型和N型半导体
半导体的n型、p型掺杂
导电特性
由于空穴的存在，p型半导 体表现为正电导电。
电子与空穴的平衡
在p型半导体中，电子浓度 较低，与空穴浓度不平衡。
p型掺杂的应用
电子器件
发光二极管
用于制造晶体管、集成电路等电子器 件。
在LED制造中，p型掺杂用于与n型半 导体形成p-n结，从而实现电致发光。
太阳能电池
利用p型半导体与n型半导体结合，提 高光电转换效率。
02 n型掺杂
n型掺杂的定义和原理
定义
在半导体中，当杂质原子提供电子时 ，形成的半导体称为n型半导体。
原理
通过在半导体材料中掺入施主杂质， 如磷、砷等五价元素，这些杂质原子 能够提供额外的电子，使半导体呈现n 型导电特性。
n型掺杂的特性
1 2 3
电子导电
n型半导体中，电子是主要的载流子，迁移率高， 导电能力强。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
半导体的n型和p型掺杂
目录
• 半导体基础 • n型掺杂 • p型掺杂 • n型和p型掺杂的比较
01 半导体基础
半导体的定义和特性
定义
半导体是指介于导体和绝缘体之 间的材料，具有导电能力，但电 导率低于导体。
特性
半导体具有热敏、光敏和掺杂特 性，可以通过外部条件如温度、 光照和杂质掺入等方式改变其电 学性质。
04 n型和p型掺杂的比较
掺杂效果的比较
n型掺杂
通过添加五价元素（如磷、砷）或接 受电子的杂质（如氢）在半导体中引 入额外的电子，使半导体带负电。
p型掺杂
通过添加三价元素（如硼）或施主杂 质（如氢）在半导体中产生空穴，使 半导体带正电。
应用领域的比较
n型掺杂
二极管的工作原理 p型 n型
二极管的工作原理 p型 n型
二极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
P 型半导体中的杂质原子通常是三价元素，如硼；N型半导体中的杂质原子通常是五价元素，如磷。
二极管的工作原理涉及P型和N型半导体之间的电子迁移和空穴迁移。
当P型半导体与N型半导体通过P-N结连接时，P型半导体的空穴和N型半导体的自由电子会发生扩散，从而形成内建电场。
这个内建电场会阻止P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子继续扩散。
当施加外加电压时，如果外加电压的极性与内建电场的方向相反，内建电场会被减弱，从而促进空穴和自由电子的扩散；如果外加电压的极性与内建电场的方向相同，内建电场会增强，从而阻碍空穴和自由电子的扩散。
当二极管处于正向偏置时（即P端连接正电压，N端连接负电压），内建电场会被减弱，使得P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子能够通过P-N结区域结合。
这样，P-N结两侧的电荷载流子会减少，形成导电通道，电流得以通过。
当二极管处于反向偏置时（即P端连接负电压，N端连接正电
压），内建电场会增强，阻碍空穴和自由电子的扩散，使得P-N结两侧的电荷载流子几乎没有，形成一个高阻抗状态，电流基本上无法通过。
总的来说，二极管的工作原理可以通过P-N结内建电场的变化来解释。
在正向偏置时，电流可以通过；在反向偏置时，电流几乎无法通过。
这种特性使得二极管可以用作整流器、开关、放大器等电路中的重要元件。
半导体工作原理
半导体工作原理半导体是一种具有特殊导电性质的物质，其工作原理是通过控制电子在晶体内的运动来实现电流的流动和信号的传输。
本文将从半导体的基本结构、载流子的行为、PN结的作用以及半导体器件的应用等方面来详细介绍半导体的工作原理。
一、半导体的基本结构半导体的基本结构是由正负离子构成的晶体，其中正离子称为“空穴”，负离子称为“电子”。
半导体的原子排列非常有序，形成了一个晶体结构，使得半导体具有特殊的电学性质。
半导体可以分为P型半导体和N型半导体。
P型半导体中，掺杂了少量的三价杂质原子（如硼、铝等），使得半导体中原本的四价原子失去一个电子，形成一个空穴。
因此，P型半导体中的主要载流子是空穴。
N型半导体中，掺杂了少量的五价杂质原子（如磷、锑等），使得半导体中多出一个电子。
因此，N型半导体中的主要载流子是电子。
二、载流子的行为在半导体中，载流子的行为直接决定了电流的流动方式和特性。
当半导体中没有外加电压时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会通过热运动发生扩散，从而形成电荷分布不均匀的区域。
这个区域称为PN结。
当在PN结上加上正向偏压时，P型半导体的空穴会向前推进，N 型半导体的电子会向后推进，两种载流子在PN结区域相互结合，形成一个电子和空穴的复合区域，这个区域称为耗尽层。
在耗尽层内，电子和空穴复合并释放出能量，形成一个电场，阻碍进一步的电子和空穴的扩散。
当在PN结上加上反向偏压时，P型半导体的空穴会被引向N型半导体，N型半导体的电子会被引向P型半导体。
这样，PN结两侧的载流子会被电场阻止，形成一个无法通过的屏障，这个屏障称为势垒。
三、PN结的作用PN结是半导体器件中最基本的结构，具有重要的作用。
在二极管中，PN结的作用是实现电流的单向导通。
当二极管的正向偏压大于势垒电压时，电子和空穴能够克服势垒，通过PN结，形成电流的流动。
而当二极管的反向偏压大于势垒电压时，PN结的势垒会变得更高，电子和空穴无法克服势垒，电流无法通过，实现了电流的截止。
n型半导体定义
n型半导体定义N型半导体定义半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在一定条件下能够传导电流的特性。
半导体材料中，掺入不同的杂质元素可以改变其电学性质，其中掺入五价元素磷（P）、砷（As）等的半导体被称为n 型半导体。
I. 什么是n型半导体？n型半导体是指在纯净的硅晶中掺入少量五价元素（如磷），使得硅晶中出现了多余的电子，形成自由电子。
这些自由电子具有高度的运动能力和较大的迁移率，在外加电场作用下容易流动，从而使得n型半导体具有较好的导电性能。
II. n型半导体与p型半导体有何区别？与n型半导体相对应的是p型半导体，后者是在纯净硅晶中掺入少量三价元素（如铝、硼等），使得硅晶中出现空穴。
空穴可以看作是正电荷带来的“缺口”，在外加电场作用下也可以移动。
因此，p型半导体也具备一定程度上的导电性能。
III. n型半导体的掺杂浓度n型半导体的电学性质与掺杂浓度有关，掺入的磷原子数量越多，自由电子的数量也就越多。
一般来说，n型半导体的掺杂浓度在10^15~10^20/cm^3之间。
当掺杂浓度达到10^18/cm^3时，n 型半导体已经具备了较好的导电性能。
IV. n型半导体的应用n型半导体在电子器件中应用广泛，例如场效应晶体管（FET）、太阳能电池等。
其中最为重要的是FET，它是一种基于场效应原理工作的三极管，可以用于放大、开关等多种功能。
太阳能电池则是利用光生电荷效应将光能转化为电能的器件，在太阳能领域具有重要地位。
V. 总结n型半导体是指在纯净硅晶中掺入五价元素形成自由电子的半导体材料。
与p型半导体相对应，n型半导体具有较好的导电性能。
n型半导体的掺杂浓度决定了其电学性质，在FET、太阳能电池等电子器件中应用广泛。
半导体简介之N型半导体
半导体简介之N型半导体
在硅(或锗)的本征半导体中掺入微量的5价元素(磷)，形成N型半导体。
由于掺入杂质的原子数与整个半导体的原子数相比，其数量非常少，因此，半导体的晶体结构基本不变，只是晶体中某些硅(或锗)原子的位置被磷原子所代替。
由于杂质磷原子最外层5个价电子中有4个要与相邻硅原子组成共价键，这样杂质磷原子最外层多余的1个价电子不受共价键束缚，受磷原子核的束缚小，只要获得很少的能量，就能成为自由电子。
几乎每一个杂质磷原子都能提供一个自由电子，故磷(或锗)称为施主杂质。
杂质磷原子本身因失去电子而成为带正电的正离子，它固定在晶格上，不能移动。
在掺入施主杂质的半导体中，自由电子数量远远大于空穴数量，故N型半导体也称为电子型半导体。
N型半导体的显著特点为：自由电子是多数载流子(简称多子)，空穴为少数载流子(简称少子)，是由热激发(本征激发)产生的。
N型半导体以自由电子导电为主，由于自由电子的增多空穴遇到电子而被复合的几率也增大，所以空穴的浓度远小于相同温度下本征半导体中的空穴浓度。
半导体物理学__基本概念
半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
第三章 P型半导体和N型半导体接触
分布．对图(a)及(b)表示的一维p-n结和对应的热平衡能带图,
空 间 电 荷 分 布 和 静 电 电 势 的 特 定 关 系 可 由 泊冶松金结方 程 式
(Poisson’s equation)得到，
d 2
dx 2
dE dx
s s
q
s
(ND
N A p n)
p p
静
冶金结 n
电 势
n
这里假设所有的施主和受主皆已电离 （a） 冶金结中突变掺杂的p-n结
在 远 离 冶 金 结 (metallurgical
（a） 冶金结中突变掺杂的p-n结
junction)的区域，电荷冶金保结持中性 ，且总空间电p 荷密度为零．对n这些 中性区域，上式可简化为
d 2
dx 2
0 （a）即冶金N结D中突N变A掺杂p的p-nn结 0
Jp
J（p 漂移） J（p 扩散） q p pE qDp
dp dx
q p
p( 1 q
dE场用了 E
1 q
dEC dx
1 q
dEi dx
和爱因斯坦关系式 Dp
kT q
p
由空穴浓度的关系式和其导数
p
ni
exp(
Ei
EF kT
)
dp p ( dEi dEF ) dx kT dx dx
热平衡状态下的p-n结
将上式，即
dp p ( dEi dEF ) 代入下式，即
Jp
dx kT dx dx
J（p 漂移） J（p 扩散） q p pE qDp
dp dx
q p
p( 1 q
dEi dx
)
kT p
dp dx
n型半导体和本征半导体组成的结
n型半导体和本征半导体组成的结半导体材料是现代电子科技领域中至关重要的基础材料，其中n型半导体和本征半导体组成的结具有独特的物理特性，被广泛应用于电子器件制造。
本文将从基本概念、特性、应用领域、我国研究进展以及未来发展趋势等方面进行详细阐述。
首先，我们来了解一下n型半导体与本征半导体的基本概念。
n型半导体是指在晶体中掺杂少量电子浓度较高的杂质元素，如磷、砷等，使其具有导电性质。
本征半导体是指没有掺杂任何杂质元素的半导体材料，其导电性质主要由材料内部的自发辐射过程决定。
当n型半导体与本征半导体结合时，二者互补的导电性质使得结具有独特的电学特性。
这种结具有较高的载流子浓度，较大的扩散电流，以及较低的接触电阻，因此在半导体器件中具有广泛的应用。
接下来，我们来看看这种结的应用领域。
n型半导体与本征半导体组成的结在半导体器件、光电子器件、微电子器件等领域具有重要应用。
例如，在太阳能电池、光电传感器、半导体激光器等方面，这种结可以提高器件的性能和稳定性。
在我国，n型半导体与本征半导体研究取得了显著成果。
近年来，我国科研团队在半导体材料制备、器件设计等方面不断取得突破，提高了n型半导体与本征半导体结的应用水平。
此外，政府也对半导体产业给予了高度重视，提出了相关政策扶持，加快了我国半导体产业的发展。
展望未来，随着科技的进步和市场需求的增长，n型半导体与本征半导体组成的结在半导体领域的研究将不断深入。
未来发展趋势包括提高结的性能、降低制造成本、拓展应用领域等。
此外，环保和可持续发展的需求也将推动n 型半导体与本征半导体研究向更加环保、高效的方向发展。
总之，n型半导体与本征半导体组成的结在半导体领域具有广泛的应用前景，我国在相关领域的研究取得了显著成果。
半导体的导电特性P型半导体与N型半导体的特征PN结及其
二、PN结及其单向导电型 1、PN结的形成
P区
N区
P区 空间电荷区
N区
内电场
图1-5 PN结的形成
8
形成过程：
当N型半导体和P型半导体结合在一起时，由于P型半导 体中空穴浓度高、电子浓度高，而N型半导体中电子浓度 高、空穴浓度低，因此在交界面附近电子和空穴都要从 浓度高的地方浓度低的地方扩散。P区的空穴要扩散到N 区，且与N区的电子负荷，在P区一侧就留下了不能移动 的负离子空间电荷区。同样，N区的电子要扩散到P 区， 且与P区的空穴负荷在N区一侧就留下了不能移动的正离 子空间电荷区。
图1-6 PN结的单向导电特性
反向偏置：加在PN结上的电压（反向电压），将P区接电源的负极，N区接电源的正极
11
思考题
1. 半导体最主要的导电特性是什么？ 2. PN结的主要特性是什么？ 3. P型半导体与N型半导体区别是什么？
12
4
特 征：
① 掺入微量的五价元素 ② 主要靠电子导电 ③ 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子
5
2、P型半导体
空穴
＋4
＋4
＋4
＋4
＋3
＋4
硼原子
＋4
＋4
＋4
`
电子一空穴对
图1-4 P型半导体的结构 6
特征：
① 掺入微量的三价元素 ② 主要靠空穴导电 ③ 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子
9
2、PN结的单向导电性
(1) PN结的正向导通特性
P
空穴 (多数)
变薄
IR
内电场
外电场
N
电子 (多数)
R
a. 正向偏置
正向偏置：指加在PN结上的电压（正向电压），将P区接电源的正极，N区接电源的负极
半导体材料结构
半导体材料结构半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，在现代电子技术中起到关键作用。
它的结构对于其电学性质和应用能力具有重要影响。
本文将介绍半导体材料的结构特点和相关性质。
一、晶体结构半导体材料的基本结构是晶体结构，晶体是由原子或分子按照一定的规则排列而成的固态物质。
晶体的结构决定了半导体材料的电学特性。
半导体材料晶体结构通常可以分为两类：共价结构和离子结构。
1. 共价结构共价结构的半导体材料，如硅和锗，原子之间通过共用电子形成共价键。
这种结构中，每个原子都与它周围的四个原子共享电子，形成一个稳定的晶格。
共价结构的半导体材料通常具有较高的电阻率和较小的载流子浓度。
2. 离子结构离子结构的半导体材料，如化合物半导体，由正负离子组成。
这些正负离子通过离子键相互结合，形成晶体结构。
离子结构的半导体材料通常具有较低的电阻率和较大的载流子浓度。
二、能带结构半导体材料的能带结构是指在宏观尺度下，电子能级如何分布的情况。
能带结构决定了半导体材料的导电性质。
1. 价带和导带半导体材料中的电子能级被分为两个主要部分：价带和导带。
价带是指靠近原子核的能级，电子填充满时半满的能级。
导带是指离原子核较远的能级，当电子填充时，半满或未满的能级。
2. 禁带宽度价带和导带之间存在一个能量较大的空隙，称为禁带。
禁带宽度是指价带和导带之间的能量差。
半导体材料的禁带宽度决定了其导电性质。
禁带宽度较小的半导体材料易于导电，而禁带宽度较大的半导体材料难以导电。
三、掺杂通过掺杂可以改变半导体材料的导电性质。
掺杂是指在晶体中引入少量杂质，以改变其电子结构和导电性质。
1. N型半导体N型半导体是指通过掺入少量五价元素，如磷或砷，将半导体材料中的部分硅原子取代为五价元素原子。
五价元素原子比四价硅原子多一个电子，这个多出来的电子被称为自由电子，能够在晶体中自由移动，增加了半导体材料的导电性能。
2. P型半导体P型半导体是指通过掺入少量三价元素，如硼或铝，将半导体材料中的部分硅原子取代为三价元素原子。
n型半导体。
n型半导体。
n型半导体是一种掺杂了杂质（通常是五价或三价元素）的半导体材料。
在n型半导体中，主要的载流子是负电荷的电子。
以下是n型半导体的一些特点：
1.掺杂: n型半导体通过掺杂少量的五价杂质元素（如磷、砷或锑）来引入额外的自由电子。
这些杂质原子的外层电子与半导体中的原子形成杂化化合物，增加了杂质原子周围的自由电子数目。
2.自由电子: 掺杂后，n型半导体中的杂质原子会释放出多余的电子，形成负离子。
这些额外的电子在晶格中活动，可以输送电流。
3.电子传导: 在n型半导体中，自由电子是主要的载流子，并且在外加电场的作用下移动。
电子通过在晶格中的碰撞来传导电流。
4.能带结构: 与纯净的半导体相比，n型半导体的费米能级（能带中最高的填充电子能级）会向导带（能带中可传导电子的最低能级）移动，增加了导带的电子浓度。
5.导电性: 由于额外的自由电子，n型半导体具有较高的导电性。
它在电子器件中常用作导电通道，如晶体管等。
n型半导体和p型半导体的定义
n型半导体和p型半导体的定义n型半导体和p型半导体是半导体材料中重要的两种类型。
它们在电子器件的制造和运行中扮演着重要角色。
本文将分别介绍n型半导体和p型半导体的定义、性质和应用。
我们来看n型半导体。
n型半导体是指在晶格中掺入少量杂质，使得半导体材料中存在着过多的自由电子。
通常，这些杂质是五价元素，如磷（P）或砷（As）。
这些杂质通过掺入取代半导体晶格中的原子，形成额外的电子能级。
这些额外的电子能级使得材料中的自由电子浓度增加。
在n型半导体中，自由电子是主要的载流子，负责电流的传导。
当电压施加到n型半导体上时，自由电子在导体中移动，形成电流。
这种半导体的导电性能较好，因此在电子器件中常用于制作导线、电池和晶体管等。
接下来，我们来看p型半导体。
p型半导体是指在晶格中掺入少量杂质，使得半导体材料中存在着过多的空穴。
通常，这些杂质是三价元素，如硼（B）或铝（Al）。
这些杂质通过掺入取代半导体晶格中的原子，形成额外的空穴能级。
这些额外的空穴能级使得材料中的空穴浓度增加。
在p型半导体中，空穴是主要的载流子，负责电流的传导。
当电压施加到p型半导体上时，空穴在导体中移动，形成电流。
虽然p型半导体的导电性能较差，但它在电子器件中也有重要应用。
例如，p-n结是一种由p型半导体和n型半导体组成的结构，广泛应用于二极管和光电二极管等器件中。
n型半导体和p型半导体的结合形成了p-n结。
在p-n结中，n型半导体和p型半导体之间存在电子和空穴的扩散。
当施加正向偏置电压时，电子从n型区域向p型区域扩散，空穴从p型区域向n型区域扩散。
这种扩散会导致电子和空穴的复合，从而发生电流。
而当施加反向偏置电压时，电子和空穴被吸引回各自区域，电流几乎不发生。
p-n结的特性使得它在电子器件中有广泛应用。
例如，二极管是一种基于p-n结的器件，它可以将电流限制在一个方向上。
光电二极管则利用p-n结的光电效应，将光能转化为电能。
此外，p-n结还广泛应用于场效应晶体管、太阳能电池和集成电路等领域。
p型碳化硅和n型碳化硅
p型碳化硅（p-SiC）和n型碳化硅（n-SiC）是两种常见的半导体材料，通常用于电子器件和电子工程中。
它们分别代表了两种不同类型的半导体。
1.（p型碳化硅 p-SiC）：
p型半导体是一种半导体材料，其中电子的多数载流子是空穴（ 正电荷），而少数载流子是电子 负电荷）。
在p-SiC中，掺杂的杂质 通常是三价或五价元素，如铝或硼）会创建空穴，从而增加了材料的正电荷载流子浓度。
这种类型的半导体通常在电子器件中用作正极 阳极），例如二极管和晶体管。
2.（n型碳化硅 n-SiC）：
n型半导体是一种半导体材料，其中电子的多数载流子是电子（ 负电荷），而少数载流子是空穴 正电荷）。
在n-SiC中，掺杂的杂质 通常是四价或六价元素，如氮或磷）会引入额外的电子，从而增加了材料的负电荷载流子浓度。
这种类型的半导体通常在电子器件中用作负极（ 阴极），例如二极管和晶体管。
p-SiC和n-SiC的结合可以用于构建各种半导体器件，例如MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管）、功率电子器件、发光二极管 LED）、光电二极管 光电二极管）等。
它们具有高温稳定性、较高的电子迁移率和宽带隙等特性，使它们在高温、高功率和高频率应用中具有广泛的用途。
半导体材料的能带结构分析
半导体材料的能带结构分析半导体材料是当今科技发展中至关重要的一部分，它们在电子、通信、光电等领域发挥着重要作用。
要了解半导体的性质和性能，我们需要深入研究其能带结构。
一、能带结构的基本概念能带结构是指固体材料中原子、分子或离子的能级在近邻原子的干扰下形成的能带分布。
它将所有能级按照能量从低到高分布在一定范围内。
通常将处于费米能级以上的能级称为导带，而处于费米能级以下的能级称为价带。
二、半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构与其他几类材料有所不同。
对于导体材料，其能带结构中的价带和导带存在重叠，因此电子可以自由地从价带跃迁至导带，并形成电流；对于绝缘体材料，价带和导带之间的能隙非常大，几乎没有电子可以从价带跃迁至导带，因此电流很小。
而半导体材料则介于导体和绝缘体之间，其能隙较小，但不为零，因此在适当条件下，一些电子会从价带跃迁至导带，形成电流。
三、半导体材料的载流子类型导带中的电子可带负电荷，称为自由电子；而因价带中缺失电子而产生的空位则可带正电荷，称为空穴。
在半导体材料中，载流子既可以是电子也可以是空穴。
其中以硅材料最为常见，其能带结构特征明显。
四、掺杂对能带结构的影响通过掺杂，即在半导体材料中引入少量不纯物质，可以显著改变半导体的导电性能。
通常分为n型和p型两种掺杂方式。
1. n型半导体当半导体材料中掺入杂质原子，如砷或磷等，这些杂质原子与原有材料的原子替代位置形成共价键，形成更多自由电子，并且这些自由电子会处于导带中。
因此，n型半导体材料具有更高的导电性能。
2. p型半导体相反，当半导体材料中掺入杂质原子，如硼或铝等，这些杂质原子与原有材料的原子形成新的化学键，留下空位，构成更多的空穴。
因此，p型半导体材料具有更高的导电性能。
通过n型和p型半导体材料的组合，我们可以制造出各种半导体器件，如二极管、晶体管等，这些器件在电子学和通信领域具有重要应用。
五、调控能带结构的方法除了掺杂外，还可以通过调控半导体材料的结构和组合来改变其能带结构，以进一步优化其性能。
P型和N型半导体
P型和N型半导体如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。
因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。
在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。
在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。
如图1所示。
N型半导体如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。
这些材料就变成了半导体。
因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。
也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。
如图2所示。
P型和N型半导体的应用由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。
由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。
PNP或NPN以及形成双结的半导体就是晶体管。
（1）用于LEDLED在20世纪60年代诞生后就被认定是荧光灯管、灯泡等照明设备的终结者，甚至有人认为LED将会开创一个新的照明时代，最终出现在所有需要照明的场合。
LED的工作原理和我们常见的白炽灯、荧光灯完全不同，LED从本质上来说是一种半导体器件。
LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体的交界面就会出现一个具有特殊导电性能的薄层，也就是常说的PN结(PN Junction Transistors)。
PN结可以对P型半导体和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生阻力，当对PN结施加正向电压时，电流从LED的阳极流向阴极，而在PN结中少数载流子与多数载流子进行复合，多余的能量就会转变成光而释放出来。
常见的n型半导体
常见的n型半导体
n型半导体是一种掺杂有杂质原子的半导体，其杂质原子为五价元素，如磷、砷等。
这些杂质原子会在晶格中取代半导体晶体中的四价原子，形成额外的自由电子，使半导体带负电荷，成为n型半导体。
常见的n型半导体有硅、锗等。
硅是目前最主要的半导体材料之一，其n型掺杂常用的杂质为磷。
锗也是一种常用的半导体材料，其n型掺杂常用的杂质为砷。
n型半导体有广泛的应用，如在半导体器件中作为导体、场效应晶体管中作为源、漏极等。
此外，n型半导体还在太阳能电池、发光二极管、激光等领域有着重要的应用。
- 1 -。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
P型和N型半导体
如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。
因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。
在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。
在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。
如图1所示。
N型半导体
如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素──施主杂质，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或硅）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。
这些材料就变成了半导体。
因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型。
也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称
为“多数载流子”。
如图2所示。
P型和N型半导体的应用
由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。
由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。
PNP或NPN 以及形成双结的半导体就是晶体管。
（1）用于LED
LED在20世纪60年代诞生后就被认定是荧光灯管、灯泡等照明设备的终结者，甚至有人认为LED将会开创一个新的照明时代，最终出现在所有需要照明的场合。
LED的工作原理和我们常见的白炽灯、荧光灯完全不同，LED从本质上来说是一种半导体器件。
LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P 型半导体和N型半导体的交界面就会出现一个具有特殊导电性能的薄层，也就是常说的PN结(PN Junction Transistors)。
PN 结可以对P型半导体和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生阻力，当对PN结施加正向电压时，电流从LED的阳极流向阴极，
而在PN结中少数载流子与多数载流子进行复合，多余的能量就会转变成光而释放出来。
LED正是根据这样的原理实现电光的转换。
根据半导体材料物理性能的不同，LED可发出从紫外到红外不同波段、不同颜色的光线。
小知识:P型半导体和N型半导体
如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的硼、铟、镓或铝等三价元素，就变成以空穴导电为主的半导体，即P型半导体。
在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子。
如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的磷、锑、砷等五价元素，就变成以电子导电为主的半导体，即N型半导体。
在N型半导体中，电子(带负电)叫多数载流子;空穴(带正电)叫少数载流子。
（2）在半导体热电偶中的应用
热电制冷是热电效应主要是珀尔帖效应在制冷技术方面的应用。
实用的热电制冷装置是由热电效应比较显著、热电制冷效率比较高的半导体热电偶构成的。
半导体热电偶由N型半导体和P型半导体组成。
N 型材料有多余的电子，有负温差电势。
P 型材料电子不足，有正温差电势；当电子从P 型穿过结点至N 型时，结点的温度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相当于结点所消耗的能量。
相反，当电子从N型流至P型材料时，结点的温度就会升高。
直接接触的热电偶电路在实际应用中不可用，所以用下图的连接方法来代替，实验证明，在温差电路中引入第三种材料（铜连接片和导线）不会改变电路的特性。
这样，半导体组件可以用各种不同的连接方法来满足使用者的要求。
把一个P 型半导体组件和一个N 型半导体组件联结成一对热电偶，接上直流电源后，在接头处就会产生温差和热量的转移。
在上面的接头处，电流方向是从N至P，温度下降并且吸热，这就是冷端；而在下面的一个接头处，电流方向是从P至N，温度上升并且放热，因此是热端。
按图中把若干对半导体热电偶对在电路上串联起来，而在传热方面则是并联的，这就构成了一个常见的制冷热电堆。
按图示接上直流电源后，这个热电堆的上面是冷端，下面是热端。
借助铝散热器等各种散热手段，使热电堆的热端不断散热并且保持一定的温度，把热电堆的冷端放到工作环境中去吸热降温，这就是热电制冷器的工作原理。
图3是热电偶的工作原理示意图。
（注：素材和资料部分来自网络，供参考。
请预览后才下载，期待你的好评与关注！）。