SS8050三极管
三极管8050

三极管8050介绍三极管8050(Transistor 8050)是一种常规的下沉式晶体管,属于NPN型三极管。
它是一种低功耗、高输入阻抗、中等输出功率的晶体管。
由于其小尺寸和容易使用的特点,三极管8050在电子和电路设计中得到了广泛应用。
三极管8050的外观类似于一个小型的方形芯片,有三个引脚标记为E(发射极)、B(基极)和C(集电极)。
在电子电路中,它通常被用作放大器、开关和振荡器等设备。
特性封装类型三极管8050常见的封装类型有TO-92和SOT-23。
其中,TO-92封装是较为常见的封装类型,适用于手工和自动插装技术。
而SOT-23封装则更小巧,适用于电路板的紧凑设计。
电性能三极管8050具有以下电性能特点:•最大耗散功率(Pd):500mW•高前向电流增益(hFE):最小为40•高频带宽(fT):5MHz•高封装温度(TJ):150°C参数以下是三极管8050常见的参数:•额定电流(IC):500mA•额定电压(VCEO):25V•额定功率(PC):500mW•最大集电极-基极电压(VCE):25V•最大集电极-发射极电压(VBE):5V应用三极管8050广泛应用于电子和电路设计中,以下是一些常见的应用场景:放大器三极管8050可用作放大器,将弱信号放大为较大信号,以便驱动阻抗较大的负载。
它可以用于音频放大器、射频放大器和功率放大器等应用。
开关三极管8050可用作开关,将输入信号应用于基极,根据基极电流控制输出电流的开关状态。
它可以用于各种电路开关、闪烁灯和逻辑门等应用。
振荡器三极管8050还可用于设计振荡器电路,产生特定频率的交流信号。
这些信号可以应用于无线电调制器、时钟电路和信号发生器等应用。
使用示例以下是一个使用三极管8050的放大器电路示例:Vcc ---------R1---------|-----------Vout|-----C1 |---| Tr8050-----||GND其中,Vcc表示电源电压,R1为输入电阻,C1为输入电容,Vout为输出信号。
8050三级的基本管参数

8050三级的基本管参数8050三极管是一种常用的电子元件,作为一种非常重要的半导体元件,广泛应用于各种电子设备中。
对于三级管的基本参数,我们可以从以下几个方面来进行介绍。
首先,我们来看一下三极管的结构。
三极管由三个区域组成,分别是发射区、基区和集电区。
发射区和基区之间形成一个非常薄的基极结,而基区和集电区之间形成一个非常薄的集电结。
这种结构使得三极管具有非常好的放大性能和开关能力。
三极管的第一个基本参数是电流放大倍数,也叫做β值。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值,用来衡量三极管的放大作用。
β值越大,说明三极管的放大作用越好。
一般来说,8050三极管的β值在30到300之间。
第二个基本参数是最大耐压能力。
耐压能力是指三极管在集电结和发射结之间能够承受的最大电压。
对于8050三极管来说,其最大耐压一般在25V到60V之间。
第三个基本参数是最大集电电流。
集电电流是指从集电区流出的电流,也就是三极管的输出电流。
8050三极管的最大集电电流一般在500mA到800mA之间。
第四个基本参数是最大功率耗散。
功率耗散是指三极管在工作过程中的耗散功率,可以通过集电极电流和集电极电压之积得到。
对于8050三极管来说,其最大功率耗散一般在400mW到800mW之间。
第五个基本参数是最大工作频率。
工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。
对于8050三极管来说,其最大工作频率一般在100MHz到300MHz之间。
除了以上几个基本参数外,三极管还有一些其他的参数,如输入电阻、输出电阻和截止频率等。
输入电阻是指三极管的输入端对电流的阻抗,输出电阻是指三极管的输出端对电流的阻抗,而截止频率是指三极管无法正常放大电信号的最高频率。
总结起来,8050三极管的基本管参数包括电流放大倍数、最大耐压能力、最大集电电流、最大功率耗散和最大工作频率等。
这些参数决定了三极管的放大性能、开关能力和稳定性,对于电子设备的设计和应用具有非常重要的意义。
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别

三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别8050 8550三极管有时在电路⾥做为对管来使⽤,也有的做单管应⽤。
在有些电路⾥对S8050放⼤倍数要求是很⾼的,不能随意替换,必需要⽤原参数管才能替换,否则电路不能正常⼯作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管。
S8050 、S8*******S8550SC8050C85508050SS8550SSSS8050SS8550耗散功率0.625W(贴⽚:0.3W)0.625W(贴⽚:0.3W)1W1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)集电极电流0.5A0.5A 1.5A 1.5A 1.5A集电极--基极电压40V30V40V40V40V集电极--发射极击穿电压25V25V25V25V25V集电极-发射极饱和电压0.6V0.5V特征频率fT最⼩150MHZ最⼩150MHZ fT 最⼩100MHZ典型190MHZ最⼩100MHZ最⼩100MHZ引脚排列EBC或ECB ECB EBC EBC ECB两种多为EBC按后缀号分档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档分为 B C DD3分为 B C D放⼤倍数B:85-160C:120-200D:160-300L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300E:280-400L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300B:85-160C:120-200D:160-300D3:300-400B:85-160C:120-200D:160-300UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管⼦很少见参数:耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最⼩100MHZ放⼤倍数:按三极管后缀号分为C D E档C:120-200 D:160-300 E:280-400。
8050三极管参数

8050三极管参数引言8050三极管是一种常用的PNP型晶体管,广泛应用于电子电路中。
了解和掌握8050三极管的参数是进行电路设计和故障排除的基础。
本文将介绍8050三极管的常见参数,包括最大额定值、电流增益、电压参数等。
通过详细了解这些参数,我们可以更好地应用8050三极管。
一、最大额定值8050三极管的最大额定值指的是在特定条件下,三极管能够承受的最大电流和电压。
以下是8050三极管的最大额定值参数:1.最大集电极电流 (ICmax):这是指在指定的集电极-发射极电压下,三极管可以承受的最大电流。
对于8050三极管,典型的最大集电极电流为700mA。
2.最大集电极功率 (PCmax):这是指在指定的集电极-发射极电压下,三极管可以承受的最大功率。
对于8050三极管,典型的最大集电极功率为625mW。
3.最大集电极-发射极电压 (VCEOmax):这是指在指定的集电极电流下,三极管可以承受的最大电压。
对于8050三极管,典型的最大集电极-发射极电压为-40V。
二、电流增益电流增益是指三极管中输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的电流增益参数如下:1.直流电流增益 (DC Current Gain):直流电流增益是指在静态工作条件下,三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型直流电流增益为30至200。
2.交流电流增益 (AC Current Gain):交流电流增益是指在动态工作条件下,三极管的输入电流与输出电流之间的比例关系。
8050三极管的典型交流电流增益为50至400。
三、电压参数电压参数是指三极管在不同工作状态下的电压值。
8050三极管的电压参数如下:1.饱和电压 (VCEsat):饱和电压是指在三极管完全导通时,集电极-发射极间的电压降。
8050三极管的典型饱和电压为-0.5V。
2.基极-发射极电压 (VBE):基极-发射极电压是指在三极管正常工作时,基极与发射极之间的电压差。
【2022】FOSAN富信科技二三极管FX SS8050规格书

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■FEATURES特點Low Frequency Power Amplifier低頻功率放大Suitable for Driver Stage of Small Motor小馬達驅動Complementary to SS8550与SS8550互补■最大額定值(T a=25℃)CHARACTERISTIC 特性參數Symbol符號Rating額定值Unit單位Collector-Base Voltage集電極-基極電壓V CBO30Vdc Collect-Emitter Voltage集電極-發射極電壓V CEO20Vdc Emitter-Base Voltage發射極-基極電壓V EBO 5.0Vdc Collector Current集電極電流Ic1500mAdc Collector Power Dissipation集電極耗散功率P C300mW Junction Temperature結溫T j150℃Storage Temperature Range儲存溫度T stg-55〜150℃■DEVICE MARKING打標SS8050=Y1■H FE RANGE放大倍數分檔H FE(1)(85〜150),(120〜220)(200~300),(280~400)ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明,溫度爲25℃)Characterstic 特性參數Symbol符號Test Condition測試條件Min.最小值Typ.典型值Max.最大值Unit單位Collector Cutoff Current 集電極截止電流I CBO V CB=30V,I E=0——0.1μAEmitter Cutoff Current 發射極截止電流I EBO V EB=5V,I C=0——0.1μACollector-Base Breakdown Voltage集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO I C=100μA30——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集電極-發射極擊穿電壓V(BR)CEO I C=10mA20——V Emitter-Base Breakdown Voltage發射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO I E=100μA5——VDC Current Gain 直流電流增益H FE(1)V CE=1V,I C=100mA85—400—H FE(2)V CE=1V,Ic=1500mA40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降V CE(sat)I C=1500mA,I B=150mA——0.6VBase-Emitter Voltage 基極-發射極電壓V BE V CE=1V,I C=10mA—0.8 1.0VTransition Frequency 特徵頻率f T V CE=5V,I C=10mA100120—MHzCollector Output Capacitance 輸出電容C ob V CB=10V,I E=0,f=1MHz—1330pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8050■DIMENSION外形封裝尺寸。
三极管8050参数

三极管8050参数1. 引言三极管是一种重要的电子元器件,常用于放大电路和开关电路中。
三极管8050是一种常用的NPN型小功率晶体管,具有广泛的应用领域。
本文将介绍三极管8050的基本参数,包括极限参数、电学参数、封装和引脚配置等内容。
2. 极限参数三极管的极限参数是指在规定的工作条件下,三极管能够承受的最大电压、电流和功率等。
对于三极管8050来说,其极限参数如下: - Emitter-Base电压(VEBO):5V - Collector-Base电压(VCBO):30V - Collector-Emitter电压(VCEO):25V - Base-Collector电流(ICBO):50nA - Collector-Emitter饱和电压(VCEsat):0.5V(最大值) - 最大集电器功率(PC):625mW - 工作温度范围(Topr):-55℃至150℃3. 电学参数三极管8050的电学参数描述了其在实际应用中的电性能。
以下是三极管8050的主要电学参数: - 饱和电流(ICsat):150mA(最小值)- 直流放大倍数(DC Current Gain,hFE):范围为70至700 - 高频电流增益(fT):300 MHz - 输入电阻(R1E):10kΩ - 输出电阻(RO):100Ω4. 封装和引脚配置三极管8050通常采用SOT-23封装,其引脚配置如下: - 引脚1:Base(基极) - 引脚2:Collector(集电极) - 引脚3:Emitter(发射极)5. 应用示例三极管8050广泛应用于各种电子电路中,以下是一些常见的应用示例: - 放大电路:三极管8050可以作为低功率音频放大器的输出级或驱动级,用于放大音频信号。
- 开关电路:三极管8050可以用作数字信号开关,通过控制其基极电流来控制开关状态。
- 电源管理:三极管8050可以用于电池管理系统、充电电路和稳压电路等,起到控制电流和电压的作用。
8050三极管参数

8050三极管参数题目:8050三极管参数简述与应用导语:在电子电路领域,三极管是一种常见的电子元件,其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用,帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管,具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成:发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中,发射区与基区之间存在正向偏置,而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流(ICmax):它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值,三极管可能会损坏,因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压(VCEOmax):它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时,三极管可能发生击穿,导致失效或损坏。
3. 最大功耗(Pmax):它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值,三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数(hFE):它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路:由于8050三极管具有较高的电流放大倍数,常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容,可以构建各种放大电路,如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路:8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中,通过控制输入信号的变化,可以将三极管从导通状态切换到截止状态,或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路:利用三极管的正反馈特性,8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语:通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍,我们可以看到,它作为一款常见的晶体管元件,在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用,能够帮助我们设计和调试电路,使电子设备工作更加稳定和高效。
SS8050三极管规格书:三极管SS8050参数与封装尺寸

Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
三极管8050特性

三极管8050特性三极管是一种常用的电子器件,广泛应用于电子电路中。
其中,8050三极管是一种常见的NPN型高频放大管。
它具有一系列特性,包括其电气特性、封装形式、工作原理以及应用领域等。
在本文中,我将对三极管8050的特性进行深入探讨,并分享我的观点和理解。
一、8050三极管的电气特性1. 放大特性:8050三极管可以作为放大电路的核心元件,在放大信号的过程中发挥重要作用。
其具有高电流放大能力和低电阻特性,可实现信号的放大和放大倍数的调节。
2. 频率特性:8050三极管是一种高频放大管,其工作频率范围较宽,一般在几十到几百兆赫兹。
在高频信号放大和调制解调等方面有着良好的性能。
3. 动态特性:8050三极管具有较快的开关速度和响应能力,适合用于开关电路和数码电路等需要快速响应的应用中。
4. 热特性:8050三极管在工作过程中会产生一定的热量,因此需要注意散热问题,避免温度过高导致器件失效。
二、8050三极管的封装形式8050三极管通常采用TO-92封装,这是一种常见的小功率三极管封装形式。
TO-92封装具有体积小、热阻低、便于安装等优点,广泛应用于各种电子设备中。
三、8050三极管的工作原理8050三极管是一种双极晶体管,由三个区域组成:发射区、基区和集电区。
基于P型半导体和N型半导体的接合产生PN结,形成两个二极管:PN结和NP结。
当给定适当的工作电压时,可以控制PN结和NP结之间的电流流动,实现对电路的控制和放大功能。
四、8050三极管的应用领域8050三极管广泛应用于各种电子设备和电路中,包括但不限于以下几个领域:1. 放大电路:8050三极管可以作为放大电路的关键元件,用于音频放大器、射频放大器等方面。
2. 开关电路:由于8050三极管具有较快的开关速度和响应能力,可用于各种开关电路的设计与控制。
3. 数字电路:8050三极管在计算机和数字电路中有着广泛的应用,用于逻辑门、存储器等方面。
8050三极管引脚图 8050三极管参数

在一些电路中相信大家都见过长着几个脚的小元件,其中有一种叫8050三极管,今天我们来了看看8050三极管引脚图,8050三极管参数情况:
8050三极管是什么?
8050三极管是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。
也可用作开关电路。
8050三极管引脚图:
8050三极管(TO-92封装)引脚图
8050三极管(SOT-23封装)引脚图
8050三极管电路图
8050三极管参数:
类型:开关型;
极性:NPN;
材料:硅;
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压(VCEO):25;[1]
特征频率:150 MHz
PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K
关于8050三极管的相关信息就和大家分享到这里了,更多相关信息请关注土巴兔学装修。
8050三级的基本管参数

8050三级的基本管参数
1. 管脚配置:8050三级管为三引脚器件,分别为集电极(Collector)、基极(Base)和发射极(Emitter)。
2.封装形式:8050三级管一般采用SOT-23或TO-92等标准封装。
3.最大额定电压:8050三级管的最大额定电压一般为40V。
4.最大额定电流:8050三级管的最大额定电流一般为0.5A。
5.最大功耗:8050三级管的最大功耗一般为625mW。
6.最大工作温度:8050三级管的最大工作温度一般为150℃。
7.放大倍数:8050三级管的放大倍数(即β值)一般为100-600。
8.射极-基极饱和压降:8050三级管的射极-基极饱和压降一般为
0.6V。
9.输入电容和输出电容:8050三级管的输入电容和输出电容较小,
适合在高频应用中使用。
10.静态工作点:在直流工作条件下,8050三级管的静态工作点通常
需要在合适的偏置点上操作。
11.频率响应:8050三级管的频率响应较好,适合用于放大和开关应用。
12.可靠性和寿命:8050三级管具有良好的可靠性和较长的使用寿命。
需要注意的是,以上参数仅为8050三级管的一般参考值,在实际应
用中可能会存在一定的差异,具体参数以厂家提供的数据手册为准。
三极管8050原理

三极管8050原理三极管是一种重要的电子器件,在电路中有着广泛的应用。
其中,三极管8050作为一种常用的NPN型晶体管,在电子领域中应用广泛。
本文将从三极管8050的原理出发,介绍其结构、工作原理以及应用。
一、三极管8050的结构三极管8050由三个区域组成,分别是发射区、基极区和集电区。
它的结构与一般的NPN型晶体管相似,但相对于其他晶体管来说,三极管8050的尺寸较小,功耗也较低。
在三极管8050的结构中,发射极与基极之间有一个PN结,基极与集电极之间也有一个PN结。
这两个PN结分别形成PNP型和NPN型的结构,从而实现了三极管8050的正常工作。
二、三极管8050的工作原理1. 放大作用三极管8050的主要工作原理是放大作用。
在正常工作时,当基极极端施加一个正向电压时,会将电子注入到基区。
这些电子会与基区中的空穴复合,从而形成一个电流。
由于基区非常薄,因此这个电流非常小,但它可以控制集电区的电流。
2. 开关作用除了放大作用外,三极管8050还具有开关作用。
当基极极端施加一个截止电压时,三极管8050处于关闭状态,集电区电流非常小。
而当基极极端施加一个饱和电压时,三极管8050处于导通状态,集电区电流变大。
三、三极管8050的应用1. 放大器三极管8050可以作为放大器的关键元件,将弱信号放大为强信号。
它常用于音频放大电路、射频放大电路等。
2. 开关电路三极管8050的开关功能使其在数字电路中得到广泛应用。
它可以控制功率电路的开关,实现电路的开关控制。
3. 振荡电路三极管8050也可以用于振荡电路的构建。
通过合适的电路设计,使三极管8050在特定频率下产生连续的振荡信号。
4. 电源电路由于三极管8050具有电流放大作用,因此它可以用于电源电路中的电流调节和电压稳定。
四、总结三极管8050作为一种常用的NPN型晶体管,具有放大器和开关的功能。
它的工作原理基于PNP和NPN型结构,通过对基极施加不同的电压来控制集电区电流的大小。
FOSAN富信电子 三极管 SS8050-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8050 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标SS8050=Y1ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ,I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ,I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ,I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =40V ,I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ,V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =5V ,I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ,I C =100mA)H FE (1)120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ,I C =1500mA)H FE (2)40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =1500mA ,I B =150mA)V CE(sat)——0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =1500mA ,I B =150mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =10V ,I C =50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ,I E =0,f=1MH Z )C ob—13—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8050■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
SS8050中文资料

最大值
100 100 300 300 300 0.5 1.2
单位 V V V nA nA
V V
续表
V (on) BE C ob f T
基极-发 V =1V,
CE
射极导通 I =10mA
电压
C
输出电容 VCB=10V ,I =0,
E
f=1MHz
电流增 V =10V,
FE1
CE
增益 I =5mA
C
h
V =1V, 85
FE2
CE
I =100mA C
h
V =1V, 40
FE3
CE
I =800mA C
V (sat) CE
集电极发射极饱 和电压
I =800mA C
,I =80m B A
V (sat) BE
基极-发 射极饱和
电压
I =800mA C
,I =80m B A
典型值
CE
益-带宽 I =50mA
乘积
C
h 分级 FE 分级 h FE2
典型特性
B 85—160
0.66 9
100
190
C 120—200
1
V
pF
MHz
D 160—300
图 1 静态特性曲线
图 2 直流电流增益
图 3 基极-发射极饱和电压 集电极-发射极饱和电压
图 4 基极-发射极导通电压 图 5 集电极输出电容
参数 集电极-基极电压 集电极-发射极电
压 发射极-基极电压
集电极电流 集电极功率损耗
PN 结温度 储存温度
额定值 40 25
6 1.5 1 150 -65—150
8050三极管参数

8050三极管参数三极管(又称晶体三极管)是一种常用的半导体器件,用于放大和控制电流。
其中8050三极管是一种常见的型号,具有特定的参数和规格,下面将详细介绍8050三极管的参数。
1. 8050三极管的类型:NPN三极管。
NPN三极管由两个P型半导体夹在一个N型半导体之间构成,其中N型半导体为基极,两个P型半导体为发射极和集电极。
2. 8050三极管的封装:TO-92封装。
TO-92封装是一种常见的小功率三极管封装,具有三个引脚,便于插入电路板并连接外部元件。
3. 8050三极管的最大集电极电流(Ic):500mA。
最大集电极电流是指三极管在正常工作条件下能够承受的最大电流值,超过该数值可能会损坏器件。
4. 8050三极管的最大功耗(Ptot):500mW。
最大功耗是指三极管能够稳定工作的最大功耗,超过该数值可能导致器件过热。
5. 8050三极管的最大集电极-发射极电压(Vceo):40V。
最大集电极-发射极电压是指三极管在封装工作时能够承受的最大电压值。
6. 8050三极管的最大集电极-基极电压(Vcbo):60V。
最大集电极-基极电压是指三极管在封装工作时能够承受的最大电压值。
7. 8050三极管的最大电流增益(hfe):100-300。
电流增益是指三极管的电流放大倍数,即集电极电流与基极电流的比值,值越大表示放大效果越好。
8. 8050三极管的截止频率(ft):100MHz。
截止频率是指三极管在放大电流时的最大工作频率,超过该频率可能会导致信号失真。
以上是8050三极管的一些重要参数,这些参数是选择和设计电路时需要考虑的重要因素。
在实际电路设计中,根据具体的要求和条件,选择合适的三极管型号和参数是非常关键的。
8050三极管作为一种常用的小功率三极管,具有稳定的性能和可靠的工作特性,广泛应用于电子电路中的放大和控制电流的功能。
8050三级管引脚参数

8050三级管引脚参数8050三级管是一种常用的晶体管,广泛应用于电子电路中。
它具有三个引脚,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。
这三个引脚的参数对于正确使用和连接三级管至关重要。
首先是基极(B)引脚。
基极是三级管的控制端,用于控制电流的流动。
在连接三级管时,基极引脚应连接到控制信号源,如微处理器或其他电路。
基极引脚的电流通常很小,一般在几微安到几毫安之间。
此外,基极引脚还具有极高的输入阻抗,可以有效地接收控制信号。
其次是发射极(E)引脚。
发射极是三级管的输出端,用于输出电流。
在连接三级管时,发射极引脚应连接到负载电路或其他电子元件。
发射极引脚的电流通常较大,一般在几十毫安到几百毫安之间。
此外,发射极引脚还具有较低的输出阻抗,可以有效地输出电流。
最后是集电极(C)引脚。
集电极是三级管的输入端,用于输入电流。
在连接三级管时,集电极引脚应连接到电源正极或其他电子元件。
集电极引脚的电流通常较大,一般在几十毫安到几百毫安之间。
此外,集电极引脚还具有较低的输入阻抗,可以有效地接收输入电流。
除了这些基本参数外,8050三级管还具有其他一些重要的参数。
例如,最大集电极电流(IC max)是指三级管能够承受的最大集电极电流。
超过这个电流值,三级管可能会受到损坏。
另外,最大集电极-发射极电压(VCEO max)是指三级管能够承受的最大集电极-发射极电压。
超过这个电压值,三级管可能会发生击穿。
在使用8050三级管时,我们需要根据具体的应用需求选择合适的参数。
例如,如果需要控制较大的电流,则需要选择具有较大IC max的三级管。
如果需要承受较高的电压,则需要选择具有较大VCEOmax的三级管。
此外,还需要注意三级管的极性,确保正确连接引脚。
总之,8050三级管是一种常用的晶体管,具有基极、发射极和集电极三个引脚。
这些引脚的参数对于正确使用和连接三级管非常重要。
我们需要了解基极、发射极和集电极引脚的功能和特性,并根据具体需求选择合适的参数。
8050三极管参数

8050三极管参数8050三极管是一种高功率晶体管,它具有很多优点,包括高电流、高频率、低噪声、高温度稳定性等。
在设计和制造电子设备时,了解8050三极管的参数非常重要。
下面将详细介绍8050三极管的参数。
一、8050三极管的基本概述8050三极管是一种NPN型晶体管,其结构由P型基区、N型集电区和N型发射区组成。
当电流流过基区时,它会控制集电区和发射区之间的电流流动。
因此,8050三极管可以用来放大信号和控制电路。
二、8050三极管的主要参数1.最大耗散功率(Pdmax):这是指在特定条件下,晶体管能够承受的最大功率。
对于8050三极管而言,其最大耗散功率为25W。
2.最大集电-发射电压(Vce max):这是指晶体管可以承受的最大集电-发射间隙电压。
对于8050三极管而言,其最大集电-发射间隙电压为40V。
3.最大集电-基极电压(Vcb max):这是指晶体管可以承受的最大集电-基极间隙电压。
对于8050三极管而言,其最大集电-基极间隙电压为60V。
4.最大发射-基极电压(Veb max):这是指晶体管可以承受的最大发射-基极间隙电压。
对于8050三极管而言,其最大发射-基极间隙电压为5V。
5.最大集电电流(Ic max):这是指晶体管可以承受的最大集电电流。
对于8050三极管而言,其最大集电电流为7A。
6.最大发射电流(Ie max):这是指晶体管可以承受的最大发射电流。
对于8050三极管而言,其最大发射电流为1A。
7.直流放大系数(hFE):这是指晶体管在放大信号时的增益系数。
对于8050三极管而言,其直流放大系数在30至100之间。
8.截止频率(fT):这是指晶体管能够传输信号的频率范围。
对于8050三极管而言,其截止频率为3MHz。
9.输入阻抗(Zi):这是指晶体管输入端的阻抗。
对于8050三极管而言,其输入阻抗为10kΩ。
10.输出阻抗(Zo):这是指晶体管输出端的阻抗。
对于8050三极管而言,其输出阻抗为1Ω。
8050三极管

8050三极管什么是8050三极管?8050三极管,又常称为NPN型三极管8050,是一种常见的电子元器件,属于半导体器件的一种。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料组成,具有放大、开关和稳压等功能。
8050三极管是最常见的低功耗小功率NPN型晶体管,在电子设备中被广泛应用。
8050三极管的结构8050三极管一般由三个区域组成:发射区、基极区和集电区。
发射结是由两种N型半导体材料构成的,而基极结由P 型半导体材料构成。
集电结由N型半导体材料构成。
这三个区域构成了一个PNP型的双极型晶体管。
8050三极管的工作原理8050三极管的工作原理主要依赖于两个PN结之间的电势差。
当输入电压加到基极时,使得基极和发射极之间的基结反偏。
这样,电子会从发射区域和基区域移动到集电极区域,形成电流。
通过控制基极电流的大小,可以控制集电极电流。
这种特性使得8050三极管可以用作放大器或开关。
8050三极管的应用放大器通过控制基极电流,可以控制8050三极管的集电极电流。
这种特性使得8050三极管在放大电路中非常有用。
它可以放大一个较小的输入电流或电压信号,使其变大输出。
在音频放大器和射频放大器中,8050三极管被广泛使用。
开关8050三极管也可以被用作开关。
当输入电压或电流达到一定值时,8050三极管可以将电路打开或关闭。
这种开关特性使得8050三极管在计算机、通信设备等领域中得以应用。
它可以帮助实现逻辑电路的操作。
稳压器由于8050三极管的特性,它还可以用作稳压器。
可以通过与其他电阻和电容器相结合,使得电路保持稳定的电压输出。
这种稳压器被广泛应用于各种电子设备中。
8050三极管的特性小功耗8050三极管是一种低功耗的器件,其工作电流和电压较低。
小信号放大特性8050三极管可以将输入的小信号放大到更大的幅度。
高频特性8050三极管的工作频率范围广,具有良好的高频特性。
温度稳定性8050三极管对温度的变化较为稳定,具有良好的温度特性。
SS8050长电科技CJ直插三极管TO-90封装规格书

IC[mA], COLLECTOR CURRENT
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
10000
100
IC = 10 IB
VCE = 1V
VBE(sat)
1000
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
10 100 1000
10
100
1
VCE(sat)
0.4
IB = 2.5mA
0.3
hFE, DC CURRENT GAIN
2.0
100
IB = 2.0mA IB = 1.5mA
0.2
10
IB = 1.0mA
0.1
IB = 0.5mA
1 0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
10
100
1000
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Cob [pF], CAPACITANCE
100
100
10
10
1 1 10 100
1 1 10 100 400
VCB [V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
A,Apr,2011
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Test conditions MIN 40 25 5 0.1 0.1 0.1 85 40 0.5 1.2 1 100 V V V MHz 400 TYP MAX UNIT V V V μA μA μA IC=100uA, IE=0 IC=0.1mA, IB=0 IE=100μA, IC=0 VCB=40V, IE=0 VCE=20V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=1V, IC=100mA VCE=1V, IC=800mA IC=800mA, IB=80mA IC=800mA, IB=80mA VCE=1V, IC=10mA VCE=10V, IC=50mA,f=30MHZ
ss8050引脚图_数据手册_三极管开关参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDTO-92Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92SS8050TRANSISTOR (NPN )1. EMITTERFEATURESPower DissipationP CM : 1 W (T A =25.): 2 W (T C =25.)2. BASE3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25℃ unless otherwise specified)CLASSIFICATION OF h FE(1)B,Feb,2012Parameter Symbol Test conditions Min TypMaxUnit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =100μA, I C =0 5VCollector cut-off current I CBO V CB =40V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off currentI CEO V CE =20V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μADC current gain h FE(1) V CE =1V, I C =100mA85 400h FE(2) V CE =1V, I C =800mA 40Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =800mA, I B =80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat) I C =800mA, I B =80mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =1V, I C =10mA 1V Transition frequencyf T V CE =10V, I C =50mA,f=30MH Z 100MHzSymbolParameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 40 V V CEOCollector-Emitter Voltage 25 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I CCollector Current -Continuous 1.5 A T j Junction Temperature 150 ℃T stg Storage Temperature -55-150 ℃Rank B C D D3Range85-160 120-200 160-300 300-400(m A )h F EC O L L E C T O R C U R R E N TD C C U R RE N T G A I NC O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V C E s a t(m V )B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V B E s a t(V )(m A )C O L L C E T O R C U R R E N TC A P A C I T A N C EC(p F )(M H z )C O L L E C T O R P O W E RD I S S I P A T I O N P C(m W )T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y10100Typical CharacterisiticsSS8050140120100Static Characteristic500uA450uA400uACOMMON EMITTERT a =25℃1000300h FE ——T a =100℃I CCOMMON EMITTERV CE =1V350uA T a =25℃80604020300uA 250uA200uA150uA100uAI =50uA100300 100.00.51.01.52.02.51310301003001000 1500COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CE(V)COLLECTOR CURRENT I C(mA)1000V CEsat —— I C1.2V BEsat ——I C3001001.0T a =100℃0.8T a =25℃30T a =25℃0.6T a =100℃100.43β=10β=1011310301003001000 15000.21 330300 1000 1500COLLECTOR CURRENT I C(mA)COLLECTOR CURRENT I C(mA)15001000V BE —— I C1000C ob / C ib —— V CB / V EBf=1MHzI E =0/I C =0 T a =25℃10010T a =100℃T a =25℃10010CCCOMMON EMITTERV CE =1V10.20.40.60.81.01.210.10.3131020BASE-EMMITER VOLTAGE V BE (V)REVERSE VOLTAGE V (V)1000f T —— I C1200P C —— T a300100301010008006004003V CE =10V T a =25℃20012101000 25 50 75 100 125 150COLLECTOR CURRENT I C(mA)AMBIENT TEMPERATURE T a (℃)B,Feb,2012万联芯城-电子元器件采购网是长电科技,顺络,厚声等多家知名元件品牌的原厂授权代理商,所售电子元器件产品均为原装现货库存,专为终端客户提供一站式电子元器件配单服务,万联芯城成立于2014年,拥有丰富的行业经验以及优质的货源渠道,拥有大型现代化仓储系统,只需提交BOM表,即可为您报价。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8050 TRANSISTOR (NPN )
FEATURES
P CM : 1 W (T A =25.) : 2 W (T C =25.)
MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test conditions
M in
T yp
M ax
U nit
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO
I C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO
I C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO
I E =100μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO
V CB =40V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I CEO
V CE =20V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μA h FE(1) V CE =1V, I C =100mA 85 400 DC current gain
h FE(2)
V CE =1V, I C =800mA
40
Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =800mA, I B =
80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =800mA, I B =
80mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =1V, I C =10mA 1 V Transition frequency f T
V CE =10V, I C =50mA,f=30MH Z 100
MHz
CLASSIFICATION OF h FE(1)
Rank B C D D3
Range
85-160 120-200 160-300 300-400
TO-92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
B,Feb,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
0255075100125150
200
400
600
800
1000
1200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
10
100
1000
300
3
C
O
L
L
C
E
T
O
R
C
U
R
R
E
N
T
I
C
(
m
A
)
BASE-EMMITER VOLTAGE V
BE
(V)
I
C
V ——
I
f ——
T
R
A
N
S
I
T
I
O
N
F
R
E
Q
U
E
N
C
Y
f
T
(
M
H
z
)
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
C
O
L
L
E
C
T
O
R
P
O
W
E
R
D
I
S
S
I
P
A
T
I
O
N
P
C
(
m
W
)
AMBIENT TEMPERATURE T
a
()
℃
P
C
—— T
a
SS8050 Typical Characterisitics
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
B
A
S
E
-
E
M
I
T
T
E
R
S
A
T
U
R
A
T
I
O
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G
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V
B
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s
a
t
(
V
)
I
C
V
BEsat
——
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E
C
(
p
F
)
REVERSE VOLTAGE V (V)
V
CB
/ V
EB
C
ob
/ C
ib
——
300
30
300
D
C
C
U
R
R
E
N
T
G
A
I
N
h
F
E
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
I
h ——
C
O
L
L
E
C
T
O
R
C
U
R
R
E
N
T
I
C
(
m
A
)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
(V)
Static Characteristic
COLLECTOR CURRENT I
C
(mA)
I
C
V
CEsat
——
1500
B,Feb,2012
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Sponge strip
2000 pcs
Sponge strip The top gasket
Label on the Inner Box
Plastic bag
Label on the Outer Box
Inner Box: 333 mm ×162mm ×43mm
Outer Box: 350 mm × 340mm × 250mm
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Inner Box: 240 mm ×165mm ×95mm
Label on the Inner Box
Outer Box: 525 mm × 360mm × 262mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box。