电子电路第一章习题

合集下载

《电子电路基础》习题解答第1章

《电子电路基础》习题解答第1章

第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压UAO。

设二极管是理想的。

解:分析:二极管在外加正偏电压时是导通,外加反偏电压时截止。

正偏时硅管的导通压降为0.6~0.8V 。

锗管的导通压降为0.2~0.3V 。

理想情况分析时正向导通压降为零,相当于短路;反偏时由于反向电流很小,理想情况下认为截止电阻无穷大,相当于开路。

分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”,即:先假设二极管所在支路断开,然后计算二极管的阳极(P 端)与阴极(N 端)的电位差。

若该电位差大于二极管的导通压降,该二极管处于正偏而导通,其二端的电压为二极管的导通压降;如果该电位差小于导通压降,该二极管处于反偏而截止。

如果电路中存在两个以上的二极管,由于每个二极管的开路时的电位差不等,以正向电压较大者优先导通,其二端电压为二极管导通压降,然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。

一般情况下,对于电路中有多个二极管的工作状态判断为:对于阴极(N 端)连在一起的电路,只有阳极(P 端)电位最高的处于导通状态;对于阳极(P 端)连在一起的二极管,只有阴极(N 端)电位最低的可能导通。

图(a )中,当假设二极管的VD 开路时,其阳极(P 端)电位P U 为-6V ,阴极(N 端)电位N U 为-12V 。

VD 处于正偏而导通,实际压降为二极管的导通压降。

理想情况为零,相当于短路。

所以V U AO 6-=;图(b )中,断开VD 时,阳极电位V U P 15-=,阴极的电位V U N 12-=, ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=; 图(c ),断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通,VD2处于反偏而截止V U AO 0=;或,∵ VD1,VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通,则A 点的电位V U AO 0=,而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图(d ),断开VD1、VD2,∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <;∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。

职业中专电工电子第一章 直流电路

职业中专电工电子第一章  直流电路

第一章直流电路第一节电路一、填空题1、由___________、______________、_____________和___________等组成的闭合回路,叫做电路,其中____________是提供电能的设备,它能把__________能转化为__________能,__________是取用电能的设备,它们把__________能转化为__________能,__________的作用是传输电能,__________的作用则是接通或断开电路或保护电路不被损坏等。

2、外电路是指__________,而__________是内电路。

3、常见的直流电源有__________、__________、__________等。

4、负载又称__________,其作用是将__________能转化为其他形式的能。

5、控制保护装置,用来____________________。

如开关,__________、__________等。

6、电路的状态有三种:__________、__________和__________,其中__________状态的电路中应尽量避免。

7、____________________形成电流,在金属导体中,有大量__________,在酸、碱、盐水中有大量____________________,他们都能导电,而__________体之所以不容易导电是因为缺少大量自由电荷。

电流有__________也有__________,根据__________、__________可分为直流电和交流电。

规定__________定向运动的方向是电流的方向,其大小可定义为,记为____________________。

8、直流电流表使用时要注意:①__________________________②______________________________③__________________________________________________。

数字电子技术基础第一章练习题及参考答案

数字电子技术基础第一章练习题及参考答案

第一章数字电路基础第一部分基础知识一、选择题1.以下代码中为无权码的为。

A. 8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码2.以下代码中为恒权码的为。

A .8421BCD码B. 5421BCD码C.余三码D.格雷码3. 一位十六进制数可以用位二进制数来表示。

A. 1B.2C. 4D.164.十进制数25用8421BCD码表示为。

A .10 101B .0010 0101 C. 100101 D .101015.在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是。

A. (256) 10B. (127) 10C. (FF) 16D. (255) 106.与十进制数(53.5) 10等值的数或代码为。

A.(0101 0011. 0101)8421BCDB.(35. 8)16C.(110101. 1)2D.(65. 4)87.矩形脉冲信号的参数有。

A.周期B.占空比C.脉宽D.扫描期8.与八进制数(47. 3) 8等值的数为:A. (100111 . 011 )2B. (27. 6)16C. (27. 3 )16D. (1 00111 . 11 )29. 常用的BCD码有。

A.奇偶校验码B.格雷码C. 8421码D.余三码10 .与模拟电路相比,数字电路主要的优点有。

A.容易设计B.通用性强C.保密性好D.抗干扰能力强二、判断题(正确打,,错误的打X)1.方波的占空比为0. 5。

()2. 8421 码1001 比0001 大。

( )3.数字电路中用“ 1”和“ 0”分别表示两种状态,二者无大小之分。

()4.格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。

()5.八进制数(18) 8比十进制数(18) 10小。

()6.当传送十进制数5时,在8421奇校验码的校验位上值应为1。

( )7.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号。

()8.占空比的公式为:q = t w / T,则周期T越大占空比q越小。

电子电路基础课后习题答案【整理版】

电子电路基础课后习题答案【整理版】
第一章 思考题与习题
第一章 思考题与习题
1.1. 半导体材料都有哪些特性?为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的?
1.2. 为什么二极管具有单向导电特性?如何用万用表判断二极管的好坏?
1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管?
1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别?它们与通常电阻有什么不同?
(b) uo
t
(a)
(c)
图 P2-3
2.13 设如图 P2-4(a)所示的放大电路,Rb=200k,RC=2k,UD=0.7V,β=100, VCC=12V,VBB=2.7V,各电容值足够大,输入、输出特性曲线分别如图 P2-4(c)、 (d)所示,试 1. 计算印静态工作点,画出负载线 2. 画出中频交流等效电路 3. 设输入电压 ui 如图 P2-4(b)所示,试用图解法画出输出 uo 的波形 4. 输出主要产生何种失真,如何改善
(b) 1. D1、D2 均反向导通,Uo = UZ2+UZ1 = 9.6 V 2. 反向不导通,Uo = 6V
3. Uo = 3V
(c) 1. D1、D2 均正向导通,Uo = UD+UD = 1.4 V
2. Uo = UD+UD = 1.4 V
3. Uo = UD+UD = 1.4 V
(d) 1. D2 反向导通,D1 不导通, Uo = 3.3 V
D1
u1
u1
5V
0
u2

t
D2 R uo
u2
5V
0
t
图 P1-4(a)
图 P1-4(b)
解: u0
4.7V
0
t
1.13.如图 P1-5 所示电路,设二极管为理 想二极管(导通电压 UD=0,击穿电压 UBR=∞ ),试画出输出 uo 的波形。

电子电路第6版习题答案

电子电路第6版习题答案

电子电路第6版习题答案电子电路第6版是一本经典的电子电路教材,广泛用于电子工程专业的学习和教学。

本文将为读者提供一些电子电路第6版习题的答案,帮助大家更好地理解和掌握电子电路的知识。

第一章:基本电路概念1. 电流的定义是单位时间内通过导体的电荷量。

电流的单位是安培(A)。

2. 电压的定义是单位电荷所具有的能量。

电压的单位是伏特(V)。

3. 电阻的定义是导体对电流的阻碍程度。

电阻的单位是欧姆(Ω)。

4. 电阻的串联和并联可以通过以下公式计算:- 串联电阻:R = R1 + R2 + R3 + ...- 并联电阻:1/R = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 + ...第二章:基本电路分析技术1. 基尔霍夫定律是电路分析中的重要工具。

它分为基尔霍夫第一定律和基尔霍夫第二定律。

- 基尔霍夫第一定律(电流定律):电流在节点处守恒。

- 基尔霍夫第二定律(电压定律):电压在闭合回路中的代数和为零。

2. 超节点法是一种简化复杂电路分析的方法。

通过将电路中的某些节点合并成一个超节点,可以简化电路分析的过程。

3. 戴维南定理是电路分析中的重要定理,它可以将电路中的任意一个支路转化为电压源和电阻的串联电路,从而简化电路的分析。

第三章:放大器1. 放大器是电子电路中常用的一种电子器件,用于放大电压、电流或功率。

2. 放大器的增益可以通过以下公式计算:- 电压增益:Av = Vout / Vin- 电流增益:Ai = Iout / Iin- 功率增益:Ap = Pout / Pin3. 放大器的类型包括共射放大器、共基放大器和共集放大器。

它们分别适用于不同的应用场景。

第四章:操作放大器1. 操作放大器是一种特殊的放大器,具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点。

2. 操作放大器的典型电路符号为三角形,有两个输入端(非反相输入端和反相输入端)和一个输出端。

3. 操作放大器的运算模式包括反相放大、非反相放大和求和模式。

电子电工复习题精华版

电子电工复习题精华版

第一章直流电路1.电路的基本组成有电源、负载、中间环节三个部分。

2.20Ω的电阻与80Ω电阻相串联时的等效电阻为 100 Ω,相并联时的等效电阻为 16 Ω。

3.某点的电位就是该点到参考点的电压。

4.任意两点间的电压就是这两点的电位差。

5.电气设备工作时高于额定电压称为过载。

6.电气设备工作时低于额定电压称为负载。

7.电气设备工作时等于额定电压称为满载。

8.通常所说负载的增加是指负载的电阻增加。

9.叠加原理只适用于线性电路,而不适用于非线性电路。

10.如图所示电路中,当电阻R2增加时,电流I将__A___。

(A) 增加(B) 减小(C) 不变11.二只白炽灯的额定电压为220V,额定功率分别为100W和25W,下面结论正确的是____A____。

(A) 25W白炽灯的灯丝电阻较大(B) 100W白炽灯的灯丝电阻较大(C) 25W白炽灯的灯丝电阻较小12.图示电路中,A点电位为______V。

13.图示电路中C点的电位为______V。

14.图示电路中A点的电位为______V。

15.图示电路中A点的电位为______V。

16.图示电路中A点的电位为______V。

17.在图示电路中,已知:I1=3A,I2=2A,I3=-5A;则I5=______A。

18.如图所示,一个电源的电动势E1=110V,内阻R1=10Ω, 另一个电动势E2=110V,内阻R2=5Ω,负载两端电压表读数为90V,求:⑴电流I1,I2。

⑵负载电阻R3。

(设电压表内阻为无穷大)解:⑴求电流I1和I2:I1=(E1-90)/R1=2A , I2=(E2-90)/R2=4A⑵负载电阻R3=90/(I1+I2)=15Ω 。

19.求如图所示电路中的电流I3。

(建议用电压源与电流源等效变换的方法)解:将电流源化成电压源,然后合并电压源,再将电压源化成电流源,由分流公式计算。

4.2635326321323=⨯=⨯+=I (A ) 教材1.25已知电路如题1.25图所示。

电子技术习题

电子技术习题

电子基础习题电子基础习题第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题(√)1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。

(√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大,输出电压越稳定。

(√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的,即正与门就是负或门,正或门就是负与门。

(√)4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。

(√)5、与非门的多余端不允许接地。

(×)6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。

(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。

(×)8、TTL与非门输入端同时悬空时,相当于输入端不加电平,故输出为高电平。

(√)9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。

(×)10、若一个异或门的两个输入端的电平相同,即同为高电平或同为低电平,则输出为高电平。

(√)11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的,与CP脉冲也是不同步的。

(√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器。

(×)13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲,应采用单稳态触发器。

(×)14、TTL数字集成电路中,或门不使用的输入端接高电平。

(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。

(√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码,用N个触发器就可以存储N位二进制代码。

(√)17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。

在数字电路中,能实现编码功能的电路称编码器。

(×)18、主一从J-K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。

(×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。

二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D )。

A:与非门 B:异或门 C:加法器 D:触发器2、组合电路是由( B )组成的。

A:存储电路 B:门电路 C:逻辑电路 D:数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B )。

高频电子电路习题第一章

高频电子电路习题第一章

高频电子电路第一章习题与答案(一)填空题1、语音信号的频率范围为,图象信号的频率范围为,音频信号的频率范围为。

(答案:300~3400Hz;0~6MHz;20Hz~20kHz)2、无线电发送设备中常用的高频电路有、、、。

(答案:振荡器、调制电路、高频放大器、高频功率放大器)3、无线电接收设备中常用的高频电路有、、、。

(答案:高频放大器、解调器、混频器;振荡器)4、通信系统的组成:、、、、。

(答案:信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端)5、在接收设备中,检波器的作用是。

(答案:还原调制信号)6、有线通信的传输信道是,无线通信的传输信道是。

(答案:电缆;自由空间)7、调制是用音频信号控制载波的、、。

(答案:振幅;频率;相位)8、无线电波传播速度固定不变,频率越高,波长;频率;波长越长。

(答案:越短;越低)(二)选择题1、下列表达式正确的是。

A)低频信号可直接从天线有效地辐射。

B)低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。

C)高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。

D)高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。

(答案:B)2、为了有效地发射电磁波,天线尺寸必须与相比拟。

A)辐射信号的波长。

B)辐射信号的频率。

C)辐射信号的振幅。

D)辐射信号的相位。

(答案:A)3、电视、调频广播和移动通信均属通信。

A)超短波B)短波C)中波D)微波(答案:A)(三)问答题1、画出通信系统的一般模型框图。

2、画出用正弦波进行调幅时已调波的波形。

3、画出用方波进行调幅时已调波的波形。

第二章谐振回路的基本特性(一)填空题1、LC选频网络的作用是。

(答案:从输入信号中选出有用频率的信号抑制干扰的频率的信号)2、LC选频网络的电路形式是。

(答案:串联回路和并联回路)3、在接收机的输入回路中,靠改变进行选台。

(答案:可变电容器电容量)4、单位谐振曲线指。

(答案:任意频率下的回路电流I与谐振时回路电流I0之比)5、LC串联谐振电路Q值下降,单位谐振曲线,回路选择性。

电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

电路与模拟电子技术基础课后练习第一章答案

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率,并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=⨯=P (吸收);W 5.15.032=⨯=P (吸收) W 15353-=⨯-=P (产生);W 5154=⨯=P (吸收);W 4225=⨯=P (吸收);元件1、2、4和5起负载作用,元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ;V 13335=+-=I I U电流源功率:W 2621-=⋅-=U P (产生),即电流源产生功率6W 2。

电压源功率:W 632-=⋅-=I P (产生),即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=-=I ;A 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得:A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=⨯+-⨯+-=IV 221021425)32(22S =+-=⨯+-⨯+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=-=I ;A 31X -=--=I I ; V 155X -=⋅=I UV 253245X X -=⨯--⋅=I U1.7 电路如图1.7所示:(1)求图(a)中的ab 端等效电阻;(2)求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++⨯+⨯⎪⎭⎫ ⎝⎛+⨯+=1046418666661866666ab R (2) Ω=--=712432383R1.8 电路如图1.8所示:(1)求图(a)中的电压S U 和U ;(2)求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

电路与模拟电子学课后习题详解 第1章

电路与模拟电子学课后习题详解 第1章

12
R3 11
(b)
d
20V
e
解 (a)由图易知,整个回路中有, I 18V 1A 18
所以,
Va 10V
Vb Va IR1 8V
Vc 8V Vb 16V
Vd Vc IR2 10V
Ve Vd IR3 6V (b)由图易知,
在右边的回路中, 故,
Vb Vc Vf 0V
2 U
9A 2 1
2 U
5V
2 U
3
图 1.11(1)
(b) 将电路依次等效(如图 1.11(2)),故: I 40V 2.5A 16
I
4
I
48V
4
40V
16
8
8V
图 1.11(2)
1.12 试计算题图 1.12 所示各电路中受控源的功率。
解 (a)图中受控电流参考方向与 4 电阻电压参考方向相同,故:
华中农业大学 计算机系
编辑:徐进
2012.02
1.1 根据题图 1.1 所示参考方向,判断各元件是吸收还是发出功率,其功率各 为多少?
2A
5V
1
(a)
2A
5V
2
2A
5V
3
(b)
(c)
题图 1.1
2A
5V
4
(d)
解 由题图知,(a)(b)电流参考方向与实际方向一致,故它们均吸收功率,且
P UI 10W (c)(d)电流参考方向与实际方向相反,故它们均发出功率,且
5 (6 4)Ω
3A
5
3A 3
10A
I
2 4
13A
I
4 1.2
I

电子电路基础习题册参考答案-第一章讲解

电子电路基础习题册参考答案-第一章讲解

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

何丰主编低频电子电路习题参考答案

何丰主编低频电子电路习题参考答案
第一章:半导体基础元件与非线性电路
1-1 解:根据题意得:
v vT
⎛ i = Is ⎜ e ⎜ ⎝
⎞ − 1⎟ ⎟ ⎠
所以,
⎧ 2.16 − 1 = 1.16 v ⎛ ⎞ ⎪ i = ⎜ e vT − 1 ⎟ = ⎨ 5.84 ⎟ Is ⎜ ⎝ ⎠ ⎪ 45.81 ⎩
解:根据题意得:
ID / m A
e
b
b
c
NPN
c
PNP
e
2-7 解:根据题意得:
e
V B E = − 3 .2 + 2 .5 = − 0 .7 V V C E = − 7 + 2 .5 = − 4 .5 V
放大
VBE = VB −VE = −3.2 + 2.5 = −0.7V
⑵、
VCE = VC −VE = 7 − 3.2 = 3.8V
rbe = rbb ' + rb 'e = 5.35 k Ω
I CQ1 = I CQ 2 =
1 1 I EE = I CQ 5 = 0.5mA 2 2
R id = 2 rbe = 10.7 k Ω
ib 1
vi1 rbe1 −
+
βib1
re 3
rbe4
R2
β ib 4
RL
βib2
rce 2
rce1
R1
= sin wt > 0 时, v 0 = v i
v0
VD = sin wt < 0 时, v0 = 0
t
当V
= 2V
时, D
V = 2 +sin wt > 0
v0 = 2 + sin wt

电路与电子学基础参考答案—科学出版社

电路与电子学基础参考答案—科学出版社

第一章习题答案:1、I=3A,U=4V2、U=2V3、(a)耗能=120W 释放能量=120W ,(b) 耗能=122W 释放能量=122W4、I=2.8A U=10V5、I=0.5A U=9.6V6、U=-45V7、U=-4V U=8V8、I=18A P=1012.5W9、(a)55S 3S B543A33S 11S B3A321R UI U)R 1R 1R 1(U R 1I R UUR 1U )R 1R 1R 1(-=+++--=-++(b)V6UU U2I U 51I13U)141(U41U 2U41U )4121(BC C BABA=-+=-=++--=-+10、3S 33S C 543B3A433S 3S C 3B32A21S 11S C 4B2A421I R U U )R 1R 1R 1(UR 1UR 1R U I U R 1U )R 1R 1(U R 1I R U U R 1U R 1U )R 1R 1R 1(-=+++---=-+---=--++11、U=1.2V 12、A 12548I =13、I=7A U=14V14、U=-1/9 V I=17/7 A 15、I=19A16、(a)U OC =8V R eq =16Ω (b) U OC =26/7 V R eq =10/7Ω17、(a)U OC =15V R eq =12.5Ω (b) U OC =-4.8 V R eq =-0.6Ω 18、U=-40V 19、I=0.5A20、(a)R L =R eq =6Ω P Lmax =37.5W (a)R L =R eq =9Ω P Lmax = 4/9W 21、R eq = 400Ω I=0.04A U=4V P=0.16W P Lmax = 0.25W 22、U OC =1.25V R eq =1.25Ω 第二章习题答案2-1 (a )u 1c (0+)=100V i L (0+)=0A u 2c (0+)=0V i 2(0+)=0A(b) i L (0+)=6A u c (0+)=0V i c (0+)=6A u 1R (0+)=96V u L (0+)=–12V2-2 (a) u c (0+)=3V i L (0+)=1.5A i c (0+)=–3A u L (0+)=0V(b) u c (0+)=22V i c (0+)=–1A2-3 (a) u (t)=6e3t-V i (t)= 2e3t-A(b) u (t)=4 et2- V i (t)= 4×105- et2- A2-4 (a) i (t)= 2 et8- A u (t)= 16 et8- V(b) i (t)= 0.1 e t10- A u (t)= et10- V2-5 (a) u (t)=8(1– et250-) V i (t)= 103- et250- A(b) u (t)=15(1– et50-) V i (t)= 15×104-(1– et50-) A2-6 (a) i (t)= 3 (1–e2t-) A u (t)= 12 + 3e2t -V (b) i (t)= 2 (1– et10-) A u (t)= 50 + 10et10- V 2-7 u c (t)=10 + 5 e5103-⨯-tV i c (t)= –6 e5103-⨯-tA 2-8 u c (t)= –10 (1–e3t-) V i c (t)= 3–35e3t-A2-9 i (t)= 0.0275–0.003 e t410- A2-10 i (t)= –38+38 et7- A u (t)= –3112+3112 et7- V改为: i (t)= 4e t7- A u (t)= 56 et7- V2-11 2-122-132t te5.2e5.25)t (i --+-=2-14 画波形2-15 (a )该电路为积分电路(b )该电路不够成积分电路 (c)该电路不构成微分电路 改为: (a )该电路为阻容耦合电路 (b )该电路微分电路ttO e514e)149(14)t (u ---=-+=t105214e2)t (i )t (i )t (i ⨯-=+=(c)该电路为积分电路第三章习题 答案3.1 ⑴50, 225,36.87o;⑵7,214,40.1o3.2 20sin(5000×2πt-30o)mV3.3 ⑴t sin 23ω,⑵)90t sin(25o -ω⑶)59t sin(283.5o +ω,⑷)87.36t sin(25o -ω 3.4 A )9.16t sin(25i o -=ω 3.5 P=0.05W 3.6 7A ,3.5A 3.7A )135t 10sin(2100o6+3.8 Ωo 105∠,Ωo30100∠改为i :503.9 5A,12Ω3.10 5A ,39Ω,19.5Ω,19.5Ω 3.11 0.15o30∠ A 改为:0.8535o30∠ A 3.12 ⑴250 rad/s ,⑵500 rad/s ,⑶1000 rad/s 3.13 0.6,1162W ,1546V ar 3.14 L=1.56H ,C=5.16μF3.15 50V 改为:-j52V 3.16 K 打开:I 1=I 3=6A ,U ab =1202V ,U bc =120V ;K 闭合:I 1=I 2=6A ,I 3=0,U ab =0V ,U bc =120V3.17 14.1Ω,14.1Ω,7.1Ω,14.1A 3.18 10A ,15Ω,7.5Ω,7.5Ω 3.19 3.83A ,0.9883.20 50.7μF ,1260∠85.5o V ,-j1256V3.21 1250 rad/s ,I R =4A ,I C =I L =10A ,U=200V3.22⑴C=10μF ,U C =89.4V 或C=40μF ,U C =111.8V ⑵G>0.125S 3.23 ω0=484~1838kHz ,可以收听 3.24 13.9kV 3.25 220V ,44A 3.26 7.6A ,13.2A 3.27 1.174A ,376.5V 3.28 30.08A ,17.37A4.1 解:用万用表测量二极管的正向直流电阻,选择量程越大,通二极管的电流就减小,由二极管的伏安特性曲线可知,电流急剧减小时,电压减小的很慢,所以测量出来的电阻值会大副增大。

电子电工技术第三版课后答案

电子电工技术第三版课后答案

第一章习题答案1.1 写出题图中有源支路的电压,电流关系式。

(a) (b) (c) (d) 题图在题图中已知U 2=2V , (1) 求 I,U 1,U 3,U 4,U ac ,(2) 比较a,b,c,d,e 各点电位的高低。

题图在题图所示电路中U ab题图 求题图所示电路电压+a2V Ω + a+ 2Ω 2Ω 2Ω 2Ωa b c d e3V 22V24VΩΩ题多量程直流电流表如题图所示,计算0-1,0-2及0-3各端点的等效电阻,即各挡的电流表内阻,已知表头等效电阻R A =15k Ω,各分流电阻R 1=100Ω,R 2=400Ω,R 3=500Ω。

题图 两个额定值是110V,40W 的灯泡能否串联后接到220V 的电源上使用如果两个灯泡的额定电压相同,都是110V ,而额定功率一个是40W ,另一个是100W,问能否把这两个灯泡串联后接在200V 电源上使用,为什么电路如题图所示.试问ab 支路是否有电压和电流题图题图中若(1)U=10V, I=2A, (2)U=10V,I=-2A 。

试问哪个元件是吸收功率哪个元件是输出功率为什么题图1. 计算题图所示各电路的等效电阻.1 23U UUU +++ + - -- -(c)(a) (b) (d)1. 电路如题图所示,试求以下电路的电压U 和电流I 。

(c) (d)在指定的电压u 和电流i 参考方向下,写出图所示各元件u 和i 的约束方程.(a) (b) (c)(d) (e)1A 20Ω+ 30V U-U 30V + -u - + - u 10μF u -+U5V +-U + -求题图所示电路中的U 1和U 2.题图求题图中所示电路化成等值电流源电路。

(a) (b) (c) 题图求题图中所示电路化成等值电压源电路。

(a(b)题图求题图所示电路的电流I 和电压U 。

4V1A2V 1A6V6V3A( a) (b) 题图求题图所示各电流源输出的功率。

题图求题图所示各电路源输出的功率。

(整理)电子电路基础习题册参考答案

(整理)电子电路基础习题册参考答案

电子电路基础习题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M 相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电路与电子技术基础第一章习题答案

电路与电子技术基础第一章习题答案
解:根据电流强度的定义 i = 答:由电路的功率计算公式可知:P=UI,所以 I =
P 1000 = = 4.55A U 220
1-4 某电流表的量程为 10mA.当某电阻两端的电压为 8V 时,通过的电流为 2mA.如 果给这个电阻两端加上 50V 的电压,能否用这个电流表测量通过这个电阻的电流? 解:根据电阻两端压降和流过电阻中的电流,由欧姆定理可以确定电阻的值为: U 8 R= = = 4 ( kΩ ) I 2 × 10 −3 如果给电阻上加 50V 的电压,流过电阻的电流为: 50 U = 12.5 (mA) I= = R 4 × 10 3 电流表的量程为 10mA,也就是允许通过的最大电流为 10mA,显然不能使用该电流表 测量通过流过该电阻的电流。 1-5 在电路中已经定义了电流、电压的实际方向,为什么还要引入参考方向?参考方 向与实际方向有何区别和联系? 答:在求解电路参数时,对于稍微复杂的电路,必须列方程求解,列出方程又必须知 道电流、电压的方向,为此,引入电流、电压参考方向,根据参考方向列出电路方程,利用 方程求出电路参数,若结果为负,表明实际的方向与参考方向相反,若结果为正,表明参考 方向就是实际方向。 1-6 如何计算元件的吸收功率?如何从计算结果判断该元件为有源元件或无源元件? 答:在关联参考方向下: P = UI ;在非关联参考方向下: P = −UI 。在此前提下,当 P>0 时为吸收功率。若 P<0 为有源元件,否则为无源元件。 1-7 标有 10kΩ(称为标称值) 、1/4W(额定功率)的金属膜电阻,若使用在直流电路 中,试问其工作电流和电压不能超过多大数值? 答:因为功率 P =
U2 = I 2R R
工作电流: I < 工作电压: U < 1-8

(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章

(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章

电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。

7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

电工电子课后习题答案第一章

电工电子课后习题答案第一章

第1章 电路的基本概念和基本定律本章的主要任务是学习电路的基本概念、基本物理量和基本定律,为掌握电路的分析计算方法奠定必要的基础。

本章基本要求(1) 正确理解理想电路元件、电路模型的概念;(2) 正确理解电流、电压的参考方向的概念,并掌握电流、电压参考方向的使用;(3) 计算元件或电路的功率,并判别元件或电路是吸收功率还是发出功率;(4) 掌握理想元件的电压与电流关系式;(5) 掌握基尔霍夫定律(KCL 和KVL )的应用;(6) 了解电路的三种工作状态:额定工作状态、过载工作状态和欠载工作状态。

理解电气器件、设备的额定值。

本章习题解析1-1 试求图1-1所示电路的电压U ab 和U ba 。

图1-1解 (a)电压U 的参考方向如图所示,已知U =10V ,故有10==U U ab V10-=-=-=U U U ab ba V(b)直流电压源的电压参考方向如图所示,故有5=ab U V5-=-=ab ba U U V1-2 根据图1-2所示的参考方向和电压、电流的数值确定各元件电流和电压的实际方向,并计算各元件的功率,说明元件是吸收功率还是发出功率。

(a) (b)(c) (d)图1-2解 (a)因为电流为+2mA ,电压为+5V ,所以电流、电压的实际方向与参考方向相同。

电阻元件的功率为101010102533=⨯=⨯⨯==--UI P mW电阻元件的电压与电流取关联参考方向,计算结果P >0,说明电阻元件吸收功率。

(b)因为电流、电压随时间t 按照正弦规律变化,所以当电流i >0、电压u >0时,它们的实际方向与参考方向一致;当电流i <0、电压u <0时,它们的实际方向与参考方向相反。

电阻元件的功率为)(sin )sin()sin(t t t ui p ωωω255=⨯==W电阻元件的电压与电流取关联参考方向,计算结果p >0,说明电阻元件吸收功率。

(c)因为电流为-2mA ,所以电流的实际方向与参考方向相反;电压为+5V ,所以电压的实际方向与参考方向相同。

电工电子技术第一章习题

电工电子技术第一章习题

(一) 填空题1. 电路一般由 、 、 和 4部分组成。

2. 将 转换成 的装置称为电源;将 转换成 的元器件或设备称为负载。

3. 习惯上规定 移动方向为电流方向,电流的大小用 测量。

4. 1A= mA = uA 。

5. 对于一个电源来说,电动势只存在于电源 ,电压存在于电源 ,电源不接负载时,电压 电动势。

6. 电动势、电压、电位都可以用 测量,单位为 。

7. 已知U AB = -20V ,U B = 40V ,则U A = V ;已知U A = -30V ,U B =20V ,则 U AB = V ;已知U CD = -20V ,U C = 40V ,则U D = V 。

8. 电路有 、 和 3种状态。

9. 电流表应 接在电路中;电压表应 接在被测电路中。

10. 电阻串联时,流过它们的电流 ;各自上面的电压与阻值成 。

11. 电阻并联时,加在电阻上的电压 ;流过它们的电流与其阻值成 比例关系。

12. 有一台220V 、1000W 的电熨斗,接在220V 电源上工作1小时,它将消耗电能 kW · h 。

(二) 是非题1. 外电路中电流总是从高电位处流向底电位处。

( )2. 电路中某一点的电位具有相对性,只有参考点确定后,该点的电位值才能确定。

( )3. 如果电路中某两点的电位都很高,则该两点间的电压也很大。

( )4. 电流的参考方向,可能是电流的实际方向,也可能与实际方向相反。

( )5. 电阻串联后,总电阻值变大。

( )6. 每次改变欧姆档量程时,都要重新调零。

( )7. 用万用表测电阻时,表的指针摆到最左侧的无穷大,最右侧为0。

( )8. 同一电路中的所有负载通常都是并联的。

( )9. 照明灯泡上标有“PZ220-40”的字样,表明这只灯泡用在220V 电压下,其电功率为40W 。

( ) 10. 实际电路中的电气设备、器件和导线都有一定的额定值,使用时要注意不要超过额定值。

电工与电子基础-第1章复习题

电工与电子基础-第1章复习题


A. 线性

B. 整流

C. 放大

D. 非线性

E. 饱和

• 3. 计算复杂电路的方法有( )。

A. 支路电流法

B. 回路电流法

C. 节点电位法

D. 戴维南定律

E.混合电路法
• 4. 叠加原理是计算线性电路中的( )。
因数为( )。
• A. 0.56
• B. 0.76
• C. 0.86
• D. 0.93
• 答案: C
• 7. 可以用串并联规则进行化简的直流电路叫( )。

A. 复杂电路

B. 串联电路

C. 并联电路

ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
D. 简单电路

答案: D
• 8. 实际电流源与实际电压源的内阻( )。 • A. 1/R • B. 相等 • C. 不等 • D. 相差很大 • 答案: B
• 23. 利用基尔霍夫第一定律列节点电流方程时各支路电流方 向应( )。

A. 按电势正方向

B. 按电压正方向

C. 按电位正方向

D. 任意
• 答案: C
• 三、多选题
• 1. 基尔霍夫定律有( )。

A. 节点电流定律

B. 回路电压定律

C. 以路电流定律

D. 节点电压定律


2. 戴维南定理适用外部电路为( )电路。

A. 支路电流

B. 某点电位

C. 某一点支路电流
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
解:本题用D的单向导电性实现箝位功能。 设D1和D2理想,VD=0。当vi正半周且幅度大于V2=5时, D2导通,D1截止,vo被箝在5V;vi正半周且幅度小于 V1=2V时,D1导通,D2截止,vo被箝在2V,实施得vi和 vo对应波形如图所示。
1.5 Multisim步骤
如图搭建电路(为更好地观测输入输出波 形,将示波器的两个通道分别连接输入端 和输出端,并以不同颜色区分)
开始仿真并双击示波器观察,可看到如下 波形(注意调整示波器的设置)
1.6 假设图P1.6中D的正向导通电压VD 0 ,试画出 RL 两端 的 vL 波形;求出 RL中的直流电流分量IDC 和 RL 上的直流电 压 VDC 。
1.7 图P1.7所示为桥式整流电路,设D1~D4的正向 电压 VD 0 ,重复题1.6的分析和计算。
1、放大区特点:发射结正向偏置,集电结反向偏置;I C I B ,基 本不受 vCE 的影响。
2、饱和区特点:发射结正向偏置,集电结正向偏置;管压降vCE
很小vC,ES 0.3V (硅管)。iC
的大小由外电路参数决定。
受控v于CE I,C I B
已不成立I C,
3、截止区特点:发射结、集电结均反偏;集电极电流近似为零; 管压降比较高。
1.8 图P1.8所示为具有电容滤波的桥式整流电路, 试分析并画出 vO 的波形图。
1.8 Multisim步骤
如图搭建电路(为简化电路形式,电源直 接用交流电源,电容电阻参数可以自行修 改)
运行后可以看到如下波形
作为对比可观察去掉电容后的波形(1.7)
1.9 说明BJT内部载流子运动过程,写出BJT内部与 外部电流关系式。
iB ICBO
1
ICBO

1
iB
1
1
I CBO
1
(忽略ICBO)
1.3.8
1.10 画出NPN和PNP BJT工作在放大状态的偏置电 路;画出共基和共射BJT的输入和输出特性曲线; 说明截止区、饱和区和放大区的特点;在伏安特性 曲线上能定义哪些直流参数?哪些交流参数?说明 共射BJT的 f 、 f 和 fT 的物理意义。
参阅1.3.1小节BJT内部载流子的传输过程。
1.多子通过EB结注入 2.载流子在基区内扩散与复合 3.集电极对载流子收集
iE=iC+iB iC=αiE+ICBO iB=iB1+iB2-ICBO iB1+iB2=(1- α)iE
1.3.6
是共基BJT的直流电流增益。 IC
IE
iC

(2)共射NPN型BJT的输入和输出特性如图所示:
共射输入特性曲线表示 集、射极间电压固定时,基 极电流与基、射极间电压之
间的关系 iB f (vBE ) vCE 常数
共射输出特性曲线表示 基极电流固定时,集电极电 流与集、基极间电压之间的
关系 iC f (vCE ) iB 常数
(3)共射NPN型BJT有三个区域:放大区,饱和区,截止区
1.4 埋层稳压管的性能特点是什么?(教材13页)
答:埋层齐纳稳压管是精密、高稳定和耐高温的器件。 稳定电压值一般在6.05V;误差可小至1mV;温度稳定 性可达1.5ppm/oC;稳压值的长期稳定性可达25ppm/1000 小时;可达175o C~220o C下可靠工作。
1.5 设定图P1.5中D1和D2的正向导通电压,画出与 vi对应的输出信号电压波形。
电子电路第一章习题课
2011.3.25
1.1 说明PN结的工作原理
P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓 度相差很大,在浓度差下形成扩散运动,P区的空穴(多子) 向N区扩散,N区的自由电子(多子)向P区扩散,在过渡区 域产生强烈的复合作用使自由电子和空穴基本消失,在过 渡带中产生一个空间电荷区(耗尽区),扩散运动使过渡 带内失去了电中性,产生电位差和电场,分别称为接触电 位差和内建电场,内建电场由N区指向P区阻碍多子的扩散 运动,却促进过渡带中少子的漂移运动,漂移运动中和过 渡区中的电荷从而削弱内建电场,随着扩散运动和漂移运 动的进行,最后达到一个平衡状态,即内建电场的强度恰 好使扩散运动和漂移运动的速度相等,这种平衡称为动态 平衡,这时过渡带中的接触电位差,内建电场强度,空间 电荷区宽度均处于稳定值,这时我们认为PN结已经形成, 并把P、N的过渡带称为PN结,PN结的宽度为空间电荷区的 宽度。
V(BR)CBO : 发射极开路时的集电结反向击穿电压。 V(BR)CEO : 基极开路的集-射击穿电压。V(BR)CEO > V(BR)CBO V(BR)EBO : 共射,集电结反偏,发射结也反偏时,相应击穿电压。 VA : 厄尔利电压,是描述共射BJT基区宽度调制效应的参数。典型值100V。
iD=10uA时,vD=539mV;
iD=100uA时,vD=599mV。
1.3 在 iD vD 平面坐标中画出硅二极管(普通二极 管、稳压管、变容器)的伏安特性曲线,说明在伏 安特性曲线上可以定义哪些直流参数和动态参数。
解:1.普通二极管的伏安特性曲线如图1.2.4和1.2.5所示;对设 定的静态工作点,可定义正向压降VDQ和电流IDQ,直流电阻 RD=VIDDQQ ;可定义Q点的动态电阻rd;RD和rD均具有非线性; 可定义反向击穿电压V(BR)和反向电流IR。 2.稳压管特性曲线如图1.2.8所示。用它可以定义稳压电压、 稳定电流及改电的动态电阻rd。 3.变容管的动态特性如图1.2.10所示。它不是伏安特性,由它 可知在设定工作电压下的结电容。
1.2 设二极管 Is 1014 A,求ID 1uA、10uA、100uA时的V(D T=25o)。
解:在二极管正偏时,伏安特性方程iD
=
IS(expvD VT源自-1),得vD=VTln(
iD IS
+1)。因为T=25o
C时,热力学电压VT

26mV,故:
iD=1uA时, vD=479mV;
(4)在伏安特性曲线上可以定义下列直流参数:
β
: β = IC= α ,直流电流增益。(α是共基BJT的直流电流增益)
IB 1- α
ICBO : 集电结反向饱和电流,表示当发射极开路时的集电极反向截止电流。
ICEO : ICEO=(1+β)ICBO,穿透电流,指在三极管基极开路情况下,流过集
电极的电流。
相关文档
最新文档