抗电磁干扰设计
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(7)脉冲电路的噪声抑制 脉冲电路常用积分电路、脉冲隔离门和削波器抑制噪声干扰。
二.抗电磁干扰设计
2.1输入信号线的选择与连接
当传送信号的频率较高,或频率不高但传送距离很远时,必 须考虑输入信号线的特性,选择合适的导线。 (1)双绞线 为防止干扰,通常将两根传输导线扭绞起来,构成“双绞 线”。 采用双绞线的目的是使其相邻的两个“扭结”的感应电动势 大小相等、方向相反,使得总的感应电动势接近零。 应尽量采用一点接地,避免接地电位差的影响; 两组双绞线平行敷设时,应尽量使两组双绞线的扭结节距相 等。
(3)浮置
电子设备的输入信号放大器公共线(即模拟信号地)不接机 壳或大地,这样放大器与机壳或大地之间无直流联系。
(4)对称电路 双线电路中的两根导线及这两根导线连接的所有电路对地或 其他导线电路的结构对称,且对应阻抗相等。
(5)滤波器 抑制经导线传导耦合到电路的噪声干扰。
(6)隔离技术 在采用两点以上接地的系统中,为抑制地电位差形成的干扰, 采用隔离技术切断环路电流是十分有效的方法。
第7章 抗电磁干扰设计
一.概述
• 电子电路的噪声是指除有用信号以外的所有电子信号 的总称,噪声是不可避免的。有些噪声可能会影响电 路的正常工作,这种噪声称为干扰。干扰进入电路后, 轻者可使电路的性能指标下降、精确度降低;重者能 使电路无法正常工作。
• 抗干扰设计就是要结合电路的特点把干扰的影响减小 到最小。一方面要防止干扰入侵,即抗干扰;另一方 面要防止它成为干扰源,即抑制干扰。
• 对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。对要屏蔽 外部强磁场的,则屏蔽体外层要选用不易磁饱和的材料, 如硅钢等;而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料,如 坡莫合金等。反之,如果要屏蔽内部强磁场时,则材料排 列次序要倒过来。
2.4接地的设计
设计良好的地线既能提高抗干扰的能力,又能减小电磁发射。 (1)低频电路的一点接地原则
(3)提高接收电路的抗干扰性能
1.3抗干扰的基本措施
(1)屏蔽
对两个空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场、磁场 和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。 屏蔽体一般是用低阻或高导磁材料做成的容器。
(2)接地
将电子电路及设备的外壳或导线屏蔽层接地可以给高频干扰 电压形成低阻通路,以防其对电路的干扰。
En
(5)传导耦合
当导线经过具有噪声的环境时即可拾取噪声并经导线传送到 电路中造成干扰。
(6)辐射电磁场耦合
通常来源于大功率高频电器设备,如广播电视、移动通信的 发射设备。
1.2抑制电磁干扰的基本思路
(1)抑制干扰源 干扰源有些来自外部,如大功率发射设备;有些来自内
部,如电压与电流发生剧变处。
(2)切断干扰传播的途径 “路”:隔断或旁路; “场”:屏蔽与接地。
• 电磁干扰是电子线路最主要的干扰。
1.1电磁干扰的入侵途径
(1)电容性耦合
由于两个电路之间存在寄生电容,一个电路的电荷变化会影响另一 个电路。
Cm
En
Zi
Un
简化为:
UN
jCm Z i 1 jCmZi
En
U N jCmZiEn
(2)互感耦合
由于两个电路之间存在互感,一个电路的电流变化通过磁路 影响到另一个电路。
M In
Un
UN jMIn
(3)共阻抗耦合
共阻抗耦合是指由于两个电路之间存在共有阻抗,当一个电 路的电流变化时,通过共有的阻抗在另一个电路中产生干 扰电压。
Zi In
Zc Un
UN InZc
(4)漏电流耦合
由于绝缘不良,由流经绝缘电阻的漏电流所引起的噪声干扰。
R
En
Zi
Un
UN
Zi R Zi
• 屏蔽板的材料以良导体为好,但对厚度并无要求,只要有 足够强度就可以了。
(2)磁场屏蔽
• 选用高导磁率的材料,如坡莫合金; • 增加屏蔽体的壁厚;
• 被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上,以尽量减 少通过被屏蔽物体体内的磁通;
• 注意磁屏蔽体的结构设计,凡接缝、通风孔等均可能增加 磁屏蔽体的磁阻,从而降低屏蔽效果。为此,可以让缝隙 或长条形通风孔循着磁场方向分布,这有利于屏蔽体在磁 场方向的磁阻减小;
(2)屏蔽线 为了减少导线的耦合干扰,一般采用屏蔽导线。 屏蔽层应该良好接地,否则可能产生寄生电容的耦合作用, 这种干扰甚至比不带屏蔽层的一般导线更严重。
2.2滤波器设计
当干扰信号的频谱与有用信号的频谱不同时,可以通过滤波 器将干扰信号滤除。
在抗电磁干扰设计中,滤波器通常是指低通滤波器,目Βιβλιοθήκη Baidu是 抑制高频干扰成分。
(4)模拟信号地线与数字信号地线分开设置 数字信号一般比较强,而且是交变的脉冲,流过它的地线电 流也是脉冲。而模拟信号比较弱,因此这两种地线要分开 设置以减小数字信号通过地线电阻对模拟信号的干扰。
2.5信号隔离的设计
(1)电磁隔离 在两个电路之间加一个隔离变压器 :
隔离变压器
电路1
电路2
Vcm
电路1和电路2的地之间存在电位差VCM,但由于变压器将两 个电路间的电的联系切断,从而抑制了VCM的影响。由于变 压器体积较大,这种方法多用于电源的隔离。
(2)光电隔离 在两个电路之间加一个光电耦合器 :
光电耦合器
电路1
电路2 Vcm
电路1和电路2之间是通过光传递信号,没有电的联系,从 而抑制了VCM的影响。光电耦合器体积小,速度快,应用十 分广泛。
(2)高频电路的多点接地原则 对于高频电路,当地线长度等于1/4波长的奇数倍时,地线 阻抗就变得很高,地线就变成了天线,从而向外辐射噪声。 为防止辐射发生,地线长度应小于波长的1/20。如果地线 长度大于波长的1/20,就需多点接地。
(3)强电地线与信号地线分开设置 由于强电的电流很大,地线电阻会产生较大的电压降,如果 这种地线与信号地线共用,会产生很强的干扰。
最常用的是一阶RC低通滤波器:
in
R
out
C
截止频率为:
fc
1
2RC
2.3屏蔽层设计
按其机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。 (1)电场屏蔽 • 屏蔽板以靠近受保护物为好,而且屏蔽板的接地必须良好。
• 屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。例如,全封 闭的金属盒可以有最好的电场屏蔽效果,而开孔或带缝隙 的屏蔽盒,其屏蔽效能都会受到不同程度的影响。
二.抗电磁干扰设计
2.1输入信号线的选择与连接
当传送信号的频率较高,或频率不高但传送距离很远时,必 须考虑输入信号线的特性,选择合适的导线。 (1)双绞线 为防止干扰,通常将两根传输导线扭绞起来,构成“双绞 线”。 采用双绞线的目的是使其相邻的两个“扭结”的感应电动势 大小相等、方向相反,使得总的感应电动势接近零。 应尽量采用一点接地,避免接地电位差的影响; 两组双绞线平行敷设时,应尽量使两组双绞线的扭结节距相 等。
(3)浮置
电子设备的输入信号放大器公共线(即模拟信号地)不接机 壳或大地,这样放大器与机壳或大地之间无直流联系。
(4)对称电路 双线电路中的两根导线及这两根导线连接的所有电路对地或 其他导线电路的结构对称,且对应阻抗相等。
(5)滤波器 抑制经导线传导耦合到电路的噪声干扰。
(6)隔离技术 在采用两点以上接地的系统中,为抑制地电位差形成的干扰, 采用隔离技术切断环路电流是十分有效的方法。
第7章 抗电磁干扰设计
一.概述
• 电子电路的噪声是指除有用信号以外的所有电子信号 的总称,噪声是不可避免的。有些噪声可能会影响电 路的正常工作,这种噪声称为干扰。干扰进入电路后, 轻者可使电路的性能指标下降、精确度降低;重者能 使电路无法正常工作。
• 抗干扰设计就是要结合电路的特点把干扰的影响减小 到最小。一方面要防止干扰入侵,即抗干扰;另一方 面要防止它成为干扰源,即抑制干扰。
• 对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。对要屏蔽 外部强磁场的,则屏蔽体外层要选用不易磁饱和的材料, 如硅钢等;而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料,如 坡莫合金等。反之,如果要屏蔽内部强磁场时,则材料排 列次序要倒过来。
2.4接地的设计
设计良好的地线既能提高抗干扰的能力,又能减小电磁发射。 (1)低频电路的一点接地原则
(3)提高接收电路的抗干扰性能
1.3抗干扰的基本措施
(1)屏蔽
对两个空间区域之间进行金属的隔离,以控制电场、磁场 和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。 屏蔽体一般是用低阻或高导磁材料做成的容器。
(2)接地
将电子电路及设备的外壳或导线屏蔽层接地可以给高频干扰 电压形成低阻通路,以防其对电路的干扰。
En
(5)传导耦合
当导线经过具有噪声的环境时即可拾取噪声并经导线传送到 电路中造成干扰。
(6)辐射电磁场耦合
通常来源于大功率高频电器设备,如广播电视、移动通信的 发射设备。
1.2抑制电磁干扰的基本思路
(1)抑制干扰源 干扰源有些来自外部,如大功率发射设备;有些来自内
部,如电压与电流发生剧变处。
(2)切断干扰传播的途径 “路”:隔断或旁路; “场”:屏蔽与接地。
• 电磁干扰是电子线路最主要的干扰。
1.1电磁干扰的入侵途径
(1)电容性耦合
由于两个电路之间存在寄生电容,一个电路的电荷变化会影响另一 个电路。
Cm
En
Zi
Un
简化为:
UN
jCm Z i 1 jCmZi
En
U N jCmZiEn
(2)互感耦合
由于两个电路之间存在互感,一个电路的电流变化通过磁路 影响到另一个电路。
M In
Un
UN jMIn
(3)共阻抗耦合
共阻抗耦合是指由于两个电路之间存在共有阻抗,当一个电 路的电流变化时,通过共有的阻抗在另一个电路中产生干 扰电压。
Zi In
Zc Un
UN InZc
(4)漏电流耦合
由于绝缘不良,由流经绝缘电阻的漏电流所引起的噪声干扰。
R
En
Zi
Un
UN
Zi R Zi
• 屏蔽板的材料以良导体为好,但对厚度并无要求,只要有 足够强度就可以了。
(2)磁场屏蔽
• 选用高导磁率的材料,如坡莫合金; • 增加屏蔽体的壁厚;
• 被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上,以尽量减 少通过被屏蔽物体体内的磁通;
• 注意磁屏蔽体的结构设计,凡接缝、通风孔等均可能增加 磁屏蔽体的磁阻,从而降低屏蔽效果。为此,可以让缝隙 或长条形通风孔循着磁场方向分布,这有利于屏蔽体在磁 场方向的磁阻减小;
(2)屏蔽线 为了减少导线的耦合干扰,一般采用屏蔽导线。 屏蔽层应该良好接地,否则可能产生寄生电容的耦合作用, 这种干扰甚至比不带屏蔽层的一般导线更严重。
2.2滤波器设计
当干扰信号的频谱与有用信号的频谱不同时,可以通过滤波 器将干扰信号滤除。
在抗电磁干扰设计中,滤波器通常是指低通滤波器,目Βιβλιοθήκη Baidu是 抑制高频干扰成分。
(4)模拟信号地线与数字信号地线分开设置 数字信号一般比较强,而且是交变的脉冲,流过它的地线电 流也是脉冲。而模拟信号比较弱,因此这两种地线要分开 设置以减小数字信号通过地线电阻对模拟信号的干扰。
2.5信号隔离的设计
(1)电磁隔离 在两个电路之间加一个隔离变压器 :
隔离变压器
电路1
电路2
Vcm
电路1和电路2的地之间存在电位差VCM,但由于变压器将两 个电路间的电的联系切断,从而抑制了VCM的影响。由于变 压器体积较大,这种方法多用于电源的隔离。
(2)光电隔离 在两个电路之间加一个光电耦合器 :
光电耦合器
电路1
电路2 Vcm
电路1和电路2之间是通过光传递信号,没有电的联系,从 而抑制了VCM的影响。光电耦合器体积小,速度快,应用十 分广泛。
(2)高频电路的多点接地原则 对于高频电路,当地线长度等于1/4波长的奇数倍时,地线 阻抗就变得很高,地线就变成了天线,从而向外辐射噪声。 为防止辐射发生,地线长度应小于波长的1/20。如果地线 长度大于波长的1/20,就需多点接地。
(3)强电地线与信号地线分开设置 由于强电的电流很大,地线电阻会产生较大的电压降,如果 这种地线与信号地线共用,会产生很强的干扰。
最常用的是一阶RC低通滤波器:
in
R
out
C
截止频率为:
fc
1
2RC
2.3屏蔽层设计
按其机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。 (1)电场屏蔽 • 屏蔽板以靠近受保护物为好,而且屏蔽板的接地必须良好。
• 屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。例如,全封 闭的金属盒可以有最好的电场屏蔽效果,而开孔或带缝隙 的屏蔽盒,其屏蔽效能都会受到不同程度的影响。