习题第3章简介 多级放大电路题解

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第三章 多级放大电路

第三章  多级放大电路
U CEQ 2 = V CC I EQ 2 R 6
(2)求解 A u ,Ri和Ro.
为了求出第一级的电压放大倍数A 为了求出第一级的电压放大倍数 u1,首先应求出其负载 电阻,即第二级的输入电阻: 电阻,即第二级的输入电阻:
R i 2 = R 5 // [r be 2 + (1 + β )( R 6 // R L ) ]
【 】
内容 回顾
场效应管同样有三个极; 场效应管同样有三个极;其功能和三极管对应 相似;只是三极管用电流控制电流, 相似;只是三极管用电流控制电流,场效应管用电 压控制电流. 压控制电流. 场效应管放大电路的组成原则和三极管放大 电路相似, 电路相似,即: 场效应管必须工作在恒流区.( .(电路的静态工 1,场效应管必须工作在恒流区.(电路的静态工 作点合适) 作点合适) 交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) .(交流通路合理 2,交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) 场效应管放大电路仅要求了解即可. 场效应管放大电路仅要求了解即可.
2,交流信号在放大电路中能顺畅传输. ,交流信号在放大电路中能顺畅传输.
3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 4. 输出回路将变化的电流作用于负载. 输出回路将变化的电流作用于负载.
当ui=0时,称放大电路处于静态. 时
【 】
内容 回顾
(IBQ,UBEQ) ( ICQ,UCEQ )
Au =
(1+ β ) Re Rb + rbe + (1+ β ) Re
Au =
βRc r + (1 + β ) R e
be
R i = R b + rbe + (1 + β ) R e

《电工电子学》第3章习题答案

《电工电子学》第3章习题答案

第3章习题答案3.2.1 选择题1.晶体管能够放大的外部条件是___C______。

(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其__A_______。

(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。

则该管的为___C______。

(a) 40 (b) 50 (c) 604.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能___A______。

(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5.温度升高,晶体管的电流放大系数b___A______。

(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6.温度升高,晶体管的管压降|UBE|__B_______。

(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,__C______极的电位最低。

(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8.温度升高,晶体管输入特性曲线____B____。

(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9.温度升高,晶体管输出特性曲线___A_____。

(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔___C_____。

(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11.晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。

(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是__C_____。

(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13.对于电压放大器来说,___B____越小,电路的带负载能力越强。

(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位___B____。

第3章 多级放大电路典型例题

第3章 多级放大电路典型例题

AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例1】(共射+共射)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。

分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u ])1([72be25i2be1i231u1R r //R R r R //R A ββ++=-=其中:be172be2531u1]})1([{r R r //R //R A ββ++-=或者:72be2L62u2)(1R r R //R A ββ++-=u2u1u A A A ⋅=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF(3)计算R i :be121i r //R //R R =(4)计算R o :6o R R =AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例2】(共射+共集)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。

分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u 32be2i2be11i2211u 1R )(r R r R )R //R (A ββ++=+-=其中:be11322211u })1([{r R R r //R A be +++-=ββ或者: 1)1()1(u2322322u ≈+++=A R r R A be 或者:ββ u2u1u A A A ⋅=(3)计算R i :be11i r R R +=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF(4)计算R o :22be23o 1β++=R r //R RAHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例3】(共集+共射)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。

分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u21u A A A ⋅= (3)计算R i123be211be1123be2(1)()1(1)()R R r A A r R R r ββ+==++∥∥ 或者 ∥∥242be2R A r β=-i 1be1123be2[(1)()]R R r R R r β=++∥∥∥AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF (4)计算R o静态工作点的计算同单管放大电路的方法,此处略。

模电(第四版)习题解答

模电(第四版)习题解答

自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

第3章 多级放大电路 18页

第3章 多级放大电路 18页
RB11
RC1
RB21
+Vcc RC2
+ C3
C1 +
RS
T1
+
T2 C2 RB22 RE1
RL
ui
RB12 RE1
vo
CE2
vs
CE2
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第3章 多级放大电路
2. 直接耦合 结构较复杂,Q点相互影响 ,调整比较困难.在集成电路 中,直接耦合的应用越来越多.
RC1 IC1 T1
IC1 RC2
+Vcc R
vC2
T2 IB2
RB1
vi = 0
IB1
RE2 DZ
钳制在0.6~0.7V,使T1的基本上工作在 晶体管T 的集电极电位被钳制在 , 晶体管 1的集电极电位被钳制在 饱和区,电路已失去放大作用. 饱和区,电路已失去放大作用. 解决方法是提高第二级的基极电位.如在第二级加发射极电阻 解决方法是提高第二级的基极电位.如在第二级加发射极电阻 或加稳压管进行改进 既能有效传递信号, 稳压管进行改进, 或加稳压管进行改进,既能有效传递信号,又能使每一级都有 合适的静态工作点. 合适的静态工作点.
RB2
RC1 IC1 T1
IC1 RC2
+Vcc
vC2
T2 IB2
RB1
vi = 0
IB1
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第3章 多级放大电路
3. 变压器耦合
v1 v2
结构虽比较简单,但元件体积大,重量大,不适于 电路的小型化和集成化.
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模拟电路课件第三章多级放大电路

模拟电路课件第三章多级放大电路

直接耦合多级放大电路的调试与优化
01
调整偏置电路,减小静态工作点 漂移。
02
引入负反馈,改善电路的稳定性 。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
阻容耦合多级放大电路的调试 检查各级放大器的输入和输出阻抗,确保匹配。
调整耦合电容和旁路电容,避免信号失真。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
检查反馈电路,避免自激振荡。 阻容耦合多级放大电路的优化
分析时需要计算各级的电压增益和总 电压增益,并考虑信号的相位和频率 响应。
变压器耦合多级放大电路的分析方法
变压器耦合多级放大电路中,各级通过变压器进行耦合,可以实现阻抗变换和电平 移动。
分析时需要计算各级的电压增益和总电压增益,并考虑变压器的匝数比和信号的相 位和频率响应。
变压器耦合多级放大电路的优点是具有阻抗变换和电平移动功能,缺点是结构复杂、 体积较大。
04
多级放大电路的设计与实现
直接耦合多级放大电路的设计与实现
设计要点
选择合适的晶体管、电阻和电容元件,以实现信号的放大和 传输。同时,需要考虑零点漂移和噪声干扰等问题,采取相 应的措施进行抑制。
实现难点
直接耦合多级放大电路的零点漂移问题较为突出,需要采取 有效的措施进行抑制,以保证电路的稳定性和可靠性。
模拟电路课件第三章多级 放大电路
• 多级放大电路概述 • 多级放大电路的工作原理 • 多级放大电路的分析方法 • 多级放大电路的设计与实现 • 多级放大电路的调试与优化
01
多级放大电路概述
多级放大电路的定义与组成
定义
多级放大电路是由两个或两个以 上的单级放大电路按照一定的拓 扑结构组合而成的电路系统。
益和带宽。
直接耦合多级放大电路的优点是 结构简单、易于集成,缺点是级 间耦合较复杂,容易产生零点漂

电子技术精品课程-模拟电路-第3章 多级放大电路 18页

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注意:
第3章 多级放大电路
①计算前级的电压放大倍数时必须把后级的输入电阻考虑到前
级的负载电阻之中。即RL1=Ri2。
② 整个电路的输入电阻就是第一级的输入电阻。 ③ 整个电路输出电阻就是最后一级的输出电阻。
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2. 阻容耦合分析
第3章 多级放大电路
RS
vs
RB11
RB11
RC1
+Vcc
RB21
RC2
+ C3
1.计算静态Q点
C1 +
vi
RB12
+
T1 C2
RE1
CE2
T2 RB22
RE1
RL
vo
CE2
VB1
RB2 VCC RB1 RB2
1512 4V 30 15
IC1
IE1
VB1 VBE RE1
4 0.7 3
1.1mA
VCE1 VCC IC1(RC1 RE1) 12 1.1(3 3) 5.4V
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15
② 零点漂移
第3章 多级放大电路
R1 RC1 R2
+VCC RC2
vo
T1Βιβλιοθήκη T2voviRE2
t
0
前一级的温漂将作为后一级的输入信号,使得当 vi 等于零 时,vo不等于零。有时会将有用信号淹没
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引起零点漂移的因素
第3章 多级放大电路
Vo1 Vi
Vo Vi2
Av1
Av2
vs

模拟电路第三章 多级放大电路

模拟电路第三章 多级放大电路
整理ppt
1. 双端输入单端输出:共模信号作用下的分析
Ad
1(Rc∥RL)
2 Rbrbe
AcRbrb(R ec2 ∥ (1R L))Re
KCMRA Ad c Rb2 rb(R eb2(1rbe))Re
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2. 单端输入双端输出
共模输入电压 差模输入电压 输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入:
3.3.2 差分放大电路
一、电路的组成
零点 漂移
参数理想对称: Rb1= Rb2,Rc1= Rc2, Re1= Re2;T1、T2在任何温度下特性均相同。 uI1与uI2所加信号大小相等、极性相同——共模信号
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二、长尾式差分放大电路
典型电路
信号特点? uI1与uI2所加信号大小相等、极性相反——差模信号
在实际应用时,信号源需要有“ 接地”点,以避免干扰; 或负载需要有“ 接地”点,以安全工作。
根据信号源和负载的接地情况,差分放大电路有四种接法: 双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、 单端输入单端输出。
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三、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出:Q点分析
由于输入回路没有变化,所以
共模放大倍数 Ac
uO c uIc
参数理想对称A时 c 0
Re的共模负反馈作用:温度变化所引起的变化等效为共模信号
如 T(℃)↑→IC1↑ IC2 ↑→UE↑→ IB1 ↓IB2 ↓→ IC1 ↓ IC2 ↓
Re负反馈作用抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。
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3. 放大差模信号 差模信号:数值相等,极性相反的输入信号,即
uI1uI2uId/2
i B 1 i B2 i C 1 i C2 u C 1 u C2 u O 2 u C1

第3章-多级放大电路-习题解答

第3章-多级放大电路-习题解答

第3章自测题、习题解答自测题3一、选择:选择:〔请选出最合适的一项答案〕1、在三种常见的耦合方式中,静态工作点独立,体积较小是〔 〕的优点.A 〕阻容耦合 B> 变压器耦合 C 〕直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大,在输出端出现的漂移电压就越〔 〕.A> 大 B> 小 C> 和放大倍数无关3、在集成电路中,采用差动放大电路的主要目的是为了〔 〕A> 提高输入电阻 B> 减小输出电阻 C> 消除温度漂移 D> 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路,空载时电压放大倍数均为30,现将它们级连后组成一个两级放大电路,则总的电压放大倍数〔 〕A> 等于60 B> 等于900 C> 小于900 D> 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时,其差模电压放大倍数将〔 〕;改接成单端输入——单端输出时,其差模电压放大倍数将〔 〕. A> 不变 B 〕增大一倍 C> 减小一半 D> 不确定 解:1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C 二、填空:6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =,24i u mV =,则等值差模输入信号为id u =mV,等值共模输入信号为ic u =mV.若双端输出电压放大倍数10ud A =,则输出电压o u =mV.7、三级放大电路中,已知1230u u A A dB ==,320u A dB =,则总的电压增益为dB,折合为倍. 8、在集成电路中,由于制造大容量的较困难,所以大多采用的耦合方式. 9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大,对 越有利.10、多级放大器的总放大倍数为,总相移为, 输入电阻为,输出电阻为. 解:6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比 10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻 三、计算: 11、如图T 3-11,设12C E V=,晶体管50β=,300bb r Ω'=,11100b R k Ω=,2139b R k Ω=,16c R k Ω=,1 3.9e R k Ω=,1239b R k Ω=,2224b R k Ω=,23c R k Ω=,2 2.2e R k Ω=,3L R k Ω=,请计算u A 、i r 和o r .〔15分〕〔提示:先求静态工作点EQ I ,再求be r 〕图T3-11解:V 1管的直流通路如图11-1所示: 同理可得:交流等效电路如图11-2所示:又有:1112222112222(////)(////)b c b b b c b b be I R R R I R R R r β-=+故:1122221122221(////)(//)1344(////)c b b c L u c b b be be R R R R R A R R R r r ββ--=⨯≈+12、如图T 3-12所示,12100e e R R Ω==,BJT 的100β=,0.6BE U V =.求:〔1〕当V 0o2o1==u u 时,Q 点〔1B I 、1C I 、〕;〔2〕当V 01.0i1=u 、V 01.0i2-=u 时,求输出电压o2o1o u u u ==的值; 〔3〕当1c 、2c 间接入负载电阻 5.6L R k Ω=时,求u o 的值;〔4〕求电路的差模输入电阻r id 、共模输入电阻r ic 和输出电阻r o .〔图中r o 为电流源的等效电阻〕图T3-12解:〔1〕120112C C I I I mA ===〔2〕半边差动电路的交流等效电路如图12所示: 故11110.44(1)c o i be e R U U V r R ββ-=≈-++同理得:20.44o U V ≈ 故:120.88o o o U U U V =-=-〔3〕此时11111(//)214.6(1)Lc o u i be e R R U A U r R ββ-==≈-++ 故:120.292o o o U U U V =-=- 〔4〕12[(1)]25.6id be e r r R k β=++=Ω13如图T3-13,直流零输入时,直流零输出.已知80321===βββ,V 7.0U BE =,计算1C R 的值和电压放大倍数u A .图T3-13解:画出第二级的交流等效电路如图13所示: 第二级的输入电阻为: 第二级的放大倍数为: 第一级的放大倍数为:故:1213(40.7)529u u u A A A ==⨯-=-习题33.1 多级直接耦合放大电路中,〔 〕的零点漂移占主要地位.A> 第一级 B> 中间级 C> 输出级3.2 一个三级放大电路,测得第一级的电压增益为0dB,第二级的电压增益为40dB,第三级的电压增益为20dB,则总的电压增益为〔 〕A> 0dB B> 60dB C> 80dB D> 800dB3.3 在相同条件下,多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移〔 〕. A 〕比直接耦合电路大 B 〕比直接耦合电路小 C 〕与直接耦合电路基本相同 3.4 要求流过负载的变化电流比流过集电极或发射极的变化电流大,应选< >耦合方式.A〕阻容B〕直接C〕变压器D〕阻容或变压器3.5要求静态时负载两端不含直流成分,应选< >耦合方式.A〕阻容B〕直接C〕变压器D〕阻容或变压器3.6一个多级放大器一般由多级电路组成,分析时可化为求的问题,但要考虑之间的影响.3.7直接耦合放大电路存在的主要问题是.3.8在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是,只能放大交流信号的是,各级工作点之间相互无牵连的是,温漂影响最大的是,信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是,易于集成的是,下限频率趋于零的是.o升高3.9某直接耦合放大器的增益为100,已知其温漂参数为1C/mV ,则当温度从20C o时,输出电压将漂移.到30C3.10由通频带相同的两个单级放大器组成两级阻容耦合放大器,总的通频带就要变窄,这是为什么?3.11 一个三级放大电路,测得第一级的电压放大倍数为1,第二级的电压放大倍数为100,第三级的电压放大倍数为10,则总的电压放大倍数为〔〕A> 110 B> 111 C> 1000 D> 不能确定3.12 一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低,当前级输入信号幅度足够大时,后级输出电压波形将〔〕A> 首先产生饱和失真B> 首先产生截止失真C> 双向同时失真3.13 多级放大电路的输入电阻就是的输入电阻,但在计算时要考虑可能产生的影响.3.14 多级放大电路的输出电阻就是的输出电阻,但在计算时要考虑可能产生的影响.3.15 阻容耦合方式的优点是;缺点是.3.16 多级放大器通常可以分为、和.3.17 在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻也可看作后级的.解:3.1 A3.2 B3.3 B3.4 C3.5 D3.6单级放大器前后级3.7静态工作点互相影响,零点漂移严重3.8直接耦合阻容耦合和变压器耦合阻容耦合和变压器耦合直接耦合变压器耦合直接耦合 直接耦合 3.9 1V 3.10 解:多级放大电路的上限、下限截止频率可计算如下:放大电路级数越多,则H f 越低,L f 越高,通频带越窄.3.11 C 3.12 C3.13 第一级放大电路 后级输入电阻对前级输入电阻 3.14 最后一级 前级输出电阻对最后一级输出电阻3.15 静态工作点独立,体积较小 低频响应差,不便于集成化 3.16 输入级 中间级 输出级 3.17 负载电阻 信号源内阻 3.18如图P3-18,已知Ωk 39R 11B =,Ωk 13R 21B =,Ωk 120R 12B =,Ωk 3R C =,Ω150R 1E =,Ωk 1R 2E =,Ωk 4.2R E =,Ωk 4.2R L =,两管50=β,V 6.0U BE =,V 12U CC =,各电容在中频区的容抗可以忽略不计.1〕试求静态工作点〔111,,CE C B U I I 〕与〔222,,CE E B U I I 〕;2〕画出全电路微变等效电路,计算1be r 与2be r ;3〕试求各级电压放大倍数1u A ,2u A 与总电压放大倍数uA ; 图P3-18 4〕试求输入电阻i r 与输出电阻o r ;5〕请问后级是什么电路?其作用是什么?若L R 减小为原值的101〔即240Ω〕,则u A 变化多少? 解:〔1〕2111211120.62.09B CCB B E E E R U R R I mA R R -+==+〔2〕 〔3〕第二级的输入电阻为:2122//[(1)(//)]40.8i B be E L R R r R R k β=++≈Ω故,第一级的放大倍数为:2111(//)16.6(1)C i u be E R R A r R ββ-=≈-++ou CC第二级的放大倍数为:22222(//)(1)0.989(//)(1)E L b u be b E L b R R I A r I R R I ββ+=≈++故:1216.60.98916.4u u u A A A ==-⨯=- 〔4〕112111////[(1)] 4.51i B B be E r R R r R k β=++≈Ω〔5〕后级是射级输出器,其作用是具有很小的输出电阻,增强带负载的能力.当R L 变化后的输出为oU ',则有 故此时:0.80116.40.80113.1uu A A '==-⨯=- 3.19某三级放大电路,各级电压增益分别为20dB 、40dB 、0.当输入信号mV 3u i =时,求输出电压.解:3.20如图P 3-20,1V 的Ωk 6.1r 1be =,2V 的Ωk 1r 2be =.求: 1〕画出微变等效电路.2〕求电压放大倍数u A ,输入电阻i R 和输出电阻o R .图P3-20解: 又有:235613562////////b b be I R R R I R R R r β=-+,得:2160.5b b II =- 故271(//)5672o b L u i b beU I R R A U I r β-==≈ 3.21差动放大电路是为了〔 〕而设置的.A> 稳定增益 B> 提高输入电阻 C 〕克服温漂 D> 扩展频带3.22 差动放大电路抑制零点漂移的能力,双端输出时比单端输出时〔 〕 A> 强 B> 弱 C 〕相同3.23在射极耦合长尾式差动放大电路中,e R 的主要作用是〔 〕 A> 提高差模增益 B 〕提高共模抑制比C> 增大差动放大电路的输入电阻 D> 减小差动放大电路的输出电阻3.24差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了〔 〕. A 〕提高共模抑制比 B 〕提高共模放大倍数 C 〕提高差模放大倍数3.25根据输入输出连接方式的不同,差动放大电路可分为、 、、.3.26已知某差动放大电路的差模增益100A ud =,共模增益0A uc =,试问: 1〕mV 5u 1i =,mV 5u 2i =,o u =; 2〕mV 5u 1i =,mV 5u 2i -=,o u =; 3〕mV 10u 1i =,mV 0u 2i =,o u =; 4>mV 5u 1i -=,mV 5u 2i =,o u =;解: 3.21 C 3.22 A 3.23 B 3.24 A3.25 单端输入-单端输出 单端输入-双端输出 双端输入-单端输出 双端输入-双端输出3.26 0V 1V 1V -1V3.27如图P3-27,求d A 和i R 的近似表达式.设1T 和2T 的电流放大系数分别为1β和2β,b-e 间动态电阻分别为1be r 和2be r .图P3-27解:半边差动电路的交流等效电路如 图3.27所示: 又211(1)b b I I β=+故1212121()(//)2(1)L C d be be RR A r r βββββ---=++ 3.28已知差动放大器的差模增益为40dB,共模增益为-20dB,试求: 1〕共模抑制比为多少分贝?2〕当分别输入10mV 的差模信号和1V 的共模信号时,其差模输出电压与共模输出电压之比为多少? 解: 〔1〕〔2〕31001010100.11od ud id oc uc ic u A u u A u -⨯⨯===⨯3.29在图P3-29所示放大电路中,已知1220B B R R k Ω==,350B R k Ω=,4100B R k Ω=,10c R k Ω=,125E E R R k Ω==,312E R k Ω=,15CC U V =,各三极管50β=,0.7BE U V =.试求:〔1〕各管静态值B I 、C I 、CE U ; 〔2〕当0i u =时,o u 的静态值o U ; 〔3〕说明3T 和1E R 的作用.图P3-29解: 〔1〕3334()5B CC B B B R U U V R R -≈=-+由244234()(1)()CC C C B BE E E B CC U R I I U R R I U β-+--++=- 得:2423223(1)()CC C C BEB C E E U R I U I A R R R μβ--==+++〔2〕340.924o CC E E U U R I V =-+=- 〔3〕3T 是恒流源,抑制零点漂移1E R 是3T 管的温度补偿电阻3.30如图P3-3.10,已知50=β,Ω=100'bb r .1〕计算静态时的1C I 、2C I 、1C U 、2C U .设B R 的压降可忽略. 2〕计算d A 、i r 、o r .3〕当o U =0.8V 时〔直流〕,i U =?图P3-30解:〔1〕11102(1)15B B BE B E R I U I R β---+=- 得:11215 5.12(1)BE B B B EU I I A R R μβ-===++由节点电压法:111115()C C C L CU I R R R +=-+得:1 2.45C U V = 〔2〕〔3〕此时0.8 2.45 1.65o U V =-=- 故 1.653547.2o i u U U mV A -===-。

模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路

模拟电子技术课程习题 第三章  多级放大电路

第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号,强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号,也可放大共模信号C.只能放大共模信号,不能放大差模信号D.既抑制共模信号,又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB,则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,非线性失真较小。

B.温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,但非线性失真较大。

C.温度稳定性好,功耗较低,非线性失真较小,但电源利用率低。

D.温度稳定性好,非线性失真较小,电源利用率高,功耗也高。

3.10 填空。

1、在三级放大电路中,已知|Au1|=50,|Au2|=80,|Au3|=25,则其总电压放大倍数|Au|= ,折合为 dB。

第3章习题解答

第3章习题解答

第3章习题解答习题来源:严国萍,龙占超,通信电子线路,科学出版社,2006年第一版,2009年第五次印刷,P89~P913-1. 解答晶体管低频放大器主要采用混合参数(H参数)等效模型分析方法;而晶体管高频小信号放大器主要采用形式等效电路(Y参数)以及物理模拟等效电路(混合π参数)分析方法。

分析方法的不同,本质原因在于晶体管在高频运用时,它的等效电路不仅包含着一些和频率基本没有关系的电阻,而且还包含着一些与频率有关的电容,这些电容在频率较高时的作用是不能忽略的。

高频小信号放大器不能用特性曲线来分析,这是因为特性曲线是晶体管低频运用时的工作曲线,是不随工作频率变化的;但晶体管在高频运用时,其结电容不可忽略,从而使得晶体管的特性随频率变化而变化。

因此在分析高频小信号时,不可用特性曲线来分析。

3-2. 解答r bb’含义:从晶体管内部结构可知,从基极外部引线b到内部扩散区中某一抽象点b’之间,是一段较长而又薄的N型(或P型)半导体,因掺入杂质很少,因而电导率不高,所以存在一定体积电阻,故在b-b’之间,用集总电阻r bb’表示。

r b’c含义:晶体管内部扩散区某一抽象点b’到集电极c之间的集电结电阻。

r bb’的影响:r bb’的存在,使得输入交流信号产生损失,所以r bb’的值应尽量减小,一般r bb’为15~50Ω。

r b’c的影响:因为集电结为反偏,所以r b’c较大,r b’c一般为10k~10MΩ,特别是硅管,r b’c很大,和放大器负载相比,它的作用往往可以忽略。

3-3. 解答g m是晶体管的跨导,反映晶体管的放大能力,即输入对输出的控制能力。

它和晶体管集电极静态电流(I E )大小有关。

3-4. 解答因为高频小信号放大器的负载是一个谐振回路,如果阻抗不匹配,会使输出信号幅度减小,而且会失真,为此,必须考虑阻抗匹配的问题。

3-5. 解答小信号放大器主要质量指标有:增益,通频带,选择性,工作稳定性,噪声系数这5个指标。

《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解

《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解

基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( )(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )解:(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用,第二级应采用。

(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用,第二级应采用。

(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用,第二级应采用。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 。

电子技术学习指导与习题解答:第3章 多级放大电路

电子技术学习指导与习题解答:第3章   多级放大电路

第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路,已知12CC =U V ,20B1B1='=R R k Ω,10B2B2='=R R k Ω,2C2C1==R R k Ω,2E2E1==R R k Ω,2L =R k Ω,5021==ββ,6.0BE2BE1==U U V 。

(1)求前、后级放大电路的静态值。

(2)画出微变等效电路。

(3)求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路,各级电路的静态值可分别计算,动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻,即i2L1r R =。

解 (1)各级电路静态值的计算采用估算法。

第一级:412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U (V )7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I (mA )0.034507.11C1B1===βI I (mA )2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U (V ) 第二级:412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U (V )7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I (mA )电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I (mA ) 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U (V )(2)微变等效电路如图3.8所示。

R U +-图3.8 习题3.1解答用图(3)求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

三极管V 1的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为:93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r (k Ω) 第一级等效负载电阻为:63.093.0//2//i2C1L1==='r R R (k Ω) 第二级等效负载电阻为:12//2//L C2L2==='R R R (k Ω) 第一级电压放大倍数为:3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为:5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为:1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中,已知12CC =U V ,30B1=R k Ω,20B2=R k Ω,4E1C1==R R k Ω,130B3=R k Ω,3E2=R k Ω,5.1L =R k Ω,5021==ββ,8.0BE2BE1==U U V 。

第三章题解11放大系数分别为β1...

第三章题解11放大系数分别为β1...

第三章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 共射 ,第二级应采用 共射 。

(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 共源 ,第二级应采用 共射 。

(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 共集 ,第二级应采用 共射 。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 共源 ,第二级应采用 共集 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B二、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 CD 。

A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 C 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是 A 。

A .克服温漂 B . 提高输入电阻 C .稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ,共模信号是两个输入端信号的 C 。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的 B 。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使 C 。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解:(1)C,D (2)C (3)A (4)A,C (5)B(6)Cr=100三、电路如图PT3.3所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,'bbΩ,静态时|U BE Q|≈0.7V。

(完整版)第三章习题解答

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第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时,具有如下特点______________。

a. 发射结正偏,集电结反偏。

b. 发射结反偏,集电结正偏。

c. 发射结正偏,集电结正偏。

d. 发射结反偏,集电结反偏。

2.晶体管工作在饱和区时,具有如下特点______________。

a. 发射结正偏,集电结反偏。

b. 发射结反偏,集电结正偏。

c. 发射结正偏,集电结正偏。

d. 发射结反偏,集电结反偏。

3.在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。

a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4.对于题3-1图所示放大电路中,当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时,有可能是因为______,测得U CE ≈0时,有可能是因为________。

题3-1图ccR La.R B 开路b. R C 开路c. R B 短路d. R B 过小5.对于题3-1图所示放大电路中,当V CC =12V ,R C =2k Ω,集电极电流I C 计算值为1mA 。

用直流电压表测时U CE =8V ,这说明______。

a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o 短路 6.对于题3-1图所示放大电路中,若其他电路参数不变,仅当R B 增大时,U CEQ 将______;若仅当R C 减小时,U CEQ 将______;若仅当R L 增大时,U CEQ 将______;若仅更换一个β较小的三极管时,U CEQ 将______;a.增大b. 减小 c . 不变 d. 不确定 7.对于题3-1图所示放大电路中,输入电压u i 为余弦信号,若输入耦合电容C i 短路,则该电路______。

a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路,若产生饱和失真,则输出电压_______失真;若产生截止失真,则输出电压_______失真。

模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章

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精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A)。

(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)。

(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用(D),第二级应采用(B)。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000oui iU A I =>,输出电阻R o <100,第一级应采用采用(C),第二级应(B)。

二、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。

A .克服温漂B .提高输入电阻C .稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(B)。

A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C .差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。

A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈。

第3章场效应管及其放大电路习题解

第3章场效应管及其放大电路习题解

第3章场效应管及其放大电路习题解3.1教学内容与要求本章介绍了场效应管的结构、类型、主要参数、工作原理及其基本放大电路。

教学内容与教学要求如表1.1所示。

表3.1第3章教学内容与要求3.2内容提要3.1.1场效应晶体管1.场效应管的结构及分类场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,是电压控制型器件。

工作过程中起主要导电作用的只有一种载流子(多数载流子),故又称单极型晶体管。

场效应管有两个PN结,向外引出三个电极:漏极D、栅极G和源极S。

(1)栅源控制电压的极性对JFET,为保证栅极电流小,输入电阻大的特点,栅源电压应使PN结反偏。

N沟道JFET:UGS<0;P沟道JFET:UGS>0。

对增强性MOS管,N沟道增强型MOS管,参加导电的是电子,栅源电压应吸引电子形成反型层构成导电沟道,所以UGS>0;同理,P沟道增强型MOS管,UGS<0。

对耗尽型MOS管,因二氧化硅绝缘层里已经掺入大量的正离子(或负离子:N沟道掺入正离子;P沟道掺入负离子),吸引衬底的电子(或空穴)形成反型层,即UGS=0时,已经存在导电沟道,所以,栅源电压UGS 可正可负。

(2)夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)对JFET和耗尽型MOS管,当|UGS|增大到一定值时,导电沟道就消失(称为夹断),此时的栅源电压称为夹断电压UGS(off)。

N沟道场效应管UGS(off)<0;P沟道场效应管UGS(off)>0。

对增强型MOS管,当UGS增加到一定值时,才会形成导电沟道,把开始形成反型层的栅源电压称为开启电压UGS(th)。

N沟道增强型MOS管UGS(th)>0;P沟道增强型MOS管UGS(th)<0。

(3)栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用场效应管的导电沟道是一个可变电阻,栅源电压uGS可以改变导电沟道的尺寸和电阻的大小。

当uDS=0时,uGS变化,导电沟道也变化但处处等宽,此时漏极电流iD=0;当uDS≠0时,产生漏极电流,iD≠0,沿沟道产生了电位梯度使导电沟道变得不等宽。

多级放大电路与反馈电路习题解答

多级放大电路与反馈电路习题解答

任务4.4多级放大电路与反馈电路习题解答一、测试(一)判断题1.放大电路输出电阻的大小影响着负载或后级放大电路各种状态,因此它与外接负载电阻有关。

解题:放大电路输出电阻的大小影响着负载或后级放大电路各种状态,但它与外2.阻容耦合放大电路,其耦合电容的选择应使信号频率在高频段时容抗为零。

答案:F解题阻容耦合放大电路,其耦合电容的选择应使信号频率在低频段时容抗为零。

3.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。

解题:放大倍数不能说明情况,如发射极放大电路,不存在反馈与为负。

5.负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。

答案:T解题:负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相6.阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产生低频振荡。

解题:阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后,越容易产7.负反馈能改善放大电路的性能指标。

解题:负反馈能改善放大电路的性能指标。

8.采用电流并联负反馈能使放大器的输出电阻变大,输入电阻变小。

答案:T9.负反馈使放大器的电压放大倍数减小,以换取放大器性能的改善。

答案:T10. 了减轻信号源的负担并保证输出电压稳定,放大器应采用的反馈类型是电压并联负反馈。

()(二)选择题1.电路图所示,该电路反馈类型为()A.正反馈,直流反馈B.负反馈,交流反馈C.正反馈,交流反馈D.负反馈,直流反馈答案:B解题:电容隔直流,为交流反馈;1管基极输入增加,1管集电极减小,2管集电极增加,1管发射极增加,输入信号和反馈信号在1管不同输入,为负反馈。

2.电路如图所示,该电路反馈类型为()A.电压反馈,并联反馈B.电压反馈,串联反馈C.电流反馈,并联反馈D.电流反馈,串联反馈C.正反馈,交流反馈 答案:B答案:B解题:当反馈信号电压为0,反馈消失,为电压反馈;输入信号和反馈信号在1 管不同输入端,为串联反馈。

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第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。

( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。

( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。

解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解:(1)C,D (2)C (3)A (4)A,C (5)B(6)C四、电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,'r=100bbΩ,静态时|U BE Q|≈0.7V。

试求:(1)静态时T1管和T2管的发射极电流。

(2)若静态时u O>0,则应如何调节R c2的值才能使u O=0V?若静态u O=0V,则R c2=?电压放大倍数为多少?图T 3.4解:(1)T 3管的集电极电流I C3=(U Z -U B E Q 3)/ R e3=0.3m A 静态时T 1管和T 2管的发射极电流 I E 1=I E 2=0.15m A (2)若静态时u O >0,则应减小R c2。

当u I =0时u O =0,T 4管的集电极电流I CQ 4=V E E / R c4=0.6m A 。

R c2的电流及其阻值分别为Ω≈+=-=-=k 14.7mA14.0C2c1BEQ4E4E4c2CQ4C2B4C2R R I U R I R I I I I I =β电压放大倍数求解过程如下:Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV 26)1(k 7.10mV 26)1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2I r r I r r ββ{}29718)1( 5.16 2])1([21e4be4c42be2e4be4c21-∥≈⋅=-≈++-=≈++=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中,T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。

设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

图P3.1解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e)共源,共集(f)共基,共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出uA 、R i 和R o 的表达式。

图P3.2解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。

(2)各电路uA 、R i 和R o 的表达式分别为 图(a ){}22be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u∥∥图(b )4o be2321be11i be242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(R R r R R r R R r R r R R r r R R A u=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ图(c ){}3o be11i d2be232be11d 2be221])1([])1([R R r R R r r R r R r r R A u=+=++-⋅+++-=ββββ∥图(d )8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β解图P3.23.3 基本放大电路如图P3.3(a )(b )所示,图(a )虚线框内为电路Ⅰ,图(b )虚线框内为电路Ⅱ。

由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c )、(d )、(e )所示,它们均正常工作。

试说明图(c )、(d )、(e )所示电路中 (1)哪些电路的输入电阻比较大; (2)哪些电路的输出电阻比较小;(3)哪个电路的s u A =so U U 最大。

图P3.3解: (1)图(d )、(e )所示电路的输入电阻较大。

(2)图(c )、(e )所示电路的输出电阻较小。

(3)图(e )所示电路的su A 最大。

3.4 电路如图P3.1(a )(b )所示,晶体管的β均为50,r b e 均为1.2k Ω,Q 点合适。

求解uA 、R i 和R o 。

解:在图(a )所示电路中Ω==Ω≈=-≈⋅===+⋅-=k 3k 93.012512513o be121i 21be2322be12be211R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ∥∥ βββ在图(b )所示电路中Ω==Ω≈+=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 1k 2.1)(21004250)(4o be1325i 21be2422be1be2111R R r R R R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥∥ ββ3.5 电路如图P3.1(c )(e )所示,晶体管的β均为80,r b e 均为1.5k Ω,场效应管的g m 为3m A/V ;Q 点合适。

求解uA 、R i 和R o 。

解:在图(c )所示电路中Ω==Ω≈=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 2k 5.1663410762)(4i be11i 21be2422be1be2311R R r R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥ ββ在图(e )所示电路中{}Ω≈++=Ω==-≈⋅=≈+++=-≈-≈++-=431M 1061)1()1(6])1([2be 4o 1i 214be 4224be 21ββββR r R R R R A A A R r R A R g R r R g A u u u u m m u ∥∥3.6 图P3.6所示电路参数理想对称,β1=β2=β,r b e1=r b e2=r b e 。

(1)写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式;(2)写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式,比较两个结果有什么不同。

图P3.6解:(1)R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beW c IO d )2( r R R u u A +-=∆∆=β(2)R W 的滑动端在最右端时IbeW c C2C1O Ibec C2I beW c C1)2( 2 2)( u r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beW c IO d )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知,两种情况下的A d 完全相等;但第二种情况下的C21C u u ∆∆>。

3.7 图P3.7所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'bb r =100Ω,U BE Q ≈0.7。

试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ,以及动态参数A d 和R i 。

图P3.7解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA517.02222eW BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U +A d 和R i 分析如下:Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV 26)1(W be i W be cd EQ bb'be R r R R r R A I r r ββββ3.8 电路如图P3.8所示,T 1管和T 2管的β均为40,r b e 均为3k Ω。

试问:若输入直流信号u I1=20m v ,u I2=10m v ,则电路的共模输入电压u I C =?差模输入电压u Id =?输出动态电压△u O =?图P3.8解:电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u Id 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV152Id d O bec d I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β由于电路的共模放大倍数为零,故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。

3.9 电路如图P3.9所示,晶体管的β=50,'bb r =100Ω。

(1)计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得u O =2V ,u I =?若u I =10mv ,则u O =?图P3.9解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为V 5 , k 67.6CC Lc L 'CC L c 'L =⋅+=Ω≈=V R R R V R R R ∥静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位分别为V15V23.3mA265.02CC CQ2'L CQ 'CC CQ1eBEQEE EQ CQ CQ2CQ1==≈-==-≈≈==V U R I V U R U V I I I I(2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:△u O =u O -U CQ 1≈-1.23VmV6.377.32)(2 k 1.5mA 26)1(dO I be b 'Ld EQ'bb be ≈∆=-≈+-=Ω≈++=A u u r R R A I r r ββ若u I =10m v ,则V9.2V 327.0O 1CQ O I d O ≈∆+=-≈=∆u U u u A u3.10 试写出图P 3.10所示电路A d 和R i 的近似表达式。

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