的关系，以频率特性图中间平坦部分为准，将频率特性分为 、 和 。
答-+=u u 0==-+i i n2dB G f f m o c 0,<>dB G f f m o c 0,><dBG f f m o c 0,==案： 幅值、相位、中频区、低频区、高频区3. 产生正弦波振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件表示为和 。
(完整版)模电综合复习题
中国石油大学（华东）现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件 dfadasfds 一、选择 sdasdasda1、在晶体管放大电路中，测得晶体管 的各个电极 的电位如下图所示，该晶体管 的类型是 [ A ] asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN 型硅管 PNP 型硅管 NPN 型锗管 PNP 型锗管2V 6V 1.3V2、三极管各个电极 的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] asdasdasdasA.饱和B.放大C.截止D.已损坏3 、在如下图所示电路中，当电源V=5V 时，测得 I=1mA 。
若把电源电压调整到 V=10V ，则电流 的大小将是 [ C ]A.I=2mA C.I>2mAB.I<2mA D.不能确定4 、在杂质半导体中，多数载流子 的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管 的主要特性是A.放大特性 [ C ]B. 恒温特性 恒流特性C.单向导电特性D.6、温度升高时，晶体管 的反向饱和电流 A.增大7 、下列选项中，不属三极管 的参数是 I CBO将 [ B ]B.减少C.不变D.不能确定[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流 I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率 PCM8、温度升高时，三极管 的β值将 A.增大9、在 N 型半导体中，多数载流子是[ A ]B.减少C.不变D. 不能确定[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大C.正向电阻反向电阻都小B.D.正向电阻大反向电阻小正向电阻反向电阻都大11、在 P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C. 离子D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
2012模电习题和答案1
2012模电习题和答案1《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。
4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1 V；硅管约为0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
模电数电复习题（已整理）
模电数电复习题（已整理）第1章常用半导体器件自测题三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和UO2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CCBECScV UI mAR-==，/28.6BS CSI I Aβμ==∴45.5BB BEbBSV UR kI==Ω习题1.2电路如图P1.2所示，已知10siniu tω=(V)，试画出iu与ou的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知tuiωsin5=(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u与ou的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
第2章基本放大电路2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100 bbr=Ω。
分别计算LR=∞和3LR k=Ω时的Q点、uA、iR和oR。
图P2.6 图P2.7解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r均相等，它们分别为：22CC BEQ BEQBQb sV U UI AR Rμ-=-≈1.76CQ BQI I mAβ=≈'26(1) 1.3be bbEQmVr r kIβ=++≈Ω空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V=-≈；308cubeRArβ=-≈-// 1.3i b be beR R r r k=≈≈Ω；93 beus ube srA Ar R≈?≈-+5o cR R k==Ω3LR k=Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c LL cRU V I R R VR R=-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
模电（李国立）12章习题答案
12 信号的运算和处理自我检测题一．选择和填空1．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用平方平方 运算电路。
运算电路。
2. 为求得两个信号1I v 与2I v 的乘积，首先可分别利用的乘积，首先可分别利用对数对数 运算电路求得1I v 、2I v 的对数1O v 、2O v ，然后利用然后利用 加法加法 运算电路求得1O v 与2O v 之和，最后利用之和，最后利用 反对数反对数运算电路求得1I v 与2I v 的乘积。
的乘积。
3．为了抑制50Hz 交流电源的干扰，应采用交流电源的干扰，应采用带阻滤波电路带阻滤波电路 。
4．为了处理接收的2.5GHz 的通信信号，应采用的通信信号，应采用带通滤波电路带通滤波电路 。
5.从输入信号中获得低于500Hz 的音频信号，应采用的音频信号，应采用 低通滤波电路低通滤波电路 。
6．从输入信号中抑制1Hz 以下的信号，应采用以下的信号，应采用高通滤波电路高通滤波电路 。
7．通带电压放大倍数等于其输入信号频率f = 0时的电压放大倍数的滤波电路是时的电压放大倍数的滤波电路是低通滤波电路滤波电路。
8. 通带电压放大倍数等于其输入信号频率f 趋于无穷大时的电压放大倍数的滤波电路是 高通滤波电路高通滤波电路 。
9. 输入信号频率为零和趋于无穷大时电压放大倍数数值最大且相等的滤波电路是 带阻滤波电路阻滤波电路。
10. 当输入信号频率f = 0和f 趋于无穷大时，其电压放大倍数等于零的滤波电路是趋于无穷大时，其电压放大倍数等于零的滤波电路是带通滤波电路通滤波电路。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．带阻滤波电路的Q 值愈大，它的阻带度就越窄（设特征频率不变）。
（ √ ） 2．一阶低通和高通滤波电路的特征频率f 0与通带截止频率f P 相等；而高阶低通和滤波电路的f 0 ¹ f P 。
（ √ ） 3．有源滤波电路传递函数的阶数愈高，有源滤波电路传递函数的阶数愈高，其实际幅频响应愈逼近理想特性。
淮工12级模电复习资料2
一、选择题1．当温度升高时，半导体三极管的共射电流放大倍数β将（）A．增大B．减小C．不变D．不确定2．乙类功率放大器的交越失真是由于晶体管的工作点设置不合适造成的，属于（）失真。
A．线性失真B．饱和失真C．截止失真D．以上都是3．通过测量得到电路中三极管的发射结正反偏、集电结正偏，则三极管处于：（）A.饱和状态B.截止状态C. 放大状态D.反向放大4．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=12V，U2=4V，U3=3.3V，则可知该管为（）。
A．PNP锗管B．NPN硅管C．NPN锗管D．PNP硅管5．集成运算放大电路中，中间级一般采用共射电路，其目的是（）A．抑制零点漂移B．减小输出阻抗C．阻抗匹配D．提高电压放大倍数6．两级放大电路，A u1= -20，A u2= 50，若输入电压U i=5mv，则输出电压U o为（）A．-200mv B．-250mV C．-5V D．5V7．为更好的抑制零漂移，集成运放的输入级大多采用( )A．直接耦合电路B．差动放大电路C．阻容耦合电路D．反馈放大电路8．为了将正弦波变换成方波，将方波变换成三角波，可以采用的电路是（）。
A．过零比较器和微分电路B．过零比较器和积分电路C．微分电路和过零比较器D．积分电路和过零比较器9．K CMR越大，表明运放＿＿。
A、开环差模电压放大倍数越小B、开环共模电压放大倍数越大C、闭环差模电压放大倍数越小D、放大器抑制零点漂移能力越强10．工作在放大区的某三极管,当I B从10μA增大到50μA时,I C从1mA变为5mA,则它的β值约为（）。
A．10 B．50 C．100 D．20011．对小信号放大电路进行静态分析的主要任务是( )。
A．确定电压放大倍数B．确定静态工作点C．确定输入电阻 D.输出电阻12．电路右下如图所示，输入为V P-P=3V,f=1KHz的三角波，电源电压为±10V，则输出为∞＋（ ）。
模电复习题 文档
模电习题库一、名词类1、本征半导体：2、负反馈：3、共模抑制比：4、闭环放大倍数：4、静态工作点：5、甲类放大器：6、开环放大倍数：7、通频带：8、PN结的动态平衡，9、PN结的雪崩击穿齐纳击穿。
10、零点漂移(零漂)，噪声。
11、负反馈，正反馈12、N沟道增强型MOSFET的开启电压---13、输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真，半功率点。
幅度失真，相位失真。
14、幅频响应，相频响应。
上边起源下边频。
虚短路，虚断路15、扩散，漂移，正向偏置，反向偏置，16交越失真，甲类放大器，乙类放大器，甲乙类放大器，17、有源滤波，高通，低通，带通，带阻。
一阶滤波，二阶滤波，传递函数，谐振角频率。
18、串联谐振，并联谐振。
二、单选择类1、半导体中空穴导电的原理是（）。
A电子的接力运动。
B空穴在电场力作用下定向移动。
C空穴的接力运动。
D杂质粒子在电场力作用下定向移动。
2、P型半导体是在本征半导体内掺入少量的（）元素而获得的杂质半导体。
A二价元素。
B三价元素。
C四价元素。
D五价元素。
3、模拟信号是指（）的信号。
A时间和数值都连续。
B数值连续。
C时间数值离散。
D时间连续。
4、放大电路的电压放大倍数是指（）。
A输出电流与输出入电压之比。
B输出电压与输出入电流之比。
C输出电流与输出入电流之比。
D 输出电压与输出入电压之比。
5、某电路电压增益为60dB，该电路的电压放大倍数为（）倍。
A10。
B100。
C1000。
D10000。
6、放大电路的非线性失真是由（）引起的。
A信号本身失真。
B放大器件的非线性失真。
C电抗元件。
D电阻。
7、N型半导体是在本征半导体内掺入少量的（）元素而获得的杂质半导体。
A二价元素。
B三价元素。
C四价元素。
D五价元素。
8、Si 二极管正向导通时正常工作电压约为（）伏。
A0.7V, B 0.5V ,C 0.4V，D 0.2V。
9、晶体管工作在放大区时外部电压条件为（）。
A发射结正偏置集电结反偏置。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
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2) VBRCEM=2VCC ≤VBRCEO
3) Icm=VCC /RL≤ICM
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电路如图所示，已知RL，T1、T2的饱和压降 |UCES|=1v，直流功耗可以忽略不计，回答下列问题： 1．R3、R4和T3的作用是什么？ 2．负载上获得最大不失真输出功率Pom和此时电路的 转换效率η 各为多少？ 3．设最大输入电压有效值为1V，为使电路的最大不 失真输出电压的峰值达到14V，电阻R6至少应取多少千欧 ？ 4. 选择怎样的功率管方可使电路安全可靠地工作?
实际的串联型稳压电源工作时的效率没有 这么高，大多在40%～60%之间。
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信号发生电路 要点
1. 振荡条件
振幅平衡条件 a ( ) f ( ) 2nπ 相位平衡条件
A( ) F ( ) 1
2. 起振和稳幅
A( ) F ( ) 1
解：
根据集成运放的“虚短” 和“虚断”，得：
电流反馈系数为：
图6.4.4 电流并联负反馈电路
闭环压放大倍数为：
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例12 解：
已知下图所示电路中的所有运算放大器均为理想 运算放大器。分别写出vo与vi1、vi2、vi3、vi4之间的关系表 达式：
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解：(1) D1～D4构成桥式整流电路；C1组成电容滤波电路； T1和T2构成的复合管是调整管；R4、DZ2和R5、DZ1组成两 级稳压电路形成较稳定的基准电压；集成运放A完成比较 放大功能；R1、R2、R3构成反馈网络和取样电路。其中 R2为电位器，使输出电压具有一定的调节范围。另外，电 容C2也构成电容滤波电路，进一步减小输出电压的纹波。 (2) 上“－”下“+”。 (3) 当R2滑动端移 到上端位置时 R2 R3 VZ 1 VO min R1 R2 R3 当R2滑动端移到下端时 VZ 1
例1.
直流稳压电源电路如图10.4.2所示。
(1) 说明整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、 比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。 (2) 标出集成运放的同相输入端和反相输入端。 (3) 写出输出电压的表达式。
图10.4.2 例10.4.1的稳压电路
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3. 电源供给的功率PE
PE =Po PT
2VCCVom πRL
当 Vom
4. 效率
Po π Vom = PV 4 VCC
2 VCC 2 VCC 时， PEm π RL
当 Vom VCC 时，
最大
π 78.5 % 4
5. 功率管BJT的选择
1) PT1m ≈0.2Pom ≤PCM
o i
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例8
试求下图电路中输出电压与输入电压的关系。
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功率放大电路要点： 乙类、甲乙类OCL互补功放电路 1. 输出功率
最大不失真输出功率
Pomax VCC VCES 2 ) (VCC VCES ) 2 2 = RL 2 RL 2 (
0.6 3R1 ' R5
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例4
已知下图中运放A是理想的，电路已稳定地振荡 起来。振幅稳定后二极管两端的电压为 VD=0.5v。试 求： A. 电路的振荡To和频率fO； B. 输出电压Vom； C.二极管D1 、D2的作用是什么? D.若要改变振荡频率,问怎样改动电路？ 解:
串联负反馈 —— 增大输入电阻
并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
第2章 理想的集成运放的开环增益为 ∞，输入电阻为 ∞，输出电阻为0.
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求下图所示电流并联负反馈电路的反馈系数和 例题11电压增益。
D. 若要改变振荡频率,问怎样改动电路？
因为fO=1/(2
RC)
改变R或者改变C的值 即可以改变fO 减小R或C的值,可以增 大 频率; 增大R或C的 值,可以减小频率.
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基本运算电路
例5 反相运算电路
1) 电压放大倍数 由“虚断”，iP iN 0，得
A. TO=2 RC=0.0009425(s)
fO=1/(2 RC)=1061(Hz) B. AV=3=(R1+R2+R3//RD)/R1 解出R3//RD=1.1(kΩ)
VOm/(R1+R2+ R3//RD)=VD/1.1 VOm=(R1+R2+ R3//RD)VD/1.1=6.95(v)
C. 当VOm较小时, D1、D2不导通,AV>3, 振荡不断增强,随 着VOm增大, D1、D2导通,使R3//RD下降到1.1kΩ时, AV=3, 振幅稳定不再增大,所以起到稳定振幅的作用. 物理与电子电气工程学院 Yang Jun
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负反馈放大电路要点
一、反馈类型的判别步骤
1. 有无反馈
是否存在把输出回路和输入回路连接起来的支路。 2.交流反馈与直流反馈
反馈存在于直流或交流或交直流通路中。 3.正反馈与负反馈
瞬时极性法。 4. 反馈的组态
输出端：并联取电压；串联取电流。
输入端：串联分压
；并联分流。
所以输出电压为： R R R1 2 3
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R3 VO max R1 R2 R3
图10.4.2 例10.4.1的稳压电路
R2 R3
R1 R2 R3 VZ 1 Vo VZ 1 R3
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(3) 由集成运放两输入端的虚短关系VP≈VN，可得 当R2滑动端移到上端位置时
R2 R3 VZ 1 VO min R1 R2 R3 R3 VZ 1 VO max R1 R2 R3
当R2滑动端移到下端时
所以
R1 R2 R3 R1 R2 R3 VZ 1 Vo VZ 1 R2 R3 R3
令R2下表示滑动头到下端的电阻，则
Vo /(R1 R2 R3 ) VZ 1 /(R2下 R3 )
例6 同相比例运算电路 (1). 电路的组成 (2) 电压放大倍数 虚断 iP iN 0 虚短 v N vP R1 vi vP v N vo R1 R f
图8.1.3 同相比例运算电路
Rf vo Avf 1 vi R1
1
(3). 电压跟随器
利用“虚短”和“虚断” ，得
可见线性可调稳压电源在低电压输出时效率是非常低 的，这种电源显然是不适合较大功率应用场合的。
当交流电压最低时
VA 1.2 20 (1 10%) 21.6(V )
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P0 15 1.2 100 % 100 % 69.44% P 21.6 1.2 V
图10.4.3 采用晶体管放大器的串联稳压电路
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(3) 若RP的滑动端在最上端时
(4) 根据桥式整流电容滤波的输出电压 VA 1.2V2 1.2 20 24(V ) RL=VA/IL=24V/1.2A=20Ω
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二、负反馈放大电路的四种反馈组态
电压串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路
三、负反馈放大电路闭环增益一般表达式
闭环增益一般表达式
(1 AF ) 称为反馈深度
A Af 1 AF
所以 Vo VZ 1 ( R1 R2 R3 ) /(R2下 R3 )
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(0 R2下 R2 )
例2.
图10.4.3所示电路为输出负电压的稳压电源。已知稳
压管Dz的稳定电压Vz=-2.3V，晶体管的VBE=-0.7V，电阻 R3=R4=1kΩ。 (1) 说明串联型稳压电路的各部分由哪些元、器件构成； (2) 若RP的滑动端在最下端时Vo=-15V，求RP的值； (3) 若RP的滑动端在最上端，问Vo=? (4) 若电网电压波动，最大输出电流为1.2A，T1的最大管耗为 多少瓦？ (5) 在输出电流为1.2A情况下，求稳压电路的效率。
LC 振荡电路:
频率f o
1 2 LC
; 周期TO 2
LC
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下图中运放A是理想的，文氏桥式振荡电路在振幅 稳定 后二极管两端的电压为 VD=0.6v。回答下列问题： 1. D1、D2、R5有什么作用？ 2. 电路的最低振荡频率和最高振荡频率分别是多少？
iR1 i f
vi v N v N vo ， R1 Rf
图8.1.1反相比例运算电路
vN 由“虚短”， vP，得
vi 0 0 v o R1 Rf
Rf vo Av vi R1
2) 输入电阻 Ri 和 Ro 输出电阻
Ri R1
Ro 0
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解： (1)图10.4.3所示为一完整的桥式整流、电容滤波、 串联稳压电路。其中，稳压电路包含电压调整管、基准电 压、取样电路、比较放大4部分。分别由下列元器件构成： 电压调整管由复合管T1、T2构成；基准电压部分为R2 和稳压管DZ；取样电路由R3、R4和电位器RP组成；比较放 大由三极管T3组成。 必须指出的是：图10.4.3中稳压管的限流电阻R2连接到 B点，是为了提高基准电压的稳定性。此时，必须加入启动 电阻R1，否则电路不能正常工作。