微波半导体器件及微波集成电路
微波天线考试试题..
填空题1.微波是电磁波谱中介于超短波和红外线之间的波段，它属于无线电波中波长最短（即频率最高）的波段，其频率范围从300MHz（波长1m）至3000GHz（波长0.1mm）。
微波波段分为米波、厘米波、毫米波和亚毫米波四个分波段。
2.微波的特点（因其波长）：①似光性②穿透性③宽频带特性④热效应特性⑤散射特性⑥抗低频干扰特性3.均匀传输线的分析方法：①场分析法：从麦克斯韦方程出发，求出满足边界条件的波动解，得出传输线上电场和磁场的表达式，进而分析传输特性；②等效电路法：从传输线方程出发，求出满足边界条件的电压、电流波动方程的解，得出沿线等效电压、电流的表达式，进而分析传输特性。
——后一种方法实质是在一定条件下“化场为路”。
4.无线传输线的三种工作状态：①行波状态②纯驻波状态③行驻波状态5.阻抗匹配的三种不同含义：①负载阻抗匹配②源阻抗匹配③共轭阻抗匹配6.如何在波导中产生这些导行波呢？这就涉及到波导的激励，在波导中产生各种形式的导行模称为激励，要从波导中提取微波信息，即波导的耦合。
波导的激励与耦合就本质而言是电磁波的辐射和接收，是微波源向波导内有限空间的辐射或在波导的有限空间内接收微波信息。
由于辐射和接收是互易的，因此激励与耦合具有相同的场结构。
7.激励波导的三种方法：①电激励②磁激励③电流激励8.微波技术与半导体器件及集成电路的结合，产生了微波集成电路。
9.光纤可分为石英玻璃光纤、多组分玻璃光纤、塑料包层玻璃芯光纤、全塑料光纤。
10.光纤的三种色散：①材料色散②波导色散③模间色散11.微波网络正是在分析场分布的基础上，用路的分析方法将微波原件等效为电抗或电阻元件，将实际的波导传输系统等效为传输线，从而将实际的微波系统简化为微波网络。
尽管用“路”的分析法只能得到元件的外部特征，但它却可给出系统的一般传输特性，如功率传递、阻抗匹配等。
而且这些结果可以通过实际测量的方法来验证。
12.还可以根据微波元件的工作特性综合出要求的微波网络，从而用一定的微波结构实现它，这就是微波网络的综合。
微波复习题参考答案（思考题）
微波复习题参考答案（思考题）⼀、思考题1.什么是微波？微波有什么特点？答：微波是电磁波谱中介于超短波与红外线之间的波段，频率范围从300MHz到3000GHz，波长从0.1mm到1m。
(通常，微波波段分为⽶波、厘⽶波毫⽶和亚毫⽶波四个波段。
)特点: 似光性；穿透性；宽频带特性；热效应性；散射性；抗低频⼲扰性；视距传播性；分布参数的不确定性；电磁兼容和电磁环境污染。
2. 试解释⼀下长线的物理概念，说明以长线为基础的传输线理论的主要物理现象有哪些？⼀般是采⽤哪些物理量来描述？3. 微波技术、天线与电波传播三者研究的对象分别是什么？它们有何区别和联系？4. 试解释传输线的⼯作特性参数（特性阻抗、传播常数、相速和波长）5. 传输线状态参量输⼊阻抗、反射系数、驻波⽐是如何定义的，有何特点，并分析三者之间的关系6. 阻抗匹配的意义，阻抗匹配有哪三者类型，并说明这三种匹配如何实现？7. 史密斯圆图是求解均匀传输线有关和问题的⼀类曲线坐标图，图上有两组坐标线，即归⼀化阻抗或导纳的的等值线簇与反射系数的等值线簇，所有这些等值线都是圆或圆弧，故也称阻抗圆图或导纳圆图。
阻抗圆图上的等值线分别标有，⽽特征参数和，并没有在圆图上表⽰出来。
导纳圆图可以通过对旋转180°得到。
阻抗圆图的实轴左半部和右半部的刻度分别表⽰或和或。
圆图上的电刻度表⽰，图上0~180 °是表⽰。
8. TEM、TE 和TM 波是如何定义的？什么是波导的截⽌性？分别说明矩形波导、圆波导、同轴线、带状线和微带线的主模是什么？9. 描述波导传输特性的主要参数有哪些，如何定义？10.为什么空⼼的⾦属波导内不能传播TEM波？试说明为什么规则⾦属波导内不能传输TEM波？答：如果内部存在TEM波，则要求磁场应完全在波导的横截⾯内，⽽且是闭合曲线。
由麦克斯韦第⼀⽅程知，闭合曲线上磁场的积分应等于与曲线相交链的电流。
由于空⼼⾦属波导中不存在轴向（即传播⽅向）的传导电流，所以必要求有传播⽅向的位移电流。
微波技术与天线--刘学观-第3.1节剖析
数r来求w/h，微带线设计问题。 对于窄导带（也就是当Z0 >44–2r ），则
w hex8A p)(4e1xA p1
其中，
A Z 01 2 .1 r 9 1 9 2 rr 1 1 ln 2 1 rln 4
有效介电常数表达式为
er2 1 12A r r1 1 ln 21 rln 4 2
本节要点
带状线(strip line) 微带线(microstrip line) 耦合微带线(coupling microstrip line)
《微波技术与天线》
第三章 微波集成传输线之•微带传输线
1.带状线(strip line)
带状线的演化过程及结构
带状线又称三板线，它由 两块相距为b的接地板与 中间的宽度为W、厚度为 t的矩形截面导体构成， 接地板之间填充均匀介质
或空气
带状线是由同轴线演化而来的，即将同轴线的外导体对半分 开后，再将两半外导体向左右展平，并将内导体制成扁平带线。 从其电场分布结构可见其演化特性。显然带状线仍可理解为与同 轴线一样的对称双导体传输线，传输的主模是TEM模。也存在高 次TE和TM模。 传输特性参量主要有：特性阻抗、衰减常数、相速和波导波长。
带状线特性阻抗与w/b及t/b的关系曲线
w/b
w/b
可见：带状线特性阻抗随着w/b的增大而减小，而且 也随着t/b的增大而减小。
《微波技术与天线》
第三章 微波集成传输线之•微带传输线
(2) 衰减常数
带状线的损耗包括由中心导带和接地板导体引起的导体损耗、 两接地板间填充的介质损耗及辐射损耗。由于带状线接地板通常 比中心导带大得多，因此带状线的辐射损耗可忽略不计。所以带 状线的衰减主要由导体损耗和介质损耗引起，即：
微波混合集成电路 单片集成电路
在当今的智能手机、平板电脑、无人驾驶汽车等高科技产品中，微波混合集成电路和单片集成电路一直扮演着关键的角色。
它们是现代电子设备中不可或缺的组成部分，为设备的高性能和高效率提供了坚实的基础。
本文将从深度和广度层面对微波混合集成电路和单片集成电路进行全面评估，并据此撰写一篇有价值的文章，帮助读者更深入地理解这两个重要的电子技术。
1. 微波混合集成电路微波混合集成电路是一种在微波频率范围内工作的集成电路。
它主要用于无线通信系统、雷达系统和卫星通信系统等领域。
微波混合集成电路能够实现高频信号的变换、合成和放大，为无线通信系统的稳定运行提供了强大支持。
1.1 微波混合集成电路的组成微波混合集成电路通常由混频器、放大器、滤波器、耦合器和功率分配器等组件组成。
这些组件通过精密的工艺和复杂的布局，实现了对高频信号的精确处理和控制，为系统的性能提升奠定了坚实基础。
1.2 微波混合集成电路的应用微波混合集成电路广泛应用于5G通信系统、毫米波雷达系统、卫星通信系统等高频率设备中。
它们能够实现信号的变频、合成和放大，为高频信号的处理提供了重要支持。
1.3 个人观点和理解从我个人的角度来看，微波混合集成电路在现代无线通信系统中扮演着至关重要的角色。
它们为高频信号的处理和传输提供了坚实的技术支持，为无线通信技术的发展贡献了重要力量。
2. 单片集成电路单片集成电路是把整个电路集成在一块单一的硅片上，它是现代电子设备中最常见的集成电路类型之一。
单片集成电路能够实现复杂的功能，包括了逻辑运算、存储、数字信号处理等，为现代电子设备的高性能提供了重要保障。
2.1 单片集成电路的组成单片集成电路通常由晶体管、电阻、电容、存储器单元和控制逻辑单元等组件组成。
这些组件通过微电子制造工艺，实现了对复杂功能的高度集成，为电子设备的智能化提供了坚实基础。
2.2 单片集成电路的应用单片集成电路广泛应用于微处理器、存储器、通讯芯片等各种电子设备中。
微波集成电路学习资料3：微波混合集成电路
3.1概述
3.1概述
混合集成电路应用:
毫米波T/R组件
低噪放 混频器
倍频器
3.1概述
本章将从工程设计角度出发，主要介绍 如下内容： • 1．微带电路设计的相关问题。 • 2．基本微带元件。 • 3．部分重要的固态电路。
3.2微带集成电路中的不连续性
3.2.1 概述
当微带电路产生不连续性时，将带来如下影响： ➢第一，不连续性区域将发生能量的存储； ➢第二，产生反射波； ➢第三，场通过连续性区域后重新沿均匀线传输 时，与进入不连续性区域之前有所不同，时延 效应将产生相位上的变化，而不连续处存在的 损耗将产生信号幅度上的变化。
或并联谐振回路。
3.2.8微带线实现集总元件
L C
L C
3.2.8微带线实现集总元件
➢如果是一个串联谐振和一个接地的并联 谐振相互级联，其响应又如何？
d
CL LR
. . . CR
LL. . .
3.2.8微带线实现集总元件
直接的直角拐角会产生较大反射。为了减小反射，把拐角 的外部切成 斜角，利用两次反射的相互抵销达到匹配。斜 角边长是使两次反射 “抵消”的关键。
微带匹配拐角（a）50欧姆；（b）任意宽度
3.2.5微带线拐角
3.2.5微带线拐角
3.2.6微带线T接头
• 微带T 型接头在微带电路中应用广泛，如分支 线电桥等。
求偶模电容Ce
3.2.4微带间隙
二、两条微带反对称馈电，这时候，C12等于两 个串联，中心点等效为接地。
求奇模电容Co
C1
1 2
Ce
11 C12 2 Co 4 Ce
3.2.5微带线拐角
在拐角地区如同有一个并联电容，路径的 加长如同是两段短传输线或是两个电感。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
单片微波集成电路
单片微波集成电路单片微波集成电路（Microwave Monolithic Integrated Circuit，简称MMIC）是一种以半导体材料为基础的射频和微波电路，在无线通讯、雷达、卫星通信、毫米波通信等领域具有重要应用。
下面将介绍MMIC的主要特点、分类和应用领域。
一、MMIC的主要特点1. 高度集成：MMIC采用半导体技术，可以在单个芯片上实现包括放大器、混频器、滤波器、调制器等多种组件，实现高度集成，降低了系统的复杂性和成本。
2. 高频带宽：MMIC的工作频率可达数GHz到数百GHz，能够支持高速数据传输和宽频信号处理，满足高速通信的要求。
3. 高工作温度：由于采用高质量的半导体材料，MMIC具有高可靠性和稳定性，能够在宽温度范围内工作。
4. 低功耗和小尺寸：MMIC具有低功耗和小尺寸的优点，适合于电池电源供电的无线通信应用。
二、MMIC的分类按照不同的功能，MMIC可以分为以下几类：1. 放大器：用于将微弱信号放大到合适的水平，以便后续处理或传输。
2. 混频器：用于将两个不同频率的信号混合在一起，产生新的频率信号，实现频率转换和调制。
3. 滤波器：用于滤除不需要的频率分量，只保留所需的信号。
4. 功率放大器：用于将信号的功率增加到所需的水平，以便实现远距离传输或覆盖广泛区域。
5. 器件驱动器：用于控制器件的工作状态，实现信号的调制和解调。
6. 参考振荡器：用于提供稳定的参考信号，以便其他组件的工作。
三、MMIC的应用领域1. 无线通信：MMIC广泛应用于手机、WiFi、蓝牙等无线通信系统中，实现高速数据传输和宽频信号处理。
2. 雷达：MMIC用于实现雷达探测系统中的放大器、混频器、滤波器等组件，提高雷达探测系统的性能。
3. 卫星通信：MMIC用于卫星通信系统中，实现高速数据传输和宽频信号处理。
4. 毫米波通信：MMIC用于毫米波通信系统中，实现高速数据传输和宽频信号处理，支持更加高速和容量的通信。
微波器件的分类_微波器件的应用介绍
微波器件的分类_微波器件的应用介绍
什么是微波器件是指工作在微波波段（频率为300～300000兆赫）的器件，称为微波器件。
微波器件按其功能可分为微波振荡器（微波源）、功率放大器、混频器、检波器、微波天线、微波传输线等。
通过电路设计，可将这些器件组合成各种有特定功能的微波电路，例如，利用这些器件组装成发射机、接收机、天线系统、显示器等，用于雷达、电子战系统和通信系统等电子装备。
微波器件的分类微波器件按其工作原理和所用材料、工艺不同，又可分为微波电真空器件、微波半导体器件、微波集成电路（固态器件）和微波功率模块。
微波电真空器件包括速调管、行波管、磁控管、返波管、回旋管、虚阴极振荡器等，利用电子在真空中运动及与外围电路相互作用产生振荡、放大、混频等各种功能。
微波半导体器件包括微波晶体管和微波二极管，具有体积小、重量轻、可*性好、耗电省等优点，但在高频、大功率情况下，不能完全取代电真空器件。
微波集成电路是将具有微波功能的电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体材料芯片上，形成功能块，在固态相控阵雷达、电子对抗设备、导弹电子设备、微波通信系统和超高速计算机中，有着广阔的应用前景。
微波器件的作用1．终端负载元件：为一端口互易元件，主要包括短路负载、匹配负载和失配负载
1）短路负载，要求：
（1）保证接触处的损耗小，
（2）当活塞移动时，接触损耗变化小；
（3）大功率时，活塞与波导壁间不应产生打火现象。
可用作调配器，纯电抗元件
结构方式：接触式、扼流式（金属片）
2）匹配负载。
微波混合集成电路 单片集成电路
微波混合集成电路单片集成电路微波混合集成电路单片集成电路1. 引言在当今的通信和电子领域，微波混合集成电路和单片集成电路无疑是两个备受关注的重要主题。
微波混合集成电路是指将微波集成电路与其他传输媒介相结合，以实现信号的混合、变频、放大等功能。
而单片集成电路则是指集成了大量电子元器件和电路功能的微型芯片，是现代电子设备中的核心之一。
本文将围绕这两个主题展开深入探讨，并分享个人观点和理解。
2. 微波混合集成电路微波混合集成电路是微波通信系统中的关键组成部分，具有较高的频率和带宽特性，常用于雷达、通信和射频前端等领域。
其核心技术包括微带线、耦合器、滤波器、放大器等。
在微波混合集成电路中，微带线起着连接和传输信号的作用，耦合器用于信号的耦合和分配，滤波器用于滤波和频率选择，放大器用于信号的放大和增益控制。
3. 单片集成电路单片集成电路是现代电子设备中不可或缺的部分，它将大量的电子元器件和电路功能集成在一个芯片上，实现了设备的小型化、轻便化和功能化。
单片集成电路广泛应用于计算机、智能手机、家电、车载电子等领域。
其核心技术包括MOS管、CMOS工艺、芯片设计、布线和封装等。
在单片集成电路中，MOS管是实现电路功能的基本元件，CMOS工艺为芯片提供了低功耗、高集成度的优势，芯片设计和封装则是确保芯片功能和性能的关键环节。
4. 个人观点和理解作为一名电子工程师，我对微波混合集成电路和单片集成电路有着深刻的理解和经验。
我认为微波混合集成电路的发展将会在雷达、通信和射频领域发挥更加重要的作用，其在高频率、高带宽等方面的优势将会得到更广泛的应用。
而单片集成电路的发展则将会进一步推动电子设备的智能化和功能化，为人们的生活和工作带来更多的便利和可能性。
5. 总结与展望通过本文的深入探讨，我对微波混合集成电路和单片集成电路有了更为全面、深刻和灵活的理解。
微波混合集成电路和单片集成电路作为电子领域中的重要主题，其发展将对通信、电子设备和信息技术产生深远的影响。
微波技术与天线复习要点
微波技术与天线复习要点微波技术与天线是电子工程中非常重要的两个领域。
微波技术涉及了微波器件、微波电路和微波系统等方面的知识，而天线则涉及到电磁波传输和接收的技术。
下面将从微波技术和天线的基本原理、设计和应用等方面进行复习要点的总结。
一、微波技术的复习要点：1.微波的概念：微波是指频率在0.3GHz到300GHz之间的电磁波。
其特点是波长短、能量集中、穿透能力强。
2.微波器件：包括微波管、微波集成电路和微波半导体器件等。
微波管是一种用于产生、放大、调制和检波微波信号的器件。
微波集成电路是将微波器件集成在一块微波板上，实现微波信号的处理功能。
3.微波电路：包括微波传输线、微波滤波器和微波功率分配器等。
微波传输线用于在电路中传输微波信号，常用的微波传输线有阻抗线、共面波导和同轴线等。
微波滤波器用于选择性地通过或阻断特定频率范围内的微波信号。
微波功率分配器用于将微波信号分配到不同的传输线或输出端口。
4.微波系统：包括微波通信系统、微波雷达系统和微波遥感系统等。
微波通信系统是利用微波信号进行通信的系统，其特点是高速率、抗干扰性强。
微波雷达系统是利用微波信号检测目标的系统，其特点是高分辨率、远距离探测。
微波遥感系统是利用微波信号获取地球表面信息的系统，其特点是穿透云雾、对地物覆盖情况敏感。
二、天线的复习要点：1.天线的基本原理：天线是用于辐射电磁波或接收电磁波的装置。
其基本原理是由电流产生的电场和磁场辐射出去形成电磁波。
根据发射和接收的方式不同，天线分为发射天线和接收天线。
2.天线的参数：包括增益、方向性、波束宽度和极化等。
增益是指天线辐射能量的能力，方向性是指天线在不同方向上的辐射强度不同，波束宽度是指天线辐射的主瓣宽度，极化是指电场矢量的方向。
3.天线的设计：包括天线的结构设计和参数设计。
结构设计涉及到天线的形状和尺寸，参数设计涉及到天线的频率和阻抗匹配。
4.天线的应用：包括通信系统、雷达系统和无线电广播等。
射频微波的器件有哪些？
射频微波技术涉及到各种不同类型的器件，这些器件用于生成、传输、接收和处理射频微波信号。
以下是一些常见的射频微波器件：1.射频天线：射频天线用于辐射和接收射频信号。
它们来自各种形状和类型，包括偶极天线、单极天线、方向天线、扫描天线等。
2.射频放大器：射频放大器用于增加射频信号的幅度。
它们可以是放大器模块、晶体管放大器、功率放大器等。
3.射频滤波器：射频滤波器用于选择性地通过或拒绝特定频率范围内的信号。
它们有带通滤波器、带阻滤波器和带通滤波器等类型。
4.射频混频器：射频混频器用于将两个或多个不同频率的信号混合在一起，以产生新的频率组件。
这在频谱分析和频率转换中很有用。
5.射频开关：射频开关用于在电路中切换信号路径，以实现连接和断开。
它们通常用于射频前端模块的切换和控制。
6.射频功率分配器和耦合器：这些器件用于将射频信号分配到多个路径或合并来自多个路径的信号。
7.射频调制器和解调器：射频调制器用于将基带信号调制到射频载波上，而射频解调器用于从射频信号中提取基带信号。
8.射频振荡器：射频振荡器用于产生稳定的射频信号，通常作为时钟信号或局部振荡器在接收器和发射器中使用。
9.射频传输线：这包括微带线、同轴电缆、波导等，用于将射频信号从一个地方传输到另一个地方。
10.射频集成电路（RFIC）：RFIC是专门设计用于射频应用的集成电路，包括射频放大器、混频器、滤波器和其他功能。
这些器件在射频微波系统中起着关键作用，它们通常需要精确的设计和调整，以确保系统性能的优良。
不同的应用需要不同类型的器件，以满足其特定的要求。
微波元器件与集成电路
1、波导式匹配负载
大功率匹配干负载 出
体积式吸收体 大功率匹配水负载
片式吸收体 水
散热片 入
2、同轴线 式匹配负载
吸波材料
同轴匹配干负载
3、微带线式匹配负载 • 渐变式
导体带 介质 薄膜电阻
• 匹配阻抗式
开路
g 4
• 半圆式
二、短路器：
提供尽量大的反射系数；
○ 最好可自由移动； ○ 可移动短路活塞：接触式：物理接触
用低阻抗线实 现并联电容：
低阻抗段
l
在传输线上并联一个或多个支节，这些 支节等效于串联或并联谐振回路。
5、并联在传输线上的谐 振回路：
6、微带线 中的串联 电阻：
高阻金属薄膜，吸收电磁能量 R
9.2 微 波 滤 波 器
将所需其他滤波器的衰减 特性通过频率变换， 得到对应的低通滤 波器衰减特性；
g 4
• 多孔定向耦合器（频带较宽）
3
2
1
2
3
4
N
1
单孔定向耦合器
理想状态下，隔离端 口应当没有输出，但 实际上仍有一定输出， 因此应在隔离端口接 匹配负载，吸收这一 部分功率。
用高阻抗微带短线实现串联电感
Zc
Z c
Zc
Zc Zc
l 高阻抗段 环形电感 圆形螺旋电感 方形螺旋电感 为加大电感值，将高阻 抗线弯曲、螺旋，增加 匝数：
3、串联在传输 线上的谐振回 路：
L C C L
4、并联电容、电感：
Z Z Z c用并联的终端c 开路支节实c现并联电容或并联电感；
Zc Zc
L2
L4
L6
C1
C3
C5
• 微带电路实现方案
微波技术的理论与应用案例分析
微波技术的理论与应用案例分析微波技术是一种近年来快速发展的新兴技术，在物联网、5G 通信、雷达探测等领域具有广泛应用。
本文将对微波技术的理论及其应用案例进行深入分析。
一、微波技术的基本理论微波技术的基本理论包括电磁波理论、微波器件及电路理论、微波传输线理论等。
其中，电磁波理论是微波技术的核心理论，它揭示了电磁波在空间中传播的规律，包括电磁波的波长、频率和速度等。
微波器件及电路理论是微波技术的基础，它主要研究微波器件的设计及其电路的布局，如微波管、微波晶体管、微波集成电路等。
此外，微波传输线理论研究了在微波频段内的电磁场等效电路模型、传输线参数的计算、阻抗匹配等关键技术。
这些基本理论的掌握对于微波技术的应用具有重要意义。
二、微波技术在雷达探测中的应用雷达探测是微波技术的一个典型应用领域，由于微波具有穿透性强、抗干扰能力好等特点，所以在雷达探测中具有广泛的应用。
雷达探测主要包括气象雷达、海洋雷达、地球观测雷达等。
气象雷达主要用于对大气中云和降水的探测，其工作频率通常为S波段（2~4GHz）。
海洋雷达主要用于对海洋水面的探测，其工作频率通常为X波段（8~12GHz）。
而地球观测雷达主要用于对地球表面的探测，如地质勘探、环境监测等，其工作频率通常为Ku波段（12~18GHz）。
三、微波技术在通信中的应用微波技术在通信中的应用也十分广泛。
在移动通信方面，5G通信正式商用，它采用的是28GHz和60GHz等超高频微波信号，具有更高的传输速率和更低的延迟，可以实现更加高效的数据传输，为智能制造、智慧城市等领域的发展提供了新的动力。
在卫星通信方面，微波通信技术也得到广泛应用，如卫星通信、导航系统、卫星地球传感器等。
它具有信号传输距离远、抗干扰性好等特点，能够满足遥感数据传输、卫星导航等需要。
此外，在军事通信等领域也有着重要的应用。
四、微波技术在应急救援中的应用微波技术在应急救援中的应用也十分重要。
在自然灾害和突发事件中，微波技术可以通过无线通信、遥感探测等方式实现快速救援和灾后评估。
MMIC单片微波集成电路
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子注入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。
微波集成电路 Microwave Integrated Circuit工作在300M赫～300G赫频率范围内的集成电路。
简称MIC。
分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。
前者是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。
这种电路的特点是根据微波整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。
单片微波集成电路则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯片上的集成电路。
这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。
在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MMIC放大器中。
目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用于通信和GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。
根据制作材料和内部电路结构的不同，MMIC可以分成两大类：一类是基于硅Silicon晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓场效应管（GaAs FET）的MMIC。
GaAs FET类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格昂贵，因此应用场合较少；而硅晶体管的MMIC性能优越、使用方便，而且价格低廉，因而应用非常广泛.微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。
单片微波集成电路
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子注入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。
微波集成电路 Microwave Integrated Circuit工作在300M赫～300G赫频率范围内的集成电路。
简称MIC。
分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。
前者是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。
这种电路的特点是根据微波整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。
单片微波集成电路则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯片上的集成电路。
这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。
在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MMIC放大器中。
目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用于通信和GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。
根据制作材料和内部电路结构的不同，MMIC可以分成两大类：一类是基于硅Silicon晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓场效应管（GaAs FET）的MMIC。
GaAs FET类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格昂贵，因此应用场合较少；而硅晶体管的MMIC性能优越、使用方便，而且价格低廉，因而应用非常广泛.微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。
简述半导体材料及器件在航天领域的应用
简述半导体材料及器件在航天领域的应用半导体材料及器件在航天领域的应用非常广泛，可以说是航天技术不可或缺的一部分。
以下是简述：
1. 半导体材料在航天领域的应用
(1) 硅(Si)材料：在半导体行业中，硅是最广泛应用的基础材料之一。
在航天领域，硅材料被用于制造航天器的电气元件，比如集成电路等。
(2) 氮化镓(GaN)材料：氮化镓是一种新型半导体材料，它具有高电子迁移率和较高的饱和漂移速度，适用于高功率和高频率电子器件的制造。
在航天领域，氮化镓被用于制造微波器件和功率放大器等高频载波通信设备。
(3) 碳化硅(SiC)材料：碳化硅是另一种新型半导体材料，它的硬度和导热性能都比硅好，适用于制造高温、高功率的电子器件。
在航天领域，碳化硅被用于制造高温电子设备和高功率半导体开关等。
2. 半导体器件在航天领域的应用
(1) 集成电路(IC)：集成电路是半导体器件的一种，它可以将多个电子元件集成在一个芯片上，实现高度集成化的电路设计。
在航天领域，集成电路被用于制造控制系统、通信设备等。
(2) 二极管(Diode)和晶体管(Transistor)：二极管和晶体管是半导体器件的基础元件之一，它们被用于电路的开关和放大等功能。
在航天领域，二极管和晶体管被用于制造高温、高压、高频等特殊条件下的电子器件。
(3) 太阳电池(Solar cell)：太阳电池是一种将太阳光转换为电能的光伏器件，它的主要材料是硅。
在航天领域，太阳电池被用于制造航天器的电力系统，提供电源供给。
以上是半导体材料及器件在航天领域的主要应用。
随着航天技术的不断发展，相信半导体材料和器件在航天领域也会有更广泛和深入的应用。
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微波半导体器件及微波集成电路，从雷达，导航，电子对抗等军事应用领域。
迅速扩展到微波中继通信，卫星通信，移动通信，无绳电话，卫星直播电视无线电缆电视，安全防范等众多的商用领域。
这些应用领域的发展，方兴未艾，前景广阔应用的扩大，市场需求的增长，有力地促进了微渡半导体器件及微波集成电路品种的发展和性能的提高。
微波半导体器件及微波集成电路的生产，也从多品种，小批量的小规模方式，迅速向集约化，大规模方式发展近年来，国外利用微波频段电磁波的特性，研制生产了大量用于非电参量的检测和无损伤探测方面的微波传感器。
微波传感器具有不接触，无损伤，连续，实时，远距离，无毒害，不污染环境，易于维护，成本较低等一系列优点，在许多场合十分有用。
长期来，传感器的电检测技术基本上局限于低频和光频两个频段并从集成电路参数和电压，电流的观点来研究各种传感器的性能，很少使用它们之间的微波频段并从电磁波的角度来研究传感器。
本文的目的在于引起人们对微波传感器这一新兴领域的重视我们相信。
随着这一领域的开拓和发展，不仅为传感器增加了新的分支和新的品种而且也为微波半导体器件和微波集成电路开辟了新的应用前景。
微波传感器的原理电磁波包括的频谱范围极宽，它们的特性因频率不同而各异。
它的低端频率为300，高端可达300。
微波具有一系列特性，用来进行非电参置的无损检测是很合适的。
例如，微波具有良好的定向辐射性能，在自由空间沿直线传播且速度等于光速，在反射，折射，绕射，散射，干涉时遵循与光同样的物理定律。
微波能够穿透大多数非金属材料，包括许多对光波来说是不透明的材料。
并且与这些材料的分子相互作用。
从内部不均匀处产生反射，散射。
微波遇到良导体时几乎全部反射，良导体在徽捩频率的趋肤深度仅几微米第四，介质对微波正比于介质的介电系数。
水的电系数较大，对微波的吸收很强第五，当微波被运动物体所反射时，微波的频率会变化。
其变化的大小与运动物体的速度有关，这就是所谓的多卜勒效应。
利用微波特性可以制成众多的传感器。
按其作用原理，可分为下面几大类型。
利用微波在自由空间传播速度的恒定性，根据收，发信号的时间差来测定距离。
或者根据入射，反射信号之间的相移距离，位移等几何量。
利用微波的移特性来测量速度，加速度，流速等机械量。
利用微波对许多材料的穿透特性，可探测这些材料的内部结构特性。
微波容易穿透许多非金属材料，如塑料，陶瓷，复台介质材料等。
因此，传输波(或反射波)的幅度，相位以及极化方向的变化，将含有关于材料的内部缺陷，化学成份，密度，均匀性，空隙率，固化率，含水率等信息。
微波相位和幅度的这种变化将变换成为谐振频率和品质因数的变化。
利用被测物质的热辐射，预'定物体在微波频率的热辐射能量就能确其表面温度或发射率，利用许多材料对微波的"透明或"半透明"性质，还可测量它们的次表面温度。
微波传感器实现的技术途径利用微波特性制造用于非电参量的检测和无损伤探测的微波传惑器，采用什么技术途径来实现，这要由具体情况来确定，包括对象特征的分析以及对欲达到的灵敏度，准确度和分辨率等的考虑。
检测待测量信息的方法有传输法，反射法和微扰法等三种。
要从反射度或传输波中检出它们所携带的信息，一般的作法是把它们与一个参考信号进行幅度或相位的比较。
参考信号既可以是入射渡，也可以是从微波振荡器分出的一部份信号或另一路中的传输波。
两个信号一比较，就可知道衰减或相移的大小，从而求得待测量的值。
衰减是两个波进行幅度比较的结果。
相移则是两个渡进行相比较的结果一般来说，测量幅度比测量相位容易一些。
如果测量幅度能达到目的，就不必去测量相位。
当然，若待测量对微波相位很敏惑，则宜测量相位。
必须指出，同时测量衰减和相位，可获得更多的信息。
有的场合就使用这种"双参数"测量系统。
至于微扰法，其获取信息的方法实质上也是进行幅度或相位的检测。
这种方法只不过是把波的相移变换成了谐振频率的变化，把幅度的衰减变换成了品质因数的变化而已。
本研究咨询报告由中研普华咨询公司领衔撰写，在大量周密的市场调研基础上，主要依据了国家统计局、国家发展改革委员会、国务院发展研究中心、国家海关总署、国家商务部、中国工业联合会、中国机械工业联合会、中国工业协会、中国行业研究网以及国内外相关报刊杂志等公布和提供的大量资料，着重对我国微波传感器行业的发展态势，包括市场供给与需求情况、进出口情况、微波传感器重点子行业、市场需求特点、行业竞争态势以及世界微波传感器市场发展状况等进行了分析，对微波传感器行业的市场需求及技术发展趋势进行了研判。
报告数据丰富及时、图文并茂，还对国家相关产业政策进行了介绍和趋向研判，是微波传感器生产企业、科研单位、经销企业等单位准确了解当前中国微波传感器市场发展动态，把握企业定位和发展战略方向不可多得的决策参考资料，同时对银行信贷部门也具有极大的参考价值。
报告目录REPORTS DIRECTORY第一部分行业发展现状第一章微波传感器行业发展概述第一节行业界定一、行业经济特性二、主要细分行业三、产业链结构分析第二节微波传感器行业发展成熟度一、行业发展周期分析二、行业中外市场成熟度对比三、行业及其主要子行业成熟度分析第三节微波传感器市场特征分析一、市场规模二、产业关联度三、影响需求的关键因素四、国内和国际市场五、主要竞争因素六、生命周期第二章全球微波传感器行业发展分析第一节世界微波传感器行业发展分析一、2011-2012年全球微波传感器市场供给分析二、2011-2012年全球微波传感器市场需求分析三、2011-2012年全球主要微波传感器企业四、2011-2012年全球微波传感器主要品种第二节全球主要国家微波传感器市场分析一、2011-2012年美国微波传感器市场分析二、2011-2012年德国微波传感器市场分析三、2011-2012年英国微波传感器市场分析四、2011-2012年法国微波传感器市场分析五、2011-2012年日本微波传感器市场分析第三章我国微波传感器行业发展分析第一节2011年中国微波传感器行业发展状况一、2011年微波传感器行业发展状况分析二、2011年中国微波传感器行业发展动态三、2011年微波传感器行业经营业绩分析四、2011年我国微波传感器行业发展热点第二节2012年微波传感器行业发展机遇和挑战分析一、2012年微波传感器行业发展机遇分析二、2012年国际经济环境对微波传感器行业影响第三节2012年中国微波传感器市场供需状况一、2012年中国微波传感器行业供给能力二、2012年中国微波传感器市场供给分析三、2012年中国微波传感器市场需求分析四、2012中国微波传感器产品价格分析第四章微波传感器产业经济运行分析第一节营运能力分析一、2011年营运能力分析二、2012年营运能力分析第二节偿债能力分析一、2011年偿债能力分析二、2012年偿债能力分析第三节2011-2012年盈利能力分析一、2011-2012年资产利润率二、2011-2012年销售利润率第四节2011-2012年发展能力分析一、2011-2012年资产年均增长率二、2011-2012年利润增长率第五章我国微波传感器产业进出口分析第一节我国微波传感器进口分析一、2011-2012年进口总量分析二、2011-2012年进口结构分析三、2011-2012年进口区域分析第二节我国微波传感器出口分析一、2011-2012年出口总量分析二、2011-2012年出口结构分析三、2011-2012年出口区域分析第三节我国微波传感器进出口预测一、2013年进口预测二、2013年出口预测第六章微波传感器行业供求状况分析第一节2011-2012年整体生产能力第二节2011-2012年产值分布特征及变化一、产值前10名省市及经济效益情况二、产值前20名企业第三节2011-2012年产品供给分析一、2011-2012年中国机械工业总体供给二、2011-2012年微波传感器市场供给分析第四节2011-2012年影响微波传感器市场需求的主要因素第五节2011-2012年市场容量及增长速度第六节2011-2012年微波传感器业整体销售能力一、工业销售产值二、销售收入三、利润率四、产销率第七节2011-2012年产品需求分析一、2011-2012年中国机械工业需求分析二、2011-2012年微波传感器市场需求分析第二部分行业竞争格局第七章微波传感器产业发展地区比较第一节长三角地区一、竞争优势二、2011-2012年发展状况三、2013-2017年发展前景第二节珠三角地区一、竞争优势二、2011-2012年发展状况三、2013-2017年发展前景第三节环渤海地区一、竞争优势二、2011-2012年发展状况三、2013-2017年发展前景第四节东北地区一、竞争优势二、2011-2012年发展状况三、2013-2017年发展前景第五节西部地区一、竞争优势二、2011-2012年发展状况三、2013-2017年发展前景第八章微波传感器行业竞争格局分析第一节行业竞争结构分析一、现有企业间竞争二、潜在进入者分析三、替代品威胁分析四、供应商议价能力五、客户议价能力第二节行业集中度分析一、市场集中度分析二、企业集中度分析三、区域集中度分析第三节行业国际竞争力比较一、生产要素二、需求条件三、支援与相关产业四、企业战略、结构与竞争状态五、政府的作用第四节微波传感器制造业主要企业竞争力分析一、重点企业资产总计对比分析二、重点企业从业人员对比分析三、重点企业全年营业收入对比分析四、重点企业出口交货值对比分析五、重点企业利润总额对比分析六、重点企业综合竞争力对比分析第五节2011-2012年微波传感器行业竞争格局分析一、2011年微波传感器制造业竞争分析二、2011年中外微波传感器产品竞争分析三、2011-2012年国内外微波传感器竞争分析四、2011-2012年我国微波传感器市场竞争分析五、2011-2012年我国微波传感器市场集中度分析六、2013-2017年国内主要微波传感器企业动向第九章微波传感器企业竞争策略分析第一节微波传感器市场竞争策略分析一、2013年微波传感器市场增长潜力分析二、2013年微波传感器主要潜力品种分析三、现有微波传感器产品竞争策略分析四、潜力微波传感器品种竞争策略选择五、典型企业产品竞争策略分析第二节微波传感器企业竞争策略分析一、国际经济形势对微波传感器行业竞争格局的影响二、全球经济下微波传感器行业竞争格局的变化三、2013-2017年我国微波传感器市场竞争趋势四、2013-2017年微波传感器行业竞争格局展望五、2013-2017年微波传感器行业竞争策略分析六、2013-2017年微波传感器企业竞争策略分析第十章微波传感器企业竞争分析第一节南京华东电子信息科技股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第二节浙江大立科技股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第三节河南汉威电子股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第四节华工科技产业股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第五节福建福日电子股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第六节中航电测仪器股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第七节武汉高德红外股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第八节桂林广陆数字测控股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第九节歌尔声学股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第十节上海威尔泰工业自动化股份有限公司一、企业概况二、竞争优势分析三、2011-2012年经营状况四、2013-2017年发展战略第三部分行业前景预测第十一章中研普华对微波传感器行业发展趋势分析第一节2013年发展环境展望一、2013年宏观经济形势展望二、2013年政策走势及其影响三、2013年国际行业走势展望第二节2013年微波传感器制造行业技术发展趋势分析一、微波传感器制造行业技术现状二、微波传感器企业技术改造方针三、微波传感器技术改进途径分析四、微波传感器技术发展趋势分析第三节2013-2017年中国微波传感器市场趋势分析一、2011-2012年微波传感器市场趋势总结二、2013-2017年微波传感器发展趋势分析三、2013-2017年微波传感器市场发展空间四、2013-2017年微波传感器产业政策趋向五、2013-2017年微波传感器技术革新趋势六、2013-2017年微波传感器价格走势分析第十二章中研普华对未来微波传感器行业发展预测第一节2013-2017年国际微波传感器市场预测一、2013-2017年全球微波传感器行业产值预测二、2013-2017年全球微波传感器市场需求前景三、2013-2017年全球微波传感器市场价格预测第二节2013-2017年国内微波传感器市场预测一、2013-2017年国内微波传感器行业产值预测二、2013-2017年国内微波传感器市场需求前景三、2013-2017年国内微波传感器市场价格预测第三节2013-2017年市场消费能力预测一、2013-2017年行业总需求规模预测二、2013-2017年主要产品市场规模预测第四节2013-2017年市场供应能力预测一、2013-2017年行业产能扩张分析二、2013-2017年主要产品产量预测第五节2013-2017年进出口预测一、2013-2017年主要产品进口预测二、2013-2017年主要产品出口预测第六节2013-2017年主要产品价格走势预测一、2013-2017年主要产品市场价格现状二、2013-2017年主要产品价格走势预测第四部分投资战略研究第十三章中研普华对微波传感器行业投资现状分析第一节2011年微波传感器行业投资情况分析一、2011年总体投资及结构二、2011年投资规模情况三、2011年投资增速情况四、2011年分行业投资分析五、2011年分地区投资分析六、2011年外商投资情况第二节2012年微波传感器行业投资情况分析一、2012年总体投资及结构二、2012年投资规模情况三、2012年投资增速情况四、2012年分行业投资分析五、2012年分地区投资分析六、2012年外商投资情况第十四章微波传感器行业投资环境分析第一节经济发展环境分析一、2011-2012年我国宏观经济运行情况二、2013-2017年我国宏观经济形势分析三、2013-2017年投资趋势及其影响预测第二节政策法规环境分析一、2012年微波传感器行业政策环境二、2012年国内宏观政策对其影响三、2012年行业产业政策对其影响第三节社会发展环境分析一、国内社会环境发展现状二、2012年社会环境发展分析三、2013-2017年社会环境对行业的影响分析第四节微波传感器制造行业“十二五”规划一、“十二五”发展目标二、“十二五”重点发展领域三、“十二五”发展预测第十五章微波传感器行业投资机会与风险第一节行业活力系数比较及分析一、2012年相关产业活力系数比较二、2013-2014行业活力系数分析第二节行业投资收益率比较及分析一、2012年相关产业投资收益率比较二、2013-2014行业投资收益率分析第三节微波传感器行业投资效益分析一、2011-2012年微波传感器行业投资状况分析二、2013-2017年微波传感器行业投资效益分析三、2013-2017年微波传感器行业投资趋势预测四、2013-2017年微波传感器行业的投资方向五、2013-2017年微波传感器行业投资的建议六、新进入者应注意的障碍因素分析第四节影响微波传感器行业发展的主要因素一、2013-2017年影响微波传感器行业运行的有利因素分析二、2013-2017年影响微波传感器行业运行的稳定因素分析三、2013-2017年影响微波传感器行业运行的不利因素分析四、2013-2017年我国微波传感器行业发展面临的挑战分析五、2013-2017年我国微波传感器行业发展面临的机遇分析第五节微波传感器行业投资风险及控制策略分析一、2013-2017年微波传感器行业市场风险及控制策略二、2013-2017年微波传感器行业政策风险及控制策略三、2013-2017年微波传感器行业经营风险及控制策略四、2013-2017年微波传感器行业技术风险及控制策略五、2013-2017年微波传感器同业竞争风险及控制策略六、2013-2017年微波传感器行业其他风险及控制策略第十六章中研普华对微波传感器行业投资战略研究第一节微波传感器行业发展战略研究一、战略综合规划二、技术开发战略三、业务组合战略四、区域战略规划五、产业战略规划六、营销品牌战略七、竞争战略规划第二节对我国微波传感器品牌的战略思考一、企业品牌的重要性二、微波传感器实施品牌战略的意义三、微波传感器企业品牌的现状分析四、我国微波传感器企业的品牌战略五、微波传感器品牌战略管理的策略第三节微波传感器行业投资战略研究一、2012年装备制造业投资战略二、2012年微波传感器行业投资战略三、2013-2017年微波传感器行业投资战略四、2013-2017年细分行业投资战略第四节中研普华研究结论图表目录：图表：2011-2012年中国微波传感器市场规模图表：2011-2012年全球微波传感器产业市场规模图表：2011-2012年微波传感器行业重要数据指标比较分析图表：2011-2012年中国微波传感器行业销售情况分析图表：2011-2012年中国微波传感器行业利润情况分析图表：2011-2012年中国微波传感器行业资产情况分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业总体状况图表：2011-2012年国内生产总值走势图表：2011-2012年固定资产投资走势图表：2011-2012年微波传感器行业主要财务指标图表：2011-2012年微波传感器行业主要产品产量图表：2011-2012年微波传感器主要产品进出口图表：2011-2012年国内生产总值增长趋势图图表：2011-2012年城镇固定资产投资名义增速及实际增速图表：2011-2012年我国出口累计同比增速对比图表：2011-2012年社会消费品零售总额实际累计同比增速对比图表：2011-2012年1月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年2月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年3月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年4月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年5月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年6月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年7月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年8月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年9月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年10月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年11月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年12月居民消费价格分类指数分析图表：2011-2012年1月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年2月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年3月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年1季度中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年4月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年5月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年6月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年2季度中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年7月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年8月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年9月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年3季度中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年10月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年11月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年12月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年4季度中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年1-12月中国微波传感器进口数据图表：2011-2012年1月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年2月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年3月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年1季度中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年4月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年5月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年6月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年2季度中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年7月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年8月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年9月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年3季度中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年10月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年11月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年12月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年4季度中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年1-12月中国微波传感器出口数据图表：2011-2012年我国GDP增长情况图表：2011-2012年我国粮食产量情况图表：2011-2012年我国进出口情况图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业企业数量结构分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业生产规模分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业产销分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业盈利能力分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业偿债能力分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业营运能力分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业规模分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业总资产对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业企业单位数对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业从业人员平均人数对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业经济效益分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业产值利税率对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业资金利润率对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业成本费用利润率对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业效率分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业资产负债率对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业流动资产周转次数对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业地区结构分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业所有制结构分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业结构分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业人均指标分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业盈利能力分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业营运能力分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业偿债能力分析图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业运行情况图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业产销分析图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业盈利能力分析图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业偿债能力分析图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业营运能力分析图表：2011-2012年华东地区不同规模企业对比分析图表：2011-2012年华东地区亏损企业单位数及亏损金额分析图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业运行情况图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业产销分析图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业盈利能力分析图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业偿债能力分析图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业营运能力分析图表：2011-2012年华南地区不同规模企业对比分析图表：2011-2012年华南地区亏损企业单位数及亏损金额分析图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业运行情况图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业产销分析图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业盈利能力分析图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业偿债能力分析图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业营运能力分析图表：2011-2012年华中地区不同规模企业对比分析图表：2011-2012年华中地区亏损企业单位数及亏损金额分析。